Ingeniería Eléctrica Instituto Tecnológico de Cd.

Guzmán

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CD.

GUZMÁN

MATERIA
ELECTRONICA INDUSTRIAL
UNIDAD No. 1
PRÁCTICA # 1

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Nombre y No. Control

Luis Antonio López Gómez 16290003
Esteban Mendoza Lizarda 16290005
Cuauhtémoc Cañedo Castellano

Nombre del Profesor

Jorge Rubén Morfin Orozco

Fecha: Cd. Guzmán, Jal., 20 de Febrero del 2018

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PRÁCTICA # 1

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

OBJETIVO

Analizar el comportamiento estático y dinámico de diferentes dispositivos

semiconductores de potencia para diferentes frecuencias de trabajo y el manejo
de cargas.

INTRODUCCIÓN
La introducción de la tecnología de transmutación de neutrones en los años
setenta del pasado siglo hizo posible la fabricación de
dispositivos semiconductores de potencia con tensiones de bloqueo de más de
1.000 V. Sólo esta técnica permite producir silicio con la homogeneidad de dopado
requerida, en esta categoría de tensiones el tiristor era el único dispositivo cuya
tecnología se dominaba correctamente.
Pero sus aplicaciones eran muy limitadas, ya que este dispositivo no permitía el
corte de Corriente alterna cuando el usuario lo necesitaba. En los años ochenta y
noventa se unieron al tiristor varios dispositivos con capacidad de corte: el tiristor
de corte de puerta o GTO (Gate Turn-Off Thyristor) y, posteriormente,
El Transistor Bipolar con puerta aislada o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
y el tiristor conmutado con puerta integrada o IGCT (Integrated Gate Commutated
Thyristor).
Durante las últimas décadas los semiconductores de potencia han revolucionado
las aplicaciones con interruptores de potencia de silicio, convirtiéndolos en
dispositivos muy eficientes, fiables y de cómoda aplicaciones en el manejo de alta
tensión y alta intensidad, que está en el orden de los gigavatios. La más avanzada
tecnología de transmisión de energía eléctrica y los sectores de estabilización de
redes, no serían posibles sin la existencia de soluciones basadas en
componentes semiconductores de potencia.
Dado que la eficiencia y fiabilidad de los dispositivos semiconductores depende
estrechamente de las condiciones de servicio y del diseño físico del sistema
(eléctrico, térmico, mecánico).
Objetivos del diseño del IGBT y del IGCT
El objetivo común del diseño de interruptores para semiconductores de potencia
de alta tensión (cuyos tipos más conocidos son el IGBT y el IGCT) es optimizar la
combinación de la potencia en estado de conducción y las pérdidas en corte. En
términos prácticos, esto significa que el semiconductor debe tener la mínima
caída de tensión posible en la fase de conducción (es decir, debe crearse un
plasma denso) sin que se originen pérdidas excesivamente altas en corte cuando
se suprime el exceso de carga.
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El dopado del cuerpo de silicio de los semiconductores de potencia, es decir, la

conductividad del sustrato ha de reducirse continuamente y aumenta la tensión de
ruptura buscada. En consecuencia, componentes que en estado activo pueden
confiar en la conductividad de su substrato (los componentes unipolares o de
portadores mayoritarios, como el MOSFET de potencia y el diodo Schottky),
presentan capacidades de bloqueo superiores a 2001.000 V en estado de
conducción, demasiado altas para funcionar económicamente (el límite depende
del tipo de componente y de la aplicación). Consecuentemente, los
semiconductores de potencia de silicio de más de 600 V se suelen diseñar como
dispositivos modulados por conductividad (plasma). El interior de un dispositivo de
este tipo está saturado con un gran número de portadores de cargas positivas y
negativas.
Durante el corte, el componente recupera su capacidad de bloqueo creando un
campo eléctrico desde la unión pn en el lado del cátodo hasta la zona n. La
tensión de recuperación cubre el plasma desde el cátodo hasta el ánodo. Los
portadores de carga cerca del cátodo son suprimidos a una baja tensión y, por
tanto, generan bajas pérdidas en corte, mientras que los portadores próximos al
ánodo fluyen fuera del dispositivo a una tensión alta, originando altas pérdidas.

Diodos de potencia Introducción

• Pertenecen a la categoría de componentes que sí tienen equivalente en señal.
• Están formados por una unión p-n igualmente.
• En ellos el área de pastilla y la corriente soportada son mayores.
• Las características que se persiguen en ellos son:
– Que en polarización directa sean capaces de conducir una elevada corriente
con una baja caída de tensión.
– Que en polarización inversa soporten una elevada tensión con una pequeña
corriente de fugas.
– Que sean capaces de recuperar el estado de bloqueo tras la conducción de
manera rápida y con baja corriente inversa.

Diodos de potencia - Bloqueo

• Se produce al aplicar una tensión inversa en los terminales del diodo de manera
que el ánodo sea más negativo que el cátodo.
• Esto provoca:
– Migración de portadores mayoritarios a los extremos de la pastilla.
– Ensanchamiento de la zona de carga espacial.
– Aparición de una barrera de potencial en la unión aprox. Igual a la tensión
aplicada.
– Corriente de minoritaria dependiente de la temperatura y no de la tensión.
• Parámetros asociados:
– Tensión inversa de trabajo: puede ser soportada de forma continuada sin peligro
– Tensión inversa de pico repetitivo: puede ser soportada en periodos de 1ms
repetidos cada 10ms.
– Tensión inversa de pico no repetitivo: puede ser soportada cada 10’ durante un
periodo de 10ms.
– Tensión de ruptura: puede producir la ruptura del diodo.

Semiconductores de potencia. Dispositivos construidos con el SiC (carburo de

silicio), el GaN (nitruro de galio) y el diamante, que han arraigado firmemente en
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aplicaciones de alta tensión y alta intensidad para controlar potencias de salida de

entre un megavatio y varios gigavatios.

MARCO TEÓRICO

El diodo de potencia
a) Principio de funcionamiento

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y
cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben

ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión.
En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de
ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

b) Respuesta V- I
c) Características estáticas:
Parámetros en bloqueo
 tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada
por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en
picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
 Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
 Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante
10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características de este.
 Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo
en estado de bloqueo.

Parámetros en conducción
 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad
de impulsos sinusuidales de 180º que el diodo puede soportar.
 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada
cada 20 ms, con una duración de pico a 1 ms, a una determinada
temperatura de la cápsula (normalmente 25º).
 Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de
intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
 Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se
encuentra en el estado de conducción.
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Modelos estáticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se

representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión
que necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más
complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen
ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del
programa.

d) Características dinámicas:
Tiempo de recuperación directo
tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el
instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en
que dicha tensión se estabiliza en el valor V F.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele
producir pérdidas de potencia apreciables

Tiempo de recuperación inverso

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El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa

instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad I F, la
zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta
mayor densidad de éstos cuanto mayor sea I F. Si mediante la aplicación de una
tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt,
resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo
conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo
y cátodo no se establece hasta después del tiempo t a llamado tiempo de
almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la
unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo t b (llamado
tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (I RRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.
 ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso
por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
 tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la
capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir
desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
 trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

 Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área

negativa de la característica de recuperación inversa del diodo.
 di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
 Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

El Transistor Bipolar (BJT)

El transistor bipolar o bjt es un dispositivo electrónico, mediante el cual se puede
controlar una cierta cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente,
este dispositivo consta de 3 patitas, terminales o pines, cada uno de estos pines
tienen un nombre especial, es importante no olvidase de esos nombres, los
cuales son el colector, la base y el emisor, tal como se ve en la imagen, el orden
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de los pines depende del transistor que se esté utilizando, para ello será
necesario recurrir a su hoja de datos, en la imagen se puede ver el orden de los
pines correspondientes para el transistor bipolar BC547B.
El transistor bipolar está formado por capas de material semiconductor tipo n y
tipo p, de acuerdo con la distribución de los materiales semiconductores se tienen
2 tipos de transistor bipolares, los que se conocen como transistor npn y transistor
pnp, el funcionamiento del transistor se basa en movimientos de electrones
(negativos) y de huecos (positivos), de allí el nombre de transistor bipolar o bjt
(transistor de unión bipolar).

Para un mejor entendimiento, se puede imaginar interiormente el transistor bipolar

como se muestra en la figura, se ve que entre la base y el emisor hay un diodo, lo
mismo entre la base y el colector hay otro diodo, el transistor bipolar tiene 3 zonas
diferentes en los cuales puede operar, los cuales se conoces como región activa,
región de corte y región de saturación
Para que opere en la región de saturación, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma directa y el diodo base colector también tendrá que estar
polarizado en forma directa.
Para que opere en la región de corte, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma inversa y el diodo base colector también tendrá que estar
polarizado también forma inversa
Para que opere en la región de activa, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma directa y el diodo base colector tendrá que estar polarizado
en forma inversa; cuando el transistor bipolar se prepara para que opere en la
región activa, se cumple que la corriente que ingrese por la base IB va a controlar
la cantidad de corriente que circulará por el colector IC, este control es en forma
lineal, se cumple una relación matemática a la cual se le llama ganancia del
transistor y se le simboliza con β, esto es β=IC/IB, este valor en la hoja de datos
se le encuentra como hFE.
En un transistor bipolar siempre se va a cumplir, que, si se encuentra operando en
la región de saturación o en la región activa, la tensión que existirá entre la base y
el emisor VBE=0,7V ya que el diodo existente entre la base y el emisor está
polarizado en forma directa.
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Los símbolos utilizados para representar el transistor bipolar o bjt tanto para el
npn y el pnp son los que se muestran, la flecha indica que el diodo base emisor se
tiene que polarizar en forma directa para hacer operar el transistor en la región
activa.
Para hacer trabajar el transistor bipolar se dice que hay que polarizarlo, esto es lo
mismo que decir que hay que polarizar el diodo base emisor y el diodo base
colector, de acuerdo con la región en la cual se quiere que opere.

El Transistor de Efecto de Campo de compuerta Aislada (MOSFET)

Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo
de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.

MATERIAL Y EQUIPO

 Multímetro digital con terminales de prueba.

 Fuente de alimentación de Vcd con terminales banana-caimán.
 Osciloscopio digital con zondas de prueba.
 Resistencia de 1000 Ohms.
 Diodo de señal: 1N4148.
 Diodo rectificador: 1N4007 o similar.
 Lámpara de 12 Vcd, 1 A.
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 Motor de 120 Vca monofásico (licuadora).

 Relevador de 12 Vcd con 2 juegos de contactos para 3 A.
 Componentes diversos de acuerdo al diseño.

DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

1. Utilizando el generador de señal seleccione la forma de onda cuadrada y ajuste

la amplitud a 3 Vpp, implementar en la tablilla de experimentos el circuito de
conmutación de la figura 1. Representar en un mismo cuadrante las formas de
onda de la tensión en el diodo y en la carga para los diferentes diodos utilizados,
utilice frecuencias de 60 Hz, 60 KHz y 600 KHz. Determine el tiempo de
recuperación inversa de los diferentes diodos en la forma como se indica en la
figura 2. Grafique VD, ID, VRL, IAVG, IRMS IRRM y tRR

Figura1
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Figura2

2. Diseñe un circuito electrónico basado en un BJT aplicando un factor de

sobrecorriente de 3 como dispositivo de potencia, para controlar el encendido y
apagado de una lámpara que se alimenta con 12 Vcd y consume 1 A. La señal de
control para el circuito en diseño proviene de un interruptor conectado a una
fuente de 1Vcd a través de un circuito optoacoplado. Grafique Vcontrol, Vcarga,
Icarga, Vce.

3. Diseñe un circuito electrónico basado en un MOSFET como dispositivo de

potencia que manipula un relevador de 12 Vcd, para controlar el arranque y paro
de un motor de 120 Vca (bomba ¼ Hp) que alimenta con agua un tanque elevado
para mantener el nivel de agua entre dos limites establecidos, siempre y cuando
el nivel del agua en la cisterna sea superior al mínimo requerido. La señal de
control para el circuito en diseño proviene de un circuito digital TTL. Grafique
Vcontrol, Vrele, Irele, Vds, Vcarga, Icarga.

En este punto solo nos pedía la simulación del circuito.

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RESULTADOS DE LABORATORIO
Punto 1

Punto 2
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RESULTADOS DE LA SIMULACIÓN
Punto 1

Punto 2
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Punto 3

CONCLUSIONES INDIVIDUALES
Luis Antonio López Gómez
Principalmente durante la realización de la practica tuvimos que recordar cómo
utilizar un osciloscopio digital, ya que no teníamos mucha practica con este
equipo. De igual forma tuvimos que utilizar simuladores, para armar el circuito y
obtener los resultados en el mismo, para después llevarlos a la practica y poder
realizar la comprobación de estos.
Al realizar previamente la simulación y después llevar a cabo la practica se
pueden observar la variación en los resultados, ya que en el simulador podemos
ponerle el valor deseado a las resistencias u otros componentes utilizados, pero
en físico muchas veces no podemos contar con las especificaciones de los
componentes ya sea por que no son comerciales o no los tenemos en nuestra
región.
En el punto 1 de la practica pudimos observar la onda cuadrada de los diodos
utilizados, aplicando una frecuencia de distintos valores, para así observar los
resultados en el osciloscopio.
En el punto 3, armamos un circuito con la finalidad de controlar el apagado y
encendido de una mini lampara., mediante un circuito de control previamente
armado con los componentes que la practica nos requirió.
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En lo personal las practicas relacionadas con componentes electrónicos, me son

de gran dificultad por la falta de
competencias previas.

Esteban Mendoza Lizarda

En esta práctica miramos como usar un
SCR que es un dispositivo electrónico que
tiene la característica de conducir la
corriente eléctrica en un solo sentido tal
como lo hace un diodo, pero para que
comience a conducir el SCR necesita ser activado mediante un pulso, mientras el
SCR no sea activado este no conducirá. Cuando el SCR no conduce se le puede
considerar como un interruptor abierto y mientras conduce como un interruptor
cerrado, también miramos que cundo el SCR no está activo retiene el voltaje, pero
cundo se activa la corriente aumenta y el voltaje disminuye
El SCR cuenta con ánodo(A), cátodo (K), y un gate(G) donde el gate es para
introducir el pulso

Cuauhtémoc Cañedo Castellano

BIBLIOGRAFÍA

ANEXOS

Nota1. Se tomará lista de asistencia a los 15 minutos de iniciada la práctica,

posterior a ello será falta.

Nota2. La sesión de laboratorio es para comprobar los resultados previos de la

simulación, razón por lo cual será condicionante para ingresar al laboratorio el
resultado impreso obtenido de la simulación realizada.

Nota3. La evaluación por integrante de los equipos de trabajo dependerá del

desempeño individual de cada uno de ellos.
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