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1. Estructura Cristalina
2. Imperfecciones En Solidos
3. Difusion En Metales
4. Transformacion De Fase
5. Diagramas De Fase
6. Comportamiento Mecanico De Los Metales
7. Metales y Aleaciones
1. Estructura Cristalina
3. Comportamiento Mecanico de Materilaes
2. Imperfaciones en Solidos
1. Estructura cristalina
Amorfos: son aquellos sólidos y los átomos están dispersos en el espacio caótica mente, sin seguir
un orden. (vidrio, la resina, etc.)
Cristalinos: son aquellos sólidos en los cuales los átomos (Iones, moléculas), se hallan en el
espacio siguiendo un orden estrictamente definido formando una red atómica cristalina
Ejemplos:
a) Hierro: tiene una estructura cristalina cúbica centrada en el cuerpo a temperaturas de
hasta 900 °
b) Colomo: tiene una estructura cristalina cúbica centrada en el cuerpo a temperatura de
1400°, lo mismo que el vanadio y el tungsteno
c) Estructura cristalina cúbica centrada en el en las caras (CCF) O (FCC), la encontramos en el
Hierro a temperaturas de 900° a 1400 °C, también al cobre, el níquel, el aluminio y otros.
d) La estructura cristalina hexagonal, la tiene el magnesio, el zinc, entre otros
e) La particularidad de disposición de los átomos en la red determinan el complejo de
propiedades de los metales que lo diferencian de los no metales; es decir, la conductividad
térmica y eléctrica, fusibilidad y máquinabilidad.
CRISTALIZACIÓN DE LOS MATERIALES Y LAS ALEACIONES
En la figura (F) se muestran los límites de los granos de diferente tamaño. Tal tamaño de los
granos influye sobre las propiedades de explotación del metal.
Un metal de grano gurú eso tiene baja resistencia al choque y durante su maquinado es dirigen
tener una pequeña rugosidad de la superficie. El tamaño de lograr los depende de la naturaleza
del propio metal y las condiciones de su cristalización.
Los procesos de cristalización dependen de la temperatura y del tiempo. Que transcurre, por lo
que las curvas tienen las coordenadas (t-z)
La curva 1, muestra el proceso ideal de cristalización de un metal, sin sobre sobre Hans Hubert de
medicina sobre enfriamiento. Hay inicio, la temperatura desciende uniformemente, por lo que la
curva va hacia abajo. La caída de la temperatura se está al alcanzar la temperatura cesa al alcanzar
la temperatura de cristalización (se formaba un tramo horizontal) esto explica el hecho de que la
agrupación de los átomos se efectúan en con desprendimiento de calor. Una vez terminada la
solidificación, la curva va de nuevo hacia abajo, puesto que la temperatura disminuye.
Prácticamente, la cristalización transcurre de una manera diferente, dado que el proceso está
ligado con el sobreenfriamiento, es decir, el metal se mantiene líquido a la temperatura de
solidificación y su cristalización comienza a una temperatura más baja. La diferencia entre las
temperaturas de cristalización inicial y verdadera, se denomina grado de sobreenfriamiento.
La curva 3 es característica para la solidificación del homo metales y no tiene una temperatura de
cristalización bien expresada, la solidificación su sede paulatinamente.
Al moldear piezas de paredes de ligadas ser formal estructuras de grano fino y al moldear piezas
de paredes gruesas, los granos eran gruesas.
1. Estructura cristalina.
1.2 Sistemas cristalinos y redes de bravais.
La estructura cristalina es el concepto que describe la forma de cómo se organizan los átomos en
el material.(La estructura cristalina se determina por difracción de rayos X.)
- Consideramos a los átomos(o iones) como esfera sólidas de diámetro definido –modelo
atómico de esferas rígidas.(átomos de diferente naturaleza química se representa por
esferas de tamaño diferentes).
- Los átomos de un en interés y para formar el material. Se tomó un conjunto de puntos en
el espacio tridimensional, denominado red cristalina, que define la disposición ordenada
del sólido cristalino.
Redes de bravais
Sólo existen siete celdas únicas que pueden agruparse de manera que rellenen completamente el
espacio 3D. llamados siete sistemas cristalinos los cuáles son.
Si además consideramos como puede disponerse los átomos, considerados como es veraz rígidas,
las posibilidades serían 14 que constituyen las catorce redes de bravís.
1. Estructura cristalina
Debido a las características del enlace metálico (no direccional), las estructuras cristalinas de los
metales presentan alto grado de empaquetamiento entre los átomos, con gran número de vecinos
muy próximos.
En los metales, utilizamos el modelos de esferas rígidas, cada átomo(catión) ocupó una posición
en la red.
Ejercicio;
1.3.1 calcule la cantidad de puntos de red por celda en los sistemas cristalinos cúbicos. Sí
solo hay un átomo en cada punto de red, calcule la cantidad de átomos por celda.
Solución
SC cúbica a simple: los puntos de red sólo está de los vértices del cubo.
EJERCICIO:
1.3.1calcule la cantidad de puntosde red por celdaen los sistemas cristalinos cúbicos.
Si solo hay un atomoen cadapunto de red, calcule la cantidad de atomos por celda.
Solución
SC cubica simple: los puntos de red solo están en los vértices del árbol
𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑 1 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑
𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎𝑠 𝑢𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑎𝑠
= (8 vertices) 8 𝑣𝑒𝑟𝑡𝑖𝑐𝑒𝑠
1
= (8) 8
=1
BCC cúbica centrada en el cuerpo: los puntos de red está de los vértices y en el centro
del cubo.
FCC cúbica centrada en las caras: los puntos de red está de los vértices y en las caras
del cubo.
𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑 1 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑 1
𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑎
= (8 vertices) 8 𝑣𝑒𝑟𝑡𝑖𝑐𝑒𝑠
+ (6 caras) 2
1 1 4
=(8) + (6) =
8 2 4
1 + 3 = 4
Tarea: determinar el número de átomos de la celda hexagonal compacta.
HCP
1 1
N° átomos/celdas = 2 (6) 6
+ (2) 2
+ = 6
3.Número de coordinación.
El átomo en el centro está en el contacto con 8 átomos, por tanto, el número de coordinación es
igual a 8.
FCC
Tenemos ocho átomos en cada vértice y cuatro en las caras, por lo tanto ocho más cuatro
igual a doce.
Es la fracción de espacio de la celda unitaria que es ocupada por átomos; suponiendo que son
esferas duras que tocan a su vecino más cercano.
𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑
FEA =
𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑
Volumen de celda, ese volumen del cubo o de la forma geométrica que éste representa,(trigonal,
rumboedrico, hexagonal, etc.). Por lo que el volumen del cubo es el siguiente:
4
V = 3
𝑎3
4𝑟 4𝑟
Sabiendo que a= V= para FCC.
√2 √2
Ejercicio:
𝐴𝑇𝑂𝑀𝑂𝑆 4
(4 𝐶𝐸𝐿𝐷𝐴) ( 𝜋𝑟 3 )
3
FEA = 4𝑟 X 100%
√2
Estructura cristalina
-Densidad volumétrica
Densidad planar.
𝑃𝑝 = (atomos / 𝑚2 )
Plano (100)
N° atomos = 2
por lo que se aclaro en el apartado anterior, tenemos un atomo
en el centrode la cara mas( los dos medios circulares que intersectan),es
decir de los extremos de cada vértice tenemos ¼ de circulo que si lo sumamos
nos da 4/4.
4𝑅
𝑎0 = √2
2𝜋𝑅2
P= 𝑎2
2𝜋𝑟 2 2𝜋𝑅2 2𝜋
P= 4𝑅 2 = (4)2 𝑅2
= 8
= 0.7853
√2 2
P = 78.53%
Densidad lineal
Ejemplo:
BCC numero de atomos = 1 porq son solo ¼ de angulo los que se tocan y por lo tanto
son 4 haciendo la suma es 4/4 = 1.
4𝑅
𝑎0 = √3
1𝜋𝑅2 1𝜋
𝑃𝑝 = 𝑎2
= 42
= 0.5890
𝐵
𝑃𝑝 = 58.90%
Plano (110)
2𝜋𝑅2
𝑃𝑝 = 4𝑅 a = (4𝑅
√2
)
( √2) √2
2𝜋
𝑃𝑝 = 2 = 0.5553
(42 ) (√2)
𝑃𝑝 = 55.53%
BCC
Numero de atomos = 2
4𝑅 2𝜋𝑅2
a= 𝑃𝑝= 𝑎 2 √2
√3
2𝜋𝑅2
𝑃𝑝 =
((4)
3 ) (√2)
𝑃𝑝 = 83.30%
Plano (111)
BCC
4𝑅 1/2𝜋𝑅 2
A= , 𝑃𝑝 =
√3 𝐴
𝑏𝑥ℎ
A=
2
3
b = a√2 , h = √2 a
√3
(𝑎√2) ( 2 𝑎 ) √3𝑎 2
A = 2
= 2
1
( ) 𝜋𝑅2
2
𝑃𝑝 = √3 4𝑅2
( )( )
2 √3
1
( )𝜋
2
𝑃𝑝 = √3 (4)
= 0.3400 𝑃𝑝 = 34 %
( )( )
2 3
-Densidad lineal
BCC (111)
1
𝐴𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜+2.
2
𝑃𝐿 = 𝑎.√3
2√3 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
𝑃𝐿 = 3𝑎 𝑚
Ejercicio completo:
El aval tiene un radio atómico de 1.431A° y una estructura cúbica centrada en las caras. Su peso
atómico o 26.97. Calcular la densidad, el número de coordinación, el aluminio y su factor de
empaquetamiento atómico.
Solución:
FCC
-número de coordinación
(4) (26.97)
P= 4 (1.431) = 2.70g/m𝑐 3
[ ] (6.023𝑋1023 )
√2
4
(4) [ 𝜋𝑅3 ]
3
FEA = 4𝑅
[ ]
√2
4
(4) [ 𝜋 (1.431𝑋10𝑐𝑚]
3
FEA = ( 4(1.431𝑥10 ) x 100
[ ]
√2
Estructura cristalina
-dirección cristalográfica
Es el vector que une: de una red cristalina y se representa con corchetes las coordenadas [hkl] y
sin comas.
Debe hacerse notar que está direcciones estar siempre representadas por un conjunto de
números enteros, que se obtienen de una manera directa.
Cuando la dirección se mueve a lo largo de un eje negativo debe indicarse a través de la notación
[III] y la familia de direcciones se designa a mediante del paréntesis angulares<>, por ejemplo:
Para identificar si una posición es negativa, trasladamos el origen del plano al inicio del vector, que
se va analizar.
-proceso
2/2 = 1 0 0
[102]
Indice de Miller.
Para determinar los planos se utiliza los índices de Miller, que están definidos por los recíprocos
de las intersecciones Queplano determina con los ejes x,y,z de los prelados no paralelos de la celda
unitario. Las aristas de las celdas unitaria representa longitudes unitarias y las intersecciones de
los planos de una breve se miden en base a estar longitudes unitaria.
El procedimiento para determinar los índices de Miller para un plano de un cristal cúbico es el
siguiente.
1. Si el plano pasaba a través del origen, seleccionar un plano equivalente o mover el origen.
2. Determinar la intersección del plano con los herejes en términos de a,b y c.
3. Plano // paralelo a los ejes, interceptar en 00 y se considera 1/00 =
Para obtener los índices de Miller el (hkl) de un plano se sigue el proceso siguiente:
Ejemplo:
Determinar los índices de Miller del plano A con origen en 0a
X Y Z
Intersecciones ¾ - ½ - ¾
Le sumamos mitad 2 3 2
Ejemplos:
1° identificamos su posición en X = ½ , Y = 1 ,
Z=1
1
2 1 1
2° sacamos el resiproco 1 , 1
, 1
* no confundir
2
3| lo expresamos en paréntesis (211)
1° identificamos su posición en X = ½ , Y = ½ ,
Z=½
2 2 2
2° sacamos su resiproco 1
=2 1
=2 1
=
2
3° lo simplificamos asu minima exprecion
2 2 2
(2) = 1 (2) = 1 (2) = 1
4° lo expresamos en parentesis (111)
Difracción de rayos X
2. Imperfecciones en sólidos
2.1 introducción
2.2 directos puntuales.
2.3 de efecto lineales.
2.4 significado de la dislocaciones.
2.5 ley de schmid.
2.6 en metales superficie.
2.7 defectos de volumen.
2.8 observación microscópica.
2.1Introducción
Las Imperfecciones juegan un papel fundamental enumerar las propiedades del material,
mecánicas, ópticas, eléctricas.
Se introducen internacionalmente para beneficiar a determinadas propiedades, por
ejemplo;
-carbono en Fe para decorar dureza.
-Cu en Ag para mejorar propiedades mecánicas.
-dopantes en semiconductores.
2.2defectos puntuales.
En los materiales reales existen defectos estructurales con independencia de las impurezas
químicas. LasImperfecciones asociadas a los puntos reticular es cristalinos se denominan defectos
puntuales.
Se presentaron dos tipo de defectos puntuales: comunes de los sólidos elementales son:
-vacante es: en la posición no ocupa la de la red, que normalmente está ocupada en el cristal ideal,
posiblemente en un espacio desocupado.
-intersticio: hecho un átomo situado en el hueco que normalmente está ocupado por un átomo en
estructura cristalina perfecta, como un átomo insertado en estructura perfecta del cristal.
-número de vacantes en equilibrio térmico se lo hace
𝑄𝑣
Nv = N.e ( )
𝑘𝑡
Donde:
-influencia de la densidad.
𝑁𝑣
P= [1 − 𝑁
] P.
Ejercicio.
Calcular el número equilibrio de las vacancías por metro cúbico de cobre a 1000°C la energía
para la formación de vacancias es de 0.9ev/atomo, el pelo atómico y la densidad(a 1000°C) por el
cobre desde el 63.5g/mol y 8.4 g/cm3 respectivamente.
Solución:
Datos:
𝑁𝐴 𝑃
QV = 0.9 V/ atomos N=
𝐴𝑐𝑢
𝑄𝑣
(-𝐾𝑇 ) °KT= °C+273 = 1000 + 27.3
Nv = N e °k = 1273
𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 0.9 𝑣
Nv = (8x1024 𝑚3
) p [− 𝑒𝑣 ]
(8.62𝑥105 ) (1273°𝑘)
𝑘
Nv = 2.2x1026 vacantes/𝑚3
-defecto frenkel. Es una imperfección combinada, vacancia-intersticio, ocurre cuando un ion saltar
de un punto normal dentro de la red a un sitio intersta al, dejando entonces una vacancias.
-defecto schottky. Este es un par de vacancias a en un material con enlaces y ionicos. Para
mantener la neutralidad, deben perderse de la red, tanto catión como un anión.
-impurezas de los sólidos. Este efecto se introducen cuando un átomo el emplazado por un átomo
diferente. El átomo sustituyente puede ser más grande que el atomo original
Y en este caso los átomos alrededor están la comprensión. O puede ser más pequeño que el
átomo original y en este caso los átomos circundantes estarán a tención. El cerebro puede
presentarse como impureza o como una adición deliberada en una aleación
Son defectos que dan lugar a una distorsión de la red centrada en torno a una línea y están
asociadas con la deformación mecánica se crean durante la solidificación de los sólidos cristalinos
o por deformación plática, por condensación de vacantes.
2.4Significado de la dislocaciones.
Aunque los deslizamientos o desplazamientos que pueden ocurrir en cerámicas y polímeros,
estos procesos son particularmente útil es para entender el comportamiento mecánico de los
metales.
El el deslizamiento atómico explica porque la resistencia de los metales es mucho más baja que
el Valor teórico Pere dicho de los enlaces metálicos. Primero cuando los deslizamientos ocurren,
sólo una pequeña fracción de todos los enlaces metálicos a lo largo de la interfase necesita ser
roto y la frecuencia requerida para informar el metal es pequeña.
Tercero, es posible controlar las propiedades mecánicas de un metal o aleación interfiriendo con
el movimiento de la estilo ocasiones. Un obstáculo introducido dentro del del cristal evita que una
dislocación se deslice a menos que se aplique una fuerza muy grande
La densidad de Las dislocaciones o longitud total de las dislocaciones por unidad de volumen, se
usa generalmente para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Las densidades de
dislocaciones de 10m.mm son química de los metales más suaves, mientras que densidades de
dislocaciones superiores a 1000km.mm se pueden conseguir de formando el material.
Dislocasion
De arista: (borde, cuña, y lineal). C mi plano de átomos cuya arista(borde) termina dentro del
cristal. Su símbolo
Cuña: los átomos a la do y la do del semi plano se encuentran distorsionados. Los átomos por
encima de la línea de dilocaciones, que se encuentran perpendicular al plano, en el punto donde
termina el semi plano insertado, se encuentra comprimidos en los que están por debajo se
encuentran apartados
La distancia de deslizamiento de los átomos en torno a una dilocaciones se llamará dislocamiento
o vector de burgers hierr perpendicular a la línea de dislocación de cuña.
Helicoidal: se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura en un cristal perfecto que no ha
sido separado por un plano cortante. Aquí el vector de burgués es paralelo a la línea de
dislocación.
-Vector de burgers
En la figura iniciamos un circuito en sentido de las manecillas del reloj en tomo la dilatación en el
punto X, moviéndose distancias atómicas irregulares para terminar de ser perpendicular en el
punto Y
Como B tiene dirección[110] debe ser perpendicular a los planos {110} La longitud de B es la
distancia entre los planos.(110) adyacentes.
𝑎.
𝑑110 = 𝑑110 = 0.280nm
√ℎ2 +𝑘 2 +𝑙 2
0.396𝑛𝑚
𝑑110 = el vector tiene una dirección 〈110〉y una longitud de 0.280nm
√(1)2 +(1)2 +0
Ejercicio:
calcule se la magnitud del vector burgers para@fe-∝, 5 al.
b- = r = 2(0.143nm) = 0.286nm
2.5Ley de Schmid.
-dicha tención crítica que es siempre la vida para una mismo material con una misma densidad
dislocaciones
-para que la dilocacion se mueva en el sistema de deslizamiento la fuerza aplicada debe producir
una fuerza constante que actúe en la división de deslizamiento, esta fuerza constante resulta fr.es:
Fr = Fcos ∆
-si dividimos la ecuación entre el área del plano de deslizamiento 0A/cos/obtenemos la siguiente
ecuación llamada ley de schmid.
Cr = t cost∅cos∆
Donde
𝐹𝑡
Cr = esfuerzo cortante en direcciondel desplazamiento
𝐴
𝐹
R= esfuerzo normal odireccional aplicado al cilindro
𝐴.
Ejercicio:
Decíamos pedir una vara de mono cristal de aluminio puros, el cual tiene un esfuerzo constante
crítico resultante de 148psi desearíamos que la barra este orientada de tal modo que cuando se
aplique un esfuerzo axial de 500psi, se deforme por deslisamiento con respecto a su eje y actue
sobre un sensor que detecte lo sobrecarga. Diseñe la barra y un método para poder producirla.
soluciom:
Los defectos superficiales son los limites o borde o planos quew dividen un material en regiones
cada uno de los cuales tiene la misma estructura cristalinapero diferente orientación.
-maclas: es un tipo es pecial de limite grano en el cual los atomos en de un lado del limite, están
localizados en una posición que es la imagen especular delos atomos del otro lado. Esta
discontinuidad en la estructura, altamente simétrica, puede producirse por deformación (en
metales bcc y hcp) y por recocido ( metales fcc).
Una macla separa dos secciones o regiones cristalinas que son estructural mente imagen
especular de otra
-superficie externa: las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la
red termina abruptamente. Los atomos de la superficie no están en la sados al numero máximo de
vecinos que deverian tener ypor lo tanto los enlaces de esos atomos superficiales que no están
satisfechos dan lugar a una energía superficial, expresada en unidades de energía por unidad de
área (J/𝑚2 o erg/c𝑚2 ) además la superficie del material puede ser rugosa, puede tener o contener
pequeñas muestras y puede ser mucho mas reactiva q el demás del material.
-bordes de grano: se puede definir como la superficie que separa los granos individuales de
diferentes orientaciones cristalográficas en materiales policristalinos.
Es el defecto mas importante que se considera dejando aparte la industria electrónica, la mayoría
de materiales pora ingeniería utilizados en la practica son poli cristalinos en lugar de estar
construidos por un solo cristal la característica micro estructural predominante de muchos
materiales para ingeniería es la estructura granular.
-bode de grano de angula pequeño: (también llamado borde de subgrano) esta configurado por
solo unas ciantas dislocaciones de arista.
Las dislocaciones de borde de grano (GBD) grain bandarydislocation, asociadas a granos de angulo
grande suelen ser secundarias ya que poseen vectores de burgers diferentes a los de aqueyas que
se encuentran en el interior del grano ( dislocaciones primarias).
Al describir micro estructuras es bastante útil tener un índice sencillo del tamaño del grano G,
definido como un parámetro o índice de tamaño de grano
N = 𝟐𝟔−𝟏
Donde
N es el numero de granos que se observan en una área de un 1i𝒏𝟐 (=645m 𝑚2 ) en una microfibra
tomada con una amplificación de 100 aumentos (100x).
Del área sircular del diámetro es igual a la densidad de granos por unidad de área, es decir
𝐼𝑛𝑁
E = 𝐼𝑛2 + 1
Ejemplo:
dentro del campo visual de una área circular ecxisten 21granos completos i otros 22 granos se
allan cortados por la sircunferencia: ( con lo cual se obtiene la cantidad completa de granos)
calculese el numero de granos por unidad observada.
Metros=2.25in.
22
21 + 2=32 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑜𝑠
𝑖𝑛(8.04)+1
G= 𝑖𝑛 (2)
= 4.01
𝐶
D=𝑐
2𝑀
Donde
EJEMPLO:
Solución:
D= 8.19nm
Ejemplo:
¿Cuál seroa el índice de tamaño de grano. G, para la microestructura de la figura, si la micrografía
fuese sido tomada a 300x aumentos en lugar de 100x? en un área de 3.98i𝑛2
Solución:
21 + 11 = 32 granos
100 2
𝐴100 = 3.98 𝑖𝑛2 (300) = 0.442 𝑖𝑛2
La densidad de grano es
32 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑜𝑠
N= 0.442𝑖𝑛2
= 72.4 granos/𝑖𝑛2
N = 2𝐺−1
𝑖𝑛𝑁
G-1 = 𝑖𝑛2
𝑖𝑛𝑁
G= 𝑖𝑛2
+1
𝑖𝑛 (72.4)
G= 𝑖𝑛 (2)
1 = 7.18
G = 7+
3.1 introducción.
3.2 Mecanismo de difusión
3.3 primera ley de Fick.
3.4 Segunda ley de Fick.
3.5 Difusión y el pensamiento de los metales.
3.1 introducción (aplicación de la difusión)
La mayor parte de los procesos y reacciones más importantes del tratamiento de materiales se
basa en la transferencia de masa, dentro de un determinado solido (generalmente a nivel
microscópico) o bien desde un líquido, gas o sólido. Esta transferencia va acompañada
inseparablemente por la difusión, un fenómeno de transporte por movimiento atómico.
La difusión indica el flujo neto de cualquier especie, como iones, átomos, electrones,
vacancancias y moléculas. El proceso de la difusión es fundamental en una gran cantidad de
tecnologías, es decir, en las tecnologías de procesamiento de materiales, la clave es controlar la
difusión de átomos, iones, moléculas y otras especies.
-Cerámicas conductoras.
En general las cerámicas policristalinas tienden a ser buenas aislantes de electricidad. Los
fuertes enlaces covalentes e iónicos junto con sus propiedades micro estructurales contribuyen a
la conductividad eléctrica. Relativamente pobre que tienen los cerámicos. Sin embargo hay
muchos cerámicos que pueden conducir electricidad y algunos son superconductores.
-arrastre y difusión
3.2 Mecanismos De La Difusion
El desorden que crean las vacacias(es decir la mayor entropia), ayuda a minimizar la energia libre y
en consecuencia la estabilidad termica de un material critalino. En materiales que contienen
vacancias, los atomos se mueven o “saltan” de una posicion a otra en la red. Este proceso se llama
autodifusion y se puede detectar con trazadores radiactivos. Aunque la autodifusion sucede en
forma continua en todos los materiales en general no es apreciable se defecto sobre el
comportamiento del material .
Ejemplo: una lámina de níquel ligada a una de cobre. A temperaturas altas, los átomos de níquel
se difunden a una forma gradual por el cobre y los átomos de cobre migran al níquel. De nuevo los
átomos del cobre y nikel que eran distribuidos uniformemente, al final.
-ahí los mecanismos importantes por los que se pueden difundir los átomos o los iones.
Difusión de vacancia∅
Cuando los átomos en la red cristalina se trasladan por sí mismos a nuevas posiciones, es decir
un átomo dejar su sitio de red y llena una vacación cercana.(Con lo que se crea una nueva
vacancancias en la red original). Al continuó la difusión, se forma flujos de átomos y vacancancias a
contracorriente, lo que se llama difusión de vacaciones. Que aumenta con la temperatura ayuda a
determinar el grado de autor y fusión y también de difusión de átomos sustituciónales.
-∅ dInfusión intersticial∅
Cuando el estructura cristalina hay un átomo un ion intersticial pequeño, se mueve de un sitio
intersticial a otro. En este mecanismo se requiere vacancancias. En parte porque hay mucho más
sitio intersticial de vacaciones, la difusión intersticial su sede con mayor facilidad que la difusión de
vacancias los átomos y intersticial es que son relativamente más pequeños se pueden definir como
mayor rapidez. Se necesita suficiente energía de activación para permitir que el átomo más
pequeño se trasmine entre los átomos más grandes de la matriz.
Muchas cerámicas son con enlaces y iónicos se pueden considerar como como empaquetamientos
compactos de aniones con cationes en los sitios intersticiales. En estos materiales, con frecuencia
los cationes más pequeños se difunden con más rapidez que los aniones más grandes.
Un átomo que se difunde debe oprimido o formas los átomos que lo rodean en su paso para
alcanzar su nuevo sitio. Para que esto suceda como se debe suministrar energía como para forzar
al átomo a su nueva posición.
En la auto difusión, la energía de activación es igual a la necesaria para crear una vacancias y
causar un movimiento del átomo.
DONDE:
J es el flujo
−𝑄 −𝑄
Donde: D = D. exp ( ) D = C. e( )
𝑅𝑇 𝑅𝑇
Co es constante
D es la rapidez
𝑐𝑎𝑙.
R es la constante de los gases (1.987(𝑚𝑜𝑙.𝑅))
T es la constante en °K
𝑑𝑐 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
en el gradente dr concentración ( )
𝑑𝑥 𝑐𝑚3 .𝑐𝑚
Dependiendo del uso, la constancia se puede expresar en porcentaje de átomos (% at.) Como
porcentaje empezó (% en peso), porcentaje molar (% mol) como fracción de átomos o fracción
Mol. Las unidades de gradiente de concentración y el flujo también cambiarán en forma
correspondiente.
Durante la difusión, varios factores que afectan el flujo de átomos que se maneja difusión de
iones, electrones, huecos. Etc., Las unidades de J, D y dc/dx refleja las clases adecuadas existen
considerando. El –, indica que el flujo de las especies que se difunde es de concentraciones
mayores a menores. Haciendo que el signo de dc/dx sea negativo, en consecuencia J es positivo.
La energía termina asociada a los átomos, iones, etc. Causa movimientos aleatorios de los átomos
A escala microscópica, la fuerza termodinámica impulsora de la difusión es el gradiente de
concentración. Se produce un flujo neto U observable dependiendo de la temperatura y gradiente
de concentración
-gradiente de concentracion: indica la forma en que la composición del material varía en función
de la distancia: ∆𝐶. En la diferencia de concentración a través de la distancia.∆𝑋 se puede producir
un gradiente de concentración cuando se ponen en contacto los materiales de distinta
composición cuando esté en contacto con gas un líquido con un sólido, cuando es un material se
produce estructuras de desequilibrios debido al procesamiento y por muchas otras cosas.
El flujo aquel que mide a temperatura sólo el constante sin gradiente de construcción, también lo
es.
El grupo durante la difusión se del cine como la cantidad de átomos que atraviesan un plano de
unidad de haría por unidad de tiempo
Ejercicio:
Una forma de fabricar transistores que amplifican las señales eléctricas es difundir atomos
como impureza en el material semiconductor como el silicio(Si), suponga que una oblea de silicio
tiene 0.1 cm de espesor, que originalmente contiene un átomo de fósforo(p) por cada 10 millones
de atomos de silicio, ya que se trata de tal modo que haya 400 atomos de fósforo. Cada 10
millones de atomos de si en la superficie. Calcule el gradiente de concentración a) en
porcentajeatomico/cmy ) en el parámetro de red de silicio es 5.4307ª.
Oblea
Ax= 0.1 cm
Solución
1 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜 𝑑𝑒 𝑝
Ci = ( ) x 100 = (100𝑥10−9 ) (10)
106 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑠𝑖
= 10x10−6 de % de p 0.00001
400 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑝
Cs = ( 106 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
) x 100 = 0.004 de p
∆𝑐 (0.00001−0.004) %𝑝
∆𝑥
= 0.1𝑐𝑚
% de p = -0.0399 𝑐𝑚
Solución
𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
Para determinar el gradiente en unidades ( 𝑐𝑚3 .𝑐𝑚
) se debe calcular el volumen de la celda
IA = 108 cm