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Laboratorio N°3 Emisor en Base Comun
Laboratorio N°3 Emisor en Base Comun
2018
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
Respuesta en frecuencia del amplificador en base común
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
En esta parte hablaremos un poco del tema a tratar para que observe lo que se
desarrollara más adelante de manera más detallada. La terminología relativa a base
común se desprende del hecho de que la base es común a los lados de entrada y
salida de la configuración. Además, la base es usualmente la terminal más cercana o
en un potencial de tierra como se muestra en la figura 1 con transistores pnp y npn.
Esta figura indica además los sentidos de la corriente convencional (Flujo de Huecos).
De la figura 1, se puede observar que en cada caso IE = IC + IB. También se nota que
la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente
en la dirección indicada para cada rama. Es decir, compárese la dirección de IE con la
polaridad o VEE para cada configuración y la dirección de IC con la polaridad de VCC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se
requiere de dos conjuntos de características, uno para los parámetros de entrada o
punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base común, como se muestra en la figura 2, relacionará una corriente
de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida
(VCB). Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a la
zona directa de un diodo, especialmente cuando la salida está polarizada muy
inversamente, (VCB > 10V). El conjunto de salida relacionará una corriente de salida
(IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE).
Esto es, corresponde a la zona inversa del diodo y por tanto, corresponde a una
corriente básicamente constante sin importar el valor del voltaje inverso. Esto quiere
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decir, serán líneas rectas a lo largo del Eje que partirá de un valor aproximado a –
0,6V. Para un transistor de Silicio.
Parámetros de Salida Se
relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB) para varios niveles
de corriente de entrada (IE).
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IV. APLICATIVOS:
Análisis en CD:
25𝑚𝑉
re = =32.05 Ω
1.26 mA
Análisis en CA:
𝑉0 RC 4.7KΩ
AV = =- =- = - 123.09
𝑉𝐼 re 32.05Ω
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Análisis en CD:
25𝑚𝑉
re = =22.73 Ω
1.1 mA
Análisis en CA:
𝑉0 RC 3.6KΩ
AV = = = = - 1158.38
𝑉𝐼 re 22.73Ω
Análisis en CD:
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸
VB =
𝑅𝐵+(𝛽+1)𝑅𝐸
12K Ω
VB = *10v =1.76v
56K Ω+12K Ω
Análisis en CA:
𝑉0 RC 1.8 KΩ
AV = = = = 76.3
𝑉𝐼 re 23.6Ω
V. CUESTIONARIO
Parámetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IE) con el voltaje de entrada (VBE) para varios
niveles de voltaje de salida (VCB). Una vez que el transistor esta “encendido” se
supondrá que el VBE es: VBE= 0.7V
Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB) para varios niveles
de corriente de entrada (IE).
2. Una vez armado el circuito y simularlo observe los resultados ¿son iguales o
similares? Si no lo son explique el porqué de esta diferencia si se trata del mismo
circuito.
Similares, se trata del mismo circuito pero sucede un cambio diferente por el ambiente
de trabajo y la manipulación de los materiales.
OBSERVACIONES
Observamos que en la simulación el voltaje de salida tiene un desfasaje de 0°.
CONCLUSIONES
En este laboratorio hemos aprendido las características de un amplificador BJT de base
común y sus diferencias al momento de trabarlo en laboratorio.
BIBLIOGRAFIA
https://es.slideshare.net/iscped/trabajo-3-mayo
http://www4.tecnun.es/asignaturas/circelectron/Archivos/Tema_V_IV.pdf
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Respuesta en frecuencia del amplificador en base común
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http://www.iuma.ulpgc.es/~lopez/Circuitos%20analogicos/apuntes3.pdf