ELECTRÓNICA DE POTENCIA

CAPITULO 1
INTRODUCCIÓN AL MODELADO, ANÁLISIS Y SIMULACIÓN DE
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
1.1 Introducción: En la actualidad, la modelización y la simulación es una actividad
indispensable cuando nos enfrentamos con el análisis y diseño de sistemas
multidisciplinares de cierta complejidad.
El objetivo es ayudar o dar el soporte necesario al diseñador durante el proceso de
diseño, análisis y diagnosis de sistemas ingenieriles. El software debe complementar el
talento del diseñador para que éste pueda modelar y simular de forma lo más
eficientemente posible.
CAPITULO II
DIODOS DE POTENCIA
1.2 Introducción. - Entre los dispositivos de conmutación estática en la Electrónica de
Potencia, el diodo es el más simple. El dispositivo consiste en dos terminales, Ánodo y
Cátodo, donde si, el terminal del ánodo experimenta un potencial superior al terminal del
Cátodo, hace que el diodo esté polarizado en directa, lo cual hace que circule una
corriente lf a través del diodo en la dirección del símbolo del dispositivo. También aparece
una caída de tensión Vf menor a 1V.
CAPITULO III
CIRCUITOS RECTIFICADORES, MONTAJES Y SIMULACIONES
3.1 Circuitos Rectificadores
Ejercicio 1 Para los circuitos mostrados (rectificador de media onda, onda completa con
punto medio y rectificador de onda completa tipo puente) los diodos se pueden
representar por un modelo lineal con Vy = 0V y Rd= 25 Ω.
Determinar:
a) la corriente media por la carga RL y por el diodo
b) la tensión media sobre la carga y sobre el diodo
c) la corriente y tensión eficaz sobre la carga
d) el factor de rizado
e) la tensión inversa de pico que soporta el diodo
f) el rendimiento de rectificación 11%
g) Comparar las características de cada circuito.
El voltaje promedio de salida es:
FIGURA N°3.4 Rectificador de media Onda

FIGURA N°3.5 Rectificador de Onda completa

FIGURA N°3.6 Forma de Onda del Rectificador de onda completa

Ejercicio 2
Analizar en forma cualitativa, teniendo en
cuenta la constante de tiempo r, la tensión de
salida vo(rot) y la corriente por la carga y los
diodos al variar C. Considerar C= 1 ¡..tF, C= 1
O ¡..tF, C= 100 ¡..tF. ¿Cómo conviene que sea
C? ¿Qué inconveniente presenta hacer e muy
grande?
¿Qué parámetros deben considerarse para
elegir los diodos
FIGURA N°3. 7. Rectificador derivación central con carga RC
Solución: Análisis del circuito. -Los diodos ideales, permiten el paso de toda la corriente
en una única dirección, la correspondiente a la polarización directa, y no conducen
cuando se polarizan inversamente.
1 er Análisis: Si es un rectificador de onda completa entonces tendrá todas sus crestas en
el lado positivo, listo para ser filtrado y así obtener una señal eléctrica continua, entonces
para ellos a las sea el valor del capacitar, mas continua será la señal, veámoslo:
Utilizamos el programa de simulación proteous para simular los circuitos: Analizando el
circuito para C=1 uf VO =12:
El condensador tiene un valor relativamente pequeño, esto conlleva a que la rectificación
no será del todo completa, el circuito es el que se muestra:

2er Análisis: Analizando el circuito para C=10uf VO =12

Al convertir la tensión de voltaje en continua también se convierte la corriente, esto es
porque el voltaje está relacionado con la corriente. Resultados del osciloscopio al
aumentar el valor de C a 10uf
3er Análisis: Analizando el circuito para C=100uf V0=1
La constante tau ya no será tomada en cuenta una vez que la tensión sea contante y sus
parámetros hayan desaparecido (frecuencia, amplitud, periodo)

Ejercicio 3
El circuito anterior se modifica agregando
un regulador Zener.Analizar el
funcionamiento del circuito. Dibujar las
tensiones vi, vs y vo. Qué parámetros se
necesitan conocer para elegir el diodo
Zener y los diodos.
FIGURA N°3.13 Circuito rectificador de
onda completa con regulador de voltaje
Hallaremos el voltaje promedio de la salida: Si se diseña bien el circuito estabilizador, la
tensión a la salida debe ser la misma, e igual a la tensión zener, tanto para ILC=100mA
como para desconexión en la carga. Para poder calcular el valor de la resistencia
limitadora Rlim, necesitamos conocer la tensión a la salida del filtro (entrada del
estabilizador):

Ya que no disponemos de dato del rizado, estableceremos un 10%:

La variación de la tensión de la entrada del estabilizador es:

Valores límite de R:

En un rectificador por filtro con condensador, el rizado aumenta a medida que aumenta la
corriente por la carga. Calcularemos el condensador para el caso más extremo o
desfavorable, es decir, cuando ILC=Izmax (desconexión en la carga).
Con una resistencia !imitadora de 1377 ohm, la máxima corriente que circularía por el
zener es:
El diseño simulado es el que sigue:

FIGURA N°3.14 Circuito rectificador de onda completa con regulador Zener

FIGURA N°3.15 Formas de onda de entrada y salida del circuito regulador

Ejercicio 4
Se quiere diseñar una fuente no regulada con un puente de diodos y filtro a
capacitar. Las especificaciones son: corriente continua de salida 1 A y tensión
continua de salida 70 V con un rizado máximo de 2.5 V de pico.
a) Dibujar el circuito
b) Dibujar la forma de onda de tensión de salida. Calcular el valor de C.
e) Suponiendo que en cada diodo cae una tensión de 0.7V, estimar el valor
eficaz de la tensión de entrada.
d) Estimar la corriente media por cada diodo y la tensión inversa de pico.
e) Considerando los valores obtenidos elegir los diodos a partir de las hojas
de datos de la familia 1N4001-1N4007.
f) Verificar si los diodos elegidos podrían usarse si en lugar de utilizar un
puente se utiliza un rectificador con punto medio para las mismas
condiciones de diseño.

Materiales:
o Balastro
o Resistencia
o Diodo
o Multímetro
o Osciloscopio
o Transformador
o Cables
Montaje Experimental:
Realizar el montaje del rectificador de media onda, con carga resistiva.

FIGURA N°3.29 Forma de onda a la entrada.

Se dispone de un transformador de red (220/32 Vac), un interruptor y un fusible

(rearmable), tal y como se indica en la figura, montado en una caja que llamaremos
"tarjeta de red"
1. Conectar la "tarjeta de red" a la toma de red y verificar con el osciloscopio que se
obtiene una tensión senoidal de 32 Veff aprox.
2. Apagar el interruptor y conectar al transformador un diodo rectificador y una carga de
31.30, de acuerdo con la configuración de la figura (rectificador de media onda).

3. Dibujar la forma de onda de tensión y corriente en el secundario del transformador y de

tensión y corriente en bornes de la carga.

Salida del secundario

4. Dibujar la forma de onda de la tensión anodo-catodo del diodo rectificador. Para una
carga máxima de 31.30 verificar la corriente directa por dicho diodo y su tensión inversa
5. Medidas experimentales: Se van a efectuar medidas de valor de pico, medio y eficaz de
tensión en la carga y en el secundario el transformador. Recordar que para carga resistiva
y rectificador de media onda obtenemos los siguientes resultados teóricos, donde es el
valor pico:
Valor medio:
Valor medio:

Valor eficaz:

• Medir con el osciloscopio el valor de pico de la tensión sobre la carga y a partir de ese
valor calcular, con las expresiones que se ha dado, los valores medio, eficaz y Anotarlos
en la tabla.
 Podemos hacer los cálculos según los cuadros del osciloscopio

6. Las medidas de corriente se efectuarán sabiendo la tensión sobre la carga y el

valor resistivo de ésta.
.

7. Tensión en bornes de la bobina

El primer valor positivo de wt en la misma ecuación que da lugar a una corriente nula se
conoce como ángulo de extinción, b. Si sustituimos wt = b, la ecuación que debe
resolverse es:
J3 es el ángulo de extinción de la corriente y aunque la expresión matemática no
se puede despejar por métodos simples ,si no por métodos numéricos nos
muestra de alguna manera la relación de esta con las demás componentes del
sistema.
Analizando ahora en el problema:

Se puede observar que cuando aumenta T también aumenta el angula de extinción de

manera que llega a un punto donde que por más que se encuentre un diodo el circuito
tiene un funcionamiento continuo.

9. Una vez analizado el montaje anterior, repetir los apartados con carga RL y L=226 mH
añadiendo un diodo volante en paralelo con la carga como en la figura 2.

Observar las formas de onda de la tensión sobre la carga

CAPITULO IV
EL TIRISTOR, TRIAC, ELEMENTOS DE DISPARO
 Forma equivalente del Triac con 2 Scr's
el flujo de corriente promedio a través de muchos ciclos será pequeño, en cambio si
permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido, la corriente promedio
será alta.
Después de transcurrido los 30, el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y
comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La
parte del semiciclo durante la cual el triac está encendido se llama ángulo de conducción.

Formas de onda en la carga para ángulos

de disparo de 30° y 120°
Dispositivos de disparos del Tiristor

Existe una gran variedad de aplicaciones de potencia basada en los tiristores como
elementos de control. Su propiedad de conmutación de corte a conducción y viceversa
resulta muy útil cuando se desea controlar la transferencia de potencia a una carga. Las
aplicaciones más comunes de uso doméstico son los reguladores de luz, control de
velocidad de motores, etc.
 Circuito regulador de potencia, basado en un SCR
El manejo de potencia, es decir la manipulación de altas corrientes, de hasta varios
centenares de amperios, implica el tener consideraciones de seguridad eléctrica para los
operarios y de protección para el sistema digital. Como se sabe, el Triac posee dos
ánodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G.

1. El primer modo del primer cuadrante designado por 1 ( + ), es aquel en que la

tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al
ánodo MT1 y este es el modo más común (Intensidad de compuerta entrante).
2. El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por 111(-) es aquel en que la
tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos con respecto al
ánodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). Se dispara por el procedimiento de
puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
3. El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por 1(-)es aquel en que la
tensión del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de
disparo de la compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1 ( Intensidad de
compuerta saliente).
4. El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por 111(+) es aquel en que la
tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1, y la tensión de
disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1 (Intensidad de
compuerta entrante).
.
Procedimiento:

Para el presente laboratorio procedemos a armar el circuito de disparo para los

SCR, que consta de un LM741 (4 opam's) resistencias de Resistencias de
lOkn .. lOOkn /i7kn 2.2kn 1/2V1l, diodo de 12vx400mv, potenciómetro de 10k y
un condensador de 1 Onf.
Circuito rectificador semicontrolado con carla RL
 CAPITULO VI
TRANSISTORES DE POTENCIA
6.1 Introducción
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es
la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos
de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo,
hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración,
alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3,
celulares, etc.

6.2 Principios básicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el
modo de actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que
inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras
que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre
puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de
ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.
Tiempos de conmutación

Tiempo de conmutación del BJT Tiempo de excitación, retardo y subida

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en
que se aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la señal
de salida alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.

Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia máxima a

la cual puede conmutar el transistor:

Otros parámetros importantes

 Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede
circular por un
terminal (ej. lcAv. corriente media por el colector).
Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (lcM) o de
drenador (IoM). Con este valor se determina la máxima disipación de potencia
del dispositivo.
V eso: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en
circuito abierto.
V Eso: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.
Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del
dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y
fuente en los FET).
Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión
prácticamente constante. V cE entre colector y emisor en el bipolar y resistencia
de conducción Roson en el FET. Este valor, junto con el de corriente máxima,
determina la potencia máxima de disipación en saturación.

6.3 Modos de trabajo del transistor bipolar

Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o
signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor
pueden ser:
Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor - base y
a una polarización inversa de la unión colector - base. Esta es la región de operación
normal del transistor para amplificación.

• Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la

unión emisor - base y a una polarización directa de la unión colector -
base. Esta región es usada raramente.

• Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas

uniones. La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa como un
interruptor abierto (IC=O).
Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas
uniones. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa como un
interruptor cerrado (VCE = 0).

6.4 Avalancha secundaria: Curvas SOA.

La gráfica superior muestra las señales idealizadas de los tiempos de
conmutación (ton y toff) para el caso de una carga resistiva.
Supongamos el momento origen en el comienzo del tiempo de subida (tr) de la
corriente de colector. En estas condiciones (O t tr) tendremos:
Donde le más vale:

También tenemos que la tensión colector- emisor viene dada como:

Sustituyendo, tendremos que:

Así, la potencia instantánea por el transistor durante este intervalo viene dada
por:

La energía, Wr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida está dada

por la integral de la potencia durante el intervalo del tiempo de caída, con el
resultado:

De forma similar, la energía (Wf) disipada en el transistor durante el tiempo de

caída, viene dado como:

La potencia media resultante dependerá de la frecuencia con que se efectúe la

conmutación:

Un último paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no

cometeríamos un error apreciable si finalmente dejamos la potencia media, tras
sustituir, como:
Como hemos visto anteriormente, los tiempos de conmutación limitan el
funcionamiento del transistor, por lo que nos interesaría reducir su efecto en la
medida de lo posible.

Señal de base modificada

En consecuencia, si queremos que un transistor que actúa en conmutación lo
haga lo más rápidamente posible y con menores pérdidas, lo ideal sería atacar
la base del dispositivo con una señal como el de la figura anterior. Para esto se
puede emplear el circuito de la figura siguiente.

Un circuito más serio es el de Control Anti saturación:

El Transistor IGBT

Simbología IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés lnsulated Gafe Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado_en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo
posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación
del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de
control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito
de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las del BJT.

l. Aplicaciones

Aplicación De Un Transistor De Potencia, En Este Caso Transistor Bipolar.

Circuito de aplicación con BJT

CAPITULO VIl
INVERSORES U ONDULADORES, MONOFASICOS Y TRIFASICOS,
SIMULACION

7.1 Introducción
La función de un inversor es cambiar un voltaje de entrada de corriente
continua a un voltaje simétrico de salida de corriente alterna, con la magnitud y
frecuencia deseada por el usuario o el diseñador. Los inversores se utilizan en
una gran variedad de aplicaciones, desde pequeñas fuentes de alimentación
para computadoras, hasta aplicaciones industriales para controlar altapotencia.
Los inversores también se utilizan para convertir la corriente continua
generada por los paneles solares fotovoltaicos, acumuladores o baterías, etc.,
en corriente alterna y de esta manera poder ser inyectados en la red eléctrica o
usados en instalaciones eléctricas aisladas.
7.2 INVERSOR EN PUENTE COMPLETO.
Un puente completo está formado por dos medios puentes y será utilizado para
rangos de potencias superiores (Fig. 9). Con la misma tensión de entrada que
en el caso anterior (medio puente), la tensión máxima a la salida del inversor
será el doble.
Este montaje requiere tres transformadores monofásicos, doce transistores y doce diodos.
Si las tensiones de salida de los inversores monofásicos no están perfectamente
equilibradas en magnitud y fase, la salida sistema estará descompensada. Se puede
obtener otra configuración de inversor, en la que se reduzcan el número de
semiconductores a utilizar, esta concepción se muestra a continuación.
El funcionamiento de este inversor trifásico se caracteriza por dos modos de
funcionamiento distintos en función del intervalo de conducción de cada interruptor.

a. 180° grados de conducción: Cada interruptor conduce 180°, de forma que siempre
existirán tres transistores conduciendo simultáneamente.
Modo 1:
Caracterizar la calidad de la señal alterna obtenida podemos expresar la tensión entre dos
fases como:

Las demás tensiones se obtienen desfasando Vab 120° y 240°

La tensión rms entre 2 fases se puede expresar como:

Así como la tensión rms para el armónico enésimo

b. 120° grados de conducción:

Cada interruptor conduce 120°, de forma que siempre existirán tres transistores
conduciendo simultáneamente.
Modo 1:
Las tensiones de fase a neutro pueden ser expresadas en serie de Fourier como:

CAPITULO VIII

INVERSORES PWM, INVERSORES RESONANTES SIMULACION

8.1 INVERSORES MODULADOS
En función del método de control seleccionado, los inversores modulados monofásicos
podrán clasificarse en inversores con conmutación bipolar e inversores con conmutación
unipolar.
Funcionamiento Bipolar
Las tensiones instantáneas en los semipuentes (VAO y VBO) son iguales pero de signo
contrario (Fig. 1 0), por lo que al restarlas para obtener la tensión VAB se obtiene una
tensión
con control PWM Sinusoidal unipolar
DISEÑO DEL CIRCUITO:

FIGURA No 8.3. Diseño del control PWM sinusoidal unipolar

Inversor en puente completo con control PWM Sinusoidal bipolar
 FIGURA N°8.6. Diseño del control PWM sinusoidal bipolar

CAPITULO IX

INTERRUPTORES ESTATICOS
9.1 INTRODUCCIÓN
Estos dispositivos fueron diseñados con la finalidad de remplazar a los clásicos
interruptores de corriente mecánicos y electromecánicos. Aprovechando las
características funcionales de los tiristores y los transistores, se aplican estos dispositivos
para el uso como interruptores de corriente.
El tiempo te durante el cual la tensión ánodo-cátodo de T1 es negativa debe superar el
tiempo de apagado toff del tiristor para que este se bloquee, el cual se puede estimar de
la siguiente manera:

CON UN TRANSISTOR MOSFET (CANAL- N)

 FIGURA No 9.11: Interruptor de CA con tiristor y 4 diodos
INTERRUPTORES ESTÁTICOS DE CORRIENTE ALTERNA TRIFÁSICO
El concepto de conmutación de CA monofásica se puede ampliar a las aplicaciones
trifásicas. Se pueden conectar tres interruptores monofásicos como el de la figura 1 para
formar un interruptor trifásico, como se ve en la figura 2. Las señales de disparo para los
tiristores y la corriente por T1 se muestran en la figura 3. La carga se puede conectar en Y
o en delta.

FIGURA No 9.15 Interruptor de CA trifásica con diodo y tiristor

INTERRUPTORES TRIFÁSICOS REVERSIBLES
Se puede tener la inversión de la potencia trifásica suministrada a una carga agregando
dos interruptores monofásicos más al interruptor trifásico de la figura 2. Esto se ve en la
figura 5.
 FIGURA No 9.18 Interruptor trifásico para transferencia de canal
APLICACIÓN DE LOS INTERRUPTORES ESTÁTICOS
Como aplicación de los interruptores estáticos podemos mencionar a los compensadores
estáticos de potencia reactiva (SVC) en el campo de la Ingeniería Eléctrica. Uno de los
problemas habituales en ingeniería eléctrica resulta de la necesidad en introducir, bajo
determinadas circunstancias, en la red elementos que controlen la potencia reactiva.
./ La regulación de la potencia reactiva es muy fácil y progresiva, pudiendo
compensar tanto cargas inductivas como capacitivas, tanto en régimen
estático como transitorio .
./ A pesar de su marcha en vacío, el compensador síncrono absorbe una
potencia activa apreciable debido a las pérdidas mecánicas .
./ Su instalación implica considerables gastos de montaje y mantenimiento.
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Elementos y principio de funcionamiento

Los elementos más característicos de un SVC son los condensadores conmutados por tiristores
(TSC) y las bobinas conmutadas (TSR) o controladas (TCR) por tiristores, ya que estos dispositivos
son los que incluyen la electrónica de potencia. En la figura 14 se muestra un esquema
simplificado para un SVC donde se incluyen los elementos anteriormente mencionados.
 D6 D5 D4 D1 D3 D8 C2
BZX85C8V2RL
BZX85C8V2RL BZX85C8V2RL
DIODE BZX85C8V2RL
BZX85C8V2RL 100p

C1
L2 L1 100p
HF50ACC321611 HF50ACC321611

Condensador conmutado por tiristores

El esquema del condensador conmutado por tiristor o thyristor switched capacitar (TSC)
representa la configuración más sencilla de la utilización de dispositivos electrónicos de potencia
en el control de reactiva. Este elemento está formado por un interruptor de estado sólido en serie
con un condensador o batería de condensadores.
BZX85C8V2RLBZX85C8V2RL
D2

MMZ1005F470E
L3
100p
C3

D7

CIRCUITO DE EJEMPLO

Mostraremos un circuito simple de ejemplo, para el cual usaremos los

TIRISTORES, específicamente a los SCRs ya que queremos trabajar con OC y además por su menor
costo, así como la mayor familiaridad que tiene para con nosotros. Usaremos el BT151, el cual será
encendido mediante una señal en su gate. Para apagarlo usaremos un transistor bc548, el cual
será activado por una señal en su base, lo que hará básicamente es poner en corto circuito el
ánodo y el cátodo del SCR, robándole la corriente de mantenimiento, y por ende, apagándolo.

El circuito es el siguiente:

R1

0R1

Q1

D9
BZX85C8V2RL
BC546BP

R2
0R1

CONTROL DE UN MOTOR PAP BIPOLAR MEDIANTE SCRs Y UN MICROCONTROLADOR ATMEGA 8

Ejemplo un poco más complicado y trabajado pero que se basa directamente en la idea
anteriormente planteada (SCRs como interruptores estáticos). Aquí se nota que las 4 primeras
salidas del micro controlador atmega8 van para encender los 4 SCRs y las otras 4 van para apagar
los mismos, luego conectándose con cada uno de los 4 cables de nuestro motor PAP BIPOLAR y así
pueda ser controlado según nosotros queramos con solo enviar pulsos.
PLACA DE NUESTRO CIRCUITO DE EJEMPLO

A continuación se muestra el circuito hecho en Eagle y listo para ser ya soldado, se pega el archivo
en pdf, el que va a ser impreso.

CAPITULO X

Fuente de poder con SCR AC, OC

El circuito sirve para alimentar diversas aplicaciones en las cuales el consumo no sea mayor a 4 A.
El puente de diodos junto con el condensador C1 se encarga de rectificar la tensión de entrada. El
diodo 01 se encarga de proporcionarle la tensión de referencia al transistor de regulación T1.
Variando la tensión de base se produce variación de la tensión de salida. Si la corriente de salida o
la tensión de entrada varían, este variará su polarización, de forma que T2 y T3 conduzcan más o
menos estabilizando así la tensión de salida. El sistema de protecciones formado por T4 y 06,
protege a la carga contra tensiones superiores a 12 voltios, cortocircuitando la salida de la fuente.

El circuito sirve para alimentar diversas aplicaciones en las cuales el consumo no sea mayor a 4 A.
El puente de diodos junto con el condensador C1 se encarga de rectificar la tensión de entrada. El
diodo 01 se encarga de proporcionarle la tensión de referencia al transistor de regulación T1.

Variando la tensión de base se produce variación de la tensión de salida. Si la corriente de salida o

la tensión de entrada varían, este variará su polarización, de forma que T2 T3 conduzcan más o
menos estabilizandoa sila tensión de salida.
El sistema de protecciones formado por T4 y 06, protege a la carga contra tensiones superiores a
12 voltios, cortocircuitando la salida de la fuente.

El voltaje de rizó (ripple)

Vimos que al salir de la etapa 3 se tiene una corriente directa alisada, y al salir de la etapa 4 ya
tenemos una corriente directa regulada y sin ruido. En ambos casos se puede observar un
fenómeno conocido como el "voltaje de rizo" o "ripple".

El "ripple" es la variación que ocurre en la señal (voltaje) respecto a la línea recta teórica que se
tendría en condiciones ideales. Esta variación aparece debido a todas las imperfecciones de los
materiales, a las limitaciones físicas, de equipo, instalación, cableado, componentes electrónicos,
así como al ruido y diversos factores del entorno. (Véase figura 1 O)
El efecto "ripple" aumenta cuando se aumenta la carga "Load" conectada a la F.P., es decir, al
solicitarle más corriente. Se supone que en condiciones ideales, la etapa 4 debería anular todo
este fenómeno, es decir, en condiciones ideales no debería haber "ripple" a la salida de la F.P. sin
embargo ocurre y mediremos la calidad de nuestra fuente en términos de qué tan pequeño
resulta ser. Para disminuir lo más posible el voltaje de rizo podemos considerar la siguiente
fórmula:

Vrizo= (IL * 0.007) 1 e

Donde: C es el valor de la capacitancia del filtro.

IL es la corriente consumida por la carga (Load)

Así pues, para disminuir el voltaje de rizo podemos usar un valor de e grande.

El circuito electrónico En base a la teoría que revisamos antes, podemos dibujar el circuito

Electrónico para la Fuente de .Poder.: (figura 10.16)

CAPITULO XI

PROPULSORES DE AC.

Un propulsor de corriente alterna está relacionado a controlar y mejorar el rendimiento de

(motores AC), motores de inducción. El propulsor de corriente alterna tiene principio de
funcionamiento también puede controlar la tensión de estator y la tensión del rotor.

Ala vez puede controlar la frecuencia de funcionamiento del estator y también puede controlar la
corriente de un estator. Ahora vamos a ver un poco sobre motores ac: El (motor síncrono) es en
esencia un alternador trifásico que funciona a la inversa. Los imanes del campo se montan sobre
un rotor y se excitan mediante corriente continua, y las bobinas de la armadura están divididas en
tres partes y alimentadas con corriente alterna trifásica. La variación de las tres ondas de corriente
en la armadura provoca una reacción magnética variable con los polos de los imanes del campo, y
hace que el campo gire a una velocidad constante, que se determina por la frecuencia de la
corriente en la línea de potencia de corriente alterna.

CAPITULO XII

PROTECCION DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS

Introducción

Debido al proceso de recuperación en sentido inverso de los dispositivos de potencia y las

acciones de conmutación en presencia de inductancias de circuito, pueden presentarse voltajes
transitorios en los circuitos convertidores.

Aun en los circuitos diseñados con cuidado, pueden existir condiciones de falla por cortocircuito,
dando como resultado un flujo excesivo de corriente por los dispositivos. El calor producido por las
pérdidas en un semiconductor se debe disipar de modo suficiente y eficaz para que las
condiciones del circuito no se salgan de las especificaciones técnicas de los dispositivos de
potencia, proporcionando protección contra sobre voltaje, sobre corriente y sobrecalentamiento.
En la práctica los dispositivos de potencia mayormente se protegen contra lo siguiente:

• Avalancha térmico, con disipadores de calor

• Altas tasas de dildt y dv/dt, con amortiguadores
• Estados transitorios por recuperación inversa
• Estados transitorios en el lado de la alimentación y de la carga
• Condiciones de falla, con fusibles

LIMITACIÓN DE TRANSITORIOS DE TENSION CON VARISTORES DE ZnO

En la figura el voltaje de alimentación Vi es derivado por la resistencia R (p. ej.la resistencia de

línea) y el varistor (-U) seleccionado para la aplicación.
Elemento de protección con diodos de avalancha

La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos contra

sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra de modo que, mientras la tensión se
mantenga por debajo de la tensión de ruptura, sólo será atravesado por la corriente inversa de
saturación, muy pequeña, por lo que la interferencia con el resto del circuito será mínima; a
efectos prácticos, es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensión del circuito por
encima del valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente a
tierra evitando daños en los componentes del circuito. Este diodo presenta una gran impedancia y
no se puede medir con la mayoría de los multímetros comunes.

El varistor
Los varistores proporcionan una protección fiable y económica contra
transitorios de alto voltaje que pueden ser producidos, por ejemplo, por relámpagos,
conmutaciones o ruido eléctrico en líneas de potencia de ce o
v =CxI^b

LIMITACIÓN DE TRANSITORIOS DE TENSION CON VARISTORES DE ZnO

En la figura el voltaje de alimentación Vi es derivado por la resistencia R (p. ej.
la resistencia de línea) y el varistor (-U) seleccionado para la aplicación.

CIRCUITO LIMITADOR DE TENSION CON VARISTOR :

 Conexión del MOV

Elemento de protección con diodo zener

Esta protección consiste en utilizar la cualidad de enclavamiento propia de este tipo de
diodos. Por ejemplo si en una línea de voltaje DC se desea que el voltaje no sobrepase un
voltaje de 5.1 voltios, entonces debemos utilizar un diodo Zener de este valor. Este
sistema se utiliza generalmente para proteger las entradas de circuitos digitales que no
deban superar este voltaje, también se puede hacer uso de la característica de voltaje de
ruptura en donde el diodo zener, una vez sea sobrepasado su valor nominal de voltaje
este conducirá el voltaje del cátodo hacia el ánodo
Un diodo avalancha, es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para
trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en
polarización inversa alcanza el valor de la
tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de
la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética,
de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan.

Elemento de protección con diodos de avalancha

La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos contra
sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra de modo que, mientras la tensión
se mantenga por debajo de la tensión de ruptura, sólo será atravesado por la corriente
inversa de saturación, muy pequeña, por lo que la interferencia con el resto del circuito
será mínima; a efectos prácticos, es como si el diodo no existiera.

Circuito detector de sobre corriente (OCP)

El circuito que presentamos a continuación tiene como función principal determinar en que
momento se supera un valor establecido de corriente.
CIRCUITO PROTECCION POR SOBRECORRIENTE :

Funcionamiento:
La resistencia FR1 sensa la caída de voltaje debido al paso de la corriente por ella. Dicho
voltaje es llevado a la base del transistor PNP 0403 por medio de la resistencia R407 y
filtrado por el condensador C409, lo cual provoca que el transistor sea encendido. La
salida del circuito será por medio de R408 y R409, el voltaje saliente se utiliza para
encender un segundo transistor ahora del tipo NPN o también para llevar el voltaje
directamente a la entrada de un circuito integrado, para que este detecte el error que se
está produciendo y apague inmediatamente el equipo.
Circuito detector de sobre voltaje (OVP):
Su función es la de detectar un aumento en el voltaje nominal de un circuito . con el fin de
evitar su destrucción. La sigla OVP proviene del ingles Over voltage Protection o en
español protección por sobrevoltaje.
Un ejemplo de este circuito es al que a continuación se presenta:
CIRCUITO DE DETECTOR DE SOBREVOLTAJE

Funcionamiento:
Básicamente se trata de fijar un voltaje de referencia que puede ser un porcentaje del
voltaje del que no se quiere superar. Para esto se suele utilizar un amplificador
operacional, que puede ser individual o también puede hacer parte de un circuito
integrado que contiene otras funciones, como el caso de los circuitos integrados
conmutadores de las fuentes de alimentación en aparatos comerciales.
También tenemos el siguiente circuito que usa un diodo zener y un fusible como medio de
protección, este circuito se desarrolla debido a que los dispositivos de:

CIRCUITO DE PROTECCION SCR:

Funcionamiento:
El tiristor activará en unos pocos microsegundos. Esto es más de 1.000 veces más rápido
que un fusible de acción rápida ordinaria. Si la tensión de salida excede el límite
establecido por el zener, entonces se llevará a cabo. La tensión en la resistencia de 4. ?k
subirá, el tiristor se enciende y los carriles de alimentación están en cortocircuito. La
duración del corto circuito será sólo unos pocos milisegundos antes de que el fusible se
quema. En estos pocos milisegundos se reducirá en gran medida la tensión.
Protección contra bajo voltaje (UVP):
Esta protección consiste en detectar cuando un voltaje se encuentra por debajo de un
cierto valor de referencia, con lo cual se activa o desactiva algún otro circuito. UVP
proviene de la sigla en ingles Under voltage Protection o en español Protección contra
bajo voltaje,
Para comprender su funcionamiento veamos la siguiente imagen.

PROTECCION CONTRA BAJO VOLTAJE:

Funcionamiento:
Cuando el voltaje es mayor a 12v, el diodo Zener de 1 Ov conduce por voltaje de ruptura,
colocando en la base del transistor PNP un voltaje fijado por el resistor variable. El
transistor se apaga y a su vez mantiene sin alimentación al diodo LEO, cuando el voltaje
disminuye por debajo de 1 Ov, el voltaje en la base desaparece y el transistor se enciende
alimentando al diodo LEO con lo cual este brillara.
Características
El NIS5112 es un circuito integrado de ON Semiconductor que se comercializa en un
encapsulado SOIC8.. Entre una de sus cualidades, la primera es la posibilidad que te
brinda el NIS5112de ajustar la corriente de trabajo o de acción y protección mediante una
simple resistencia de poca potencia de disipación y de un preset (resistor ajustable). En el
circuito mostrado arriba, que se encuentra en las hojas de datos del componente, puedes
observar la resistencia de 56 Ohms que el fabricante ofrece como referencia de
demostración en el circuito planteado.
Si la corriente inicial supera este valor, el fusible electrónico no permitirá el paso de la
alimentación proveniente desde la fuente conectada a la red o desde una batería. De este
modo, se deben razonar las curvas para comprender el funcionamiento del NIS5112 y
poder sacar el máximo provecho de él. Veamos ahora cómo se comporta ante un
cortocircuito directo.

Continuando con la descripción de las características del NIS5112, nos encontramos con
la posibilidad de trabajar con tensiones comprendidas entre 9 y 18 Volts para una
operación apropiada, con valores transitorios (en picos de tensión) de hasta 25Volts (1
mS).
Funcionamiento
Gracias a la tecnología SENSEFET, se puede contar con un transistor MOSFET de
potencia con protección por temperatura que, en ese aspecto, tiene la capacidad de
protegerse a sí mismo. Dotado con una resistencia de conducción muy baja (30
miliOhms), este transistor le brinda al NIS5112 la ventaja de interrumpir su funcionamiento
cuando la temperatura ha cruzado un límite de riesgo. En el segundo video puedes
observar una secuencia donde se plantea esta situación. Cuando la resistencia de carga
pone al fusible al límite su ajuste de corriente, la temperatura comienza a aumentar, el
MOSFET comienza a disminuir su rendimiento, los LEOs encienden menos, y la
temperatura alcanza en pocos instantes el nivel suficiente como para que el NIS5112
active su sistema de auto- protección.
PARAMETROS DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA

COMPONENTES DE LA FUENTE DE PODER OC – AC

en valores de Kilohmios para el control de la corriente.

DIAGRAMAS EN EL OSCILOSCOPIO
MODULACION POR ANCHO DE PULSO .
EI pwm se ubican en la electrónica de potencia en el campo de la conversión energética,
en concreto en la conversión continua - alterna (DC/AC).La evolución que han
experimentado los semiconductores, en términos de frecuencia de conmutación, pérdidas
en conducción y facilidad de gobierno ha contribuido en gran medida a la popularización
de este tipo de convertidores y de su evolución. En este tipo de equipos, de mediana 1
alta potencia, la tendencia es disminuir los costes y aumentar la eficiencia, (frente a la
tendencia en la línea de baja potencia, en la cual se prima la miniaturización), objetivo que
pasa por la optimización de los dispositivos semiconductores empleados; por otro lado, el
auge experimentado en el Campo de la electrónica digital, ha permitido que los
procesadores estén al alcance de los diseñadores a muy bajo coste y con potentes
herramientas de depuración y desarrollo. De esta manera, se pueden plantear estrategias
de control complejas sin aumento apreciable en los costes finales del equipo.
SEA EL SIGUIENTE DISEÑO: