1).

- ELECTRÓNICA DE POTENCIA
1.1) Definición.- La Electrónica de potencia es la disciplina que involucra el estudio de los circuitos
electrónicos usados para el control del flujo de la energía eléctrica.
Estos circuitos manejan flujos de potencia en niveles bastante altos.

1.2) Aplicaciones.- Durante muchos años ha existido la necesidad de controlar la potencia eléctrica de los
sistemas de tracción y de controles industriales impulsados por motores eléctricos.
La electrónica de potencia ha revolucionado la idea del control para la conversión de potencia y para el
control de los motores eléctricos.
La electrónica de potencia combina:
 la electrónica,
 el control y
 la energía.
El control: Se encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los sistemas de lazo
cerrado.
La energía: Tiene que ver con el equipo de potencia estática y rotativa o giratoria, para la generación,
transmisión y distribución de energía eléctrica.
La electrónica: Se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado sólido requeridos en el procesamiento de
señales para cumplir con los objetivos de control deseados.
En la figura 1-1 se muestra la interrelación de la electrónica de potencia con la energía, la electrónica y el
control.

Fig.1.1 Relación de la Electrónica de Potencia con la energía, la electrónica y el control

La electrónica de potencia se basa, en primer término, en la conmutación de dispositivos semiconductores de
potencia.
Con el desarrollo de la tecnología de los semiconductores de potencia, las capacidades del manejo de la
energía y la velocidad de conmutación de los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente.
El desarrollo de la tecnología de los microprocesadores microcomputadoras (DSP’s), y los
microcontroladores, tiene un gran impacto sobre el control y la síntesis de las estrategias de control para los
dispositivos semiconductores de potencia.
El equipo de electrónica de potencia moderno utiliza semiconductores de potencia (1), que pueden
compararse con el músculo y nanoelectrónica (2), que tiene el poder y la inteligencia del cerebro.

La electrónica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnología moderna y se utiliza ahora en

una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluyen:
 Controles de motores, de calor, de iluminación.
 Fuentes de alimentación.
 Sistemas de propulsión de vehículos.
 Sistemas de corriente directa de alto voltaje (HVDC).

1.4) DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA:

Desde que se desarrolló el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha
habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia.
Hasta 1970, los tiristores convencionales se habían utilizado en forma exclusiva para el control de la
energía en aplicaciones industriales.
A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia que
quedaron disponibles en forma comercial.
Estos se pueden clasificar en:
Los diodos de potencia son de tres tipos:
(a) De uso general,
(b) De alta velocidad (o de recuperación rápida) y
(c) Schottky.

Fig.1.3 Diodos de potencia tipo laser.

Fig1.4 Varias
configuraciones de
SCR’s.
 Fig1.5. IGBT e igbt compactos.

FIG.1.6 Capacidad de los dispositivos Semiconductores de Potencia(V,I,F)

Fig.1.7 Capacidad de los dispositivos Semiconductores de Potencia(P,F)

 Fig.1.8 Evolución practica de las aplicaciones de la E.P.

Tabla 1.1 Características y Símbolos De Algunos Dispositivos De Potencia.

2.1) INTRODUCCIÓN :

Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel significativo en los circuitos electrónicos de
potencia.
Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias funciones, como la de:
 Interruptores en los rectificadores.
 De marcha libre en los reguladores conmutados.
 Inversión de carga de condensadores y
 Transferencia de energía entre componentes.
 Aislamiento de voltajes.
 Retroalimentación de la energía de la carga, a la fuente de energía .
Se puede suponer para efecto de análisis, que los diodos de potencia son interruptores ideales, pero los diodos
prácticos o reales difieren de las características ideales y tienen ciertas limitaciones.
Los diodos de potencia son similares a los diodos de señal de unión pn.
Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en el manejo de la energía, el voltaje y la
corriente, que los diodos de señal ordinarios.
La respuesta a la frecuencia (o velocidad de comunicación) es baja en comparación de los diodos de señal.

2.2) CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS :

Un diodo de potencia es un dispositivo de unión pn. de dos terminales.
En la Figura 2.1 aparece un corte transversal de una unión pn. y un símbolo de diodo.

Fig. 2.1 Símbolo del diodo y unión pn

Cuando el potencial de ánodo es positivo con respecto al cátodo, se dice que el diodo tiene polarización
directa o positiva y el diodo conduce.
Un diodo en conducción tiene una caída de voltaje directa relativamente pequeña a través de si mismo;
y su magnitud depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unión.
Cuando el potencial del cátodo es positivo con respecto al ánodo, se dice que le diodo tiene polarización
inversa.
Y bajo estas condiciones (polarización inversa), fluye una pequeña corriente inversa (también conocida
como corriente de fuga) en el rango de los micros o de los miliamperios, cuya magnitud crece
lentamente en función del voltaje inverso, hasta llegar al .
Fig.2.2 Características v-i de un diodo de Potencia en régimen permanente.

Para fines prácticos, un diodo se puede considerar como un interruptor ideal, cuyas características se
muestran en la fig2.2b.
Las características v-i mostradas en la fig.2-2a se pueden expresar mediante una ecuación conocida
como la ecuación Schockley de diodo , y esta dada por:

VD

I D  I S (e nVT
 1)
................................. (2-1)
donde:
ID = corriente a través del diodo (A).
VD = voltaje del diodo con el ánodo positivo con respecto al cátodo (V).
IS = corriente de fuga (o corriente de saturación Inversa), típicamente en el rango entre 10 -6 y 10-5 A. (A
una temperatura especifica Is es una constante para c/diodo)
n = constante empírica conocida como coeficiente de emisión o factor de idealidad, cuyo valor varía de
1 a 2. (dependedle material y la construcción física del diodo Si=2, Ge=1 para valores reales n cae entre
1.1 y 1.8)
VT = constante llamada voltaje térmico y esta dada por:

KT
VT 
q ................................ (2.2)

Donde:
 q = carga del electrón: 1.6022*10-19 culombios (C)
 T = temperatura absoluta en Kelvins (K = 273+°C)
 k = constante de Boltzmann: 1.3806*10-23 J/K
A una temperatura de unión de 25°C, la ecuación (2-2) da:

KT 1.3806 *10 23 * (273  25)

VT ( 250 C )   19
 25.8mV
q 1.6022 *10

El diodo real tiene una característica como la de la fig.2.2a y se puede dividir en tres regiones:
(1) Región de polarización directa, donde VD>0
(2) Región de polarización inversa, donde VD<0
(3) Región de ruptura, donde VD< -VZK.

(2.2.1) Región de polarización directa :

En la región de polarización directa, VD>0.
La corriente del diodo ID es muy pequeña si el voltaje del diodo VD es menor que un valor específico
VTD (típicamente 0.7 V).
El diodo conduce totalmente si: VD > VDT, que se conoce como voltaje umbral, voltaje de corte, o voltaje
de activación.
Por lo tanto, el “voltaje umbral es un voltaje al cual el diodo conduce totalmente”.
Consideremos un pequeño voltaje de diodo VD = 0.1 Volt., n =1 y VT=25.8 mV.
De (2-1) encontramos que la corriente correspondiente al diodo ID es:
VD
 1)  I S  e 1*0.0258  1  I S (48.23  1)
 0.1
I D  I S (e nVT

 
= 48.23*IS , con 2.1% de error

Luego:
para VD>0.1V, que es por lo general el caso, ID>>IS, (2-1) se puede aproximar, dentro de un error de
2.1%, a

V VD
I D  I S (e nVT
 1)  I S e nVT
......................... (2-3)

(2.2.2) Región de polarización inversa.

En la región de polarización inversa, VD<0.
Si VD<0y │VD│>>VT, cosa que ocurre para VD<-0.1, el termino de la exponencial de la ecuación (2-1) se
vuelve despreciablemente pequeño en comparación con la unidad, y la corriente del diodo I D se vuelve
 V
I D  I S (e nVT
 1)   I S
“Lo que indica que la corriente del diodo ID en la dirección inversa es constante y es igual a IS”.

(2.2.3) Región de ruptura.

En la región de ruptura, el voltaje es alto, por lo general mayor que 1000 V.
La magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado conocido como voltaje de ruptura, VBR.
La corriente inversa aumenta rápidamente con un pequeño cambio en el voltaje inverso más allá de
VBR.
La operación en la región de ruptura no será destructiva, siempre y cuando la disipación de la potencia
esté dentro del “nivel seguro” especificado en la hoja de datos del fabricante.
A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la región de ruptura, para mantener la disipación
de la energía dentro de valores permisibles.

Ejemplo 2-1 :
La caída de voltaje directa de un diodo de potencia es VD=1.2 V a ID=300 A. Suponiendo que n=2 y
VT=25.8 mV, encuentre la corriente de saturación IS.
Solución :
Aplicando la ecuación (2-1), podemos encontrar la corriente de fuga (o corriente de saturación) I S, a
partir de

1.2
300  I S (e 2*25.8*10  3
 1)
lo que nos da IS=2.38371*10-8 A.

2.3) CARACTERÍSTICAS DE LA RECUPERACIÓN INVERSA :

Cuando un diodo está en modo de conducción directa y su corriente se reduce a cero (debido al
comportamiento natural del circuito del diodo o a la aplicación de un voltaje inverso), el diodo continúa
conduciendo, debido a los portadores minoritarios que permanecen almacenados en la unión pn y en el
material del cuerpo del semiconductor.
Los portadores minoritarios requieren de un cierto tiempo para recombinarse con cargas opuestas y
neutralizarse.
Este tiempo se conoce como tiempo de recuperación inversa del diodo.
Fig.2.3 Características de recuperación Inversa.
En la figura 2-3 se muestran dos características de recuperación inversa de diodos de unión.
El más común es el tipo de recuperación suave.
El tiempo de recuperación inversa se denomina trr y se mide a partir del cruce del cero inicial de la
corriente del diodo con el 25% de la corriente inversa máxima (o de pico), I RR.
trr está formado por dos componentes, ta y tb.

 ta está generado por el almacenamiento de carga en la región de agotamiento de la unión y

representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, I RR.

 tb es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor.

La relación tb/ta se conoce como el factor de suavidad, SF.
Para efectos prácticos, uno debe preocuparse por el tiempo total de recuperación trr y por el valor pico
de la corriente inversa IRR.

t rr  t a  t b ....................................... (2-5)

La corriente inversa pico se puede expresar como :

di
I RR  ta
dt ......................................... (2-6)

El tiempo de recuperación inversa trr, se define como el intervalo de tiempo entre el instante en que la
corriente pasa a través de cero, durante el cambio de la conducción directa a la condición de bloqueo
inverso, y el momento en que la corriente inversa se ha reducido al 25% de su valor inverso pico iRR.
trr depende de:
 la temperatura de la unión,
 de la velocidad de abatimiento de la corriente directa antes de la conmutación.
La carga de recuperación inversa QRR, es la cantidad de portadores de carga que fluyen a través del
diodo en dirección inversa debido a un cambio de la conducción directa a la condición de bloqueo
inverso.
Su valor queda determinado por el área encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperación
inversa.

La carga de almacenamiento, que es el área envuelta por la trayectoria de la corriente de recuperación,

es aproximadamente
 I RRta I RRtb I RRtrr
QRR    .............................. (2-7)
2 2 2
O bien

2QRR
I RR 
t rr ............................... (2-8)

(2-6) = (2-8) , nos da:

2QRR
t rr t a 
di ............................... (2-9)
dt
Si tb es despreciable en comparación con ta, que por lo general es el caso, trr ≈ ta, y la ecuación (2-9) se
convierte en :

2QRR
trr 
di ................................................ (2-10)
dt
di
I RR  2QRR ................................................ (2-11)
dt
De (2-10) y (2-11) notamos que el tiempo de recuperación inversa trr y la corriente de recuperación
inversa pico IRR dependen de la carga de almacenamiento QRR y de di/dt inverso.

La carga de almacenamiento depende de:

 La corriente directa del diodo IF.
 La corriente de recuperación inversa pico IRR.
La carga inversa Q RR y el factor de suavidad son todos de interés para el diseñador de circuitos, y estos
parámetros se incluyen en forma común en las hojas de especificaciones de diodos.
Si un diodo está en condiciones de polarización inversa, fluye una corriente de fuga debida a los
portadores minoritarios.
En ese caso, la aplicación de un voltaje directo obligaría al diodo a conducir la corriente en la dirección
directa. Sin embargo, se requiere de un cierto tiempo, conocido como el tiempo de recuperación directa
(o de activación), antes de que los portadores mayoritarios de toda la unión puedan contribuir al flujo
de corriente.
Si la velocidad de elevación de la corriente directa es alta, y la corriente directa está concentrada en una
pequeña superficie de la unión, el diodo puede fallar.
Por lo tanto, el tiempo de recuperación directo limita la velocidad de elevación de la corriente directa y
la velocidad de conmutación.
Ejemplo 2-2
El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr=3μs y la velocidad del decaimiento o de la
reducción de la corriente del diodo es di/dt=30A/μs. Determine:
(a) la carga de almacenamiento Q RR y
(b) la corriente inversa pico IRR.
Solución : trr=3μs y di/dt = 30 A/μs.
De la ecuación (2-10) :

1 di 2
QRR  t rr  0.5 * 30 A / s * (3 * 10 6 ) 2  135C
2 dt
De la ecuación (2-11) :

di
I RR  2QRR  2 *135 *10 6 * 30 *10 6  90 A
dt
*******************************************************
2.4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA :

Idealmente, un diodo no debería de tener tiempo de recuperación inversa.

Sin embargo, el costo de fabricación de un diodo semejante aumentaría.
En muchas aplicaciones, no son de importancia los efectos del tiempo de recuperación inversa, y se
pueden utilizar diodos poco costosos.
Dependiendo de las características de recuperación y de las técnicas de fabricación, los diodos de
potencia se pueden clasificar en tres categorías.
Las características y las limitaciones practicas de cada uno de estos tipos restringen sus aplicaciones.

Los diodos de potencia son de tres tipos:

a) De uso general,
b) De alta velocidad (o de recuperación rápida) y
c) Schottky.
2.4.1) Diodos de uso general :

Los diodos rectificadores de uso general.

 Tienen un trr relativamente alto, típicamente de 25μs.
 Se utilizan en aplicaciones de baja velocidad (hasta 1kHz).
 Trabajan con corrientes desde 1 A hasta varios miles de Amp. Con voltajes desde 50 V hasta 5
kV.
 Estos diodos generalmente se fabrican por difusión.
 Existen los rectificadores de tipo de aleación usados en las fuentes de alimentación para
máquinas de soldadura son muy económicos y duraderos, cuyas especificaciones pueden llegar
hasta 400 A y 1500 V.

2.4.2) Diodos de recuperación rápida :

 Se usan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, donde la velocidad de recuperación es a

menudo de importancia crítica.
 Tienen trr bajo, menor que 5 μS.
 Trabajan desde 1Amp hasta varios cientos de Amp.
 Con tensiones desde 50 V hasta 3 kV.
 Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los diodos de recuperación rápida por lo
general se fabrican por difusión y el tiempo de recuperación es controlado por difusión de oro
o platino.
 Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 V, los diodos epitaxiales proporcionan
velocidades de conmutación mayores que las de los diodos de difusión. (Los diodos epitaxiales
tienen la base mas angosta, lo que permite un rápido tiempo de recuperación, tan bajo como 50
nS).

En la fig.2.4 se muestran diodos de recuperación rápida de varios tamaños.

 Fig. 2.4 Diodos de recuperación rápida.

2.4.3) Diodos Schottky : (Portadores de alta energia)

 El efecto de recuperación se debe únicamente a la autocapacitancia de la unión

semiconductora.
 Tiene una salida de voltaje directa relativamente baja.
 La corriente de fuga es mayor que la de un diodo de unión pn.
 Un diodo Schottky con un voltaje de conducción relativamente bajo tiene una corriente de fuga
relativamente alta, y viceversa.
 Como resultado, su voltaje máximo permisible está por lo general limitado a 100V.
 Trabajan con corrientes desde 1 A a 300A.
 Son ideales para las fuentes de alimentación de alta corriente y de bajo voltaje en corriente
directa.
 Sin embargo, también se utilizan en fuentes de alimentación de baja corriente para una
eficiencia mayor.
 Fig.2.5 Rectificadores Shottky de 20 y de 30 Amperios, duales.

Diodos de carburo de silicio:

El carburo de silicio (SiC) es un material nuevo para la electrónica de potencia: Sus propiedades físicas
superan en mucho a las a las del Si y a las Ga As. Por ejemplo, los diodos Shottky de SiC fabricado por
Infeneon Technologies tiene perdidas de potencia ultra bajas y alta confiabilidad.

Cuentan con las siguientes propiedades salientes:

- Carecen de tiempo de recuperación Inversa.

- Observan un comportamiento de conmutación ultrarrápida.
- Su comportamiento de conmutación no se ve afectado por la
temperatura.

La carga de almacenamiento tipica es Qrr= 21 nC, para un diodo de 600V, 6A y de 23 nC para uno de
600V y 10A.

Las características de baja recuperación inversa de los diodos de SiC, implican también una baja
corriente de recuperación inversa, ahorrando energía en muchas aplicaciones como fuentes de
potencia, conversión de energía solar, transportes etc.

Estos dispositivos ofrecen mayor eficiencia, un menor tamaño y alta frecuencia de conmutación, a la
vez que producen una interferencia electromagnética (EMI) mucho menor en una gran diversidad de
aplicaciones.

Diodos Shottky de carburo de silicio:

Estos diodos cuentan con las siguientes características:

- Perdidas mínimas de conmutación por la baja carga de recuperación Inversa.

- Transitorio de corriente totalmente estable, gran confiabilidad y robustez.
- Bajos costos del sistema, gracias a los reducidos requerimientos de enfriamiento.
- Diseños de alta frecuencia y soluciones de mayor densidad de potencia.
Especificaciones
Fig.2.6 Especificaciones de un diodo de Potencia.
 Fig.2.7 Especificaciones de un diodo de potencia.

2.5) DIODOS CONECTADOS EN SERIE :

En muchas aplicaciones de alto voltaje (Ejemplo en líneas de transmisión HVDC), un diodo

comercialmente disponible no puede satisfacer la especificación de voltaje requerida, por lo que los
diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso.

Consideramos dos diodos conectados en serie, como se muestra en la fig.2.8a. En la práctica, las
características v-i para el mismo tipo de diodo difieren debido a la tolerancia en su proceso de
producción. En la fig.2.8-b se muestran dos características v-i para tales diodos.
 Fig. 2.8 Diodos conectados en serie con polarización inversa

En condición de polarización directa, ambos diodos conducen la misma cantidad de corriente, y la

caída de voltaje directa de cada diodo debería ser prácticamente la misma.
Sin embargo, en la condición de bloqueo inverso, cada diodo tiene que llevar la misma corriente de fuga
y, como resultado, los voltajes de bloqueo variarán en forma significativa.

Una solución sencilla a este problema, tal y como se muestra en la fig.2.9-a, es obligar a que se
comparta el mismo voltaje conectando una resistencia a través de cada diodo.
Debido a esta distribución de voltajes iguales, la corriente de fuga de cada diodo sería diferente, lo cual
se muestra en la fig.2.9b.

Fig.2.9 Diodos conectados en serie, con características de distribución de voltaje en régimen

permanente-

En vista que la corriente de fuga debe ser compartida por un diodo y su resistencia.

I s  I s1  I R1  I s 2  I R 2 ........................... (2-12)

Pero: IR1 =VD1 /R1 e IR2 = VD2/R2.

La ecuación (2-12) proporciona la relación entre R1 y R2 para una distribución de voltaje igual, en la
forma.

VD1 V
I s1   I s 2  D1
R1 R2 ................................. (2-13)

Si las resistencias son iguales, R = R1 = R2 y los dos voltajes del diodo serían ligeramente distintos,
dependiendo de las similitudes entre las dos características v-i.

Los valores VD1 y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (2-14) y (2-15):
VD1 V
I s1   I s 2  D1 ........................... (2-14)
R R
VD1  VD2  Vs ........................... (2-15)

La distribución del voltaje bajo condiciones transitorias (o sea, debido a cargas en conmutación,
aplicaciones iniciales de un voltaje de entrada) se lleva a cabo conectando condensadores a través de
cada diodo, lo que se muestra en la fig.2.10. R1 limita la velocidad de elevación del voltaje de bloqueo.
Fig.2.10 Diodos en serie con redes de distribución de voltaje bajo condiciones de régimen permanente y
transitorio.

2.6) DIODOS CONECTADOS EN PARALELO :

En aplicaciones de alta potencia, los diodo se conectan en paralelo para aumentar la capacidad de
conducción de corriente, a fin de alcanzar las especificaciones de corriente deseadas.

La distribución de corriente de los diodos estaría de acuerdo con sus respectivas caídas de voltaje
directas.

 Se puede obtener una distribución uniforme de corriente proporcionando inductancias iguales

(por ejemplo en los terminales),
 O conectando resistencias de distribución de corriente (cosa que puede no ser práctica debido
a perdidas de energía); lo anterior se muestra en la fig.2.11.

Fig.2.11Diodos conectados en Paralelo.

Es posible minimizar este problema seleccionado diodos con caídas de voltaje directas iguales o diodos
del mismo tipo.

 Las resistencias de la fig.2.11-a, ayudarán a la repartición de corriente en condiciones de

régimen permanente.
 La repartición de corriente en condiciones dinámicas se puede llevar a cabo mediante la
conexión de inductores acoplados, ver fig.2.11-b.

Los inductores generarían picos de voltaje y podrían resultar costosos y voluminosos, especialmente en
corrientes altas.