FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA
Carrera de Ingeniería Electrónica y Control
Carrera de Ingeniería Eléctrica

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRÁCTICA N°6
1. TEMA
CARACTERIZACIÓN DEL IGBT

2. OBJETIVOS
2.1. Diseñar el circuito de control para un IGBT.

2.2. Conocer las características de conmutación de los IGBTs.

3. MARCO TEÓRICO
El IGBT es un dispositivo relativamente nuevo en el mundo de la electrónica de potencia
debido a que hace décadas atrás fue muy común el uso de MOSFETs y BJTs en distintas
aplicaciones de alta potencia. Ambos dispositivos poseen algunas ventajas y desventajas
entre sí; por un lado, tenemos un mal rendimiento de conmutación, baja impedancia de
entrada y control por corriente en el BJT. Por otro lado, tenemos excelentes características
de conmutación, alta impedancia de entrada, y control por voltaje en el MOSFET. Sin
embargo, existen malas características de conducción y diodos parásitos en altas
frecuencias.

Por lo tanto, se generó la necesidad de un dispositivo tal que tenga las mejores
características de los MOSFETs y BJTs. Fue cuando el IGBT se introdujo alrededor del año
1980 y se hizo muy popular en las aplicaciones de electrónica de potencia debido a sus
características superiores. El IGBT tiene características de entrada similares a un MOSFET
y características de salida de tipo BJT, por lo tanto, su símbolo es también una amalgama
de los símbolos de los dos dispositivos principales. Los tres terminales del IGBT son Gate
(Puerta), Collector (Colector) y Emitter (Emisor). La Figura 1 muestra el símbolo de IGBT.

Período: 2018-B | http://ciecfie.epn.edu.ec/wss/VirtualDirectories/80/Enlaces/LABORA.htm

 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Figura 1. Símbolo del IGBT.

La estructura de IGBT es muy similar a la de un PMOSFET, excepto por una capa conocida
como capa de inyección que es p+ a diferencia del sustrato n+ en el PMOSFET. Esta capa
de inyección es la clave para las características superiores de IGBT. Otras capas se llaman
drift y la región del cuerpo. Las dos uniones están etiquetadas por J1 y J2. La figura 2a
muestra la estructura de IGBT de canal n. Podemos observar que el colector de Q1 es igual
que la base de Q2 y el colector de Q2 es el mismo que la base de Q1. Por lo tanto, podemos
llegar a un modelo de circuito equivalente de IGBT como se muestra en la figura 2b.

Figura 2a. Estructura interna del IGBT. Figura 2b. Modelo equivalente del IGBT.

La conexión de dos transistores BJT forma un tiristor parásito como se muestra en la figura
anterior (2b). El IGBT de canal N se activa cuando el colector tiene un potencial positivo
con respecto al emisor y la puerta también a un potencial positivo suficiente (>VGET) con
respecto al emisor. Esta condición conduce a la formación de una capa de inversión justo
debajo de la puerta, lo que lleva a la formación de un canal y comienza a fluir una corriente
desde el colector al emisor.

La corriente de colector 𝐼𝑐 en el IGBT se compone de dos corrientes: 𝐼𝑒 e 𝐼ℎ . Es decir, la

corriente se debe a electrones inyectados que fluyen del colector al emisor a través de la

Período: 2018-B | http://ciecfie.epn.edu.ec/wss/VirtualDirectories/80/Enlaces/LABORA.htm

 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

capa de inyección, la capa derivada. 𝐼ℎ es la corriente de huecos que fluye del colector al
emisor a través de Q1 y la resistencia del cuerpo Rb. Por lo tanto:

𝐼𝑐 = 𝐼𝑒 + 𝐼ℎ

Aunque 𝐼ℎ es casi insignificante y, por tanto, 𝐼𝑐 ≈ 𝐼𝑒 . Se observa un fenómeno peculiar en el

IGBT conocido como enganche del IGBT. Esto ocurre cuando la corriente del colector
excede un cierto valor de umbral (𝐼𝐶𝐸 ). En este punto, el tiristor parásito se traba y el terminal
de puerta pierde el control sobre la corriente del colector y el IGBT no se apaga incluso
cuando el potencial de puerta se reduce por debajo de VGET. Para desconectar el IGBT
ahora, necesitamos un circuito de conmutación típico como en el caso de la conmutación
forzada de tiristores. Si el dispositivo no se apaga lo antes posible, puede dañarse.

Características Estáticas
La Figura 3b muestra las características estáticas de corriente – voltaje de un IGBT canal
n junto con un diagrama de circuito de prueba en la Figura 3a.

Figura 3a. Circuito de prueba del IGBT. Figura 3b. Características estáticas del IGBT.

El gráfico es similar al de un BJT, excepto que el parámetro que se mantiene constante es

VGE porque el IGBT es un dispositivo controlado por voltaje a diferencia del BJT, que es
un dispositivo controlado por corriente. Cuando el dispositivo está en modo OFF (VCE es
positivo y VGE <VGET) el voltaje inverso está bloqueado por J2 y cuando está polarizado
inversamente, es decir, VCE es negativo, J1 bloquea la tensión.

Características Dinámicas

La Figura 4 muestra la característica de conmutación típica de IGBT.

Período: 2018-B | http://ciecfie.epn.edu.ec/wss/VirtualDirectories/80/Enlaces/LABORA.htm

 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Figura 4. Características dinámicas del IGBT.

El tiempo de activación ton se compone de dos componentes, el tiempo de retardo (𝑡𝑑𝑛 ) y

el tiempo de subida (𝑡𝑟 ). El tiempo de retardo se define como el tiempo en el cual la corriente
del colector se eleva desde la corriente de fuga 𝐼𝐶𝐸 a 0.1 𝐼𝐶 (corriente final del colector) y el
voltaje del emisor del colector cae de 𝑉𝐶𝐸 a 0.9𝑉𝐶𝐸 .

𝑡𝑜𝑛 = 𝑡𝑑𝑛 + 𝑡𝑟

El tiempo de apagado 𝑡𝑜𝑓𝑓 consta de tres componentes, tiempo de retardo (𝑡𝑑𝑓 ), tiempo de
caída inicial (𝑡𝑓1 ) y tiempo de caída final (𝑡𝑓2 ). El tiempo de retardo se define como el tiempo
en que la corriente del colector cae de 𝐼𝐶 a 0.9 𝐼𝐶 y el 𝑉𝐶𝐸 comienza a aumentar.

𝑡𝑜𝑓𝑓 = 𝑡𝑑𝑓 + 𝑡𝑓1 + 𝑡𝑓2

4. TRABAJO PREPARATORIO
4.1. Consultar sobre los circuitos tótem pole como circuitos de disparo para transistores
de potencia.
4.2. Diseñar y simular los circuitos de control PWM para frecuencias entre 1 y 10 KHz,
además se debe poder variar la relación de trabajo entre 0,1 < δ < 0,9.

Período: 2018-B | http://ciecfie.epn.edu.ec/wss/VirtualDirectories/80/Enlaces/LABORA.htm

 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

4.3. Implementar los elementos del circuito de la Figura 5 que es el circuito auxiliar o gate
driver para ayudar al encendido y apagado del IGBT. El esquema muestra el
acoplamiento del circuito de control y de potencia sin aislamiento óptico.
Nota: El capacitor sirven para estabilizar el voltaje de la fuente VDC (12V), los
transistores pueden ser 2N4904 y 2N4906.

Figura 5. Gate driver para IGBT.

El aislamiento entre el circuito de control y potencia se debe realizar a través de una

optonand como se muestra en la Figura 6.

Figura 6. Circuito de aislamiento con optonand.

4.4. Considerar para el diseño el dimensionamiento de un diodo de conmutación rápida

(Fast Recovery) para trabajar con una carga inductiva que consuma igual potencia
que la carga resistiva.

Período: 2018-B | http://ciecfie.epn.edu.ec/wss/VirtualDirectories/80/Enlaces/LABORA.htm

 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

4.5. Traer armados los circuitos de potencia y control de los diferentes literales. En caso
de que el estudiante no tenga los circuitos armados, no podrá ingresar a la práctica.

5. EQUIPO Y MATERIALES
5.1. Fuente de corriente continua.
5.2. Autotransformador monofásico
5.3. Puente de diodos
5.4. Capacitor electrolítico
5.5. Osciloscopio
5.6. Transformador de aislamiento relación 1:1
5.7. Multímetro
5.8. Punta de prueba de voltaje
5.9. Pinza de prueba de corriente
5.10. Analizador de armónicos
5.11. Cables

6. PROCEDIMIENTO
6.1. Antes de la realización de la práctica cada instructor tomará un coloquio acerca de la
lectura, en base al mismo decidirá si el estudiante está preparado o no para realizar
la práctica.

6.2. Para el circuito diseñado en el literal 4 del trabajo preparatorio, observar formas de
onda de voltaje, corriente y potencia.

6.3. A una relación de trabajo solicitada por el instructor, con el módulo matemático del
osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y corriente para observar la curva de
potencia disipada en el dispositivo, para una frecuencia de las solicitadas en el
preparatorio.

6.4. Para la misma frecuencia anterior y carga resistiva tomar formas de onda de voltaje
y corriente en el dispositivo, determinar los tiempos de encendido y apagado del IGBT
para calcular las pérdidas estáticas y dinámicas.

Período: 2018-B | http://ciecfie.epn.edu.ec/wss/VirtualDirectories/80/Enlaces/LABORA.htm

 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

6.5. Usando el analizador de armónicos medir la potencia de disipación del IGBT para el
literal anterior.

6.6. Repetir el literal 6.3, 6.4 y 6.5 para carga R-L añadiendo el diodo de conmutación
rápida (FAST RECOVERY DIODE).

7. INFORME
7.1. Presentar las formas de onda obtenidas en la práctica del laboratorio. Realice los
comentarios respectivos de cada gráfica.

7.2. Calcular analíticamente la potencia de disipación del IGBT para las condiciones del
literal 6, utilice los tiempos obtenidos experimentalmente. Comparar estos
resultados con los obtenidos por el analizador de armónicos. Además, adjuntar una
tabla con los parámetros característicos del IGBT usado en la práctica (Vce, Vsat,
Ic, Ifuga).

7.3. Conclusiones y recomendaciones.

7.4. Referencias.

8. REFERENCIAS
8.1. Batarseh, I., Power Electronics Handbook, The Power MOSFET, 2011.
8.2. https://www.electrical4u.com/insulated-gate-bipolar-transistor-igbt/

.
Revisado por: MSc. Pablo Rivera pHd.

Período: 2018-B | http://ciecfie.epn.edu.ec/wss/VirtualDirectories/80/Enlaces/LABORA.htm