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AMPLIFICADOR DE AUDIO CON TRANSISTORES

MARY RUTH PAZ


MARI LUZ SANCHEZ
JHONATAN ARDILA

























COLEGIO JOSE ANTONIO GALAN
YUMBO VALLE
2010


AMPLIFICADOR DE AUDIO CON TRANSISTORES









MARY RUTH PAZ
MARI LUZ SANCHEZ
JHONATAN ARDILA






Presentado al profesor

Materia:


















COLEGIO JOSE ANTONIO GALAN
YUMBO VALLE
2010



INTRODUCCIN

En el siguiente trabajo realizaremos un proyecto referente al amplificador de audio
con transistores, en el cual identificamos que un amplificador es un circuito que
permite aumentar el nivel, ya sea de la corriente o del voltaje, de alguna seal
elctrica. Existen muchas clases de amplificadores y sus aplicaciones son
mltiples, entre ellas se encuentran los de audio, los de seales de televisin, los
de potencia utilizada para controlar motores, etc. El proyecto que se presenta es
un pequeo amplificador de audio con potencia de salida mxima de 9w (el vatio o
W es una medida de potencia y est directamente relacionada con la corriente y el
voltaje).
El componente clave de estos amplificadores es el elemento activo, que puede ser
un tubo de vaco o un transistor (normalmente BJT, aunque tambin se emplean
MOSFET). La funcin del BJT es la de amplificar la corriente elctrica que haya en
su base un determinado valor en el colector y en el emisor. El valor de
amplificacin depende del tipo de transistor y del diseo del circuito (valores de los
componentes, configuracin en base comn, colector comn, etc.).
Con transistores se pueden hacer dispositivos ms complejos que tambin
cumplan la funcin de amplificar, como los amplificadores operacionales, y stos a
su vez otros como los amplificadores de instrumentacin.
Otro tipo de amplificadores electrnicos son los diseados especficamente para
audio, en ellos se suelen preferir las vlvulas de vaco a los transistores por sus
mejores caractersticas sonoras. Estos amplificadores para audio son los
preamplificadores y las etapas de potencia.




AMPLIFICADOR DE AUDIO CON TRANSISTORES

Se llama a los amplificadores de acuerdo con el rango de frecuencias a las cuales
presenta una mayor ganancia, misma que depende de las caractersticas
inductivas, capacitivas y resistivas del circuito. No olvidemos que la reactancia es
distinta para cada frecuencia.

Un amplificador de audio es el que est diseado para amplificar de forma
relativamente plana o sea lineal, todas las seales de audio frecuencia (AF). Como
sabemos, estas seales estn comprendidas entre 10 y 20,000 ciclos por
segundo. Cuando utilizamos un amplificador para la voz y no para msica, no se
requiere un ancho de banda amplio, en vista que la voz humana solo tiene sonidos
que comprenden de 200 y 2,700 ciclos.

En un amplificador de transistores estn involucradas los dos tipos de corrientes
(alterna y continua). La alterna es la seal a amplificar y la continua sirve para
establecer el punto de operacin del amplificador.

Este punto de operacin permitir que la seal amplificada no sea distorsionada.

La base del transistor se conecta a dos resistencias
(R1 y R2). Estas dos resistencias forman un divisor
de tensin que permite tener en la base del
transistor una tensin necesaria para establecer la
corriente de polarizacin de la base.

El punto de operacin en corriente continua est sobre una lnea de carga
dibujada en la familia de curvas del transistor.



Hay dos casos extremos:

- Cuando el transistor est en saturacin (Ic
max.), que significa que Vce es prcticamente 0
voltios y
- Cuando el transistor est en corte (Ic = 0), que
significa que Vce es prcticamente igual a Vcc

Si se modifica R1 y/ R2 el punto de operacin se
modificar para arriba o para abajo en la curva
pudiendo haber distorsin.

Si la seal de entrada (Vin) es muy grande, se recortarn los picos positivos y
negativos de la seal de entrada (Vout).

El amplificador tiene 3 etapas diferentes. La primera de ellas est conformada por
un preamplificador, construido por el transistor Q1 (2N3904), que se encarga de
aumentar el nivel de seal entregado por una fuente de audio, el cual, puede ser
demasiado bajo en algunos aparatos. La segunda etapa la conforman los
transistores Q2(BD135) y Q3(BD236); su funcin es amplificar la seal antes de
pasarla a los transistores de salida. La ltima etapa la conforman los transistores
Q4 (TIP41) y Q5 (TIP42), los cuales entregan su seal al parlante a travs del
condensador C8. En este ejercicio un bafle que posee un parlante de 8 ohmios.

Cuando de disear un amplificador se trata, su clasificacin se determina por las
frecuencias con las que trabajar. Cuando los amplificadores estn comprendidos
dentro de la banda audible se les denomina amplificadores de audiofrecuencia
(A.F) o amplificadores de baja frecuencia (B.F.).



AMPLIFICADORES DE VOLTAJE: Son aquellos que estn diseados para
entregar una tensin mayor en su salida, no as en su entrada.

AMPLIFICADORES DE FUERZA O DE POTENCIA: Son los que pueden entregar
mayor corriente como mayor voltaje.

Loa amplificadores estn clasificados en tipos A, B y AB, segn sea su
configuracin, los del tipo C se usan exclusivamente en transmisores.

AMPLIFICADORES CLASE A: Cuando el voltaje de polarizacin y la mxima
amplitud de la seal entrante poseen valores que hacen que la corriente de salida
circule durante todo el ciclo de la seal de entrada, se les denomina:
AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A.

Los amplificadores de clase A se caracterizan por la baja deformacin de la seal,
rendimiento y eficiencia relativamente bajos y alta amplificacin. Con respecto a la
deformacin de la seal podra estar en un 5% mximo, casi imperceptible al odo
humano. Estos amplificadores se recomiendan en casos en los que el rendimiento
deseado sea moderado y con buena fidelidad del sonido

AMPLIFICADORES CLASE B: Cuando el voltaje de polarizacin y la mxima
amplitud de la seal entrante poseen valores que hacen que la corriente de salida
circule durante el semiciclo de la seal de entrada, se les denomina:
AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE B.

La caracterstica principal de estos amplificadores es el alto factor de amplificacin
AMPLIFICADORES CLASE AB: Estos bsicamente son la mezcla de los dos
anteriores. Cuando el voltaje de polarizacin y la mxima amplitud de la seal
entrante poseen valores que hacen que la corriente de salida circule durante


menos del ciclo completo y ms de la mitad del ciclo de la seal de entrada, se les
denomina: AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE AB.

Dado que ocupa un lugar intermedio entre los de clase A y AB, cuando el voltaje
de la seal es moderado funciona como uno de clase A, cuando la seal es fuerte
se desempea como uno de clase B, con una eficiencia y deformacin
moderadas.

AMPLIFICADORES CLASE C: y por ltimo, cuando el voltaje de polarizacin y la
mxima amplitud de la seal entrante poseen valores que hacen que la corriente
de salida circule durante menos de la mitad del ciclo de la seal de entrada, se les
denomina: AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE C.

TRANSISTOR Q1
Q2 es un transistor que funciona con una corriente y una tensin reducida.
Cualquier transistor de seales sirve para esta aplicacin. Se elige el transistor
NPN 2N2222A de b = 100.

TRANSISTOR Q2
Q1 es un transistor de seal. Se puede elegir perfectamente el 2N2222A

CLCULO DE R1 Y R2
La corriente por la base de Q1 es Ib1 = Ic / 100 = 0.1 mA

Se toma una corriente por R2 diez veces superior para poder hacer
aproximaciones:
Io = 1 mA
La tensin en la base de Q1 es:
Vb1 = Ve1 + Vbe1 = 2.2 + 0.7 = 2.9 V


R1 = 2.9 / 1mA = 2900 W
R1 = 2900 W
R2 se calcula a partir de:

=
22-2
1m
= 1100

R2 = 19100 W
CLCULO DE R3 Y R4
Se elige una corriente de colector de 10 mA, un punto de funcionamiento en clase
A y una tensin de emisor de 2.2 V. A partir de estos datos se disean las
resistencias:

=
22
10m
= 220

R3 = 220 W

En el colector de Q1 se tiene la siguiente tensin:



La resistencia R4:




R4 = 880 W

La ganancia de la etapa es:




Suponiendo que se est trabajando a una frecuencia superior a la de corte.

La impedancia de entrada de la siguiente etapa es:
( )

Ze2 = 2553 W

CONDENSADOR DE BLOQUEO C1:
Este condensador (capacitor) se utiliza para bloquear la corriente continua que
pudiera venir de Vin. Este condensador acta como un circuito abierto para la
corriente continua y un corto circuito para la corriente alterna (la que se desea
amplificar). Estos condensadores no se comportan as en la realidad, pero se
comportan as en la realidad, pero se acercan bastante, pudiendo tomarse as.

CONDENSADOR DE DERIVACIN (Ce):
La resistencia Re es una resistencia que aumenta la estabilidad del amplificador,
pero que tiene la gran inconveniente que es muy sensible a las variaciones de
temperatura (causar cambios en la corriente de base, lo que causar variaciones
en la corriente de emisor (Ic = Ib) Esto causar una disminucin en la ganancia
de corriente alterna, lo que no se desea. Para resolver el problema se pone en
paralelo con Re un condensador que funcionar como un corto circuito para la
corriente alterna y un circuito abierto para corriente continua.

- El voltaje de salida estar dada por la siguiente frmula:
Vout = Ic x Rc = x Ib x Rc = hfe x Ib x Rc

- La ganancia de voltaje es: V - Vout / Vin = - Rc / Zin.
(el signo menos indica que Vout esta 180 fuera de fase con al entrada Vin)

- La ganancia de corriente es: I = (Vout x Zin) / (Vin x Rc) = ganancia de
voltaje x Zin / Rc



- La ganancia de potencia es = ganancia de voltaje x ganancia de corriente
= P = V x I

- Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que normalmente no es un valor
alto (contrario a lo deseado)
- Zo (impedancia de salida) = Rc
- La salida est 180 desfasada con respecto a la entrada (es invertida).


POTENCIAS DE LOS AMPLIFICADORES DE AUDIO

Un amplificador de audio tiene que cumplir siempre con las leyes de la
termodinmica. La potencia entregada al parlante no puede ser nunca mayor a la
potencia que ingresa por la fuente. Y que quede claro que dije la potencia
entregada al parlante y no la potencia entregada por el parlante, que depende del
rendimiento del mismo y que no podemos medir fcilmente por tratarse de una
unidad acstica (llamada presin sonora) muy difcil de medir.

TRANSISTORES

Es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.

(BJT, BIPOLARES, PNP, NPN, DARLINGTON, ETC)

Los transistores operan con portadores minoritarios inyectados desde el emisor a
la base que hace que fluyan a travs de la base hacia el colector, controlando la
corriente de la base.

Los transistores estn disponibles como dispositivos PNP y NPN, permitiendo que
uno tire de la seal de salida. Los transistores estn tambin disponibles en pares


emparejados y empaquetados, pares seguidores de emisor, arrays de transistores
mltiples e incluso en complejos "circuitos integrados", donde estn combinados
con resistencias y condensadores para conseguir funciones de circuitos
complejos.

Como las vlvulas, hay muchas clases de BTJs disponibles. Algunos tienen una
alta ganancia de corriente, mientras que otros tienen menor ganancia. Algunos
son rpidos, y otros lentos. Algunos manejan altas corrientes mientras que otros
tienen capacidades de entrada bajas. Algunos tienen menos ruido que otros. En
general, los transistores son estables, duran casi indefinidamente, tienen alta
ganancia, requieren alguna corriente de entrada, tienen baja resistencia de
entrada, tienen capacidad de mayores entradas, saturan rpidamente, y son lentos
de recuperarse de la sobrecarga (saturacin). Los transistores tienen un amplio
margen antes de la saturacin.

Los transistores estn sujetos a un modo de fallo llamado segunda avalancha, que
sucede cuando el dispositivo esta trabajando a alto voltaje y alta corriente. La
segunda avalancha puede evitarse con un diseo prudente, lo cual le dio a los
primeros amplificadores de transistores una mala reputacin de fiabilidad. Los
transistores son tambin susceptibles de descontrolarse con la temperatura
cuando se usan incorrectamente. Sin embargo, los diseos prudentes evitan el
segunda avalancha y el embalamiento trmico.

MOSFET: (VMOS, TMOS, DMOS, NMOS, PMOS, IGFET, etc)

Los transistores de efecto de campo semiconductor metal-oxido usan una puerta
aislada para modular el flujo de la corriente portadora principal de la fuente al
drenaje con el campo elctrico creado por la puerta. Como los bipolares, los
MOSFETs estn disponibles en P y N. Tambin como los transistores, los


MOSFEt estn disponibles en pares y circuitos integrados. Los MOSFET
emparejados no se acoplan tan bien como los pares de transistores bipolares,
pero se emparejan mejor que las vlvulas.

Los MOSFETs estn tambin disponibles en muchos tipos. Sin embargo, todos
tienen baja corriente de entrada y bastante baja capacidad de entrada. Los
MOSFET tienen menor ganancia, se saturan moderadamente y se recuperan
rpidamente de la saturacin. A pesar de que los MOSFETs de potencia no tienen
puerta en DC, la capacidad de entrada finita quiere decir que los MOSFET de
potencia tienen una puerta finita de corriente AC. Los MOSFET son estables y
robustos. No son susceptibles de embalamiento trmico ni segunda avalancha.
Sin embargo, los MOSFETs no pueden soportar abusos tan bien como las
valvulas.

JFET:

Transistores de efecto de unin de campo operan exactamente igual que los
MOSFET, pero no tienen una puerta aislada. Los JFETs comparten la mayora de
las caracteristicas de los MOSFETs, incluyendo parejas disponibles, tipos P y N, y
circuitos integrados.

Los JFETs no estn disponibles normalmente como dispositivos de potencia. Ellos
hacen excelentes preamplificadores de bajo ruido. La unin de la puerta da a los
JFETs mayor capacidad de entrada que los MOSFETs e incluso les previene de
ser usados en modo de acumulacion o enriquecimiento. Los JFETs nicamente se
usan como circuitos de deplexion o empobrecimiento.

Los JFETs estan disponibles tambien como parejas y se emparejan casi tan bien
como los transistores bipolares.


IGBT: (o IGT)

Transistores bipolares de puerta aislada son una combinacin de un MOSFET y
un transistor bipolar. La parte MOSFET del dispositivo sirve como dispositivo de
entrada y el bipolar como la salida.

Los IGBTs estn solo disponibles hoy como dispositivos tipo N, pero los
dispositivos P son posibles en teora. Los IGBTs son ms lentos que otros
dispositivos pero ofrecen un bajo costo, la alta capacidad de corriente de los
transistores bipolares con la baja corriente de entrada y la baja capacidad de
entrada de los MOSFETs.

Sufren de saturacin tanto o ms que los transistores bipolares, e incluso sufren
de segunda avalancha. Raramente se usan en audio High-end, pero a veces se
usan para amplificadores de extremadamente alta potencia.




PROYECTO AMPLIFICADOR DE AUDIO CON TRANSISTORES

Lista de Materiales:

- 1 Transistor 2N3904
- 1 Transistor 2N301
- 1 condensador electroltico de 10 uF a 16 Voltios
- 1 condensador de cermica de 0.1 uF
- 1 Resistencia de 1 M 1/2 Watts
- 1 Resistencia de 22 k 1/2 Watts
- 1 resistencia de 22 K 1/2 Watts
- 1 resistencia de 10 1/2 Watts
- 1 parlante de 8 1 Watts
- Conector para pilas de 9 Voltios
- 6 Terminales para circuito impreso
- Circuito Impreso

Descripcin:

El circuito amplificador de audio esta conformado por dos estapas de audio
compuestas por transistores. En la entrada de seal se puede conectar un
micrfono y en la salida un parlante.





CONCLUSIN


Con el anterior trabajo podemos concluir que:


Entre los componentes de un sistema de grabacin y reproduccin de
sonido estn incluidos los amplificadores. Su misin es recibir una seal
elctrica de uno de los componentes del sistema, y aumentar su valor para
que pueda ser utilizada por algn otro.

Los efectos de la temperatura sobre los transistores de salida pueden
causar mal funcionamiento del amplificador, e incluso llegar a daarlos.
Para evitar este problema, utilizamos disipadores de calor en dichos
componentes. Los disipadores se deben conseguir de acuerdo al
encapsulado o forma fsica del componente que debemos proteger; en este
caso buscamos uno que se acople a un encapsulado TO-220.



BIBLIOGRAFA

Investigacin en internet:

www.electronica2000.net

C. J. Savant Jr. ; Martin S. Roden ; Gordon L. Carpenter : Diseo Electrnico 3ed
EL TRANSISTOR, circuitos y aplicaciones. Curso BASICO-5. DEGEM SYSTEMS
LTD.

ENCICLOPEDIA TEMTICA MULTIMEDIA: Enciclopedia de Electrnica. F&G
Editores. Madrid, 1996.









R3
22K
P
8
R4 10
R2
22K
Q1
2N3904
C.2
10.M.F
Q1
AD 149
C.1
0.1 M.F E

B
E
R1
1.m
9V


B

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