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Audio

amplificador
200 watts
(Parte I)

Los especialistas reconocen que existen limitaciones de la perfor-


mance en la mayoría de los amplificadores de potencia de audio dis-
ponibles comercialmente. Por ejemplo, las especificaciones de dis-
torsión, se miden casi siempre a 1 kHz, pero la generación de distor-
sión en un amplificador típico puede aumentar de 12 a 18 dB por
octava a frecuencias superiores a 1 kHz.

Presentamos un amplifi- sta es la razón por la que muchos amplificadores de

cador MOSFET de alta


potencia cuya construc-
E estado sólido tienen sonido áspero o "sucio" en las
audiofrecuencias superiores. Las especificaciones de
distorsión brindadas por los fabricantes se miden con carga
resistiva. Sin embargo ciertos sistemas de parlantes pueden ser
significativamente reactivos y causar la activación falsa de los
ción le permitirá mejorar circuitos de protección generando distorsión. De acuerdo a lo
expuesto, la competencia hace que los diseñadores de amplifi-
la calidad de sus proyec- cadores comerciales busquen obtener el mayor beneficio de
tos de audio. cada vatio disponible, para mejorar la calidad y confiabilidad de
sus productos.

41
El amplificador de 200 W (en dad a la exactitud de la polariza- secundaria no existen. La con-
adelante denominado modulo ción y problemas de capacitan- fiabilidad real de los amplificado-
OPTI3) representa una solución cias de la juntura. res L-MOSFET es mucho mayor
significativa para los entusiastas En las aplicaciones de alta que la ofrecida por los amplifica-
del audio. Cada módulo es corriente, los transistores de jun- dores de transistores, aún si
capaz de suministrar 200 vatios tura fueron tradicionalmente difí- éstos últimos tienen las etapas
RMS en cargas de audio típicas ciles de proteger contra la ruptu- de salida muy protegidas.
con sólo 0,006% de dis- Los amplificadores
torsión armónica total L-MOSFET también
(THD) a 1 kHz y máxima poseen coeficientes de
salida, con un aumento temperatura "negati-
de THD a sólo 0,017 % a vos" a niveles de alta
20 kHz. corriente, eliminando
Esta excepcional per- la posibilidad de corri-
formance de distorsión da térmica o la necesi-
se debe a tres mejoras dad de circuitos de
especificas a la topolo- polarización, con reali-
gía convencional. La res- mentación térmica. Las
puesta en frecuencia del condiciones de sensi-
amplificador es virtual- bilidad al punto de
mente plana desde 5 Hz reposo esenciales
a 100 kHz, con puntos para una performance
de -1 dB a aproximada- de distorsión óptima se
mente 3 Hz y 120 kHz. reducen notablemente
La relación señal/ruido en comparación con
(S/R) del amplificador es mejor ra secundaria y la conexión cru- los dispositivos de transistores,
que -100 dB. El módulo incorpo- zada resultante de los portado- de modo que el ajuste de polari-
ra protecciones electrónicas res almacenados en la capaci- zación inicial es mucho menos
contra cortocircuitos, sobre car- tancias de la juntura. crucial y mejora la estabilidad
gas térmicas y de parlantes, Algunos diseños de transisto- del funcionamiento a largo
como también silenciamiento res son más susceptibles a que- plazo.
con retardo y un indicador visual marse bajo condiciones adver- La ausencia de mecanismos
de estado exclusivo de 3 vías. sas de carga que otros, pero de pérdida de ganancia a altas
incluso los circuitos de protec- corrientes (correspondientes a
Transistores bipolares de ción más complicados no siem- la "caída de beta" de los transis-
juntura o MOSFET laterales pre pueden impedir la falla del tores) implica que el rendimiento
transistor en todas la condicio- en distorsión de los amplificado-
nes de carga reactiva y resistiva res L-MOSFET no se deteriora
Durante décadas, el mercado posible. Además, la mayoría de cuando conducen cargas de
del audio estuvo dominado por los circuitos de protección pue- baja impedancia tales como sis-
los amplificadores de potencia den producir distorsión por falsa temas de parlantes de 4 ó 2
con dispositivo de salida basa- limitación si la carga del parlante ohmios. Las únicas desventajas
dos en transistores de juntura es más que moderadamente
bipolares. Estos transistores pro- reactiva.

tips
porcionan excelentes respuesta
a los transitorios, alta transcon- Nota: No deben confundir-
ductancia y bajo costo. Como se los MOSFET laterales (L-
desventaja, sufren un coeficien- MOSFET) con los MOSFET Los MOSFET latera-
te de temperatura positivo (es que incluyen las familias V- les (L-MOSFET) presentan la carac-
decir, la corriente de fuga MOSFET y HexFET. Puesto
terística de ser los únicos dispositi-
aumenta con la temperatura), que todas las señales de alta
susceptibilidad a la ruptura corriente circulan por la vos de estado sólido desarrollado
secundaria, la caída de beta región “de canal” de los L- y fabricados exclusivamente para
(disminución del beta con el MOSFET de tipo de enrique- las aplicaciones de audio de
aumento de la corriente de cimiento, los problemas de potencia.
colector), extremada sensibili- conducción cruzada y ruptura

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significativas de los L-MOSFET ganancia. Se trata de la física el balance de corriente de colec-
en comparación con los transis- del transistor, que requiere la tor de Q1 y Q2 en un factor
tores tradicionales son su mayor colocación del punto de opera- mayor de 10 a 1 independiente-
costo y menor transconductancia. ción en reposo en el centro mente del diseño del circuito.
El OPTI3 usa una etapa de exacto de la curvas opuestas de Algunos diseñadores han mejo-
salida L-MOSFET en combina- transconductancia del par dife- rado esa configuración ajustan-
ción con tres mejoras específi- rencial. En términos simples, las do los valores de R3 y R4 (en
cas de la topología lineal de 3 corrientes de colector del par ciertos casos, anulando R4 com-
etapas convencional. diferencial deben ser iguales pletamente).
Colectivamente las mejoras dentro del 1%. Lamentablemente, esa no es
resuelven con eficacia el com- La figura 1A muestra una una técnica efectiva, porque el
promiso de linealidad asociado fuente de corriente constante balance se deteriora al aumen-
con los L-MOSFET y proporcio- que suministra la corriente de tar la frecuencia y la caída de
nan mejoras tangibles en diver- alimentación, mientras que R1 y impedancia asociada de la
sas áreas de operación. R2 proporcionan un nivel ade- etapa amplificadora de tensión.
cuado de realimentación dege- En la figura 1B, las cargas de
Etapa de entrada balance nerativa para aplanar la curva de colector de los transistores dife-
transconductancia (y mejorar la renciales se han reemplazado
No se ha difundido amplia- linealidad). Puesto que R3 y R4 con un “espejo de corriente”,
mente que el par diferencial de son iguales, se sugiere el con- compuesto por Q3, Q4, R3 y R4.
transistores de la etapa de cepto de simetría. Los espejos de corriente fuer-
entrada debe tener un balance Obsérvese que la entrada de zan activamente un balance de
de corriente de colector casi per- la etapa amplificadora de ten- corriente entre las dos ramas del
fecto para una óptima cancela- sión está acoplada directamente circuito, para representar la solu-
ción de distorsión y máxima al colector de Q1. Esto desplaza ción ideal a nuestra necesidad
de un balance de
corrección exacto y
dinámico.
Para obtener los
mejores resultados, los
Beta de Q3 y Q4 deben
estar adaptados dentro
del 10% y los resistores
de degeneración de R3
y R4 deben incluirse en
el circuito para com-
Figura Nº 1
A pensar las variaciones
El circuito A mues-
de VBE típicas de Q3 y
tra una etapa de
entrada genérica Q4.
simplificada que se Una vez cumplidas
utiliza en la mayoría estas condiciones, las
de los amplificado- corrientes de colector
res comerciales. de Q1 y Q2 deben
En B, las cargas estar balanceadas den-
diferenciales de tro del 1% en toda la
colector se reempla- gama de audiofrecuen-
zaron por un “espe-
cias.
jo de corriente” que
Si bien el motivo pri-
reduce la distorsión
de la etapa de mario de un espejo de
entrada. corriente es reducir la
distorsión interetapas,
su inclusión ofrece dos
B beneficios adicionales:
a) Acrecienta la “velo-
cidad de variación rápi-
da” en más del 100%.

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b) Aumenta la “relación de
rechazo de fuente de alimentación”
(PSRR).

La única desventaja que se pre-


senta es el costo de los dos tran- C2
sistores. 1000pF
En las pruebas y comparacio-
nes reales, la disposición de etapa C1

de entrada diferencial con espejo


de corriente ilustrada en la figura 1
1B muestra una linealidad mucho
mejor que la de las etapas de 2
entrada genéricas, o de imagen p
espejada tradicionales. ,

Compensación de dos polos A B


Para aprovechar plenamente las Figura Nº 2
ventajas de la topología lineal de 3 Se muestra en A una etapa amplificadora de tensión simplificada que
etapas convencional, toda la incorpora técnicas de "mejora de beta" y "carga activa".
ganancia del amplificador de En B se ilustra cómo se puede simplificar la compensación de polo
potencia debe producirse en la dominante simple a una "compensación de dos polos", agregando el
etapa amplificadora de tensión. capacitor CC2 y el resistor Rp.
En consecuencia, una etapa
amplificadora de tensión óptima
Ccomp mejora la distorsión en altas frecuencia
incorpora técnicas de “mejora de beta” (por ejem-
pero produce también pérdida de estabilidad.
plo un par Darlington) y de “carga activa” (por
La figura 2B ilustra cómo la compensación de
ejemplo, una fuente de corriente constante que
polo dominante simple puede modificarse a la
actúe como carga del colector del amplificador).
“compensación de dos polos” agregando el capa-
La figura 2A ilustra una etapa amplificadora de
citor de C2 y el resistor Rp.
tensión simplificada que implementa estas carac-
En efecto, este diseño se comporta como un fil-
terísticas.
tro de 2do. orden que hace decaer la ganancia del
Observe que Ccomp (capacitor de compensa-
amplificador de tensión al régimen de 12 dB por
ción) de la figura 2A está conectado de la salida
octava en lugar de 6 dB.
del amplificador hacia su entrada, configuración
En consecuencia, el primer polo de frecuencia
denominada “compensación de polo dominante”.
se puede fijar a unos 10 kHz, manteniendo la
A frecuencias superiores al primer polo de fre-
misma frecuencia de atenuación progresiva infe-
cuencia, Ccomp reduce la ganancia de tensión del
rior a la unidad de la compensación de polo domi-
amplificador en 6B/octava.
nante simple.
A fin de lograr una ganancia a lazo abierto infe-
El resultado es una mejora aproximada de 3
rior a la unidad sin que se produzcan desfasajes
veces en la THD sobre los diseños convenciona-
excesivos (que causen inestabilidad), el primer
les a altas frecuencias.
polo de frecuencia de los amplificadores con com-
pensación de polo dominante simple se debe
ajustar a un valor relativamente bajo, normalmen- Etapa de salida híbrida de transistor
te alrededor de 1 kHz o menor. de juntura/MOSFET
Esto produce una pérdida de aproximadamen-
te 24 a 30 dB en la ganancia en lazo abierto y una La figura 3A ilustra una etapa de salida L-MOS-
realimentación negativa global proporcional al FET seguidora de fuente simplificada. Este es el
momento de alcanzar el límite superior del ancho equivalente MOSFET de enriquecimiento de la
de banda de audio (20 kHz). etapa de salida seguidora de emisor con transis-
La consecuencia final de esta pérdida de reali- tores.
mentación negativa es un aumento aproximado de La configuración de seguidor de fuente es la
10 veces de la distorsión armónica en las frecuen- disposición usada habitualmente en los amplifica-
cias superiores de audio. La reducción del valor de dores de potencia de audio L-MOSFET comercia-

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les, pero sufre aún la desventaja madamente 5, determinada por
de la total dependencia de la las relaciones R1/R2 y R4/R3.
realimentación negativa global Esta ganancia de tensión se
para solucionar los problemas convierte luego en una realimen-
asociados con la pobre lineali- tación negativa local linealizante
dad inherente de los L-MOSFET. de 100% a través de los emiso-
En la practica, los amplifica- res de Q1 y Q2, mediante la
dores L-MOSFET seguidores de línea de salida de altavoces.
fuente generan una distorsión Por ello, la ganancia de ten-
de alrededor de 0,03% a 1 kHz. sión real de la etapa de salida
Si bien no significativa, repre- completa sigue siendo ligera-
senta un orden de magnitud mente menor que la unidad,
inferior a la que puede tenerse pero se compensa en gran
con un amplificador bien diseña- medida la baja transconductan-
do con etapa de salida de tran- cia de los L-MOSFET.
sistores.
La figura 3 B ilustra una etapa
Amplificador completo
de salida de transistor de juntu-
ra/MOSFET híbrida dispuesta
en configuración de “realimenta- La figura 4 muestra el circuito
ción complementaria”. Observe completo del amplificador de
que los MOSFET han sido inver- potencia de audio. En el circuito,
tidos en su posición. Los transis- C1 y C2 (un par de unidades de
tores Q1 y Q2 están dispuestos tantalio) se utilizan como capaci-
en configuración de emisor tores acopladores de entrada,
común complementaria, con una mientras que R4 establece la
ganancia de tensión de aproxi- impedancia de salida en 12 K,

Figura Nº 3
Se ilustra en A una etapa de salida MOSFET “seguidora de fuente”
simplificada (el equivalente con MOSFET de enriquecimiento de una
etapa “seguidora de emisor” transistorizada común).
En B se muestra una etapa de salida híbrida de transistor/MOSFET
dispuesta en configuración de "realimentación complementaria".

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+63VCC
R14 R26 F1
75 56 5A
R30 Q17
1K 2SJ162
F2
Entrada Q8 R22 5A
2SB649 R15 12K
15 R31 C12
1K .1
+ R7 TIERRA
C6 + 1K R20
C5 R1 R16
220 47 680 100
150
C1 + Q16 D4
D2 2SJ162
10 Q6 1N4148 1N5060
Q14
2N5401 Q2 2SD669
C2 2SD569
10 R17 Q12
+ Q3 2N5551 R32
2N5401 R8 D1 220 220
C7 L1
10K 220 1N4148 1µH
+ R50
1K R27 R38** SALIDA DEL
R9 10 R36** .22 AMPLIFICADOR
10K R11 R10 R23 .22
R2 R3 270 12K 180
100 100
Q2 + R24
C10 R37** R41**
2N5401 47 Q13 180 R28 8
Q1 C9 2N5401 10 .22 R39**
2N5401 1000pF .22 R40**
C8 R33 8
100pF Q10 Q15 220
2SD669 R21 D3 2SB649
100 Q18
1N4148 2SK1058 C13
R4 C3 .1
12K 180pF
R12 Q11
6.8K 2SD669 Q19
R13 2SK1058
Q4 Q5 1K R25 R34
1K D5
2N5551 2N5551 12K 1N5060
C4
220 R6 R19
Q7 33
68 2N5551 R29 R35
R5 R18 1K F2
58 1K 56 5A
-63 VCC

C11
.1
D6 R43** TS1*
1N4004 500
ENTRADA DE
CA ACCESORIA
R44 R45 SALIDA DE
D13 4.7K 390K D14 PARLANTE
C14 + 12V LED 1
1N4004
100
D15 R46
12V C17 390K
D7 1 C18 R47 D12
1N4148 1 1.2K 1N4148

+
RY1
Q20 Q21 Q23
2N5551 2N5551 2N5551
R48
150K Q24
SALIDA DEL 2N5551
AMPLIFICADOR

D8 D9 +
R42
10K nnn 1N4148 1N4148
Q22
C19
220
2N5551
D10 D11
1N4148 1N4148 *VER TEXTO
C15 C16 R49
220 220 56K
**RESISTORES DE 5W
+ +

Figura Nº 4
Esquema completo del amplificador de potencia de audio
(que puede excitar cargas de 4 u 8 ohmios).

con el requerimiento de que del 10%. El capacitor C3 atenúa el mentación negativa global aplicada
R10 tenga el mismo valor para ruido ultrasónico indeseable y las a la entrada y establece la ganan-
minimizar los desvíos de CC del señales interferentes que a menu- cia de tensión de CA del amplifica-
par diferencial Q1 y Q2. Los do se cuelan por el cableado de dor (que también determina la sen-
resistores R2 y R3 son disposi- entrada. C4 y C5 son capacitores sibilidad). Con los valores mostra-
tivos de degeneración del par de desacoplamiento de las líneas dos, la sensibilidad es aproximada-
diferencial Q1 y Q2, mientras de alimentación. Su función es mente 8 milivoltios RMS. Si se
que Q4, Q5, R5 y R6 forman el mejorar la PSRR, que ya es muy requiere mayor sensibilidad, se
espejo de corriente explicado alta debido al diseño inherente del puede reducir, en consecuencia, el
previamente. amplificador. valor de R11. C7 es un capacitor
Recuerde que Q4 y Q5 deben La relación entre R10 y R11 de bloqueo del circuito de reali-
tener los beta adaptados dentro determina el porcentaje de reali- mentación negativa global.

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aproximadamente 7 milivoltios). El
LISTADO DE COMPONENTES
diodo D1 evita que C7 quede destruc-
DEL AMPLIFICADOR L-MOSFET DE 200 W
tivamente polarizado en forma inver-
Semiconductores sa en caso de existir una alta tensión
Cantidad Símbolo Descripción
de CC
de polaridad inversa a la salida del
5 Q1, Q3, Q6, Q13, Transistor PNP de silicio 2N5401.
amplificador.
6 Q4, Q5, Q7, Q12, Q20, Q24 Transistor PNP de silicio 2N5551.
2 Q8, Q15. Transistor PNP de silicio 2SB649. Los componentes C8, C9, R12,
4 Q9, Q10, Q11, Q14 Transistor PNP de silicio 2SD669. R18, Q10 y Q11 conforman la sec-
2 Q16, Q17 L-MOSFET de canal P 2SJ2162. ción inferior de la etapa amplificadora
2 Q18, Q19 L-MOSFET de canal N 2SK1058. con beta mejorado y compensación
4 D1-D3, D7-D12. Diodo de conmutación de 2 polos que describimos previa-
de propósitos generales 1N4148. mente. Q7, R13 y R19 proporcionan
2 D4, D5 Diodo de recuperación rápida protección por limitación de corriente
de propósitos generales 1N5060. para Q11 en caso de cortocircuito a la
2 D6, D14 Diodo rectificador de silicio.
salida del amplificador.
de PIV 400 V, 1 W, 1N4004.
El circuito de polarización del punto
2 D13, D15 Diodo zener de 1W 12V.
1 LED1 Diodo emisor de luz (rojo). de reposo requerido para llevar la etapa
de salida a una operación precisa en
clase B, consiste en R50, R17, R16,
Resistores (1/2 W, 5% salvo especificación en contrario) C10, Q9, R15. Este circuito es una
Cantidad Símbolo
variante del circuito de “diodo amplifica-
Descripción
do” común, con unas cuantas mejoras.
1 R1 150 ohmios El potenciómetro R5 se coloca en el
4 R2, R3, R20, R21 100 ohmios
circuito de modo que una condición de
4 R4, R10, R22, R25 12.000 ohmios
R5, R6 68 ohmios circuito abierto en el cursor (falla común
2
R7, R13, R18, R30, R31, R34, R35 71000 ohmios de los trimmers) disminuye la polariza-
7
R8, R9, R42 10.000 ohmios ción directa en vez de aumentarla peli-
3
1 R11 270 ohmios grosamente.
1 R12 6.800 ohmios El capacitor C10 agrega estabiliza-
1 R14 75 ohmios ción adicional a la tensión de polariza-
1 R15 15 ohmios ción, mientras que R15 proporciona
1 R16 680 ohmios una significativa inmunidad contra los
3 R17, R32, R33 220 ohmios cambios de la polarización resultantes
1 R19 33 ohmios
de las variaciones de la corriente de
2 R23, R24 180 ohmios
R26, R29 56 ohmios Q9. Como en otros diseños de etapas
2
R27, R28 10 ohmios de salida de realimentación comple-
2
R36, R39 0,22 ohmios, 5W, 10%, mentaria, el transistor polarizador Q9
4
bobinado de potencia 8, 5W, debe efectuar el seguimiento térmico
2 R40, R41 10% bobinado de de la temperatura de los transistores
potencia ohmios. predriver.
1 R43 500 5W, 10% bobinado El amplificador, Q9, se monta físi-
de potencia ohmios. camente en el mismo disipador térmi-
1 R44 4.700 ohmios co que Q14, primariamente para
1 R45, R46 390.000 ohmios
compensar la temperatura ambiente.
1 R47 1.200 ohmios
R48 150.000 ohmios Los transistores predriver Q14 y Q15
1
R49 56.000 ohmios sólo se calientan ligeramente durante
1
R50 1.000 ohmios, potenciómetro la operación normal.
1
trimmer de montaje horizontal. Los componentes R1 Q3, C6, Q6,
R8, R9, R7, R14, y Q8, comprenden
las dos fuentes de corriente constan-
te necesarias para las etapas de
Fuerza la realimentación de CC al valor del entrada y amplificadora de tensión. Q6 es la refe-
100%, para mantener un buen balance de CC en rencia de tensión para ambas fuentes, al forzar la
todo el circuito amplificador (la tensión de desvío caída de tensión en R14 al valor de su propia
de salida de CC típica de este amplificador es caída VBE (aprox. 0,67 V).

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Puesto que las bases de Q3 y Q8 están conecta-
das, la tensión de referencia del colector de Q6 fuer-
za la caída de tensión en R1 también alrededor de
0,67 V. Por ello, debido a la resistencia de R1 y R14,
la corriente de cola de la etapa diferencial de entrada
se mantiene en 4,5 mA aproximadamente, mientras
que la fuente de corriente del amplificador de tensión
se mantiene en 9 mA.
La protección contra sobrecargas y cortocircuitos
de la salida del amplificador se proporciona median-
te un circuito protector de "pendiente simple" consis-
tente en D2, D3, Q12, Q13, R22, R25, R32 y R33.
Ese circuito monitorea la tensión instantánea en R36
y R37, mientras suma simultáneamente esa tensión
a la diferencia de tensión a la salida y la fuente de ali-
mentación. Esto produce una protección en la forma
de una línea con pendiente que permite que las
corrientes de salida elevadas fluyan por la carga del
parlante si la tensión es alta, pero restringe dicha
corriente si la tensión es relativamente baja.
En consecuencia, se produce un cortocircuito en
la salida (estableciendo una condición de muy baja
tensión en la carga) y la corriente de salida máxima
se limita por debajo del punto de destrucción del
componente o fusión de los fusibles de la línea.

LA MAYORÍA DE LOS ESPECIALISTAS EN AUDIO,


RECHAZAN TOTALMENTE LA PROTECCIÓN CONTRA
CORTOCIRCUITO PORQUE TEMEN QUE PUEDA CAU-
SAR DISTORSIÓN CUANDO EL AMPLIFICADOR DEBE
EXITAR CARGAS MODERADAMENTE REACTIVAS.

Este circuito de protección es muy superior a los


circuitos comunes con diodos zener de enclavamien-
to de compuerta incorporados prácticamente a todos
los amplificadores L-MOSFET.
Esto es cierto para muchos circuitos de protección
con transistores de juntura “multipendiente”. En cam-
bio, en el caso de los L-MOSFET, el límite de corrien-
te se puede configurar mucho más alto para tensio-
nes de carga menores (puesto que no es necesario
proteger los L-MOSFET contra la ruptura secunda-
ria), eliminando así eficazmente el problema.
Los amplificadores OPTI3 pueden excitar cargas
de 4 u 8 ohmios en paralelo con un capacitor de 2mF
a plena potencia sin activación de circuito de protec-
ción. Como era de esperar, ni la estabilidad ni la acti-
vación de la protección son afectadas por los valores
extremos de reactancia inductiva (la reactancia capa-
citiva es perjudicial para la mayoría de los amplifica-
dores de potencia de estado sólido).
Los resistores R20 y R21 elevan la impedancia de
salida del amplificador de tensión de modo que la
señal entregada a los transistores predriver (Q14 y
Q15) puede ser cortocircuitada más eficazmente a la

48
línea de salida mediante Q12 y Q13 LISTADO DE COMPONENTES
si se detecta un cortocircuito o sobre-
DEL AMPLIFICADOR L-MOSFET DE 200 W (Cont.)
carga en la salida. El transistor Q7
limita también la corriente de Q11 Capacitores
aproximadamente en 20 mA. Cantidad Símbolo Descripción
Los L-MOSFET son dispositivos
2 C1, C2 Tantalio, 10µF, 35 V
de tensión, ello significa que funcio- Cerámico monolítico 180 pF
1 C3
nan basados en la tensión de com- 2 C4, C5 Electrolítico de aluminio, 200µF, 100V
puerta sin absorber un nivel continuo 1 C6 Electrolítico de aluminio, 47µF,100V
significativo de corriente de compuer- 4 C7, C15, C16, C19 Electrolítico de aluminio, 220µF, 35V
ta. Sin embargo, su capacitancia de 1 C8 Cerámico monolítico 100 pF
compuerta es relativamente alta com- 1 C9 Cerámico monolítico 100 pF
parada con los transistores de juntu- 1 C10 Electrolítico de aluminio,47µF, 35V
ra. Por esta razón se deben incorpo- 3 C11, C13 Mylar 0,1 µF, 250 V
rar "resistores aisladores de com- 1 C14 Electrolítico de aluminio, 100µF, 10
2 C17, C18 Electrolítico de aluminio, 1µF35V 35V
puerta" en las etapas de salida MOS-
FET paralelo para asegurar una Resistores (1/2 W, 5% salvo especificación en contrario)
buena estabilidad en alta frecuencia.
Cantidad Símbolo Descripción
Esa es la función de R30, R31, R34 y
R35. Los resistores de drenaje R36 y 1 TS1 Interruptor térmico de 75 ºC
R37 se usan como sensores de 1 L1 Inductor de núcleo de aire,
corrientes del circuito de protección 1µH (Ver el texto).
contra sobrecargas. 1 RY1 Relé 2 polos 2 posiciones, bobina
de 24 VCC.
Los resistores R38 y R39 se insta-
2 F1, F2 Fusible AGC de 5 A.
lan para mantener la simetría de
balance de corrientes de los dispositi- Circuito impreso, fusibles, disipador térmico, aisladores para transistores
vos de salida en paralelo. TO-220 y TO-3P, cable, soldadura, etc.
Los diodos D4 y D5 se denominan
"diodos trampa". Su propósito es
absorber los transitorios generados por los cam- cula por el circuito Zobel. El inductor de salida L1
bios rápidos de corriente en una carga inductiva. brinda estabilidad en cargas capacitivas al propor-
También protegen el amplificador contra daños cionar un efecto aislante contra las capacitancias
si accidentalmente se invierten las polaridades de en derivación, sin imponer ninguna impedancia
la fuente de alimentación. R40 y C13 constituyen significativa a las audiofrecuencias.
el usualmente denominado "circuito Zobel” (tam- El resistor R42 produce amortiguamiento para
bién conocido como “célula de Boucherot”). Su reducir el sobreimpulso y las oscilaciones produ-
propósito es proteger el amplificador contra la cidas en L1 en combinación con la capacitancia
inestabilidad resultante de las cargas inductivas. A de carga del parlante. C11 y C12 se usan para
frecuencias continuas de 20 kHz y superiores, es desacoplamiento de alta frecuencia y se incluyen
normal que R40 tenga un recalentamiento excesi- primariamente en el circuito para reducir el ruido
vo debido a la menor reactancia capacitiva de C13 de alta frecuencia que puede inyectarse por las
y el consiguiente aumento de la corriente que cir- líneas de la fuente de alimentación.™

49
Audio

Amplificador
de 200W Parte II

En la continuidad del desarrollo del presente


artículo nos ocupamos, específicamente, del
armado del amplificador.

e incorporan a los módulos amplificado- filtra, mientras que R43, D13 y D15 forman una

S res OPTI3 circuitos de protección adi-


cionales, incluidos el silenciamiento al
encendido, protección de CC de parlantes y
fuente de alimentación de CC de 24 V con regula-
ción simple por diodos zener.
Los componentes R44, R47, LED1, C17, C18,
corte térmico. Q20, y Q21 forman un multivibrador astable.
Es conveniente suministrar alimentación ope- Cuando el circuito se alimenta por primera vez (se
racional a los circuitos de protección de parlantes enciende el amplificador), el multivibrador hace
desde una fuente externa, para eliminar así toda que LED1 destelle con un período de 1 segundo.
posibilidad de falla del circuito por si se quema Al mismo tiempo, C19 comienza a cargarse con
uno de los fusibles de alimentación. En ese caso los pulsos de 60 Hz rectificados provistos por D7
la alimentación operacional de CA se obtiene de a través de R48. C19 demora aproximadamente 3
cualquiera de las mitades del secundario del segundos en cargase a una tensión suficiente-
transformador de alimentación que puede variar mente alta para poner en conducción el par
de 30 a 45 VCA. D6 rectifica esta tensión y C14 la Darlington consistente en Q3 y Q24. Cuando ello

50
ocurre se energiza el relé de Un termo interruptor TS1 de comience a destellar a aproxi-
silenciamiento (RY1) y el colec- 75º C está montado en el disipa- madamente 6 Hz. Este rápido
tor de Q21 se lleva al nivel bajo dor del amplificador. Si la tempe- destello es una indicación visual
mediante D12. Esta acción inhi- ratura del disipador térmico de que se produjo una sobrecar-
be el multivibrador astable y supera la especificación de TS1, ga térmica.
fuerza a LED1 a encenderse sus contactos se abren para El indicador (LED1) se puede
continuamente. desenergizar a RY1 y desconec- ubicar remotamente en un panel
Cuando se energiza RY1, la tar la carga de parlantes del frontal, si se desea.
salida del aplicador se aplica amplificador. Una vez desconec-
directamente a la conexión de tada la carga de parlantes, el Construcción del amplificador
salida de parlantes. disipador debería comenzar a Como en la mayoría de los
El retardo de 3 segundos enfriarse. amplificadores de potencia de
impide que cualquier pulso de Cuando su temperatura dis- audio, el armado del módulo de
encendido irritativo y potencial- minuye por debajo de la histére- OPTI3 es relativamente sencillo
mente destructivo se aplique a sis típica de 2-3 grados del ter- en comparación con otros pro-
los parlantes. mointerruptor los contactos de yectos electrónicos, debido al
La iluminación continua de TS1 se cierran y restablecen la uso de componentes más gran-
LED1 proporciona una indica-
ción visual de que la operación
es normal y el sistema de par-
lantes está conectado al amplifi-
cador.
Observe que la salida del
amplificador está conectada
también a R42. Si aparece a la
salida del amplificador algún
nivel de CC significativo, C15 y
C16 se cargan a ese nivel a tra-
vés de R42.
Si el nivel está por encima de
aproximadamente de 1,2 V, el Figura Nº 5
puente de diodos consistente en 207 mm Circuito impre-
de D8 a través de D11 conduce so del lado del
el potencial de CC de modo que cobre, repre-
satura a Q22 y descarga a C19. sentado al
50% de su
Cuando se descarga C19, Q23 y
tamaño real.
Q24 van al corte y RY1 se des-
energiza, para desconectar la
salida del amplificador del siste-
ma de parlantes.
De esta forma, los parlantes
están continuamente protegidos
contra potenciales destructivos
de CC originados en el amplifi- 145 mm
cador.
Al mismo tiempo que se des-
energiza RY1, el multivibrador operación normal del circuito. des y pistas de circuito impreso
astable se activa otra vez y hace Cuando los contactos de TS1 más anchas.
que LED1 comience a destellar se abren, el Darlington (Q23 y No se requiere una plaqueta
indicando visualmente que se Q24) pierde su carga de colector de doble faz y la separación
produjo una falla de CC. El diodo a través de RY1. La consiguien- entre componentes no es crítica.
D14 está conectado en paralelo te elevación de la impedancia de Este proyecto se armó en una
con la bobina de RY1 para supri- colector de Darlington produce plaqueta de 207 x 145 mm.
mir los picos inductivos que un significativo aumento de la La figura 5 nos muestra una
podrían producirse posiblemen- velocidad de oscilación del mul- plantilla, al 50 % de su tamaño
te cuando se desacopla el relé. tivibrador y hace que LED1 natural, del circuito impreso que

51
nuestros lectores pueden utilizar para fabricar su bases de los disipadores pequeños se pueden
propia plaqueta y comenzar el armado; para ello, montar al ras de la superficie de la plaqueta,
el diagrama de ubicación de componentes se puesto que no se calientan demasiado durante
observa en la figura 6.Observe que la disposición una operación normal.
de la plaqueta contiene 7 conexiones de puentes.
Estas conexiones pueden hacerse con cable
aislado calibre 18 AWG. Todos los resistores de
potencia de 5W (R36, R39, R40, R41 y R43) OPCIONES
deben montarse ligeramente elevados sobre la SI NO DESEA USAR EL DISIPADOR ESPECIFI-
plaqueta para permitir una mejor circulación de CADO, SE PUEDE EMPLEAR CUALQUIER TIPO
aire y evitar que decoloren la plaqueta. DE DISIPADOR QUE SOPORTE 0,35 ºC/W O
En conjunto con 6 de los transistores de BIEN PUEDE UTILIZARSE UN DISIPADOR MÁS
mediana potencia se usan 4 pequeños disipado- PEQUEÑO SI EL AMPLIFICADOR SE USA CON
res. Q9 y Q14 se montan espalda contra espalda MENOR CAPACIDAD DE POTENCIA. SI LOS
en un disipador, para permitir el necesario segui- MOSFET DEBEN UBICARSE REMOTAMENTE
miento de temperatura de los transistores predri- EN UNA SUPERFICIE DISIPADORA, ES IMPOR-
ver por el circuito de polarización. TANTE QUE EL CABLEADO DE LAS COMPUER-
Análogamente, Q10 y Q11 se montan en un TAS SEA LO MÁS CORTO POSIBLE.
mismo disipador. Q8 y Q15 se montan en disipa-
dores individuales.Se deben usar aisladores en
la instalación de todos estos transistores. Las

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SALIDA
-63 VCC PARLANTES
LED1
+68 VCC
D15

Q20 RY1

J
F1* F2* D13
R39 R44
R46 R47
C19
R45 D12 +
Q19 L1
+ C17 R49
Q21
Q24
C18 +
R42 R48 Q23
D9
R37 Q22 D11
+
J C15 D8
J R41 R40 + C16 D10
R35 ENTRADA CA
C13
R34 ACCESORIOS
Q18
D4 R43
R27 Q13
D5 D6
R23 D3
R33 +
R39 Q12 C14
R32 Q15
TS1*
R26 D2 R20 R28 J
C11
C12 Q14* J R24
R30 Q9* R21 R29
J R31 + R25
Q17
R14 C10 Q7 R19

R15 R18
R17 R16 Q10*
+ C6
Q11*
R11
R22
+ J R10 R50 R13
R7 R9 C8 R6
C5 C9
R8 D1 R12
Q6 Q4 R5
Q3 C7 +
R1
Q16 C3 C4 +
Q2 Q5
R2
R36 R3 Q1 + ENTRADA
+ +
R4 C2 C1
*VER TEXTO

Figura Nº 6
Para armar la plaqueta del amplificador utilice como guía este dia-
grama de disposición de componentes. Observe que el circuito con-
tiene 7 puentes, que deben instalarse primero para que sirvan como
referencia para la instalación de los restantes componentes.

53
El termo interruptor (TS1) se monta en el disi- Conexiones y ajustes del amplificador
pador grande antes de montar el disipador en la La figura 7 ilustra una fuente de alimentación
plaqueta puesto que los orificios del montaje del sencilla de doble polaridad como la que se usan
termo interruptor no quedarán accesibles luego. normalmente para alimentar los amplificadores de
Para fijar cada MOSFET en su sitio, se usa un audio. El transformador P1 debe ser de tipo “blinda-
único perno de montaje (que se extiende a través do” o “toroidal” con los valores basados aproxima-
del transistor, el disipador y la plaqueta). De esta damente en la tabla 1.
forma, el disipador queda fijado a la plaqueta con Observe que las tensiones secundarias nomina-
los mismos pernos que se usan para sostener el les de los transformadores laminados típicos
MOSFET. Los L-MOSFET especificados no son (conocidos como de tipo “E-I”) se especifican casi
susceptibles a daños por descargas estáticas, de siempre en términos de la tensión de la derivación
modo que no se necesita tomar precauciones central, mientras que los toroidales se especifican
especiales durante la instalación. en base a dos secundarios separados. Por ejem-
Después del bobinado, la bobina se puede plo, un transformador de tipo E de 70 V con punto
revestir con “epoxi” para que mantenga su forma, medio es equivalente a un transformador Toroidal
en el caso de ser necesario. 35-35. Para aplicaciones requieren aproximada-
El resto del armado es muy sencillo. Como en mente 100 W RMS o menos, sólo se necesitan 2
todo proyecto electrónico, se debe tener mucho capacitores de 8.200 o de 10.000µF uno para cada
cuidado para asegurar que todos los componen- polaridad de la fuente. Para aplicaciones próximas
tes polarizados (capacitores electrolíticos, dio- a plena potencia del amplificador se recomienda
dos y otros semiconductores) queden correcta- usar 15.000 - 20.000µF por polaridad (conseguido
mente orientados. Recomendamos tener espe- normalmente con dos capacitores en paralelo por
cial cuidado al soldar, para no recalentar los línea de alimentación, como se ilustra en la figura
semiconductores. 7). Naturalmente, la tensión de trabajo debe elegir-
Efectúe una doble verificación del amplificador se de acuerdo a la tensión secundaria pico de T1.
armado para detectar posibles errores en la ubica- El rectificador puente de onda completa BR1
ción y orientación de componentes, antes de ali- debe construirse con una tensión inversa de pico
mentar el circuito. de 200 V a 20 A o superior.

DISIPADOR TERMOINTERRUPTOR FILTROS CAPACITORES


(MONTADO EN EL DISIPADOR) T1 FUSIBLES

RB1
+ + BR1
TS1
SUMINISTRO
DE CA
RB2
+ +
CONJUNTO DE
AMPLIFICADOR Y DISIPADOR

SALIDA DE
ENTRADA CA A CC PARLANTES
+
ALIMENTACION DE CIRCUITO DE PROTECCION

Figura Nº 7
ENTRADA DE AUDIO Observe cómo se conecta una fuente de alimentación
DE NIVEL DE LINEA
de dos polaridades al circuito del amplificador.

Debido al diseño de la red de protección, el Esta alta corriente proporciona un margen adi-
amplificador estándar entrega aproximadamente cional de seguridad contra los transistores de alta
110W RMS en una carga de 2 ohmios. No se reco- corriente de los capacitores de filtro de fuente de
miendan para un amplificador de alta calidad pero alimentación.
si desea usarlos, puede reducir los resistores R23 El par de resistores “de drenaje”, RB1 y RB2,
y R24 a 150 ohmios. Esto modifica la red de protec- se instala para descargar con seguridad las car-
ción de modo que la máxima potencia y tolerancia gas peligrosas de los capacitores en caso que se
se pueden obtener con cargas de 2 ohmios. quemen uno (o ambos) fusibles de alimentación.

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VALORES PONTENCIA DE SALIDA
TENSION SECUNDARIA
NOMINALES DEL AMPLIFICADOR (RMS)
E+I TOROIDAL APROX. 4 OHMIOS 8 OHMIOS
60 (PUNTO 1/2) 30 + 30 300 VA 120W 80W
70 (PUNTO 1/2) 35 + 35 400 VA 170W 115W
80 (PUNTO 1/2) 40 + 40 500 VA 200W 150W
90 (PUNTO 1/2) 45 + 45 625 VA 200W 200W
Tabla Nº 1
Potencia de salida estimada en función del tamaño del transformador.

Estos resistores pueden ser de 12 K, 1/2 W de Consultando la figura 4 puede obtenerse un


hasta 63 V de alimentación. La señal de nivel de ajuste preciso de polarización midiendo la ten-
línea de audio se aplica al amplificador en los sión continua del drenaje de Q17 al drenaje de
puntos indicados en la figura 7. Q19 y ajustando R50 para una lectura de 20 mV,
La señal de entrada debe conectarse al módu- que establece la corriente de polarización de los
lo amplificador con un buen cable blindado de MOSFET en aproximadamente 45 mA.
audio, que no debe pasar cerca de ningún otro
cable del amplificador. La sensibilidad para máxi-
ma salida sobre cargas de 4 ohmios es aproxi- Conclusiones
madamente 630 mV RMS. Para cargas de 8 Los módulos amplificadores OPTI3 están dedi-
ohmios, la sensibilidad es aproximadamente 800 cados al hobbysta o el profesional que desea un
mV. El parlante se conecta entre la salida para diseño simple para una amplia variedad de aplica-
parlantes y el común del circuito. ciones de audio. La incorporación de L-MOSFET y
Dada la insensibilidad inherente de este la mayor complejidad del circuito hacen que el
amplificador a los ajustes del punto de reposo, armado sea más exigente que otros diseños pero
R50 se puede centrar simplemente para una dis- la calidad sonora y la confiabilidad a largo plazo
torsión casi óptima. justifican las diferencias de costos.™

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