INFORME FINAL

LABORATORIO N°3
EL TRANSISTOR BIPOLAR
CIRCUITOS DE POLARIZACION
CURVAS CARACTERÍSTICAS

INTEGRANTES – CÓDIGO UNI

AGÜERO CARHUAVILCA, Luis Manuel – 20162596K
CARRIÓN VENANCIO, Leonardo – 20161219I
DOLORIERT FERNANDEZ, Ralf Loren’z – 20162531F
CAJALEON FLORES, Eduardo Luis – 20164509H
FRANCIA ZORRILLA, José Daniel – 20160041A

PROFESOR:
Ing. AREVALO MACEDO, Robinson

CURSO:
ANÁLISI Y DISEÑO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS (ML-831)
Sección “B”

INSTITUCIÓN:
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica

FECHA DE REALIZACIÓN DEL EXPERIMENTO:

20-05-2019

FECHA DE PRESENTACIÓN:
27-05-2019

2019-1
Índice
1. Objetivos ...................................................................................................... 1
2. Fundamento Teórico .................................................................................... 1
2.1. Diodo Zener ........................................... Error! Bookmark not defined.
2.2. Rectificador de media onda ................... Error! Bookmark not defined.
2.3. Rectificador de onda completa .............. Error! Bookmark not defined.
2.4. Tensión Inversa de Pico (VIP) ............... Error! Bookmark not defined.
2.5. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON CONDENSADOR ........ Error!
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2.6. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON CONDENSADOR Error!
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2.7. CIRCUITOS DOBLADORES DE TENSIÓNError! Bookmark not defined.
2.8. CIRCUITOS RECORTADORES............ Error! Bookmark not defined.
3. Equipo a utilizar ........................................................................................... 9
4. Resultados de la experiencia ....................................................................... 9
4.1. Circuito 1 ............................................... Error! Bookmark not defined.
4.2. Circuito 2 ............................................... Error! Bookmark not defined.
4.3. Circuito 3 ............................................... Error! Bookmark not defined.
4.4. Circuito 4 ............................................... Error! Bookmark not defined.
4.5. Circuito 5 ............................................... Error! Bookmark not defined.
4.6. Filtros para fuentes de alimentación: ..... Error! Bookmark not defined.
4.7. Circuitos dobladores de tensión ............ Error! Bookmark not defined.
4.8. Circuitos recortadores ........................... Error! Bookmark not defined.
5. Conclusiones ............................................................................................... 9
6. Recomendaciones ....................................................................................... 9
7. Bibliografía ................................................................................................... 9
8. Anexo ......................................................................................................... 10
1. Objetivos
 Determinar las corrientes y voltajes de los circuitos de polarización de BJT’s básicos.
 Implementar y obtener el cuadro de voltajes de los circuitos de polarización de BJT’s
básicos.
 Verifica la curva característica del transistor

2. Fundamento Teórico
2.1. Definición
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos,
puede ser de germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y
son: el emisor, la base y el colector.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de
la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo
de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes
nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor,
con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

VBE=0.7v VBE=-0.7v

Dónde:

𝐼𝑐 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝐶𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑉𝐶𝐸 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐶𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 − 𝐸𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟.

𝐼𝐸 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝐸𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑉𝐵𝐸 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐵𝑎𝑠𝑒 − 𝐸𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟.

𝐼𝐵 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝐵𝑎𝑠𝑒 𝑉𝐶𝐵 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐶𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 − 𝐵𝑎𝑠𝑒.

𝑷𝒐𝒓 𝟏° 𝒍𝒆𝒚 𝒅𝒆 𝒌𝒊𝒓𝒄𝒉𝒉𝒐𝒇𝒇:
𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 +𝑰𝑩

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 2.2. Polarización de un transistor
Polarizar es aplicar las tensiones adecuadas a los componentes para que
funcionen correctamente. Un polo P estará polarizado directamente si se
conecta al positivo de la pila, el polo N estará polarizado directamente si se
conecta al polo negativo, al revés estarían configurados inversamente.
Hay una gama muy amplia de transistores, por lo que antes de conectar
deberemos identificar sus 3 patillas y saber si es PNP o NPN. En los transistores
NPN se debe conectar al polo positivo el colector y la base, y en los PNP el
colector y la base al polo negativo.
La unión BASE-EMISOR siempre polarizado directamente, y la unión
COLECTOR–BASE siempre polarizado inversamente.

2.3. Configuración de transistores

2.3.1. Configuración en base común
La terminología en base común se deriva del hecho de que la base es común tanto
para la entrada como para la salida de la configuración. Además, la base por lo
general es la terminal más cercana a, o en, un potencial de tierra.

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Curvas características en Base común:

Se concluye:

𝑉𝐵𝑒 = 0.7 𝑉

Se concluye:
𝐼𝐶
= 𝛼 Dónde 𝛼 < 1
𝐼𝐸

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 2.3.2. Configuración en Emisor común
Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve de
referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las
terminales base y colector).

Curvas características en emisor común:

Se tiene:
𝐼𝐶
=𝛽
𝐼𝐵
Región de
saturación 𝛽: Ganancia del Transistor
La Relación entre: 𝛼 𝑦 𝛽
𝛽
𝛼 = 𝛽+1

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 2.3.3. Configuración en colector común
La configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias,
puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida

2.4. Zonas de Trabajo

2.4.1. Corte

No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor

también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería.

El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.

IB es igual a I, C es igual a IE es igual a 0; VCE es igual a Vbat

𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = 0 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐹𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒

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 2.4.2. Saturación
Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente
de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se
comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión
de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector.

2.4.3. Activa
Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente. Cuando trabaja
en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En
definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores
ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de
la corriente de base.
Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características, también
aparece con la denominación hFE.

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 2.5. Recta de carga y punto de operación
El transistor bipolar que opera en la región activa tiene unas características
eléctricas lineales que son utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las
señales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de
energía realizado a través de fuentes de tensión externas denominadas fuentes de
alimentación o fuentes de polarización.
Las fuentes de alimentación cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y
tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la región lineal y
suministrar energía al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en
potencia (amplificación). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los
terminales de un transistor se denomina punto de operación y se suele expresar
por la letra Q (Quiescent operating point).
Todos los puntos de operación para distintos valores de tensión y corriente se
ubican sobre una recta llamada recta de carga, la ecuación de esta recta variara
depende de la forma en que esté polarizado el transistor.
Para el siguiente ejemplo, el transistor está polarizado con 2 resistencias y 2 fuentes.

Para los datos de la figura se tiene:

Estos valores 2,48 mA y

7.56 Volts representan el
punto de operación para el
circuito con los valores de
las resistencias y fuentes
mostrados en la figura

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Hasta ahora solo hallamos un punto Q de la recta de carga, para hallar los demás
puntos de la recta de carga necesitamos hallar una función 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) que tome
la forma 𝑌 = 𝑚𝑋 + 𝑏.
Para obtener la expresión de la recta reacomodamos la ecuación (2) y nos queda:

Recta de carga

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3. Equipo a utilizar

4. Resultados de la experiencia

5. Conclusiones
6. Recomendaciones

7. Bibliografía
 ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
ELECTRÓNICOS, Robert L. Boylestad Louis Nashelsky.
 ANÁLISIS BÁSICO DE CIRCUITOS ELÉCTRICOS Y ELECTRÓNICOS,
Txelo Ruiz Vázquez
 Informe Previo

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8. Anexo
Hoja de datos

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