S.E.P. S.E.S. Tec.N.M.

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TOLUCA

INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

DOCENTE: OLEG ALEXANDRO CRAVIOTO GARCÍA

“REPORTE DE PRÁCTICA: BJT”

INTEGRANTES DEL EQUIPO:

MIRELES VENTURA JOSE

VOLANTE GARDUÑO LUIS FERNANDO

VÁZQUEZ GONZÁLEZ ALAN

Metepec, Edo de México a 10 de Mayo del 2019

 Índice

Introducción………………………………………………………………………………………3

Marco teórico…………………….……………………………………………………………….4

Desarrollo……………………………………………………………………………………….10

Conclusiones……………………………………………………………………………………19

Bibliografía………………………………………………………………………………………20

2
 Introducción

Los transistores de unión bipolar o transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor,

BJT) son unos dispositivos activos de tres terminales que constituyen el elemento
fundamental en multitud de aplicaciones que van desde la amplificación de señales, al
diseño de circuitos lógicos digitales y memorias. El principio básico de funcionamiento de
un transistor bipolar es el uso de la tensión existente entre dos de sus terminales para
controlar la corriente que circula a través del tercero de ellos. De esta forma, un transistor
bipolar podría utilizarse como una fuente dependiente que, como hemos establecido en
el Capítulo anterior, es el elemento fundamental del modelo de un amplificador de señal.
Además, la tensión de control aplicada puede provocar que la corriente en el tercer
terminal del transistor bipolar cambie de cero a un valor elevado, permitiendo que el
dispositivo activo pueda utilizarse como un conmutador con dos estados lógicos, que es
el elemento básico en el diseño de circuitos digitales.

En la siguiente práctica desarrollaremos la polarización de un transistor BJT por medio

de:

 Una fuete
 Dos fuentes
 Por divisor de voltaje

En las cuales las tres tienen un funcionamiento diferente, por lo que se abarcara
brevemente el desarrollo de la misma.

3
 Marco teórico

La práctica propuesta a desarrollar es la polarización de un transistor BJT, por medio de

un fuete, dos fuentes y divisor de voltaje. Para ello conoceremos como realizar cada de
una de estas de forma teórica y poder tener los datos necesarios para su realización.

Pero antes de indagar más sobre el funcionamiento del circuito y la manera que como
debe de llevarse a cabo, conoceremos los elementos fundamentales que nos llevarán a
realizar la práctica de forma eficiente.

Los cuales se componen de:

 Transistor
 Resistencias

Dichos elementos son de mucha importancia para la práctica así detallaremos aspectos
que deben de conocerse antes de realizar la misma.

Resistencia
“Es un dispositivo o componente eléctrico diseñado explícitamente para que presente
cierta magnitud de resistencia, expresada en ohms.” (H, 2016)
Elemento pasivo que consume o disipa energía eléctrica en forma de luz o calor.
Transistor
“Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensión sobre un
circuito actuando como un interruptor y/o amplificador para señales eléctricas o
electrónicas (tensiones y corrientes).” (Floyd, 2008)

Ilustración 1

4
Un transistor es un componente que tiene, básicamente, dos funciones:
 Función 1. Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal
de mando. Es decir, funciona Como Interruptor. Abre o cierra para cortar o dejar
pasar la corriente por el circuito.

 Función 2. Funciona como un elemento Amplificador de señales. Le llega una

señal pequeña que se convierte en una más grande. Luego veremos esto más
ampliado. (Piovan, 2014)
Polarización de un transistor

La polarización del bjt se realiza mediante tensión continua y consiste en preparar el

transistor para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el cual se le quiere
utilizar, se busca que a través del colector circule una cantidad de corriente IC, y a su
vez se obtenga una tensión entre el colector y el emisor VCE para esa cantidad de
corriente IC, a esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q del transistor.
La corriente IC va depender de la corriente en la base IB que exista en la malla de
entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla de salida del circuito, para
ver esto será de utilidad uso de las curvas características y la ecuación de recta de carga.

Cuando se tiene un circuito ya polarizado y se quiere conocer su punto Q, se hace lo

sigue, a partir de la malla de entrada se puede calcular la corriente de la base IBQ, de la
malla de salida se obtiene la ecuación de la recta de carga, esta recta de carga se traza
sobre la curva característica de salida, donde se intercepten la recta de carga con la curva
correspondiente a IBQ será el punto de operación del bjt, para conocer el valor de la
corriente de colector en el punto Q se traza a partir del punto de intercepción una paralela
al eje de VCE donde corte esta al eje IC ese será el valor de la ICQ, para conocer el valor
de la tensión colector emisor en el punto Q se traza a partir del punto de intercepción una
paralela al eje de IC donde corte esta al eje VCE ese será el valor de la VCEQ.

5
Existen tres maneras de polarizar un transistor y son las que desarrollaremos a lo largo
de esta práctica.
Polarización con una fuente.
Mediante el circuito.

6
En el cual tenemos sólo resistencia en la base y en el colector para lo cual el análisis
matemático se expresa de la siguiente manera:
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶 =
𝐼𝑚á𝑥
𝐼𝑚á𝑥
𝐼𝐶𝑄 =
𝑛
Donde “n” se expresa la posición en la cual el punto de operación trabajará. Los puntos
de corriente máxima regularmente se obtendrán de acuerdo al caso, y de acuerdo a las
tablas, pues se define depende del transistor.

𝐼𝐶𝑄
𝐼𝐵𝑄 =
𝛽

Donde “β” es un valor predeterminado de las tablas, y dependerá. Es un dato variable.

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵𝑄
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 )
Polarización con dos fuentes.
Mediante el circuito.

7
En el cual tenemos resistencia en los tres elementos del transistor para lo cual el análisis
matemático se expresa de la siguiente manera:
Considerando que los datos conocidos será:
 𝐼𝑚á𝑥
 𝑉𝐶𝐶 𝑦 𝑉𝐸𝐸
 𝐼𝐶𝑄 Pues se trabajará en un punto Q dado
 β
Pues se iniciara por una condición inicial y son los más comunes para poder hacer un
análisis
1
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉
10 𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑄
𝐼𝐵 =
𝛽
𝑉𝑅𝐸
𝑅𝐸 =
𝐼𝑚á𝑥

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 = − (𝛽)(𝑅𝐸 )
𝐼𝐵𝑄
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶 = − 𝑅𝐸
𝐼𝑚á𝑥
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 ) − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐸 )

8
Polarización con divisor de voltaje
Mediante el circuito.

En esta ocasión la resistencia de la base se compone de dos conectadas en serie que

también utilizando teorema de Thevenin se puede expresar de la siguiente forma.

Considerando que los datos conocidos será:

 𝐼𝑚á𝑥
 𝑉𝐶𝐶 𝑦 𝑉𝐸𝐸
 𝐼𝐶𝑄 Pues se trabajará en un punto Q dado

9
  β
Pues se iniciara por una condición inicial y son los más comunes para poder hacer un
análisis
1
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉
10 𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑄
𝐼𝐵 =
𝛽
𝑉𝑅𝐸
𝑅𝐸 =
𝐼𝑚á𝑥

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝑇ℎ = − (𝛽)(𝑅𝐸 )
𝐼𝐵𝑄
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶 = − 𝑅𝐸
𝐼𝑚á𝑥
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇ℎ =
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 ) − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐸 )

Desarrollo
Una vez conocidos los elementos que serían utilizados para realizar la práctica.
Analizaremos lo solicitado para poder efectuarla.
Antes de iniciar cabe recalcar que los datos que serán utilizados con respecto al transistor
serán obtenidos mediante su hoja de datos y para los tres casos utilizaremos un transistor
de tipo 2N2222, por lo tanto tenemos:

10
En el cual ocuparemos los datos que están marcados en el cuadro rojo lo que quiere decir
que tenemos un valor de β= 100- 300. Midiendo la β con un multímetro tenemos que esta
es igual a β=310. Así como también el punto Q deberá manejarse a la mitad.
Así como 𝑉𝐶𝐶𝑚á𝑥 = 10 𝑣𝑜𝑡𝑠. 𝑌 𝐼𝐶𝑚á𝑥 = 150 𝑚𝐴. Como datos máximos.
Polarización con una fuente.
Mediante el circuito.

Comenzando los cálculos:

Donde iniciaremos con un valor inicial de 𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 𝐼𝑚á𝑥 = 150 𝑚𝐴 𝑉𝐸𝐸 = 1 𝑉
𝑉𝐶𝐶 10𝑉
𝑅𝐶 = = = 66.66 Ω = 68 Ω (𝐶𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙)
𝐼𝑚á𝑥 150𝑚𝐴
𝐼𝑚á𝑥 150𝑚𝐴
𝐼𝐶𝑄 = = = 75 𝑚𝐴
2 2
𝐼𝐶𝑄 75𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 241.93 𝜇𝐴
𝛽 310

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 1𝑉 − 0.7𝑉

𝑅𝐵 = = = 1240.02Ω = 1.2𝑘Ω (𝐶𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙)
𝐼𝐵𝑄 241.93𝜇𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 ) = 10𝑉 − 75𝑚𝐴(68) = 4 .9 𝑉
Por lo tanto el circuito queda de la siguiente manera ya con los datos obtenidos:

11
Localización gráfica del punto Q donde se trabaja.
Circuito físico:

12
Y para verificar que se estaba en lo correcto se utiliza el osciloscopio.

Podemos observar la gráfica lineal (que indica que el transistor esta polarizado) está por
debajo de los 4 volts (3.7 volts), que son los esperados debido a que se trabaja en el
punto Q a la mitad.

Polarización con dos fuentes.

Mediante el circuito.

Comenzando los cálculos:

Donde iniciaremos con un valor inicial de 𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 𝐼𝑚á𝑥 = 100 𝑚𝐴 𝑉𝐸𝐸 = 5 𝑉
1 1
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = (10𝑉) = 1𝑉
10 10

13
 𝐼𝐶𝑄 50𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 161.3𝜇𝐴
𝛽 310
𝑉𝑅𝐸 1𝑉
𝑅𝐸 = = = 10Ω
𝐼𝑚á𝑥 100𝑚𝐴

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 5𝑉 − 0.7𝑉

𝑅𝐵 = − (𝛽)(𝑅𝐸 ) = − (310)(10) = 23558.4 Ω = 23.55𝑘Ω
𝐼𝐵𝑄 161.3𝜇𝐴
22𝑘Ω + 1.5𝑘Ω = 23.5𝑘Ω (𝑅𝑒𝑙𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑒𝑛 𝑠𝑒𝑟𝑖𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙𝑒𝑠)
𝑉𝐶𝐶 10𝑉
𝑅𝐶 = − 𝑅𝐸 = − 10Ω = 90Ω
𝐼𝑚á𝑥 100𝑚𝐴
82Ω + 10Ω = 92Ω (𝑅𝑒𝑙𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑠 𝑒𝑛 𝑠𝑒𝑟𝑖𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙𝑒𝑠)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 ) − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐸 ) = 10𝑉 − 50𝑚𝐴(92Ω + 10Ω) = 4.9𝑉
Por lo tanto el circuito queda de la siguiente manera ya con los datos obtenidos:

14
Localización gráfica del punto Q donde se trabaja.
Circuito físico:

Y para verificar que se estaba en lo correcto se utiliza el osciloscopio.

15
Podemos observar la gráfica lineal (que indica que el transistor esta polarizado) está
por debajo de los 5 volts (4.69 volts), que son los esperados debido a que se trabaja en
el punto Q a la mitad.

Polarización con divisor de voltaje.

Mediante el circuito.

Comenzando los cálculos:

Donde iniciaremos con un valor inicial de 𝑉𝐶𝐶 = 12 𝑉 𝐼𝑚á𝑥 = 100 𝑚𝐴
1 1
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = (12𝑉) = 1.2𝑉
10 10
𝐼𝐶𝑄 50𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 161.3𝜇𝐴
𝛽 310
𝑉𝑅𝐸 1.2𝑉
𝑅𝐸 = = = 12Ω
𝐼𝑚á𝑥 100𝑚𝐴

𝐶𝑜𝑚𝑜 𝑛𝑜 𝑠𝑒 𝑠𝑎𝑏𝑒 𝑒𝑙 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑉𝐸𝐸 = 𝑉𝑇ℎ , 𝑆𝑒𝑟á 𝑝𝑟𝑜𝑝𝑢𝑒𝑠𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑉𝐸𝐸 = 5𝑉

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 5𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝑇ℎ = − (𝛽)(𝑅𝐸 ) = − (310)(12Ω) = 22938.4Ω = 23𝑘Ω
𝐼𝐵𝑄 161.3𝜇𝐴

16
 𝑉𝐶𝐶 12𝑉
𝑅𝐶 = − 𝑅𝐸 = − 12Ω = 108Ω
𝐼𝑚á𝑥 100𝑚𝐴
100Ω + 8.2Ω = 108.2Ω (𝑅𝑒𝑙𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑒𝑛 𝑠𝑒𝑟𝑖𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙𝑒𝑠)
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇ℎ = = 23𝑘Ω 𝐵𝑢𝑠𝑐𝑎𝑟 𝑢𝑛𝑎 𝑟𝑒𝑙𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑠 𝑒𝑛 𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑒𝑙𝑜
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 𝑅2 (56𝑘Ω)(39𝑘Ω)
23𝑘Ω = = = 22989.4Ω = 23𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 (56𝑘 + 39𝑘)Ω
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 ) − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐸 ) = 12𝑉 − 50𝑚𝐴(12Ω + 108.2Ω) = 5.9𝑉
Por lo tanto el circuito queda de la siguiente manera ya con los datos obtenidos:

Localización gráfica del punto Q donde se trabaja.

17
Circuito físico:

Y para verificar que se estaba en lo correcto se utiliza el osciloscopio.

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 Conclusiones
Gracias a la práctica logramos comprender de manera más clara el cómo se comporta
una fuente rectificada, al realizar la práctica comenzamos a tener errores, no lográbamos
obtener el valor de corriente a la salida del circuito que debía de ser de 200ma, teníamos
errores en cuanto a los valores de resistencias, en la resistencia de carga (RL) tenía que
tener un valor de 30Ω y en la resistencia (Rx) un valor de 13.6 Ω , para que al final del
circuito nos diera la corriente deseada, de manera que en el mercado o en nuestro caso
no encontramos los valores correctos para cada resistencia.
Para darle solución a nuestros problemas la resistencia (Rx) lo que realizamos fue hacer
un arreglo de resistencias en paralelo para obtener un valor cercano al deseado, los
valores de las resistencias fueron de 27 Ω //15 Ω, dándonos así un valor de resistencia
de 9.64 Ω que fue lo más cercano a lo que nos pudimos aproximar, para la resistencia de
carga (RL) utilizamos una resistencia de 33 Ω fue la más aproximada a la resistencia
deseada. Así mismo logramos concretar con el circuito dándonos un valor de corriente al
final de 170ma, fue lo más aproximado que nos pudimos acercar a la corriente deseada.
Sin embargo al término de la práctica se logró concluir con la fuente rectificada, claro no
con los valores deseados indicados por nuestro docente, fue a lo que más nos pudimos
aproximar, se logró poner en práctica lo aprendido en clase y gracias a la práctica
logramos comprender de manera más clara el funcionamiento de y cómo se comportan
los diodos.

19
Bibliografía
Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos (Décima ed.). México: Pearson Educación.
Recuperado el 6 de Marzo de 2019

Floyd, T. L. (2008). Dispositivos electrónicos (Octava ed.). México: PEARSON EDUCACIÓN. Recuperado el
6 de Marzo de 2019

Gómez, M. G. (2007). Electrónica General (Primera ed.). Madrid , España : RA-MA. Recuperado el 6 de
Marzo de 2019

H, D. G. (2016). Manual de ingeniería eléctrica. McGRAW-HILL .

Piovan, M. T. (2014). Obtenido de

https://www.frbb.utn.edu.ar/frbb/images/carreras/elementosdemaquinas/cap02-04.pdf

Schilling, C. B. (1991). Circuitos Electrónicos: Discretos e Integados. Barcelona , España : Carcombo.

Recuperado el 6 de Marzo de 2019

Tecnologia industrial.es. (s.f.). Tecnologia industrial.es. Obtenido de http://www.tecnologia-

industrial.es/Transformador.htm

20