Tema 3: Electrostática en medios

dieléctricos
3.1 Dipolo eléctrico
3.2 Polarización y susceptibilidad eléctrica
3.3 Desplazamiento eléctrico y Ley de Gauss en un
dieléctrico
3.4 Dieléctricos lineales, isotrópicos y homogéneos
3.5 Condiciones de contorno en medios dieléctricos
3.6 Energía electrostática en un medio dieléctrico
3.7 Dieléctricos no LIH
 3.1 Dipolo eléctrico
• Dos cargas iguales y opuestas separadas
 una distancia L (pequeña)

• Momento dipolar eléctrico: p  qL

L esta orientado de – a +

• Campo creado por el dipolo: en el eje del dipolo, en un punto alejado

2p
E k 3
r
Ejemplo de dipolo eléctrico: moléculas polares (H20)
Moléculas no-polares: no poseen momento
dipolar eléctrico permanente

Masoller FIII 2
 Potencial creado por un dipolo
kq kq
V (r)   r2  r 2  (d / 2)2  rd cos 
r r
 d d  
2

r  r 1  cos     
2 2

 r  2r   
2 1 / 2 p
1 1 d d  
 1  cos     
r r  r  2r  
1 1 d  1 1 1d
Lejos del dipolo:  1  cos     cos 
r r  2r  r r r r
 
kq kq kqd kp rp
V (r)    2 cos   2 cos  k 3
r r r r r
 Campo creado por un dipolo
kp
V ( r,  ) 2
cos 
r
 V 1 V ˆ 1 V ˆ
E  V   rˆ   
r r  r sin  

V p cos  r
Er   
r 2 0 r 3
1 V p sin 
E   
r  4 0 r 3 
p
1 V
E   0
r sin  
Energía potencial de un dipolo en un campo externo

 
        
M O  L  F1  L  qE  qL  E  p  E
dW  M O d   pE sin  d (El signo de – es debido a que el
momento tiende a disminuir )
dU  dW  dU  pE sin  d Energía potencial
 
 U   pE cos   C  U  pE de un dipolo en un
campo externo.

Masoller FIII 5
 Polarizabilidad atómica
• En un átomo neutro, en presencia de un campo externo se produce un
momento dipolar inducido que es proporcional al campo externo.
 
p  E

=polarizabilidad atómica

Modelo sencillo para calcular la polarizabilidad atómica: Asumimos que el conjunto

de electrones de carga –q se puede considerar una esfera de radio “a” con una
densidad de carga volumétrica uniforme  = -q/(4a3/3). En el punto donde se
encuentra el núcleo (de carga +q) el campo creado por la esfera de electrones es:
1 qd
Eelectrones 
4 0 a 3 p  qd
1 qd
Y debe ser igual y opuesto al campo externo: E
4 0 a 3 p  E
   4 0a 3
 3.2 Polarización y susceptibilidad eléctrica

• Los materiales dieléctricos están compuestos por un gran

conjunto de dipolos eléctricos.
• Se observa experimentalmente que cuando un dieléctrico
se introduce entre las placas de un condensador, la
capacidad del condensador aumenta en un factor k que
depende del material.
• Desarrollaremos una teoría microscópica de los materiales
dieléctricos que explica este aumento de capacidad.
 Dieléctrico dentro de un condensador
• Cuando un dieléctrico se sitúa en el campo E0 externo creado por un condensador,
las moléculas se polarizan parcialmente tal que se produce un momento dipolar
neto paralelo al campo.
• La “respuesta” del material al campo externo depende de las características del
material y de la temperatura.

• Aparece una carga inducida que crea un campo se que opone al campo externo.
E0 k  1 es la V0
E V  Ed  C 
Q
k
Q
 kC0
k constante
dieléctrica k V V0
del material
 Permitividad y rigidez dieléctrica
0 A A
• Permitividad del dieléctrico:   k 0  C  kC0  k 
d d
• Si el campo externo es muy intenso, los enlaces moleculares se rompen, el
material se ioniza y se transforma en conductor.
• La rigidez (o resistencia) dieléctrica es el valor límite de la intensidad del
campo eléctrico para el cual un material es no-conductor.
• Algunos valores típicos:
 Polarización y susceptibilidad eléctrica
• Momento dipolar de un dipolo:

• Polarización: momento dipolar por unidad de volumen (C/m2).

 
 dp Einducido
P  lim dV 0
dV
• Una polarización da lugar a una densidad de carga
ligada o inducida

• Veremos que la carga ligada es la suma de una densidad

superficial y densidad volumétrica dadas por
 
 b  P  nˆ b    P 
• Que producen un campo inducido opuesto al campo Eexterno
externo que induce la polarización.
Teoría molecular de las cargas inducidas

Física con Ordenador:

http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/elecmagnet/
campo_electrico/dielectrico/dielectrico.htm
 Potencial creado por un material polarizado
   
r  dp    dp
V  k 3 r  R  r  P( r ' ) 
V
r dV '
 
P( r ' )  r
V ( R)  k  3
dV '  
V
r r R

1 1 r
   2 rˆ  3
r r r O
  1
 
  
V  k  P( r ' )   dV '   fA  f  A  f   A
V r
   
 P( r ' )    P( r ' ) P( r ' )   P( r ' )
V  k 
  
 dV '  k  dV '  k   ndS  k 
ˆ dV '
V  r  V
r S
r V
r
Potencial y campo creado por un material polarizado

 
P( r ' )  nˆ    P( r ' )
V  k dS  k  dV '
S
r V
r

• Si comparamos con el potencial creado por una distribución de carga  + 

dq  dS  dV '
V  k  k  k
r S
r V
r
 
• Las densidades de carga ligadas son:  b  P  nˆ b    P

• Para calcular el campo creado por el material polarizado:

 
  br b r
E  k  3 dS  k  3 dV '
S
r V
r
 Densidad de carga ligada o inducida


P Ejemplo: Cilindro con polarización uniforme

1 2 b    P  0

  b1   P  P
 b  P  nˆ  2  Einterior  
b  P 0

 
 bdV     PdV   P  nˆ dS    b dS
V V S S


V
b dV    b dS  0
S
(La carga ligada
total es cero)
 3.3 Desplazamiento eléctrico y Ley de Gauss en
un dieléctrico
• Densidad de carga total = densidad de carga ligada + densidad de carga libre

t  b  l    P  l
 t    P  l
 
   
 E    0  E    P  l     0 E  P
0 0
  
• Desplazamiento eléctrico: D   0 E  P

• Ley de Gauss generalizada

 (en un material dieléctrico):
• Diferencial   D   l
 
• Integral
   D dV   l dV   D  nˆ dS  Ql
S
V V
 3.4 Dieléctricos lineales, isotrópicos y homogéneos
• En los dieléctricos lineales la polarización es proporcional al campo eléctrico
 
P   0 e E
• La constante de proporcionalidad e es la susceptibilidad eléctrica, que
caracteriza la “respuesta” de un material a un campo eléctrico.

• El campo E es el campo total, creado por todas las cargas (libres y ligadas).

• Si tenemos un campo externo E0, este induce una polarización, que da lugar a
cargas ligadas que crean su propio campo, Eb. El campo total será E = E0 + Eb.
     
• Desplazamiento eléctrico D   0 E  P   0 E   0 e E  E
•  = permitividad del material    0 1  e 
• k = constante dieléctrica o permitividad relativa k   /  0   r  1  e
 Dieléctricos lineales

• Ejemplo: esfera dieléctrica de permitividad  con una carga q en el centro


 D  nˆ dS  q
S
   1 q
D  E  E rˆ
4r 
2
 Ejemplo: condensador con un dieléctrico lineal

   l
 D  nˆ dS  Ql
S
 D  l D  E  E 

Q l A l A A 0 A
C   C  C   rC0 C0 
V Ed ( l /  )d d d

 b  P  D   0 E  E   0 E     0   l
 1
  b  1   l
  r 
 3.5 Condiciones de contorno en medios
dieléctricos
• En el vacío vimos que (Tema 1):
 ||  ||
 t l  b

E2  E1
E E  
2
0 1
0 V2  V1

• Cuando hay dieléctricos:  D  nˆ dS  Ql  D2  D1   l
S
• Cuando los medios son dieléctricos lineales: la densidad de carga ligada es
proporcional a la densidad de carga libre 
 D  0 e   0 e
 
 
b    P     0 e E      0  e   
   D   l
   
• Si  l  0  b  0
t l  b
 V   0
2

0 0
En el interior del dieléctrico si no hay cargas libres se cumple la ecuación de Laplace
Ejemplo: calcular la capacidad de los condensadores

• Las placas tienen área de dimensiones a x b y están separadas una distancia d

x

x 

C
ab  0 (a  x )b xb
x /   (d  x ) /  0 C 
d d
1 1 1
  C  C1  C2
C C1 C2
 3.6 Energía electrostática en un medio dieléctrico

• Vimos que el trabajo que hay que hacer para cargar un capacitor, cuando hay
vacío entre sus placas, es 1
W  C0V 2

2
• Cuando hay un dieléctrico entre las placas del condensador, hay que aumentar la
carga libre para compensar la carga ligada, y el trabajo es:
1 1
W  CV 
2
C0V 2
2 2 0
• Se puede demostrar que en medios dieléctricos, la densidad de energía
electrostática es: 1  
u DE
2
 
• En el vacío: D   E  u 
 0
2
0 E
 2  2
• En un dieléctrico lineal: D  E u  E
2
 3.7 Dieléctricos no LIH
• En algunos cristales que contienen moléculas polares (ej. cuarzo) las tensiones
mecánicas producen una polarización de las moléculas.
• Este efecto se denomina efecto piezoeléctrico.
• La polarización del material genera una diferencia de potencial que puede usarse
para generar una corriente eléctrica.
• El efecto piezoeléctrico se usa para convertir tensiones mecánicas
(deformaciones) en señales eléctricas (ejemplo: micrófonos).
• El efecto inverso (un voltaje aplicado genera una tensión mecánica que da lugar a
una deformación) se usa en muchos dispositivos (ejemplo: auriculares).
• En algunos cristales (piro eléctricos) cuando aumenta la temperatura se generan
campos eléctricos.
• En muchos cristales la polarización depende de la orientación del campo eléctrico
(relativa a los ejes de simetría del cristal)