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CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Respuesta en frecuencia del amplificador en base común


UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO


FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y
ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA
ELECTRÓNICA

Laboratorio de circuitos electrónicos i

PRE INFORME: Respuesta en frecuencia del amplificador en base


común

CURSO: CIRUCITOS ELECTRNICOS I

PROFESOR: ING.CUZCANO RIVAS ABILIO

ALUMNO: PEREZ PIMENTEL FREDY NICOLSON


CODIGO: 1423225761

2018
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
Respuesta en frecuencia del amplificador en base común
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS RESPUESTA EN


FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN BASE COMÚN
I.OBJETIVOS:

 Conocer cómo trabaja el transistor en configuración base común.


 Las relaciones entre la base con el emisor y el colector.
 Observar como son distintos los parámetros de entrada y de salida.
 Saber las diferencias entre sus tres regiones operativas.
 Averiguar cómo hallar la ganancia para este tipo de configuración.
 Aprender las distintas aplicaciones que posee esta configuración.
II. INTRODUCCIÓN:

En esta parte hablaremos un poco del tema a tratar para que observe lo que se
desarrollara más adelante de manera más detallada. La terminología relativa a base
común se desprende del hecho de que la base es común a los lados de entrada y
salida de la configuración. Además, la base es usualmente la terminal más cercana o
en un potencial de tierra como se muestra en la figura 1 con transistores pnp y npn.
Esta figura indica además los sentidos de la corriente convencional (Flujo de Huecos).
De la figura 1, se puede observar que en cada caso IE = IC + IB. También se nota que
la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente
en la dirección indicada para cada rama. Es decir, compárese la dirección de IE con la
polaridad o VEE para cada configuración y la dirección de IC con la polaridad de VCC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se
requiere de dos conjuntos de características, uno para los parámetros de entrada o
punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base común, como se muestra en la figura 2, relacionará una corriente
de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida
(VCB). Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a la
zona directa de un diodo, especialmente cuando la salida está polarizada muy
inversamente, (VCB > 10V). El conjunto de salida relacionará una corriente de salida
(IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE).
Esto es, corresponde a la zona inversa del diodo y por tanto, corresponde a una
corriente básicamente constante sin importar el valor del voltaje inverso. Esto quiere
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decir, serán líneas rectas a lo largo del Eje que partirá de un valor aproximado a –
0,6V. Para un transistor de Silicio.

III. MARCO TEÓRICO:


La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se
conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la
ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de
emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la
propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al realizado en el
caso de emisor común, da como resultado que la ganancia aproximada es:
𝐆𝐕 = 𝐑𝐂 𝐑𝐄
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Configuración base común La base es común a la entrada (emisor – base) y a


la salida (colector – base)
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Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de


dos conjuntos de características:  Parámetros de Entrada Se relaciona la corriente de
entrada (IE) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida
(VCB). Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE es: VBE=
0.7V

Parámetros de Salida Se
relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB) para varios niveles
de corriente de entrada (IE).
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Ahora pasaremos a explicar cada una de ellas.

 Región Activa La unión base-colector se polariza inversamente, mientras que la


unión base-emisor se polariza directamente. Esta es la región más importante si lo que
se desea es utilizar el transistor como amplificador.
La corriente de emisor, que es la corriente de entrada, está formada por la suma de la
corriente de base y la de colector:
IE = IC + IB
En una primera aproximación se puede decir que:
IC ≈ IE
Región de Corte
Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un transistor tienen
polarización inversa. Un transistor está en corte cuando:
(IC = IE = 0A)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0A (IB =0A)

 Región de Saturación Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un


transistor tienen polarización directa. Un transistor está saturado cuando:
(IC = IE = Máxima)
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En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es 0V.


Ganancia de Corriente 𝜶 (alfa)
La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC) entre la de
entrada (IE)
La ganancia de corriente en un transistor es inferior a la unidad, debido a que la
corriente de emisor siempre es algo mayor que la corriente del colector.
Por lo tanto, siempre es menor que 1, en valores entre 0.90 y 0.998.
Ganancia de Voltaje Según se ha visto el transistor de BC no puede producir una
verdadera ganancia de corriente, pero si proporciona ganancias de voltaje
𝛼 = 𝐼𝐶 𝐼𝐸 𝐺𝑉 = 𝑅𝐶 𝑅

IV. APLICATIVOS:

Simular el siguiente circuito


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Análisis en CD:

6 - 6.8 K Ω (IE) - VBE= 0


6-0.7=6.8 K Ω (IE)
IE = 0.78𝑚𝐴

25𝑚𝑉
re = =32.05 Ω
1.26 mA

Análisis en CA:

ZI= RE|| re =6.8 K Ω ||32.05 K Ω = 31.89K Ω


Z0= RC= 4..7K Ω

𝑉0 RC 4.7KΩ
AV = =- =- = - 123.09
𝑉𝐼 re 32.05Ω
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2. Simular el siguiente circuito:


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Análisis en CD:

5 - 3.9 K Ω (IE) - VBE= 0


5-0.7=3.9 K Ω (IE)
IE = 1.1𝑚𝐴

25𝑚𝑉
re = =22.73 Ω
1.1 mA

Análisis en CA:

ZI= RE|| re =3.9 K Ω ||22.73 K Ω = 22.9 Ω


Z0= RC= 3.6K Ω

𝑉0 RC 3.6KΩ
AV = = = = - 1158.38
𝑉𝐼 re 22.73Ω

3. Simular el siguiente circuito:


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Análisis en CD:
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸
VB =
𝑅𝐵+(𝛽+1)𝑅𝐸
12K Ω
VB = *10v =1.76v
56K Ω+12K Ω

Ve = VB - VBE = 1.76 - 0.7 = 1.06


𝑉𝐸 1.06 25𝑚𝑉
IE = = = 1.06 𝑚𝐴 re = = 23.6 Ω
𝑅𝐸 1𝑘 1.06 mA
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Análisis en CA:

RC= RC|| RL =2.2 K Ω ||10Ω = 1.8 K Ω

𝑉0 RC 1.8 KΩ
AV = = = = 76.3
𝑉𝐼 re 23.6Ω

V. CUESTIONARIO

1. ¿A qué se le llama parámetros de entrada y salida en la configuración en base


común? Explique detalladamente

Parámetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IE) con el voltaje de entrada (VBE) para varios
niveles de voltaje de salida (VCB). Una vez que el transistor esta “encendido” se
supondrá que el VBE es: VBE= 0.7V

Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB) para varios niveles
de corriente de entrada (IE).

2. Una vez armado el circuito y simularlo observe los resultados ¿son iguales o
similares? Si no lo son explique el porqué de esta diferencia si se trata del mismo
circuito.
Similares, se trata del mismo circuito pero sucede un cambio diferente por el ambiente
de trabajo y la manipulación de los materiales.

3. ¿Qué diferencia al transistor en base común con el trabajado en el laboratorio anterior


(emisor común)?
Posee una ganancia de voltaje alta, desfasaje 0°, impedancia de entrada baja y de salida
baja

OBSERVACIONES
Observamos que en la simulación el voltaje de salida tiene un desfasaje de 0°.

CONCLUSIONES
En este laboratorio hemos aprendido las características de un amplificador BJT de base
común y sus diferencias al momento de trabarlo en laboratorio.

BIBLIOGRAFIA
https://es.slideshare.net/iscped/trabajo-3-mayo
http://www4.tecnun.es/asignaturas/circelectron/Archivos/Tema_V_IV.pdf
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http://www.iuma.ulpgc.es/~lopez/Circuitos%20analogicos/apuntes3.pdf

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