INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR CENTRAL TCNICO NIVEL TECNOLGICO ELECTRICIDAD AUTOMOTRIZ Curso: Nivel 1 Nombre: Ulcuango Ulcuango Jos

David Tema: Introduccin a la electrnica bsica.

Transistor Darlintong y Fototransistores

TRANSISTOR DARLINTONG

Diagrama de la configuracin darlintong

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2. La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es: IE= x IB (Corriente de colector es igual a beta por la corriente de base). Entonces analizando el grfico:

Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1)) se obtiene la ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.

Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (Las ganancias se multiplican). Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 ( = 100) conectados como un transistor Darlington y se utilizara la frmula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor. Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeas. Muy importante: La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

Mencione aplicaciones de la Configuracin Darlington y algunos cdigos de su versin de Circuito Integrado. En la interface para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interface consta de dos integrados Darlington ULN2803 que sirven para incrementar la intensidad de las seales TTL que les llegan, y otros elementos ms.

Cuando se quiere controlar un motor o un rel, necesitas emplear un dispositivo que sea capaz de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un circuito Darlington Para alimentar una carga como un pequeo motor de corriente continua. Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsada y luces intermitentes en las mquinas de pinball electromecnico. Una seal de la lgica de unos pocos miliamperios de un microprocesador, amplificada por un transistor de Darlington, fcilmente cambia un amperio o ms a 50 V en una escala de tiempo medido en milisegundos, segn sea necesario para el accionamiento de un solenoide o una lmpara de tungsteno En resumen se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeas.

Algunos cdigos de circuitos integrados con configuracin Darlington son: NTE2077, NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082, NTE2083, NTE2087 y NTE2088. El TIP120 es un ejemplo de par Darlington, tiene un encapsulado del tipo TO220 como el de la figura.

La ganancia de corriente segn las especificaciones del fabricante es de 1000, y la mxima corriente que puede circular por el colector es de 5 A. Adems de los dos transistores propios del par Darlington, este dispositivo, lleva un diodo adicional y un par de resistencias con fines de proteccin. La configuracin (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La

idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por l, pero no la idea de poner un nmero arbitrario de transistores que originara la idea moderna de circuito integrado.

Comportamiento
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Si 1 y 2son suficientemente grandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada V BEi es de aproximadamente 0,65 V cuando el dispositivo est funcionando en la regin activa o saturada, la tensin base-emisor necesaria de la pareja es de 1,3 V. Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de saturacin. El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin base-colector debe permanecer polarizada en inversa), ya que su tensin colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensin base-emisor y la tensin colector-emisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal. (En ecuaciones, VCE2 = VBE2 + VCE1, as VC2 > VB2 siempre.) Por lo tanto, la tensin de saturacin de un transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio) ms alto que la tensin de saturacin de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el

silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado con un nico transistor. Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. Esta resistencia permite una va de descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unin baseemisor, permitiendo un rpido apagado.

SIMBOLOGIA DE TRANSISTORES BIPOLARES Y DARLINTONG

CIRCUITOS DE APLICACIN DE LOS TRANSISTORES DARLINTONG Los transistores Darlington se emplean en circuitos donde se necesita controlar grandes cargas con corrientes muy pequeas. Por ltimo, queda decir que la cada de tensin entre la base y el emisor Vbe en este tipo de transistores es el doble que en los ordinarios (aproximadamente unos 1.4 v)

FOTOTRANSISTORES
Los fototransistores no son muy diferentes de un transistor normal, es decir, estn compuestos por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su cpsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoelctrico. Teniendo las mismas caractersticas de un transistor normal, es podible regular su corriente de colector por medio de la corriente de base. Y tambin, dentro de sus caractersticas de elemento optoelectrnico, el fototransistor conduce ms o menos corriente de colector cuando incide ms o menos luz sobre sus junturas.

Diversos tipos de fototransistores Los dos modos de regulacin de la corriente de colector se pueden utilizar en forma simultnea. Si bien es comn que la conexin de base de los fototransistores no se utilice, e incluso que no se la conecte o ni siquiera venga de fbrica, a veces se aplica a ella una corriente que estabiliza el funcionamiento del transistor dentro de cierta gama deseada, o lo hace un poco ms sensible cuando se debe detectar una luz muy dbil. Esta corriente de estabilizacin (llamada vas, en ingls) cumple con las mismas reglas de cualquier transistor, es decir, tendr una relacin de amplificacin determinada por la ganancia tpica de corriente, o hfe. A esta corriente prefijada se le suman la variaciones producidas por los cambios en la luz que incide sobre el fototransistor. Los fototransistores, al igual que los fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy corto, es decir que pueden responder a variaciones muy rpidas en la luz. Debido a que existe un factor de amplificacin de por medio, el fototransistor entrega variaciones mucho mayores de corriente elctrica en respuesta a las variaciones en la intensidad de la luz.

Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: 1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn). 2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminacin). 3. Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar. Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la deteccin de luz y la ganancia. Su construccin es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se expone a la luz a travs de una ventana o lente. Los fotones incidentes generan pares electrn-hueco en la proximidad de la gran unin CB. Las tensiones de polarizacin inversa de la unin CB, llevan los huecos a la superficie de la base y los electrones al colector. La unin BE polarizada directamente, hace que los huecos circulen de base a emisor mientras que los electrones fluyen del emisor a la base. En este punto la accin convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones inyectados del emisor cruzando la pequea regin de la base y alcanzando el colector que es ms positivo. Este flujo de electrones constituye una corriente de colector inducida por la luz. Los pares electrn-hueco fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el fototransistor se conecta en configuracin de emisor comn, la corriente de base inducida por la luz, aparece como corriente de colector multiplicada por hfe. La sensibilidad de radiacin colector a emisor (SRCEO) de la Fig.28, se define como la corriente de salida de colector por unidad de irradianca incidente con la base abierta. La correspondiente sensibilidad SRCBO se refiere a la corriente de la base por unidad de irradiancia incidente con el emisor abierto. As pues, SRCBO se refiere a la pequea corriente de base generada por los fotones y SRCEO incluye el factor multiplicador del fototransistor. Puede pensarse que la combinacin de deteccin de luz y la funcin de amplificacin en un solo dispositivo, es ya el sensor perfecto, pero esto no es cierto en muchas aplicaciones. Primero, es importante tener en cuenta que en el fototransistor la corriente oscura (ICBO) tambin se multiplica por , como la fotocorriente de base. Una buena prueba de este hecho es una comparacin de la irradiancia cuando Luz = oscura para varios fotodetectores. La respuesta en frecuencia de los fototransistores es menor que la de 1a combinacin fotodiodo-amplificador. Esto es debido a la gran capacidad base-colector del fototransistor que toma una carga elevada que slo puede descargarse por la corriente oscura, relativamente baja.

muestran que la regin de funcionamiento lineal del fototransistor es varios rdenes de magnitud menor que en los fotodiodos. El problema de la linealidad y muchas otras limitaciones del fototransistor, se deben a la variacin de con el nivel de corriente y la temperatura. A la vista de las desventajas mencionadas del fototransistor, su uso se restringe generalmente a aplicaciones ON-OFF, en que su ganancia propia puede eliminar la necesidad de amplificacin posterior. De hecho, el mayor mercado para el fototransistor es para las aplicaciones de mayor velocidad donde es mejor fotoconductores de una pieza y ms ganancia que un fotodiodo, con lo cual se elimina la necesidad de una amplificacin posterior

FOTOTRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO El fotofet es similar a un FET convencional, con la excepcin de contar con una lente para enfocar la luz en la unin de la puerta. Este dispositivo fotofet proporciona una excelente combinacin de unin pn fotosensible con un dispositivo de alta impedancia y amplificadores de bajo ruido. Los fotones que penetran en el rea de la puerta excitan a los electrones de la banda de valencia hasta la banda de conduccin. Los portadores de corriente fotoexcitados originan un pequeo cambio (IG) de la corriente nominar de puerta IG fluye a travs del resistor de puerta y desarrolla un cambio de tensin puerta-surtidor (VGS). La VGS se multiplica por la transconductancia del fotofet (gfs) y se produce una corriente de drenador ID. La variacin de ID vara la cada de tensin en RD alterando as la tensin drenador-surtidor. En resumen; VDS = IGR Ggfs RL? La tensin desarrollada en RG por la fotocorriente inducida se amplifica por la accin del FET.

Fototransistor.

Este dispositivo se diferencia de un transistor comn por que su base ha sido sustituida por un cristal fotosensible que regula el flujo de corriente colector emisor de acuerdo a la luz incidente sobre l (en nuestro caso luz infrarroja).

El fototransistor, aunque con la apariencia de un LED comn, debe conectarse con la patilla larga a masa y la corta a voltaje. Bueno, con los trminos bsicos aclarados, veamos el esquema del emisor y el receptor:

En el esquema D1 es el LED infrarrojo, Q1 el fototransistor y D2 un LED comn. Finalmente aqu podemos ver un pequeo video de nuestro sensor en funcionamiento.

SIMBOLOGIA DE FOTOTRANSISTORES

USOS DE LOS FOTOTRANSISTORES: En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente. Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin

del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin. Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un transistor comn un fotodiodo, conectando en el colector del transistor el ctodo del fotodiodo y el nodo a la base. Los fototransistores se usan en los receptores para el control remoto de las teles sensores: de movimiento, de a proximidad en algunos celulares con puerto infrarrojo

BIBLIOGRAFIA: http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_Darlington http://www.tecnologiaseso.es/pdf/electronicapdf/transistores.pdf http://es.wikipedia.org/wiki/Fototransistor http://es.wikipedia.org/wiki/Fototransistor http://robots-argentina.com.ar/Sensores_fototransistores.htm