1).

- ELECTRÓNICA DE POTENCIA
1.1) Definición.- La Electrónica de potencia es la disciplina que
involucra el estudio de los circuitos electrónicos usados para el
control del flujo de la energía eléctrica.
Estos circuitos manejan flujos de potencia en niveles bastante altos.

1.2) Aplicaciones.- Durante muchos años ha existido la necesidad

de controlar la potencia eléctrica de los sistemas de tracción y de
controles industriales impulsados por motores eléctricos.
La electrónica de potencia ha revolucionado la idea del control para
la conversión de potencia y para el control de los motores eléctricos.
La electrónica de potencia combina:
 la electrónica,
 el control y
 la energía.
El control: Se encarga del régimen permanente y de las
características dinámicas de los sistemas de lazo cerrado.
La energía: Tiene que ver con el equipo de potencia estática y
rotativa o giratoria, para la generación, transmisión y distribución de
energía eléctrica.
La electrónica: Se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado
sólido requeridos en el procesamiento de señales para cumplir con
los objetivos de control deseados.
En la figura 1-1 se muestra la interrelación de la electrónica de
potencia con la energía, la electrónica y el control.

Fig.1.1 Relación de la Electrónica de Potencia con la energía, la

electrónica y el control
La electrónica de potencia se basa, en primer término, en la
conmutación de dispositivos semiconductores de potencia.
Con el desarrollo de la tecnología de los semiconductores de
potencia, las capacidades del manejo de la energía y la velocidad de
conmutación de los dispositivos de potencia han mejorado
tremendamente.
El desarrollo de la tecnología de los nanoprocesadores
microcomputadoras (DSP’s), tiene un gran impacto sobre el control
y la síntesis de las estrategias de control para los dispositivos
semiconductores de potencia.
El equipo de electrónica de potencia moderno utiliza
semiconductores de potencia (1), que pueden compararse con el
músculo y nanoelectrónica(2), que tiene el poder y la inteligencia
del cerebro.

La electrónica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la

tecnología moderna y se utiliza ahora en una gran diversidad de
productos de alta potencia, que incluyen:
 Controles de motores, de calor, de iluminación.
 Fuentes de alimentación.
 Sistemas de propulsión de vehículos.
 Sistemas de corriente directa de alto voltaje (HVDC).

1.4) DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA:

Desde que se desarrolló el primer tiristor o rectificador

controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes
adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia.
Hasta 1970, los tiristores convencionales se habían utilizado en
forma exclusiva para el control de la energía en aplicaciones
industriales.
A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos
semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma
comercial.
Estos se pueden clasificar en:
Los diodos de potencia son de tres tipos:
(a) De uso general,
(b) De alta velocidad (o de recuperación rápida) y
(c) Schottky.

Fig.1.3 Diodos de potencia tipo laser.

Fig1.4 Varias configuraciones de SCR’s.

 Fig1.5. IGBT e igbt compactos.

FIG.1.6 Capacidad de los dispositivos Semiconductores de

Potencia(V,I,F)

Fig.1.7 Capacidad de los dispositivos Semiconductores de Potencia(P,F)

 Fig.1.8 Evolución practica de las aplicaciones de la E.P.

Tabla 1.1 Características y Símbolos De Algunos Dispositivos De

Potencia.
 2).- DIODOS
2.1) INTRODUCCIÓN :
Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel
significativo en los circuitos electrónicos de potencia.
Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias
funciones, como la de:
 Interruptores en los rectificadores.
 De marcha libre en los reguladores conmutados.
 Inversión de carga de condensadores y
 Transferencia de energía entre componentes.
 Aislamiento de voltajes.
 Retroalimentación de la energía de la carga, a la fuente de
energía .
Se puede suponer para efecto de análisis, que los diodos de potencia
son interruptores ideales, pero los diodos prácticos o reales difieren
de las características ideales y tienen ciertas limitaciones.
Los diodos de potencia son similares a los diodos de señal de unión
pn.
Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en
el manejo de la energía, el voltaje y la corriente, que los diodos de
señal ordinarios.
La respuesta a la frecuencia (o velocidad de comunicación) es baja
en comparación de los diodos de señal.

2.2) CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS :

Un diodo de potencia es un dispositivo de unión pn. de dos
terminales.
En la Figura 2.1 aparece un corte transversal de una unión pn. y
un símbolo de diodo.

Fig. 2.1 Símbolo del diodo y unión pn

Cuando el potencial de ánodo es positivo con respecto al cátodo,
se dice que el diodo tiene polarización directa o positiva y el
diodo conduce.
Un diodo en conducción tiene una caída de voltaje directa
relativamente pequeña a través de si mismo; y su magnitud
depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la
unión.
Cuando el potencial del cátodo es positivo con respecto al ánodo,
se dice que le diodo tiene polarización inversa.
Y bajo estas condiciones (polarización inversa), fluye una
pequeña corriente inversa (también conocida como corriente de
fuga) en el rango de los micros o de los miliamperios, cuya
magnitud crece lentamente en función del voltaje inverso, hasta
llegar al .

Fig.2.2 Características v-i de un diodo de Potencia en régimen

permanente.

Para fines prácticos, un diodo se puede considerar como un

interruptor ideal, cuyas características se muestran en la fig2.2b.
Las características v-i mostradas en la fig.2-2a se pueden
expresar mediante una ecuación conocida como la ecuación
Schockley de diodo , y esta dada por:
VD

I D  I S (e nVT
 1)

................................. (2-1)
donde:
ID = corriente a través del diodo (A).
VD = voltaje del diodo con el ánodo positivo con respecto al
cátodo (V).
IS = corriente de fuga (o corriente de saturación Inversa),
típicamente en el rango entre 10-6 y 10-5 A. (A una temperatura
especifica Is es una constante para c/diodo)

n = constante empírica conocida como coeficiente de emisión o

factor de idealidad, cuyo valor varía de 1 a 2. (dependedle material y la
construcción física del diodo Si=2, Ge=1 para valores reales n cae entre 1.1 y 1.8)

VT = constante llamada voltaje térmico y esta dada por:

KT
VT 
q ................................ (2.2)

Donde:
 q = carga del electrón: 1.6022*10-19 culombios (C)
 T = temperatura absoluta en Kelvins (K = 273+°C)
 k = constante de Boltzmann: 1.3806*10-23 J/K
A una temperatura de unión de 25°C, la ecuación (2-2) da:
KT 1.3806 *10 23 * (273  25)
VT ( 250 C )    25.8mV
q 1.6022 *10 19

El diodo real tiene una característica como la de la fig.2.2a y se

puede dividir en tres regiones:
(1) Región de polarización directa, donde VD>0
(2) Región de polarización inversa, donde VD<0
(3) Región de ruptura, donde VD< -VZK.
(2.2.1) Región de polarización directa :
En la región de polarización directa, VD>0.
La corriente del diodo ID es muy pequeña si el voltaje del diodo
VD es menor que un valor específico VTD (típicamente 0.7 V).
El diodo conduce totalmente si: VD > VDT, que se conoce como
voltaje umbral, voltaje de corte, o voltaje de activación.
Por lo tanto, el “voltaje umbral es un voltaje al cual el diodo
conduce totalmente”.
Consideremos un pequeño voltaje de diodo VD = 0.1 Volt., n =1 y
VT=25.8 mV.
De (2-1) encontramos que la corriente correspondiente al diodo
ID es:
VD
 1)  I S  e 1*0.0258  1  I S (48.23  1)
0.1
I D  I S (e nVT

 

= 48.23*IS , con 2.1% de error

Luego:
para VD>0.1V, que es por lo general el caso, ID>>IS, (2-1) se
puede aproximar, dentro de un error de 2.1%, a
V VD
I D  I S (e nVT
 1)  I S e nVT ......................... (2-3)

(2.2.2) Región de polarización inversa.

En la región de polarización inversa, VD<0.
Si VD<0y │VD│>>VT, cosa que ocurre para VD<-0.1, el termino
de la exponencial de la ecuación (2-1) se vuelve
despreciablemente pequeño en comparación con la unidad, y la
corriente del diodo ID se vuelve
V
I D  I S (e nVT
 1)   I S

“Lo que indica que la corriente del diodo I D en la dirección

inversa es constante y es igual a IS”.

(2.2.3) Región de ruptura.

En la región de ruptura, el voltaje es alto, por lo general mayor
que 1000 V.
La magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado
conocido como voltaje de ruptura, VBR.
La corriente inversa aumenta rápidamente con un pequeño
cambio en el voltaje inverso más allá de VBR.
La operación en la región de ruptura no será destructiva,
siempre y cuando la disipación de la potencia esté dentro del
“nivel seguro” especificado en la hoja de datos del fabricante.
A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la región de ruptura, para
mantener la disipación de la energía dentro de valores permisibles.

Ejemplo 2-1 :
La caída de voltaje directa de un diodo de potencia es V D=1.2 V
a ID=300 A. Suponiendo que n=2 y VT=25.8 mV, encuentre la
corriente de saturación IS.
Solución :
Aplicando la ecuación (2-1), podemos encontrar la corriente de
fuga (o corriente de saturación) IS, a partir de
1.2
300  I S (e 2*25.8*10  3
 1)

lo que nos da IS=2.38371*10-8 A.

2.3) CARACTERÍSTICAS DE LA RECUPERACIÓN INVERSA :

Cuando un diodo está en modo de conducción directa y su
corriente se reduce a cero (debido al comportamiento natural
del circuito del diodo o a la aplicación de un voltaje inverso), el
diodo continúa conduciendo, debido a los portadores
minoritarios que permanecen almacenados en la unión pn y en
el material del cuerpo del semiconductor.
Los portadores minoritarios requieren de un cierto tiempo para
recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse.
Este tiempo se conoce como tiempo de recuperación inversa del
diodo.

Fig.2.3 Características de recuperación Inversa.

En la figura 2-3 se muestran dos características de recuperación
inversa de diodos de unión.
El más común es el tipo de recuperación suave.
El tiempo de recuperación inversa se denomina trr y se mide a
partir del cruce del cero inicial de la corriente del diodo con el
25% de la corriente inversa máxima (o de pico), IRR.
trr está formado por dos componentes, ta y tb.

 ta está generado por el almacenamiento de carga en la

región de agotamiento de la unión y representa el tiempo
entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, IRR.
  tb es debido al almacenamiento de carga en el material del
cuerpo del semiconductor.
La relación tb/ta se conoce como el factor de suavidad, SF.
Para efectos prácticos, uno debe preocuparse por el tiempo total
de recuperación trr y por el valor pico de la corriente inversa IRR.
t rr  t a  t b ....................................... (2-5)
La corriente inversa pico se puede expresar como :
di
I RR  t a
dt
......................................... (2-6)

El tiempo de recuperación inversa trr, se define como el

intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente pasa a
través de cero, durante el cambio de la conducción directa a la
condición de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente
inversa se ha reducido al 25% de su valor inverso pico iRR.
trr depende de:
 la temperatura de la unión,
 de la velocidad de abatimiento de la corriente directa antes
de la conmutación.
La carga de recuperación inversa QRR, es la cantidad de
portadores de carga que fluyen a través del diodo en dirección
inversa debido a un cambio de la conducción directa a la
condición de bloqueo inverso.
Su valor queda determinado por el área encerrada por la
trayectoria de la corriente de recuperación inversa.
La carga de almacenamiento, que es el área envuelta por la
trayectoria de la corriente de recuperación, es aproximadamente
I RR t a I RR t b I RR t RR
QRR   
2 2 2 .............................. (2-7)
O bien
2QRR
I RR  ............................... (2-8)
t rr

(2-6) = (2-8) , nos da:

2QRR
t rr t a  ............................... (2-9)
di
dt
Si tb es despreciable en comparación con ta, que por lo general es
el caso, trr ≈ ta, y la ecuación (2-9) se convierte en :
2QRR
trr  ................................................ (2-10)
di
dt
di
I RR  2QRR
dt
................................................ (2-11)

De (2-10) y (2-11) notamos que el tiempo de recuperación

inversa trr y la corriente de recuperación inversa pico IRR
dependen de la carga de almacenamiento QRR y de di/dt inverso.

La carga de almacenamiento depende de:

 La corriente directa del diodo IF.
 La corriente de recuperación inversa pico IRR.
La carga inversa QRR y el factor de suavidad son todos de interés
para el diseñador de circuitos, y estos parámetros se incluyen en
forma común en las hojas de especificaciones de diodos.
Si un diodo está en condiciones de polarización inversa, fluye
una corriente de fuga debida a los portadores minoritarios.
En ese caso, la aplicación de un voltaje directo obligaría al diodo
a conducir la corriente en la dirección directa. Sin embargo, se
requiere de un cierto tiempo, conocido como el tiempo de
recuperación directa (o de activación), antes de que los
portadores mayoritarios de toda la unión puedan contribuir al
flujo de corriente.
Si la velocidad de elevación de la corriente directa es alta, y la
corriente directa está concentrada en una pequeña superficie de
la unión, el diodo puede fallar.
Por lo tanto, el tiempo de recuperación directo limita la
velocidad de elevación de la corriente directa y la velocidad de
conmutación.
Ejemplo 2-2
El tiempo de recuperación inversa de un diodo es t rr=3μs y la
velocidad del decremento o de la reducción de la corriente del

diodo es di/dt=30A/μs. Determine:

(a) la carga de almacenamiento QRR y
(b) la corriente inversa pico IRR.
Solución : trr=3μs y di/dt = 30 A/μs.
De la ecuación (2-10) :
1 di 2
Q RR  t rr  0.5 * 30 A / s * (3 * 10 6 ) 2  135C
2 dt

De la ecuación (2-11) :
di
I RR  2Q RR  2 * 135 * 10 6 * 30 * 10 6  90 A
dt

*******************************************************
2.4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA :

Idealmente, un diodo no debería de tener tiempo de

recuperación inversa.
Sin embargo, el costo de fabricación de un diodo semejante
aumentaría.
En muchas aplicaciones, no son de importancia los efectos del
tiempo de recuperación inversa, y se pueden utilizar diodos poco
costosos.
Dependiendo de las características de recuperación y de las
técnicas de fabricación, los diodos de potencia se pueden
clasificar en tres categorías.
Las características y las limitaciones practicas de cada uno de estos tipos restringen
sus aplicaciones.

Los diodos de potencia son de tres tipos:

a) De uso general,
b) De alta velocidad (o de recuperación rápida) y
c) Schottky.
2.4.1) Diodos de uso general :

Los diodos rectificadores de uso general.

 Tienen un trr relativamente alto, típicamente de 25μs.
 Se utilizan en aplicaciones de baja velocidad (hasta 1kHz).
 Trabajan con corrientes desde 1 A hasta varios miles de
Amp. Con voltajes desde 50 V hasta 5 kV.
 Estos diodos generalmente se fabrican por difusión.
 Existen los rectificadores de tipo de aleación usados en las
fuentes de alimentación para máquinas de soldadura son
muy económicos y duraderos, cuyas especificaciones
pueden llegar hasta 400 A y 1500 V.
2.4.2) Diodos de recuperación rápida :

 Se usan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, donde la

velocidad de recuperación es a menudo de importancia
crítica.
 Tienen trr bajo, menor que 5 μS.
 Trabajan desde 1Amp hasta varios cientos de Amp.
 Con tensiones desde 50 V hasta 3 kV.
 Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los
diodos de recuperación rápida por lo general se fabrican
por difusión y el tiempo de recuperación es controlado por
difusión de oro o platino.
 Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 V, los
diodos epitaxiales proporcionan velocidades de
conmutación mayores que las de los diodos de difusión.
(Los diodos epitaxiales tienen la base mas angosta, lo que
permite un rápido tiempo de recuperación, tan bajo como
50 nS).

En la fig.2.4 se muestran diodos de recuperación rápida de

varios tamaños.

Fig. 2.4 Diodos de recuperación rápida.

2.4.3) Diodos Schottky : (Portadores de alta energia)

 El efecto de recuperación se debe únicamente a la

autocapacitancia de la unión semiconductora.
 Tiene una salida de voltaje directa relativamente baja.
 La corriente de fuga es mayor que la de un diodo de unión
pn.
 Un diodo Schottky con un voltaje de conducción
relativamente bajo tiene una corriente de fuga
relativamente alta, y viceversa.
 Como resultado, su voltaje máximo permisible está por lo
general limitado a 100V.
 Trabajan con corrientes desde 1 A a 300A.
 Son ideales para las fuentes de alimentación de alta
corriente y de bajo voltaje en corriente directa.
 Sin embargo, también se utilizan en fuentes de
alimentación de baja corriente para una eficiencia mayor.

Fig.2.5 Rectificadores Shottky de 20 y de 30 Amperios, duales.

Diodos de carburo de silicio:

El carburo de silicio (SiC) es un material nuevo para la

electrónica de potencia: Sus propiedades físicas superan en
mucho a las a las del Si y a las Ga As. Por ejemplo, los diodos
Shottky de SiC fabricado por Infeneon Technologies tiene
perdidas de potencia ultra bajas y alta confiabilidad.

Cuentan con las siguientes propiedades salientes:

- Carecen de tiempo de recuperación Inversa.

- Observan un comportamiento de conmutación ultrarrápida.
- Su comportamiento de conmutación no se ve afectado por la
temperatura.

La carga de almacenamiento tipica es Qrr= 21 nC, para un

diodo de 600V, 6A y de 23 nC para uno de 600V y 10A.

Las características de baja recuperación inversa de los diodos de

SiC, implican también una baja corriente de recuperación
inversa, ahorrando energía en muchas aplicaciones como fuentes
de potencia, conversión de energía solar, transportes etc.

Estos dispositivos ofrecen mayor eficiencia , un menor tamaño y

alta frecuencia de conmutación, a la vez que producen una
interferencia electromagnética (EMI) mucho menor en una gran
diversidad de aplicaciones.

Diodos Shottky de carburo de silicio:

Estos diodos cuentan con las siguientes características:

- Perdidas mínimas de conmutación por la baja carga de

recuperación Inversa.
- Transitorio de corriente totalmente estable, gran confiabilidad
y robustez.
- Bajos costos del sistema gracias a los reducidos requerimientos
de enfriamiento.
- Diseños de alta frecuencia y soluciones de mayor densidad de
potencia.
Especificaciones
Fig.2.6 Especificaciones de un diodo de Potencia.
 Fig.2.7 Especificaciones de un diodo de potencia.

2.5) DIODOS CONECTADOS EN SERIE :

En muchas aplicaciones de alto voltaje (Ejemplo en líneas de

transmisión HVDC), un diodo comercialmente disponible no
puede satisfacer la especificación de voltaje requerida, por lo
que los diodos se conectan en serie para aumentar las
capacidades de bloqueo inverso.

Consideramos dos diodos conectados en serie, como se muestra

en la fig.2.8a. En la práctica, las características v-i para el mismo tipo de diodo
difieren debido a la tolerancia en su proceso de producción . En la fig.2.8-b se
muestran dos características v-i para tales diodos.
 Fig. 2.8 Diodos conectados en serie con polarización inversa

En condición de polarización directa, ambos diodos conducen la

misma cantidad de corriente, y la caída de voltaje directa de
cada diodo debería ser prácticamente la misma.
Sin embargo, en la condición de bloqueo inverso, cada diodo
tiene que llevar la misma corriente de fuga y, como resultado, los
voltajes de bloqueo variarán en forma significativa.

Una solución sencilla a este problema, tal y como se muestra en

la fig.2.9-a, es obligar a que se comparta el mismo voltaje
conectando una resistencia a través de cada diodo.
Debido a esta distribución de voltajes iguales, la corriente de
fuga de cada diodo sería diferente, lo cual se muestra en la
fig.2.9b.

Fig.2.9 Diodos conectados en serie, con características de

distribución de voltaje en régimen permanente-
En vista que la corriente de fuga debe ser compartida por un
diodo y su resistencia.

I s  I s1  I R1  I s 2  I R 2 ........................... (2-12)

Pero: IR1 =VD1 /R1 e IR2 = VD2/R2.

La ecuación (2-12) proporciona la relación entre R1 y R2 para
una distribución de voltaje igual, en la forma.
VD1 V
I s1   I s 2  D1 ................................. (2-13)
R1 R2
Si las resistencias son iguales, R = R1 = R2 y los dos voltajes del
diodo serían ligeramente distintos, dependiendo de las
similitudes entre las dos características v-i.

Los valores VD1 y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (2-

14) y (2-15):
VD1 V
I s1   I s 2  D1 ........................... (2-14)
R R
VD1  VD2  Vs ........................... (2-15)

La distribución del voltaje bajo condiciones transitorias (o sea,

debido a cargas en conmutación, aplicaciones iniciales de un voltaje de
entrada) se lleva a cabo conectando condensadores a través de
cada diodo, lo que se muestra en la fig.2.10. R1 limita la
velocidad de elevación del voltaje de bloqueo.
Fig.2.10 Diodos en serie con redes de distribución de voltaje bajo
condiciones de régimen permanente y transitorio.

2.6) DIODOS CONECTADOS EN PARALELO :

En aplicaciones de alta potencia, los diodo se conectan en

paralelo para aumentar la capacidad de conducción de
corriente, a fin de alcanzar las especificaciones de corriente
deseadas.

La distribución de corriente de los diodos estaría de acuerdo con

sus respectivas caídas de voltaje directas.

 Se puede obtener una distribución uniforme de corriente

proporcionando inductancias iguales (por ejemplo en los
terminales),
 O conectando resistencias de distribución de corriente
(cosa que puede no ser práctica debido a perdidas de
energía); lo anterior se muestra en la fig.2.11.

Fig.2.11Diodos conectados en Paralelo.

Es posible minimizar este problema seleccionado diodos con
caídas de voltaje directas iguales o diodos del mismo tipo.

 Las resistencias de la fig.2.11-a, ayudarán a la repartición

de corriente en condiciones de régimen permanente.
 La repartición de corriente en condiciones dinámicas se
puede llevar a cabo mediante la conexión de inductores
acoplados, ver fig.2.11-b.

Los inductores generarían picos de voltaje y podrían resultar

costosos y voluminosos, especialmente en corrientes altas.