Universidad Central de Venezuela

Facultad de Ingeniería
Escuela de Ing. Eléctrica
Departamento de Electrónica, Computación y Control

INFORME N°4: AMPLIFICADOR BJT

Aux. Docente Elaborado por

Tovar, José Rivero, Axel
C.I.: 25.562.263

Caracas, febrero de 2023

 INTRODUCCIÓN

En los experimentos que se llevaran a cabo el lector podrá estudiar el comportamiento

dinámico de una estructura básica amplificadora de tensión en configuración Emisor-
Común. Asimismo, familiarizarse con las características dinámicas del BJT.
Abordando el análisis de este tipo de circuitos amplificadores. Para ello aplicaremos
el principio de superposición. En cada punto o rama calcularemos las tensiones de
continua y de alterna por separado, de forma que al final las tensiones finales serán
la suma de las calculadas en cada parte.
Para ello vamos a suponer que el valor de la capacidad de los condensadores, así
como la frecuencia de las señales que tenemos es tal que la impedancia que
presentan los condensadores es lo suficientemente pequeña para considerarla nula.
Mientras que, en continua, estos condensadores presentarán una impedancia infinita.
Es decir, consideraremos que en continua los condensadores se comportan como
circuitos abiertos (impedancia ∞) mientras que en alterna equivaldrán a cortocircuitos
(impedancia 0).
Además, se obtendrá experimentalmente las características más importantes de un
amplificador de tensión básico como son:
 Ganancia de tensión (𝐴𝑉 )
 Impedancia de entrada (𝑍𝑖𝑛 )
 Impedancia de salida (𝑍𝑂 )
Se apreciará el efecto sobre la ganancia de tensión en la configuración antes
mencionada, al colocar una carga al amplificador. Luego de esto se pondrá un
capacitor de desacoplo en paralelo con la resistencia de Emisor, primeramente, sin
carga y después con carga en el amplificador.
 METODOLOGÍA
1. Ubicar la fuente de alimentación DC y ajustar sus valores a 12V
2. Conectar adecuadamente los cables de la fuente de alimentación al montaje
del circuito 1, sin 𝐶𝑖 , 𝐶𝑜 , 𝐶𝐸 𝑦 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎.
a. Se medirá la tensión de los tres terminales del BJT, para hallar su punto
estático de operación.
3. Se ajustara el generador de señales con una onda senoidal con una frecuencia
de 𝑓 = 1𝑘𝐻𝑧, promedio nulo y amplitud 𝑉𝑝𝑝 = 1 𝑉. Conectando los capacitores
de acople
4. Ahora se realizara el montaje de la figura 1 sin 𝑅𝐿 𝑦 𝐶𝐸
a. Colocar acople en DC, colocar puntas en el colector, observar y dibujar
la señal. Se medirá amplitud pico-pico, la tensión pico máxima y el nivel
DC de la onda.
b. Acople del osciloscopio en AC en ambos canales y en dual channel,
observar onda de entrada y de salida colocando una punta en la entrada
y otra en la salida, conectando solo una tierra en GND, medir los puntos
anteriores más la frecuencia, más determinar su ganancia de tensión.
Mantener la configuración hasta finalizar este apartado.
c. Impedancia de entrada
i. Se colocara una resistencia patrón de 1𝑘Ω, 10𝑘Ω y 500 Ω en serie
con el modelo de ganancia de tensión, de esta manera se medirá,
la tensión de entrada y la tensión de la resistencia interna. Con
una ecuación mostrada más adelante hallando la impedancia de
entrada.
d. Impedancia de salida
i. Se medirá en el modelo de ganancia de tensión, sin conectar una
carga su voltaje de salida y luego se colocará en serie una carga
igualmente una resistencia patrón y se medirá su tensión, al
seguir una ecuación que se verá más adelante, hallando
impedancia de salida.
e. Luego se ajustará la amplitud del generador de señales en aumento
hasta visualizar la distorsión de salida. Dibujar ambas formas y medir
amplitud pico-pico.
f. Subir hasta el máximo la amplitud del generador. Dibujar ambas ondas
y medir amplitud pico-pico.
5. Ahora se realizara el montaje de la figura 1 con𝑅𝐿 y sin 𝐶𝐸
a. Con las mismas condiciones que en 3, realizar los mismos experimentos
del 4, desde “a” hasta “f”
6. Ahora se realizara el montaje de la figura 1 sin 𝑅𝐿 y con 𝐶𝐸
a. Con las mismas condiciones que en 3, realizar los mismos experimentos
del 4, desde “a” hasta “f”
7. Ahora se realizara el montaje de la figura 1 con 𝑅𝐿 y con 𝐶𝐸
a. Con las mismas condiciones que en 3, realizar los mismos experimentos
del 4, desde “a” hasta “f”
 AMPLIFICADOR BJT. CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN (E-C)

La estructura básica amplificadora corresponde al circuito de la Figura 1 sin 𝑅𝐿 y 𝐶𝐸 .

Para este circuito realice lo siguiente:

Ante todo, se debe ajustar la fuente de alimentación para alimentar el montaje de la

figura 1 con un 𝑽𝑪𝑪 = +𝟏𝟐𝑽 y el generador de señales con un 𝑽𝒑𝒑 = 𝟏𝑽 𝑜 𝑽𝒑 = 𝟎. 𝟓𝑽,
con una frecuencia de 𝒇 = 𝟏 𝒌𝑯𝒛, con promedio nulo. Donde nos encargaremos de
medir la caída de tensión en el transistor como lo son 𝑽𝑪 , 𝑽𝑩 𝒚 𝑽𝑬, para hallar de esta
manera sus puntos de operación en estático, y otros puntos de interés. Todas las
tensiones serán medidas con el osciloscopio.
Con las pruebas experimentales realizadas en la práctica n°3, se determinó el
parámetro hibrido 𝒉𝒇𝒆 = 𝟏𝟏𝟎, exclusivo para este circuito, debido a que el 𝒉𝒇𝒆 puede
variar dependiendo de su corriente de colector, más otros factores. En este caso,
tomaremos en cuenta otro parámetro hibrido como lo es 𝒉𝒊𝒆, tomando un valor
promedio de los datos del fabricante, 𝒉𝒊𝒆 = 𝟓 𝒌𝛀.
Los demás parámetros los despreciaremos como 𝒉𝒐𝒆 𝒚 𝒉𝒓𝒆, más adelante se
explicará porque se desprecian.
Se mantiene 𝑽𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟔𝟓 𝑽,
1.1) Determine el punto estático de operación.

Figura 1.1. Circuito equivalente de

la figura 1. Aplicando Thevenin
  Aplicando Thevenin
𝑹 𝑹
Las resistencias quedarían en paralelo, dando como resultado 𝑹𝑻𝒉 = 𝑹 𝟏+𝑹𝟐 = 𝟐𝟓. 𝟖𝒌𝛀
𝟏 𝟐

𝑽 𝑹
La fuente seria la caída de tensión en la resistencia 𝑹𝟐 , 𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑽𝑻𝒉 = 𝑹 𝒊𝒏+𝑹𝟐 = 𝟑. 𝟒𝑽
𝟏 𝟐

 Hallando 𝑰𝑩
Aplicando LVK por 𝑹𝑩
𝑽𝑻𝒉 − 𝑰𝑩 𝑹𝑻𝒉 − 𝑽𝑩𝑬 − 𝑰𝑬 𝑹𝑬 = 𝟎 Despejamos 𝑰𝑩 , nos queda;
𝑽𝑻𝒉 − 𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑩 = = 𝟓𝟕. 𝟐𝟗𝝁𝑨
𝑹𝑻𝒉 + (𝟏 + 𝜷)𝑹𝑬
 Hallando recta de carga
Aplicando LVK por 𝑹𝑪
𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 𝑹𝑪 − 𝑽𝑪𝑬 − 𝑰𝑬 𝑹𝑬 = 𝟎 → 𝒆𝒄. 𝟏𝟎 Despejamos de la 𝒆𝒄. 𝟕, 𝑽𝑪𝑬 𝒆 𝑰𝑪
−𝑉𝐶𝐸 +𝑉𝐶𝐶 −(1+𝛽)𝐼𝐵 𝑅𝐸
𝐼𝐶 = → 𝒆𝒄. 𝟏𝟏; 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 𝑹𝑪 − (𝟏 + 𝜷)𝑰𝑩 𝑹𝑬 → 𝒆𝒄. 𝟏𝟐
𝑅𝐶

Sustituimos valores en la 𝒆𝒄. 𝟏𝟏, excepto 𝑽𝑪𝑬, quedando lo siguiente:

−𝟏 𝟏𝟐−𝟏𝟏𝟎∗𝟓𝟕.𝟐𝟗𝒙𝟏𝟎−𝟔 ∗𝟐𝟎𝟎
𝑰𝑪 = 𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑 𝑽𝑪𝑬 + = −𝟎. 𝟓𝒙𝟏𝟎−𝟑𝑽𝑪𝑬 + 𝟐𝟏. 𝟎𝟔𝒙𝟏𝟎−𝟑, Siendo esta la
510
ecuación de la recta de carga.
 Puntos de operación
𝑰𝑪𝑸 = 𝜷𝑰𝑩 = 𝟏𝟏𝟎 ∗ 𝟓𝟕. 𝟐𝟗𝝁𝑨 = 𝟔. 𝟑𝟎𝒎𝑨

Evaluando 𝐼𝐶𝑄 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑒𝑐. 12, ℎ𝑎𝑙𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑉𝐶𝐸𝑄 , 𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝟏𝟐 − 𝟔. 𝟑𝟎𝒙𝟏𝟎−𝟑 ∗ 𝟓𝟏𝟎 − (𝟏 +

𝟏𝟏𝟎)𝟓𝟕. 𝟐𝟗𝒙𝟏𝟎−𝟔 ∗ 𝟐𝟎𝟎 = 𝟕. 𝟓𝟐𝑽

 Tensión en los terminales del BJT

𝑰𝑬 ≅ 𝑰𝑪 = 𝟔. 𝟑𝟎𝒎𝑨
𝑽𝑬 = 𝑰𝑬𝑹𝑬 = 𝟔. 𝟑𝟎𝒙𝟏𝟎−𝟑 ∗ 𝟐𝟎𝟎 = 𝟏. 𝟐𝟔𝑽
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪 − 𝑽𝑬 𝒑𝒐𝒓𝒍𝒐 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐, 𝑽𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 + 𝑽𝑬 = 𝟕. 𝟓𝟐𝑽 + 𝟏. 𝟐𝟔𝑽 = 𝟖. 𝟕𝟖𝑽
𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑬 𝒑𝒐𝒓 𝒍𝒐 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐 𝑽𝑩 = 𝑽𝑩𝑬 + 𝑽𝑬 = 𝟎. 𝟔𝟓𝑽 + 𝟏. 𝟐𝟔𝑽 = 𝟏. 𝟗𝟏𝑽
Se realizó la simulación del circuito con las especificaciones indicadas, mostrada en
la figura 5.2 y 5.3.

Figura 1.2. Simulación circuito 1.

Beta = 110

1.2) Calcule utilizando los parámetros híbridos del transistor, la ganancia de

tensión 𝑨𝑽 , impedancia de entrada 𝒁𝒊𝒏 y la impedancia de salida 𝒁𝒐 .

Para trabajar este circuito en estado dinámico (AC), se cortocircuitan los capacitores
y las fuentes están conectadas dinámicamente a tierra (“apagada”), conociendo esto,
continuaremos con el siguiente circuito:

Figura 1.3. Circuito equivalente en

dinámico. Sin un modelo en particular

𝑖𝐵

𝑍𝑂
𝑍𝐵
𝑍𝑖𝑛
Figura 1.4. Circuito equivalente en dinámico. Modelo de Parámetros
híbridos. El recuadro punteado rojo es la etapa de entrada y la azul de
salida. La negra es la impedancia de entrada del transistor y verde la
impedancia de salida del transistor
  Etapa de entrada
o Hallando impedancia de entrada (𝒁𝒊𝒏 )
𝑽𝒊𝒏
Por Ley de Ohm tenemos, 𝒁𝑩 = → 𝒆𝒄. 𝟏
𝒊𝑩

Aplicando LVK por la malla que pasa por 𝑖𝐵

−𝑽𝒊𝒏 + 𝒉𝒊𝒆 ∗ 𝒊𝑩 + 𝑹𝑬 ∗ 𝒊𝑬 = 𝟎 , Despejando 𝑉𝑖𝑛 . 𝑽𝒊𝒏 = 𝒉𝒊𝒆 ∗ 𝒊𝑩 + 𝑹𝑬 ∗ 𝒊𝑬
𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪 ; 𝑅𝑒𝑐𝑜𝑟𝑑𝑎𝑟 𝑞𝑢𝑒 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 , 𝑝𝑜𝑟 𝑙𝑜 𝑡𝑎𝑛𝑡𝑜 𝑞𝑢𝑒𝑑𝑎𝑟𝑖𝑎 𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝜷 𝑰𝑩 =
(𝟏 + 𝜷)𝑰𝑩
Quedando 𝑽𝒊𝒏 = 𝒉𝒊𝒆 ∗ 𝒊𝑩 + 𝑹𝑬 ∗ 𝒊𝑩 (𝟏 + 𝒉𝒇𝒆) → 𝒆𝒄. 𝟐. Sustituir 𝑒𝑐. 2 en 𝒆𝒄. 𝟏
𝒉𝒊𝒆∗𝒊𝑩 +𝑹𝑬 ∗𝒊𝑩 (𝟏+𝒉𝒇𝒆)
𝒁𝑩 = , Se cancela 𝒊𝑩 → 𝒁𝑩 = 𝒉𝒊𝒆 + 𝑹𝑬(𝟏 + 𝒉𝒇𝒆)
𝒊𝑩

Sustituyendo valores.
𝒁𝑩 = 𝟓𝒙𝟏𝟎𝟑 + 𝟐𝟎𝟎 ∗ 𝟏𝟏𝟏 = 𝟐𝟕. 𝟐 𝒌𝛀

Figura 1.5. Circuito equivalente en dinámico de la etapa de entrada.

Modelo de Parámetros híbridos. Éstas resistencias conforman la
impedancia de entrada del circuito 1.

𝟐𝟓. 𝟖𝒙𝟏𝟎𝟑 ∗ 𝟐𝟕. 𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑

𝒁𝒊𝒏 = 𝑹𝟏 | | 𝑹𝟐 | | 𝒁𝑩 = 𝑹𝑻𝒉 | |𝒁𝑩 = = 𝟏𝟑. 𝟐𝟒 𝒌𝛀
𝟐𝟓. 𝟖𝒙𝟏𝟎𝟑 + 𝟐𝟕. 𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑
  Etapa de Salida
o Hallando impedancia de salida (𝒁𝑶 )
|𝑽𝑶 |
Por Ley de Ohm tenemos, 𝒁𝑶 = → 𝒆𝒄. 𝟑
𝒊𝑩∗𝒉𝒇𝒆

−
𝑖𝐶

𝑖𝐶

Figura 1.6. Circuito equivalente en dinámico de la etapa de salida.

Modelo de Parámetros híbridos. Las resistencias en paralelo son la
impedancia de salida del circuito 1.

Hallamos 𝑉𝑂 en las resistencias de la etapa de salida, recordando que la 𝑖𝐶 va en

sentido contrario de los signos de las resistencias en paralelo, por esta razón,
encontramos un negativo en la siguiente ecuación:
𝟏 𝟏
𝑽𝑶 = −𝒊𝑪 (𝒉𝒐𝒆 | |𝑹𝑪 ) = −𝒊𝑩 (𝒉𝒐𝒆 | |𝑹𝑪 ) 𝒉𝒇𝒆 → 𝒆𝒄. 𝟒.

Sustituimos la 𝑒𝑐. 4 en la 𝑒𝑐. 3

𝟏
|−𝒊𝑩 ( | |𝑹𝑪)𝒉𝒇𝒆| 𝟏
𝒁𝑶 = 𝒉𝒐𝒆
𝒊𝑩 ∗𝒉𝒇𝒆
, Se cancelan 𝒊𝑪 , → 𝒁𝑶 = 𝒉𝒐𝒆 | |𝑹𝑪
𝟏 𝟏
En este caso, 𝒉𝒐𝒆 ≫ 𝑹𝑪 ∴ 𝒉𝒐𝒆 la despreciamos porque esa operación en paralelo me
sigue resultando 𝑅𝐶 , quedando 𝒁𝑶 = 𝑹𝑪 = 𝟓𝟏𝟎 𝛀
 Ganancia de Tensión (𝑨𝑽 )
Usaremos la 𝑒𝑐. 2 𝑦 4.
𝟏 𝟏
𝑽𝑶 −𝒊𝑩 ( | |𝑹𝑪)𝒉𝒇𝒆 −( | |𝑹𝑪 )𝒉𝒇𝒆 −𝑹 ∗𝒉𝒇𝒆
𝑨𝑽 = 𝑽 = 𝒉𝒊𝒆∗𝒊 𝒉𝒐𝒆
, Se anulan las 𝒊𝑩 , → 𝑨𝑽 = 𝒉𝒊𝒆+𝑹 𝒉𝒐𝒆
= 𝒉𝒊𝒆+𝑹 𝑪∗(𝟏+𝒉𝒇𝒆)
𝒊𝒏 𝑩 +𝑹𝑬 ∗𝒊𝑩 (𝟏+𝒉𝒇𝒆) 𝑬 ∗(𝟏+𝒉𝒇𝒆) 𝑬

Sustituyendo valores
𝟓𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟏𝟎
𝑨𝑽 = − = −𝟐. 𝟎𝟔
𝟓𝒙𝟏𝟎𝟑 + 𝟏𝟏𝟏 ∗ 𝟐𝟎𝟎
1.3) Coloque la resistencia de carga 𝑹𝑳 y repita el punto 1.2.
En este circuito la etapa de entrada se mantiene igual al circuito anterior, varia su
salida por la carga colocada.

Figura 2. Circuito 2. Conexión de

una carga en la salida

 Etapa de entrada
o Impedancia de entrada (𝒁𝒊𝒏 )
𝟐𝟓. 𝟖𝒙𝟏𝟎𝟑 ∗ 𝟐𝟕. 𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑
𝒁𝒊𝒏 = 𝑹𝑻𝒉 | |𝒁𝑩 = = 𝟏𝟑. 𝟐𝟒 𝒌𝛀
𝟐𝟓. 𝟖𝒙𝟏𝟎𝟑 + 𝟐𝟕. 𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑
 Etapa de Salida
o Hallando impedancia de salida (𝒁𝑶 )
|𝑽𝑶 |
Usamos la 𝒆𝒄. 𝟑; 𝒁𝑶 = 𝒊 → 𝒆𝒄. 𝟑
𝑩∗𝒉𝒇𝒆

Hallamos 𝑉𝑂 en las resistencias de la etapa de salida, recordando que la 𝑖𝐶 va en

sentido contrario de los signos de las resistencias en paralelo, por esta razón,
encontramos un negativo en la siguiente ecuación:
𝟏 𝟏
𝑽𝑶 = −𝒊𝑪 (𝒉𝒐𝒆 | |𝑹𝑪 | |𝑹𝑳) = −𝒊𝑩 (𝒉𝒐𝒆 | |𝑹𝑪 | |𝑹𝑳) 𝒉𝒇𝒆 → 𝒆𝒄. 𝟓.

Sustituimos la 𝑒𝑐. 5 en la 𝑒𝑐. 3

𝑖𝐶

Figura 2.1. Circuito equivalente en

dinámico de la etapa de salida. Modelo
de Parámetros híbridos. Las
resistencias en paralelo son la
impedancia de salida del circuito 2.
 𝟏
|−𝒊𝑩 ( | |𝑹𝑪| |𝑹𝑳 )𝒉𝒇𝒆 | 𝟏
𝒁𝑶 = 𝒉𝒐𝒆
, Se cancelan 𝒊𝑪 , → 𝒁𝑶 = 𝒉𝒐𝒆 | |𝑹𝑪 ||𝑹𝑳 = 𝑹𝑪 ||𝑹𝑳 = 𝟒𝟖𝟓. 𝟐𝟓𝛀
𝒊𝑩 ∗𝒉𝒇𝒆

 Ganancia de Tensión (𝑨𝑽 )

Usaremos la 𝑒𝑐. 2 𝑦 5.
𝟏 𝟏
𝑽𝑶 −𝒊𝑩 ( | |𝑹𝑪||𝑹𝑳)𝒉𝒇𝒆 −( | |𝑹𝑪 ||𝑹𝑳)𝒉𝒇𝒆 −(𝑹 ||𝑹𝑳 )∗𝒉𝒇𝒆
𝑨𝑽 = 𝑽 = 𝒉𝒊𝒆∗𝒊 𝒉𝒐𝒆
, Se anulan las 𝑖𝐵 , → 𝑨𝑽 = 𝒉𝒐𝒆
= 𝒉𝒊𝒆+𝑹𝑪
𝒊𝒏 𝑩 +𝑹𝑬 ∗𝒊𝑩 (𝟏+𝒉𝒇𝒆) 𝒉𝒊𝒆+𝑹𝑬 ∗(𝟏+𝒉𝒇𝒆) 𝑬 ∗(𝟏+𝒉𝒇𝒆)

Sustituyendo valores
𝟒𝟖𝟓. 𝟐𝟓 ∗ 𝟏𝟏𝟎
𝑨𝑽 = − = −𝟏. 𝟗𝟔
𝟓𝒙𝟏𝟎𝟑 + 𝟏𝟏𝟏 ∗ 𝟐𝟎𝟎

1.4) Sin 𝑅𝐿 , coloque un condensador paralelo a la resistencia 𝑅𝐸 y repita el punto

1.2.

Figura 3. Circuito 3. El recuadro

punteado rojo es el capacitor de
acople (elimina la componente DC).
Figura 3.1. Circuito equivalente en dinámico. Modelo de Parámetros
El azul es el capacitor de desacople
híbridos. Sin Resistencia en Emisor por el capacitor de desacople.
(elimina los ruidos de la componente
AC).

 Etapa de entrada
o Hallando impedancia de entrada (𝒁𝒊𝒏 )
Como se puede notar, la impedancia de entrada son las tres resistencias en paralelo,
y no es necesario tener que hacer mallas, ni ningún método adicional. Por lo tanto, la
impedancia de entrada es;

𝟐𝟓. 𝟖𝒙𝟏𝟎𝟑 ∗ 𝟓𝒙𝟏𝟎𝟑

𝒁𝒊𝒏 = 𝑹𝟏 | | 𝑹𝟐 | | 𝒉𝒊𝒆 = 𝑹𝑻𝒉 | |𝒉𝒊𝒆 = = 𝟒. 𝟏𝟗 𝒌𝛀
𝟐𝟓. 𝟖𝒙𝟏𝟎𝟑 + 𝟓𝒙𝟏𝟎𝟑
 Etapa de Salida
o Hallando impedancia de salida (𝒁𝑶 )
𝟏
La impedancia de salida es la siguiente, recordando que despreciamos
𝒉𝒐𝒆

𝒁𝑶 = 𝑹𝑪 = 𝟓𝟏𝟎 𝛀
  Ganancia de Tensión (𝑨𝑽 )
Hallaremos 𝑽𝑶 𝒚 𝑽𝒊𝒏
Debido a que se simplifico el circuito con el capacitor de desacople, es mucho más
sencillo el análisis de circuito, por esa razón, 𝑽𝑶 = −𝒊𝑪 (𝑹𝑪 ) = −𝒊𝑩 ∗ 𝒉𝒇𝒆 ∗ 𝑹𝑪 y
𝑽𝒊𝒏 = 𝒊𝑩 𝒉𝒊𝒆, que es donde circula la corriente 𝒊𝑩 .
𝑽 −𝒊𝑩 ∗𝒉𝒇𝒆∗𝑹𝑪 −𝒉𝒇𝒆∗𝑹𝑪
𝑨𝑽 = 𝑽 𝑶 = , Se anulan las 𝒊𝑩 , → 𝑨𝑽 =
𝒊𝒏 𝒊𝑩 𝒉𝒊𝒆 𝒉𝒊𝒆

Sustituyendo valores
𝟓𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟏𝟎
𝑨𝑽 = − = −𝟏𝟏. 𝟐𝟐
𝟓𝒙𝟏𝟎𝟑
1.5) Con 𝑹𝑪 𝒚 𝑪𝑬 repita el punto 1.2.

Figura 4. Circuito 4. Conexión de una carga en

la salida y su capacitor de desacople.

Figura 4.1. Circuito equivalente en dinámico. Modelo de Parámetros híbridos. Sin

Resistencia en Emisor por el capacitor de desacople. Una carga aplicada al circuito
que se encuentran en paralelo siendo estas la impedancia de salida.

La impedancia de entrada es igual que la del circuito anterior.

  Etapa de entrada
o Impedancia de entrada (𝒁𝒊𝒏 )
𝟐𝟓. 𝟖𝒙𝟏𝟎𝟑 ∗ 𝟓𝒙𝟏𝟎𝟑
𝒁𝒊𝒏 = 𝑹𝟏 | | 𝑹𝟐 | | 𝒉𝒊𝒆 = 𝑹𝑻𝒉 | |𝒉𝒊𝒆 = = 𝟒. 𝟏𝟗 𝒌𝛀
𝟐𝟓. 𝟖𝒙𝟏𝟎𝟑 + 𝟓𝒙𝟏𝟎𝟑
 Etapa de Salida
o Hallando impedancia de salida (𝒁𝑶 )
𝟏
La impedancia de salida es la siguiente, recordando que despreciamos 𝒉𝒐𝒆

𝒁𝑶 = 𝑹𝑪 ||𝑹𝑳 = 𝟒𝟖𝟓. 𝟐𝟓 𝛀
 Ganancia de Tensión (𝑨𝑽 )
Hallaremos 𝑽𝑶 𝒚 𝑽𝒊𝒏
𝑽𝑶 = −𝒊𝑪 (𝑹𝑪 ||𝑹𝑳) = −𝒊𝑩 ∗ 𝒉𝒇𝒆 ∗ (𝑹𝑪 ||𝑹𝑳) y
𝑽𝒊𝒏 = 𝒊𝑩 𝒉𝒊𝒆, que es donde circula la corriente 𝒊𝑩 .
𝑽 −𝒊𝑩 ∗𝒉𝒇𝒆∗(𝑹𝑪 ||𝐑𝐋 ) −𝒉𝒇𝒆∗(𝑹𝑪 ||𝐑𝐋 )
𝑨𝑽 = 𝑽 𝑶 = , Se anulan las 𝒊𝑩 , → 𝑨𝑽 =
𝒊𝒏 𝒊𝑩 𝒉𝒊𝒆 𝒉𝒊𝒆

Sustituyendo valores
𝟒𝟖𝟐. 𝟐𝟓 ∗ 𝟏𝟏𝟎
𝑨𝑽 = − = −𝟏𝟎. 𝟔𝟖
𝟓𝒙𝟏𝟎𝟑
 RESUMEN

Se realizó, el estudio del punto estático de operación de la configuración E-C, usando

como instrumento de medición el osciloscopio, Modelo: Leader 1021. Donde
pudimos observar la señal de entrada y salida del transistor BJT, permitiéndonos ver
la ganancia de tensión (𝑨𝑽 ) con la muestra de ambas ondas.
Se obtuvo las distintas características dinámicas que se realizaron de manera
experimental como lo fue su impedancia de entrada y salida. Usando una resistencia
patrón de valor 𝑹𝒑 = 𝟏𝒌𝛀, 𝟏𝟎𝐤𝛀 𝐲 𝟓𝟎𝟎𝛀.
Además, se pudo distorsionar la señal de salida, debido a los distintos montajes
realizados, con el capacitor de desacoplo y su carga.
Esto último, se le añade la variación de la amplitud en la señal del generador, tanto
mínima como máxima, visualizando en que momento la señal de salida se recortaba
o, por lo contrario, continuaba con normalidad la señal senoidal de salida.
 RESULTADOS

2.1)
𝑉𝐶 𝑉𝐸 𝑉𝐵
7.5 ± 1 𝑉 2 ± 0.2 𝑉 2.6 ± 0.2 𝑉
Tabla 1. Medición de los terminales del
transistor, para determinar su punto estático de
operación.
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪 𝟏𝟐 − 𝟕. 𝟓
𝑰𝑪𝑸 = = = 𝟖. 𝟖𝟐 𝒎𝑨 ; 𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝑽𝑪 − 𝑽𝑬 = 𝟕. 𝟓 − 𝟐 = 𝟓. 𝟓 𝑽
𝑹𝑪 𝟓𝟏𝟎

2.2) Amplificador básico de la figura 1.3 sin 𝑹𝑳 𝒚 𝑪𝑬

2.2.1) Las siguientes señales tiene una frecuencia de 𝒇 = 𝟏 𝒌𝑯𝒛, con un periodo de
𝑻 = 𝟏 𝒎𝒔. 𝑽𝒑𝒑(𝒊𝒏) = 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗

2.2.2)

Figura 5. Circuito 1.3. Señal de salida (Vo) sin

nivel DC.

Escala horizontal: 𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝒎𝒔/𝑫𝒊𝒗

Escala vertical (CHY): 𝟏 ± 𝟎. 𝟐 𝑽/𝑫𝒊𝒗
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟐 ± 𝟎. 𝟐 𝑽/𝑫𝒊𝒗
𝑽𝒑𝒑(𝒊𝒏) = 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗
Acople en DC
El nivel DC de la onda no se vio aumentado, a consecuencia seguro de un defecto
del instrumento o montaje.
El resultado experimental seria el siguiente:

Figura 6. Circuito 1.3. Señal de salida (Vo) con

nivel DC. (Simulación)

Escala horizontal: 𝟏 ± 𝟎. 𝟐 𝒎𝒔/𝑫𝒊𝒗 ; Escala vertical (CHY): 𝟐 ± 𝟎. 𝟒 𝑽/𝑫𝒊𝒗

𝑽𝒑𝒑 = 𝟐. 𝟒𝟕 ± 𝟎. 𝟐 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ; 𝑽𝒑𝒑(𝒊𝒏) = 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗
Acople en DC
Nivel DC = 𝟖. 𝟗𝟒 ± 𝟎. 𝟒 𝑽
2.2.3)

Figura 7. Señal de salida (Vo) y de entrada (Vg)

en canal dual.

Escala horizontal:𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝒎𝒔/𝑫𝒊𝒗; Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗

𝑽
Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 ; Acople en AC
𝑫𝒊𝒗
 𝑽𝒐𝒑𝒑 𝟐
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟐 ± 𝟎. 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ; 𝑽𝒈𝒑𝒑 = 𝟏 ± 𝟎. 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ; 𝑨𝑽 = = =𝟐
𝑽𝒈𝒑𝒑 𝟏

2.2.4) Resistencia patrón de valor 𝑹𝒑 = 𝟏𝟎𝒌𝛀

𝑽𝒈 𝑽𝑹𝒊𝒏 𝒁𝒊𝒏 𝑽𝑶𝑺𝑪 𝑽𝑹 𝑷𝑶 𝒁𝑶

𝟎. 𝟓 𝟎. 𝟑 𝟏𝟓 𝟎. 𝟔𝟔 𝟎. 𝟔𝟑 𝟒𝟕𝟔. 𝟐𝟎
± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝒌𝛀 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝛀
Tabla 2. Mediciones para hallar la impedancia de entrada y salida de la configuración del circuito
1.3. Donde Vg es el voltaje del generador y VRp es el voltaje de la resistencia patrón. Vosc es
voltaje de salida sin carga y VRpo voltaje de la resistencia patrón en la salida.

 Impedancia de entrada

𝑉𝑔 𝑉𝑖′

𝐼
𝑉𝑅 𝑖𝑛

Figura 8. Montaje del circuito para hallarla impedancia de

entrada. Modelo como amplificador de tensión.

Demostración
Por ley de ohm, 𝑉𝑅 𝑖𝑛 = 𝐼 ∗ 𝑅𝑖𝑛 → 𝒆𝒄. 𝟔 ; 𝑉𝑅 𝑝 = 𝐼 ∗ 𝑅𝑝 → 𝒆𝒄. 𝟕

Como se encuentran en serie las resistencias, se mantiene la misma corriente, por lo

tanto, si despejamos la 𝑒𝑐. 6 𝑦 7, 𝐼 y estas son igualadas obtenemos lo siguiente:
𝑉𝑅 𝑖𝑛 𝑉𝑅 𝑝
= → 𝒆𝒄. 𝟖
𝑅𝑖𝑛 𝑅𝑝
Si se despeja 𝑅𝑖𝑛 = 𝑍𝑖𝑛 (𝐼𝑚𝑝𝑒𝑑𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎).
𝑉𝑅 𝑖𝑛 𝑉𝑅 𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑝 = 𝑅 → 𝒆𝒄. 𝟗
𝑉𝑅 𝑝 (𝑉𝑔 − 𝑉𝑖′) 𝑝

Usando la 𝑒𝑐. 9.
0.3
𝑍𝑖𝑛 = 10𝑥103 Ω = 15 kΩ
0.2
Nota: No importa que el calculo de la impendancia tanto de entrada como de salida,
sus voltajes medidos experimentalmente, que sea valor pico o RMS, al final dara el
mismo resultado.
  Impedancia de salida

𝑉𝑅 𝑝𝑜
𝐼′

Figura 9. Montaje del circuito para hallarla impedancia de

salida. Modelo como amplificador de tensión.

Demostración
𝑉𝑅 𝑂 𝑉𝑅 𝑝𝑜
Por Ley de Ohm, 𝐼 ′ = → 𝒆𝒄. 𝟏𝟎 ; 𝐼 ′ = → 𝒆𝒄. 𝟏𝟏
𝑅𝑂 𝑅𝑝𝑜

Como se encuentran en serie colocando la resistencia 𝑅𝑃 , se mantiene la misma

corriente, por lo tanto, si despejamos la 𝑒𝑐. 10 𝑦 11, 𝐼′ y estas son igualadas
obtenemos lo siguiente:
𝑉𝑅 𝑂 𝑉𝑅 𝑝𝑜
= → 𝒆𝒄. 𝟏𝟐
𝑅𝑂 𝑅𝑝𝑜
Si se despeja 𝑅𝑂 = 𝑍𝑂 (𝐼𝑚𝑝𝑒𝑑𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎).
𝑉𝑅 𝑂 𝑉𝑜𝑠𝑐 − 𝑉𝑅 𝑝𝑜
𝑍𝑂 = 𝑅𝑝𝑜 = 𝑅𝑝𝑜 → 𝒆𝒄. 𝟏𝟑
𝑉𝑅 𝑝𝑜 𝑉𝑅 𝑝𝑜

Usando la 𝑒𝑐. 12.

0.66−0.63
𝑍𝑂 = 10𝑥103 Ω = 476.20 Ω
0.63

2.2.5)
𝒎𝒔
Escala horizontal:𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝑫𝒊𝒗;

Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟐 ±

𝑽
𝟎. 𝟒 𝑫𝒊𝒗

Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟏 ±

𝑽
𝟎. 𝟐 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟖 ± 𝟎. 𝟒 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;
𝑽𝒈𝒑𝒑 = 𝟒 ± 𝟎. 𝟐 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

Figura 10. Señal de entrada la senoidal completa. Señal de

salida con pequeña distorsión
2.2.6)
𝒎𝒔
Escala horizontal:𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝑫𝒊𝒗;
𝑽
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟓 ± 𝟏
𝑫𝒊𝒗

Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟓 ±

𝑽
𝟏 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟖 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

𝑽𝒈𝒑𝒑 = 𝟏𝟓 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

Figura 11. Señal de entrada aumentada, la senoidal completa.

Señal de salida con distorsión por el aumento de la amplitud.

2.3) Amplificador basico de la figura 2 con 𝑹𝑳 y sin 𝑪𝑬

2.3.1) Se mantienen las mismas condiciones que en los puntos 2.2.1
2.3.2)
Escala horizontal: 𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝒎𝒔/𝑫𝒊𝒗
𝑽
Escala vertical (CHY): 𝟎. 𝟐 ± 𝟎. 𝟒 𝑫𝒊𝒗

𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟐 ± 𝟎. 𝟐 𝑽/𝑫𝒊𝒗
𝑽𝒑𝒑(𝒊𝒏) = 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗
Acople en DC
El nivel DC en este caso es cero, por
otro lado, nos está dando una escala
inadecuada, porque su salida debería
tener una ganancia de tensión

Figura 12. Circuito 2. Señal de salida (Vo) sin

nivel DC.

El resultado experimental seria el siguiente:

Figura 13. Circuito 2. Señal de salida (Vo) sin

nivel DC. (Simulación) Pero mayor escala y con
ganancia de tensión a diferencia de la figura 12.
2.3.3)
Escala horizontal:𝟎. 𝟓 ±
𝟎. 𝟏 𝒎𝒔/𝑫𝒊𝒗;
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )):
𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗
Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )):
𝑽
𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟏. 𝟖 ± 𝟎. 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;
𝑽𝒈𝒑𝒑 = 𝟎. 𝟗 ± 𝟎. 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

�
Figura 14. Señal de salida (Vo) y de entrada
�
(Vg) en canal dual. =
2.3.4) Resistencia patrón de valor 𝑹𝒑 = 𝟏𝒌𝛀
�
𝑽𝒈 𝑽𝑹𝒊𝒏 𝒁𝒊𝒏 𝑽𝑶𝑺𝑪 𝑽𝑹 𝑷𝑶 � 𝒁𝑶
𝟎. 𝟓 𝟎. 𝟒𝟔 𝟏𝟏. 𝟏 𝟏. 𝟏 𝟎. 𝟕𝟗 � 𝟑𝟗𝟐. 𝟒𝟏
± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝒌𝛀 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 � ± 𝟎. 𝟏 𝛀
� del circuito 2.
Tabla 3. Mediciones para hallar la impedancia de entrada y salida de la configuración
�
 Impedancia de entrada
Usando la 𝑒𝑐. 9. �
�
𝑉𝑅 𝑖𝑛 0.45 �
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑝 = 500Ω = 11.5 kΩ
𝑉𝑅 𝑝 0.05 �
�
 Impedancia de salida �
=
Usando la 𝑒𝑐. 12.
𝑉𝑅 𝑂 1.1 − 0.79 �
𝑍𝑜 = 𝑅𝑝𝑜 = 1𝑥103 Ω = 392.41 Ω
𝑉𝑅 𝑝𝑜 0.79 �
.
2.3.5) �
� 𝒎𝒔
Escala horizontal:𝟎. 𝟓 �
± 𝟎. 𝟏 𝑫𝒊𝒗;
. 𝑽
� 𝟐 ± 𝟎. 𝟒 𝑫𝒊𝒗
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )):
𝑽
Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): �𝟏 ± 𝟎. 𝟐 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC�
=
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟖 ± 𝟎. 𝟒 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;
�
Figura 15. Señal de entrada la senoidal completa. Señal de
�
salida con pequeña distorsión
�
�
�
�
2.3.6)
𝒎𝒔
Escala horizontal:𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝑫𝒊𝒗;
𝑽
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟓 ± 𝟏
𝑫𝒊𝒗
𝑽
Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟓 ± 𝟏 ;
𝑫𝒊𝒗

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟖 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;
𝑽𝒈𝒑𝒑 = 𝟏𝟓 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

Figura 16. Señal de entrada aumentada, la senoidal completa.

Señal de salida con distorsión por el aumento de la amplitud.

2.4) Amplificador basico de la figura 3 sin 𝑹𝑳 𝒚 𝑪𝑬

2.4.1) Se mantienen las mismas condiciones que en los puntos 2.2.1
2.4.2)
Escala horizontal: 𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝒎𝒔/𝑫𝒊𝒗
𝑽
Escala vertical (CHY): 𝟓 ± 𝟏 𝑫𝒊𝒗

𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟏𝟎 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗
𝑽𝒑𝒑(𝒊𝒏) = 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗
Acople en DC
Nivel DC = 𝟕 ± 𝟏 𝑽

Figura 17. Circuito 3. Señal de salida (Vo) con

nivel DC.
2.4.3)
Escala horizontal:𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝒎𝒔/𝑫𝒊𝒗;
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟓 ± 𝟏 𝑽/
𝑫𝒊𝒗
Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟎. 𝟐 ±
𝑽
𝟎. 𝟎𝟒 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟏𝟎. 𝟓 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

𝑽𝒈𝒑𝒑 = 𝟏 ± 𝟎. 𝟒 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;
𝑽𝒐𝒑𝒑 𝟏𝟎.𝟓
𝑨𝑽 = = = 𝟏𝟎. 𝟓
Figura 18. Señal de salida (Vo) y de entrada 𝑽𝒈𝒑𝒑 𝟏
(Vg) en canal dual.

2.4.4) Resistencia patrón de valor 𝑹𝒑 = 𝟓𝟎𝟎𝛀

𝑽𝒈 𝑽𝑹𝒊𝒏 𝒁𝒊𝒏 𝑽𝑶𝑺𝑪 𝑽𝑹 𝑷𝑶 𝒁𝑶

𝟎. 𝟓 𝟎. 𝟒𝟓 𝟒. 𝟓 𝟑. 𝟏𝟒 𝟏. 𝟔𝟓 𝟒𝟓𝟏. 𝟓𝟐
± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝒌𝛀 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝛀
Tabla 4. Mediciones para hallar la impedancia de entrada y salida de la configuración del circuito 3.

 Impedancia de entrada
Usando la 𝑒𝑐. 9.
𝑉𝑅 𝑖𝑛 0.45
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑝 = 500Ω = 4.5 kΩ
𝑉𝑅 𝑝 0.05
 Impedancia de salida
Usando la 𝑒𝑐. 12.
𝑉𝑅 𝑂 3.14 − 1.65
𝑍𝑂 = 𝑅𝑝𝑜 = 500Ω = 451.52 Ω
𝑉𝑅 𝑝𝑜 1.65

2.4.5)
𝒎𝒔
Escala horizontal:𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝑫𝒊𝒗;
𝑽
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟓 ± 𝟏 𝑫𝒊𝒗
𝑽
Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟓 ± 𝟏 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟏𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟒 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

Figura 19. Señal de entrada la senoidal

completa. Señal de salida con pequeña
distorsión
2.4.6)
𝒎𝒔
Escala horizontal:𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟏 𝑫𝒊𝒗;
𝑽
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟓 ± 𝟏
𝑫𝒊𝒗
𝑽
Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟓 ± 𝟏 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟏𝟏 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;
𝑽𝒈𝒑𝒑 = 𝟏𝟏 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

Figura 20. Señal de entrada aumentada, la senoidal

completa. Señal de salida con distorsión por el aumento
de la amplitud.
2.5) Amplificador basico de la figura 4 con 𝑹𝑳 𝒚 𝑪𝑬
2.5.1) Se mantienen las mismas condiciones que en los puntos 2.2.1
2.5.2)
Escala horizontal: 𝟏 ± 𝟎. 𝟐 𝒎𝒔/𝑫𝒊𝒗
𝑽
Escala vertical (CHY): 𝟓 ± 𝟏 𝑫𝒊𝒗

𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟏𝟎 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗
𝑽𝒑𝒑(𝒊𝒏) = 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗
Acople en DC
Nivel DC = 𝟓. 𝟓 ± 𝟏 𝑽
Figura 21. Circuito 4. Señal de salida (Vo) con
nivel DC.
2.5.3)
Escala horizontal:𝟏 ± 𝟎. 𝟐 𝒎𝒔/𝑫𝒊𝒗;
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟓 ±
𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗
Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟎. 𝟓 ±
𝑽
𝟎. 𝟏 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟏𝟎 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

𝑽𝒈𝒑𝒑 = 𝟏 ± 𝟎. 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;
𝑽𝒐𝒑𝒑 𝟏𝟎
𝑨𝑽 = = = 𝟏𝟎
𝑽𝒈𝒑𝒑 𝟏
Figura 22. Señal de salida (Vo) y de entrada
(Vg) en canal dual.

2.5.4)
Resistencia patrón de valor 𝑹𝒑 = 𝟓𝟎𝟎𝛀

𝑽𝒈 𝑽𝑹𝒊𝒏 𝒁𝒊𝒏 𝑽𝑶𝑺𝑪 𝑽𝑹 𝑷𝑶 𝒁𝑶

𝟎. 𝟓 𝟎. 𝟒𝟒𝟓 𝟒. 𝟓 𝟐. 𝟖𝟔 𝟐. 𝟏𝟓 𝟏𝟔𝟓. 𝟏𝟐
± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝒌𝛀 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝑽 ± 𝟎. 𝟏 𝛀
Tabla 5. Mediciones para hallar la impedancia de entrada y salida de la configuración del circuito 4.

 Impedancia de entrada
Usando la 𝑒𝑐. 9.
𝑉𝑅 𝑖𝑛 0.45
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑝 = 500Ω = 4.5 kΩ
𝑉𝑅 𝑝 0.05
 Impedancia de salida
Usando la 𝑒𝑐. 12.
𝑉𝑅 𝑂 2.86 − 2.15
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑝𝑜 = 500Ω = 165.12 Ω
𝑉𝑅 𝑝𝑜 2.15
2.5.5)
𝒎𝒔
Escala horizontal:𝟏 ± 𝟎. 𝟐 𝑫𝒊𝒗;
𝑽
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟓 ± 𝟏 𝑫𝒊𝒗
𝑽
Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟐 ± 𝟎. 𝟒 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟏𝟎. 𝟓 ± 𝟎. 𝟒 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;
Figura 23. Señal de entrada la senoidal
completa. Señal de salida con pequeña
distorsión
2.5.6)
𝒎𝒔
Escala horizontal:𝟏 ± 𝟎. 𝟐 𝑫𝒊𝒗;
𝑽
Escala vertical (CHY(𝑽𝑶 )): 𝟓 ± 𝟏
𝑫𝒊𝒗

Escala vertical (CHX(𝑽𝒈 )): 𝟓 ±

𝑽
𝟏 𝑫𝒊𝒗 ;

Acople en AC
𝑽𝒐𝒑𝒑 = 𝟏𝟏 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

𝑽𝒈𝒑𝒑 = 𝟏𝟏 ± 𝟏 𝑽/𝑫𝒊𝒗 ;

Figura 24. Señal de entrada aumentada, la senoidal

completa. Señal de salida con distorsión por el aumento
de la amplitud.
 ANÁLISIS DE RESULTADOS

FIGURA 1.3
 Estático
Los datos experimentales de la figura 1.3, se encuentran en la tabla 1.
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪 𝟏𝟐 − 𝟕. 𝟓
𝑰𝑪𝑸 = = = 𝟖. 𝟖𝟐 𝒎𝑨 ; 𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝑽𝑪 − 𝑽𝑬 = 𝟕. 𝟓 − 𝟐 = 𝟓. 𝟓 𝑽
𝑹𝑪 𝟓𝟏𝟎
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 2
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −1.96𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 15.686𝑥10−3
510 510

Figura 25. Recta de carga del circuito 1. Punto estático de operación

se encuentra en zona activa.

El punto estático de operación en la figura 1.2 y 25, se aproximan al punto medio de

operación ideal. Realizando el cálculo de su error, para obtener su incertidumbre.
Podremos indicar si esta configuración es más eficiente por mantenerse cerca de la
zona activa ideal.

|7.52 − 5.53|
𝐸𝐴𝑉𝐶𝐸 = ∗ 100% = 26.46%
7.52
Obteniéndose de esta manera una incertidumbre adecuada, indicándose esta como
la configuración universal, colocando su punto estático de operación en la zona activa
más cercano a lo ideal.
La recta de carga como se observa en la figura 25, está cercana al punto de la zona
de corte. Si llega la señal de salida a esa zona se va a distorsionar.
Ahora bien, ya hallando su punto estático de operación realizando la comparación con
lo teórico. Se analizará su estado dinámico. Recordando que su punto estático de
operación no varía en su estado AC, se mantiene.
 Dinámico
Como podemos ver en la figura 5 y 6. Son distintas respecto al nivel DC
En la figura 5 puede que, en el montaje, el capacitor tomo tierra. Eliminándose de esta
manera la componente DC
En cambio, con la figura 6, si podemos observar el incremento del nivel DC, en
consecuencia, de que el capacitor no cierra el circuito, por esta razón, no se filtra la
componente DC.
En la figura 7 se visualiza la ganancia de tensión que existe en la salida, indicándonos
que no tenemos un incremento considerable, aunque se observe en la señal del
osciloscopio una señal con mayor amplitud, esto debido por no poseer en capacitor
de desacople 𝐶𝐸 , permitiendo allí variar el punto estático de operación.
Características importantes del amplificador básico
Verifiquemos el error que existe entre los valores experimentales y los teóricos.
𝑽𝒐𝒑𝒑 𝟐 |𝟐.𝟎𝟔−𝟐|
𝑨𝑽 = 𝑽 = 𝟏 = 𝟐 ; 𝑬𝑨𝑨 𝑽 = ∗ 𝟏𝟎𝟎% = 𝟐. 𝟗𝟏%
𝒈𝒑𝒑 𝟐.𝟎𝟔

𝟎.𝟑 |𝟏𝟓𝟎𝟎𝟎−𝟏𝟑𝟐𝟒𝟎|
𝒁𝒊𝒏 = 𝟎.𝟐 𝟏𝟎𝒙𝟏𝟎𝟑 𝛀 = 𝟏𝟓 𝐤𝛀 ; 𝑬𝑨𝒁 𝒊𝒏 = ∗ 𝟏𝟎𝟎% = 𝟏𝟏. 𝟕𝟑%
𝟏𝟓𝟎𝟎𝟎

𝟎. 𝟔𝟔 − 𝟎. 𝟔𝟑 |𝟓𝟏𝟎 − 𝟒𝟕𝟔. 𝟐𝟎|

𝒁𝑶 = 𝟏𝟎𝒙𝟏𝟎𝟑 𝛀 = 𝟒𝟕𝟔. 𝟐𝟎 𝛀 ; 𝑬𝑨𝒁 𝑶 = ∗ 𝟏𝟎𝟎% = 𝟔. 𝟔𝟑%
𝟎. 𝟔𝟑 𝟓𝟏𝟎
Efectivamente tenemos una aproximacion a los valores teoricos cercanos. Dandonos
a entender que llegamos a datos adecuados a lo calculado.
Teniendo aun valores muy grande en la impendancia de entrada y de salida. Este
montaje no es eficiente para la amplificacion de la señal de entrada.

Figura 26. Modelo como amplificador de tensión de la

figura 1.3.
 FIGURA 2

 Dinámico
En la figura 12 y 13, como se había indicado con la figura 1.3, en este caso si es válido
que no haya una componente DC, por la razón de que el capacitor si forma parte del
circuito, encontrándose este en una malla.
Debido a esto último, podemos confirmar que el capacitor 𝐶𝑂 , es un condensador de
acoplo, por filtrar la señal AC de la DC, Sin embargo, se sufre un inconveniente puesto
que posee una escala inadecuado como se muestra en la figura 12.
Por otra parte, la figura 13, si nos da una ganancia de tensión, indicándonos esto que
hubo un problema con la medición.
Características importantes del amplificador básico
Verifiquemos el error que existe entre los valores experimentales y los teóricos.

𝑉𝑜𝑝𝑝 1.8 |1.96−2|

𝐴𝑉 = 𝑉 = 0.9 = 2 ; 𝐸𝐴𝐴 𝑉 = ∗ 100% = 2%
𝑔𝑝𝑝 2

0.45 |11500−13240|
𝑍𝑖𝑛 = 500Ω = 11.5 kΩ; 𝐸𝐴𝑍 𝑖𝑛 = ∗ 100% = 13.14%
0.05 13240

1.1 − 0.79 |485.25 − 392.41|

𝑍𝑂 = 1𝑥103 Ω = 392.41 Ω; 𝐸𝐴𝑍 𝑂 = ∗ 100% = 19.13%
0.79 485.25
Analogo al anterior, tenemos una aproximacion a los valores teoricos cercanos.
Dandonos a entender que llegamos a datos adecuados a lo calculado y que aun
siguen dando valores inadecuados para el estudio de este laboratorio. Debibo al
circuito dos, por falta de su capacitor de desacople.

Figura 27. Modelo como amplificador de tensión de la

figura 2.

FIGURA 3
 Dinámico
En la Figura 17, de igual manera en el circuito 1.3, como este no posee el capacitor
de acople a tierra, no se bloquea la señal DC, incluyendo en la señal de salida una
señal AC + DC, provocando de alguna manera la distorsión de la señal por su
añadidura de la componente DC. Incluso, se distorsiona su pico negativo,
concluyendo de la siguiente manera, si no existe el filtro en la salida, afecta su punto
estático de operación, existiendo distorsión, no solo de la salida, sino de su entrada
como se visualiza en la figura 19.
Características importantes del amplificador básico
Verifiquemos el error que existe entre los valores experimentales y los teóricos.

|𝟏𝟏.𝟐𝟐−𝟏𝟎.𝟓|
𝑨𝑽 = 𝟏𝟎. 𝟓 ; 𝑬𝑨𝑨 𝑽 = ∗ 𝟏𝟎𝟎% = 𝟔. 𝟒𝟐%
𝟏𝟏.𝟐
|𝟒𝟓𝟎𝟎−𝟒𝟏𝟒𝟎|
𝒁𝒊𝒏 = 4.5kΩ; 𝑬𝑨𝒁 𝒊𝒏 = ∗ 𝟏𝟎𝟎% = 𝟖%
𝟒𝟓𝟎𝟎

|𝟓𝟏𝟎 − 𝟒𝟓𝟏. 𝟓𝟐|

𝒁𝑶 = 451.52 Ω; 𝑬𝑨𝒁 𝑶 = ∗ 𝟏𝟎𝟎% = 𝟏𝟏. 𝟒𝟕%
𝟓𝟏𝟎
Valores aceptables, cercanos a los teóricos.
A diferencia de los anteriores circuitos, la ganancia de tensión es diez veces mayor
que la entrada, su impedancia menor tanto en la entra y salida, produciendo una mejor
señal de 𝑉𝑂 , efecto que buscamos visualizar en este laboratorio, por esa razón, al
tener un capacitor de desacople, filtrando la componente AC. De esta manera la
componente DC pasa por la resistencia evitando que disminuya la ganancia del
amplificador.

Figura 28. Modelo como amplificador de tensión de la

figura 3.

FIGURA 4
 Dinámico
Se puede determinar que la figura 21, nos da un valor adecuado ya que su nivel DC,
es su punto estático de operación, se puede decir que este es el circuito adecuado
para amplificar una carga, sin embargo se puede cambiar la resistencia de emisor
para permitir cambiar el punto estático operación ideal para amplificar a una mayor
señal de entrada, al igual que 𝑅𝐶 .
Características importantes del amplificador básico
Verifiquemos el error que existe entre los valores experimentales y los teóricos.
 |𝟏𝟎.𝟔𝟖−𝟏𝟎|
𝑨𝑽 = 𝟏𝟎 ; 𝑬𝑨𝑨𝑽 = ∗ 𝟏𝟎𝟎% = 𝟔. 𝟑𝟕%
𝟏𝟎.𝟔𝟖
|𝟒𝟓𝟎𝟎−𝟒𝟏𝟗𝟒|
𝒁𝒊𝒏 = 4.5kΩ; 𝑬𝑨𝒁 𝒊𝒏 = ∗ 𝟏𝟎𝟎% = 𝟔. 𝟖%
𝟒𝟓𝟎𝟎

|𝟒𝟖𝟓. 𝟐𝟓 − 𝟏𝟔𝟓. 𝟏𝟐|

𝒁𝑶 = 165.12 Ω; 𝑬𝑨𝒁 𝑶 = ∗ 𝟏𝟎𝟎% = 𝟔𝟓. 𝟗𝟕%
𝟒𝟖𝟓. 𝟐𝟓
Valores aceptables, cercanos a los teóricos, exceptuando la impedancia de salida, sin
embargo, eso es lo que se desea en la práctica, que su impedancia de salida sea muy
baja para que la mayoría de la señal pueda salir con mayor ganancia de tensión.

Figura 29. Modelo como amplificador de tensión de la

figura 4.

Finalmente, de todos los circuitos en estudio, el más apropiado como amplificador

básico viene dado por el circuito de la figura 4, por tener los elementos pasivos
adecuados para no permitir variaciones en sus parámetros, sin olvidar algo muy
importante su mayor ganancia de tensión no es solo debido a sus elementos pasivo,
sino por buena impedancia de salida permitiendo la carga percibir bien la señal, sin
embargo, se podría tomar en cuenta la de la figura 1.3, para alguno aplicación en
específico la baja ganancia que obtuvo, parecido a un seguidor de tensión,
permitiendo así la amplitud del generador, logrando pocas distorsiones, y con buena
impedancia de entrada.
Por esa razón, al darle amplitud a los circuitos de la figura 3 y 4, se distorsionan sin
la necesidad de aumentar la amplitud del generador, ya está amplifico hasta llegar a
la zona de corte de la recta de carga por esa razón se observan en las gráficas del
apartado 2.2.5 y 2.2.6 sus lados constantes de sus crestas positivas y negativas.
Responderemos las siguientes preguntas:
1. ¿Cambio la frecuencia de la señal de salida con respecto a la señal de
entrada, para cada uno de los circuitos estudiados?
No hubo cambios apreciables, por lo tanto, se puede despreciar que existió un cambio
de frecuencia, también debemos tomar en cuenta que, en ningún momento de las
ecuaciones a usar, involucra la frecuencia, por lo tanto, ella no debería de variar,
quienes son capaces de poder alterar la frecuencia pueden ser los capacitores, sin
embargo, en estos circuitos tienen una aplicación en específico y al estar en AC se
puede comportar como un corto por su baja impedancia en AC.
 2. ¿Qué propósito tiene el condensador de salida (𝑪𝑶) y el capacitor de
entrada (𝑪𝒊 )?
Los condensadores 𝑪𝒊 𝒚 𝑪𝑶 que aparecen se denominan condensadores de acoplo
y sirven para bloquear la componente continua.
En concreto 𝑪𝒊 sirve para acoplar la tensión que queremos amplificar al amplificador
propiamente dicho, eliminando la posible componente continua que esta tensión
pudiera tener. Si no bloqueamos esta continua se sumaría a las corrientes de
polarización del transistor modificando el punto de funcionamiento del mismo. Por otra
parte, el condensador 𝑪𝑶 nos permite acoplar la señal amplificada a la carga,
eliminando la componente continua (la correspondiente al punto de polarización del
transistor) de forma que a la carga llegue únicamente la componente alterna.
3. ¿Cuál es el efecto que produce la presencia del condensador 𝑪𝑬?
El condensador 𝑪𝑬 es un condensador de desacoplo, su misión es la de
proporcionar un camino a tierra a la componente alterna.
Al añadir el condensador de desacoplo conseguimos que la continua pase por 𝑹𝑬
mientras que la alterna pasaría por el condensador 𝑪𝑬 consiguiendo que no afecte a
la amplificación.
4. ¿Cuáles son los efectos sobre la ganancia al colocar una resistencia de
carga 𝑹𝑳?
En los circuitos que manejaron una carga, se obtuvo una impedancia más baja, a
causa de esto, podemos aprovechar mucho mejor la ganancia puesto que los efectos
producidos sobre esta, al no tener una impedancia de salida alta la onda es
aprovechada por la carga. En conclusión, esta no genera gran cambio en los efectos
sobre la ganancia solo disminuye la impedancia de salida.
 CONCLUSIONES

En concreto, el circuito para obtener mayores efectos de ganancia es el amplificador

básico de la figura 4 con 𝑅𝐿 𝑦 𝐶𝐸 .
Además, cada uno de los capacitores de la figura 4, cumplen un rol importante para
mantener su punto estático de operación, obteniendo de esta manera lo esperado, un
incremento apropiado, como lo pudimos observar con las mediciones experimentales.
Si faltan algunos de los capacitores (sirviéndonos de filtros), no se evita que las
componentes alteren la señal de salida, en consecuencia, no se obtienen las máximas
características del transistor BJT.
Se pudo hallar la impedancia de entrada y de salida utilizando una resistencia patrón,
colocándose en serie tanto en la entrada como en la salida, llevando a cabo las
medidas necesarias y suficientes, de ahí que logramos calcular teóricamente las
impedancias del circuito, bajo las mediciones experimentales, de esta manera se
pudo hacer comparaciones útiles para la carga que se coloca en la salida.
Siempre que la impedancia de la entrada sea mucho mayor que la de salida. Por ello
una impedancia baja es lo ideal para la carga, permitiendo aprovechar toda la señal
a esta última.
Es importante acotar, que mientras se pueda cambiar el punto estático de operación
sería ideal para mayor amplitud de señal, como podría ser modificar los valores de
las resistencias 𝑅𝐸 𝑦 𝑅𝐶 Siendo estas dos fundamentales para obtener una mejor recta
de carga, asimismo, evitamos las distorsiones en las señales tanto de entrada como
de salida.
Las distorsiones en la señal de entrada, se da, por la amplitud generada en el
generador de señales, y en su excursión por la recta de carga topándose con la zona
de saturación y/o corte, al igual que la salida, la única diferencia de la salida, es que
ya está va amplificada, teniendo más posibilidades de distorsionarse.
Para concluir, la ganancia de tensión en el transistor es negativa, por la dirección en
que fluye la corriente con respecto al voltaje de salida, indicando de esta manera un
negativo. En otras palabras, Tiene un desfasaje de 180° el voltaje de salida con
respecto a su voltaje de entrada.
 BIBLIOGRAFÍA

 Millman J. & Grabel A., Microelectronics, Mc.Graw Hill.

 Sedra & Smith, Circuitos Microelectrónicas, Oxford.
 Horenstein & Mark, Microelectrónica Circuitos y Dispositivos, Prentice Hall
 Alldatasheet.com (s.f), https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/602873/CDIL/2N3904.html
 Learningaboutelectronics (s.f),
http://www.learningaboutelectronics.com/Articulos/Condensador-de-coplo.php
 MasterPLC (s.f), https://masterplc.com/simulador/
 ANEXOS

HOJA DE DATOS FIRMADAS

DATASHEET 2N3904