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Electricidad y

electrónica básicas

Fundamentos de semiconductores

1-800-Lab-Volt
www.labvolt.com

91564-12

|3091564120000]~

Guía del profesor


FACET

Electricidad y electrónica básica


Fundamentos de semiconductores
Guía del profesor

Edición 3
91564-12
TERCERA EDICIÓN

septimo impresión, Marzo 2012

Copyright 2004 Lab-Volt Systems, Inc.

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Fax: (732) 774-8573
GE IS SUPPOSE TO BE BLANK
Contenido

Sección 1 – Inventario de la terminal e instalación................................................................. 1-1


Inventario de la terminal ......................................................................................................... 1-1
Requerimientos mínimos de la computadora ..................................................................... 1-1
Equipos y suministros ........................................................................................................ 1-1
Instalación del equipo ............................................................................................................. 1-1
Instalación de los programas ................................................................................................... 1-1
Sección 2 – Introducción al currículo de FACET ................................................................... 2-1
Inicio ....................................................................................................................................... 2-2
Botones de pantalla ................................................................................................................. 2-3
Pantallas de ayuda y recursos FACET .................................................................................... 2-4
Acceso a Internet ..................................................................................................................... 2-5
Herramienta de anotación del profesor ................................................................................... 2-5
Diario del estudiante ............................................................................................................... 2-5
Evaluando el progreso ............................................................................................................. 2-6
Preguntas y respuestas de número real.................................................................................... 2-8
Seguridad .............................................................................................................................. 2-10
Seguridad .............................................................................................................................. 2-11
Sección 3 – El Curso .................................................................................................................. 3-1

Unidad 1 – Introducción a los semiconductores...................................................................... 3-1


Ejercicio 1 – Identificación de componentes .......................................................................... 3-5
Ejercicio 2 – Ubicación e identificación de circuitos.............................................................. 3-9
Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda ................................................................. 3-15
Ejercicio 1 – Características CD del diodo ........................................................................... 3-19
Ejercicio 2 – Rectificación de media onda ............................................................................ 3-31
Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa ............................................................... 3-43
Ejercicio 1 – Rectificación onda completa con puente ......................................................... 3-45
Ejercicio 2 – Filtrado de la fuente de alimentación............................................................... 3-53
Ejercicio 3 – Duplicador de voltaje....................................................................................... 3-61
Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener .................................................................... 3-73
Ejercicio 1 – Formador de onda con diodos.......................................................................... 3-75
Ejercicio 2 – El diodo Zener ................................................................................................. 3-83

i
Ejercicio 3 – El diodo Zener como regulador de voltaje ...................................................... 3-91
Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP ............................................................ 3-105
Ejercicio 1 – Prueba de uniones de un transistor ................................................................ 3-107
Ejercicio 2 – Control de corriente de transistor PNP .......................................................... 3-113
Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor ......................................................... 3-127
Ejercicio 1 – Potencial de polarización ............................................................................... 3-129
Ejercicio 2 – Corriente/colector contra corriente/base ........................................................ 3-135
Ejercicio 3 – Voltajes de CD del circuito transistor............................................................ 3-141
Ejercicio 4 – Líneas de carga del transistor ........................................................................ 3-149
Apéndice A – Preguntas y respuestas de la pre-prueba y la post-prueba ........................... A-1

Apéndice B – Fallas y modificaciones del circuito (MC) ........................................................B-1

Apéndice C – Localización y reparación de fallas de tarjetas y del curso ........................... C-1

ii
Introducción

Esta guía del profesor está dividida en tres secciones y sus apéndices. Ésta brinda una reseña
unidad por unidad del currículo de FACET (Fault Assisted Circuits for Electronics Training).

Sección 1 – Inventario de la terminal e instalación contiene una lista y la descripción de los


equipos y materiales necesarios en todas las unidades en este curso, así como los procedimientos
de instalación.

Sección 2 – Introducción al currículo FACET proporciona una descripción de la estructura del


curso, instrucciones para iniciar la presentación de multimedia y una explicación de los métodos
de evaluación del progreso del estudiante.

Sección 3 –El curso incluye información que le permite al profesor adquirir un entendimiento
general de las unidades en el curso.

♦ Objetivo de la unidad
♦ Preguntas y respuestas sobre los fundamentos de la unidad
♦ Una lista de términos y palabras nuevas para la unidad
♦ Equipos requeridos en la unidad
♦ Los objetivos del ejercicio
♦ Preguntas y respuestas sobre la discusión del ejercicio
♦ Preguntas y respuestas sobre el procedimiento del ejercicio
♦ Preguntas y respuestas de revisión
♦ Modificaciones del circuito (MC) y fallas disponibles
♦ Preguntas y respuestas para la prueba de la unidad
♦ Preguntas y respuestas sobre la localización y reparación de fallas (donde aplique)

Los apéndices incluyen las preguntas y respuestas para la pre-prueba y la post-prueba y la


información adicional específica sobre fallas y las modificaciones del circuito (MC).

Por favor llene y devuelva la TARJETA DE REGISTRO DEL PROPIETARIO incluida con
el CD-ROM. Ésto le permitirá a Lab-Volt asegurar que sus clientes reciban el mejor soporte.

iii
THIS

iv
SECCIÓN 1 – INVENTARIO DE LA
TERMINAL E INSTALACIÓN
THIS
Fundamentos de semiconductores Sección 1 – Inventario de la terminal e instalación

SECCIÓN 1 – INVENTARIO DE LA TERMINAL E INSTALACIÓN

Inventario de la terminal
Utilice esta sección para identificar y hacer un inventario de los elementos necesarios.

Requerimientos mínimos de la computadora


Un PC 100% compatible con Windows® , Windows98 segunda edición o más reciente, NT,
2000, Me o XP; CPU clase Pentium (Pentium II o más reciente); memoria RAM de 126 MB;
unidad de disco duro de 10 GB; unidad de CD-ROM; monitor SVGA y tarjeta de video capaz de
representar color de 32 bits a una resolución de 1024 x 768 y capacidades de sonido.

Equipos y suministros
Los siguientes equipos y suministros son necesarios para: Fundamentos de Semiconductores:

Cantidad Descripción
1 Unidad de base FACET
1 Multímetro
1 Tablero de Circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
(SEMICONDUCTOR DEVICES).
1 Osciloscopio de Doble Señal
1 Generador de Onda Senoidal.
1 Cuaderno de ejercicios del estudiante
1 Guía del profesor

Instalación del equipo


Para instalar los equipos, consulte las guías de instalación de Tech-Lab (versión 6.x mínimo).

Instalación de los programas

Instalación de aplicaciones de terceros


Todas las aplicaciones y archivos requeridos por el curso, deben instalarse antes que de usar el
curso. Cargue todos los programas de terceros según las instrucciones de cada fabricante. Instale
estos programas en el lugar indicado por defecto y tenga en cuenta su ubicación. (Usted también
puede instalar los programas en un lugar diferente designado por usted.) Acuérdese de registrar
todos los programas que lo requieran.

NOTA: No se requieren programas de terceros para este curso.

1-1
Fundamentos de semiconductores Sección 1 – Inventario de la terminal e instalación

Instalación del curso y los recursos


Para instalar el curso y los recursos, consulte las guías de instalación de Tech-Lab (versión 6.x
mínimo) y Gradepoint 2020 (versión 6.x mínimo).

1-2
SECCIÓN 2 – INTRODUCCIÓN AL
CURRÍCULO DE FACET
THIS
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

SECCIÓN 2 – INTRODUCCIÓN AL CURRÍCULO DE FACET

Presentación general
El currículo de FACET es un curso basado en multimedia. El currículo brinda a los estudiantes
experiencia práctica utilizando los equipos y programas asociados íntimamente con los
estándares de la industria. Éste otorga a los estudiantes oportunidades para la educación con
habilidades académicas y técnicas.

Todos los cursos se basan en actividades. Cada curso consiste en varias unidades que contienen
dos o más ejercicios. Cada unidad se inicia con una parte que explica las metas de la unidad
(Objetivo de la unidad.) A continuación se encuentran Fundamentos de la unidad. Después hay
una lista de términos y palabras nuevas y finalmente los equipos requeridos para la unidad. Los
ejercicios están a continuación del material de la unidad. Cuando los estudiantes terminan todos
los ejercicios, completan la sección de localización y reparación de fallas y toman la prueba de la
unidad.

Los ejercicios consisten en el objetivo, la discusión y el procedimiento del ejercicio. La sección


de conclusiones del ejercicio brinda a los estudiantes un listado de sus logros. Cada ejercicio
concluye con unas preguntas de repaso. La lista de Modificaciones del Circuito (MCs) y fallas
disponibles se encuentra después de las preguntas de repaso. En el Apéndice B encuentra
información específica adicional acerca de las MCs y las fallas.

2-1
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Inicio

Escritorio
Una vez que el Sistema Tech-Lab está instalado, el icono de TechLab aparece en el escritorio.

1. Haga clic en el icono de TechLab.

2. El estudiante hace clic en INICIAR SESIÓN (Logon) y selecciona su nombre.

3. El estudiante introduce su palabra clave y hace clic en Aceptar. (Si está creando una palabra
clave, se deben introducir cuatro caracteres alfanuméricos. El sistema solicita que se
introduzca una vez más la palabra clave para la verificación. Mantenga un registro de las
palabras claves de los estudiantes).

4. Los dos pasos anteriores se repiten hasta que todos los miembros del equipo de estudiantes
hayan iniciado la sesión. Haga clic en Completo y luego en Aceptar.

5. Cuando aparece el menú de Cursos disponibles, los estudiantes hacen clic en el nombre del
curso.

6. Aparecen el nombre del curso y una lista de unidades para ese curso. Los alumnos hacen clic
en el nombre de la unidad. Aparece la página con el título de la unidad y los estudiantes están
listos para comenzar.

Selección de otros cursos y salida del curso


1. Al hacer clic en Salir cuando se está en una unidad, se devuelve al estudiante al menú de
unidades del curso.

2. Si los estudiantes desean seleccionar otra unidad, hacen clic en ella.

3. Si los estudiantes desean salir del curso, hacen clic en el símbolo X en la esquina superior
derecha de la ventana.

4. Si los alumnos desean elegir otro curso, hacen clic en el botón de Menú de cursos. Aparece
en la pantalla el menú de Cursos disponibles. Si los estudiantes desean salir de FACET,
hacen clic en el botón de TERMINAR SESIÓN (Logoff).

2-2
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Botones de pantalla
Si usted hace clic en el logotipo de FACET en la parte superior derecha de la página con el título
de la unidad, aparece la pantalla Acerca de. Aquí se reconocen los derechos de autor del material
de video y/o gráfico utilizado en el tema.

El botón de Menú trae los siguientes menús:


Cuando se está en una pantalla menú del ejercicio, trae el Menú de la unidad.
Cuando se está en una pantalla del ejercicio, trae el Menú del ejercicio.
Cuando se está en una pantalla de la unidad, trae el Menú de la unidad.

El botón Marcador marca la pantalla actual. Un estudiante puede hacer clic en el botón en
cualquier momento durante la lección. La segunda vez que el estudiante hace clic en el botón,
vuelve a la pantalla la página que se mostraba cuando por primera vez se hizo clic. Ningún
marcador utilizado durante la lección se guarda cuando el estudiante termina la sesión de la
lección.

El botón Ejecutar una Aplicación abre los programas de terceros.

Haga clic en el botón de Recursos para ver el menú correspondiente. El menú incluye acceso a
una calculadora, al Diario del estudiante, términos y palabras nuevas, una opción de impresión
de la pantalla actual, el sitio Web en Internet desarrollado por Lab-Volt y una variedad de
pantallas de ayuda para FACET

El botón de Ayuda asiste a los estudiantes con información sobre el sistema. En ciertas pantallas
el botón de Ayuda parece estar oprimido. En estas pantallas, al hacer clic en el botón de Ayuda
se accesan las ventanas de Ayuda de pantalla (ayuda sensitiva a contexto).

El botón de Internet abre un navegador de Internet. Los estudiantes tendrán acceso sin
restricción a todas las máquinas de búsqueda y sitios en la Web, a menos que la administración
de la escuela haya restringido su uso.

Utilice el botón Salir para salir del curso.

Con el botón de flecha derecha ⇒ se avanza a la siguiente pantalla.


Con el botón de flecha izquierda ⇐ se retrocede a la pantalla anterior.

2-3
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Pantallas de ayuda y recursos FACET


Hay tres formas de acceder las pantallas de ayuda FACET y otros recursos.

Ayuda del sistema


Los estudiantes acceden a la Ayuda del sistema haciendo clic en el botón Ayuda en la parte
inferior de la pantalla cuando el botón no parece estar oprimido. Las selecciones del menú dan
acceso a una variedad de ventanas de ayuda del sistema, de navegación y de información.

Ayuda de pantalla
En ciertas pantallas, el botón de Ayuda parece estar oprimido. En estas pantallas, al hacer clic en
el botón de Ayuda se acceden a las ventanas de Ayuda de pantalla. Esta información es
específica al contenido de la pantalla particular.

Recursos
Los estudiantes hacen clic en el botón de Recursos para acceder las siguientes pantallas.

Calculadora
Ayuda FACET para el microprocesador de 32 Bits
Procedimiento FACET para comunicaciones análogas
Ayuda FACET para comunicaciones digitales
Ayuda FACET para electrónica y localización y reparación de fallas
Ayuda FACET para comunicaciones de fibra óptica
Ayuda FACET para matemáticas
Enlace a Internet
Palabras y términos nuevos
Impresión de la página actual
Diario del estudiante

2-4
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Acceso a Internet
Existen dos maneras para que los estudiantes tengan acceso a Internet:

El botón Internet abre un navegador de Internet. Los estudiantes tendrán acceso sin restricción a
todas las máquinas de búsqueda y sitios en la Web, a menos que la administración de la escuela
lo haya restringido.

El botón Recursos abre un menú que incluye el acceso al sitio Web de Lab-Volt en el Internet.
Si los estudiantes desean acceder este sitio cuando no se encuentran durante la sesión, ellos
deben ir a http://learning.labvolt.com.

NOTA: El sitio Internet de Lab-Volt no contiene software de filtro


de contenido para bloquear el acceso a sitios Web cuestionables o
inapropiados.

Herramienta de anotación del profesor


La herramienta de anotación le brinda al profesor la habilidad de añadir comentarios o
información adicional en la pantalla. Consulte la guía de instalación de Tech-Lab y GradePoint
2020 para obtener mayor información.

Diario del estudiante


El diario del estudiante es un libro de notas en línea que cada estudiante puede acceder mientras
está en una sesión TechLab. El diario permite a los estudiantes compartir notas con otros
estudiantes en sus grupos de trabajo. Cuando se utiliza en conjunto con GradePoint 2020, el
profesor puede publicar mensajes y revisar, editar o borrar cualquier nota del diario.

2-5
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Evaluando el progreso

Herramientas de evaluación
La evaluación del estudiante se logra de varias formas:

• Preguntas del ejercicio


• Prueba de la unidad
• Pre-prueba y post prueba
• Preguntas sobre la localización y reparación de fallas.

Preguntas del ejercicio y de localización y reparación de fallas


Hay varios tipos de preguntas con retroalimentación instantánea a través del material de la
unidad y las secciones de discusión del ejercicio, el procedimiento del ejercicio y la localización
y reparación de fallas. Estas preguntas se dan en los siguientes formatos:

• Selección múltiple
• Verdadero y falso
• Entrada de número real

En la mayoría de los casos, cuando sus estudiantes encuentran un grupo de preguntas, deben
responderlas antes de continuar. Sin embargo, hay casos en los que los estudiantes pueden seguir
a la siguiente pantalla sin responder las preguntas. Lab-Volt recomienda que usted estimule a sus
alumnos a responder todas las preguntas. De esta manera, ellos refuerzan el material que se
presenta, verifican que entienden el material y tienen el poder de decidir si se requiere una
revisión.

Preguntas de repaso
Hay preguntas de repaso al final de cada ejercicio. El estudiante recibe realimentación con cada
entrada. La realimentación guía al estudiante hacia la respuesta correcta.

Pruebas de la unidad
Aparece una prueba al final de cada unidad. La prueba consiste en 10 preguntas de selección
múltiple con la opción de obtener realimentación. El Sistema Tech-Lab está configurado por
defecto sin realimentación, pero el profesor puede configurar la prueba de forma que los
estudiantes reciban realimentación después de tomar la prueba. Usted puede hacer que las
preguntas sean aleatorias en la prueba del tema. Utilice el Configurador global de Tech-Lab para
hacer disponible la realimentación, hacer que las preguntas sean aleatorias y seleccionar otras
opciones de configuración si lo desea. Para información detallada, consulte la guía de inicio
rápido de Tech Lab.

2-6
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Pre-prueba y post-prueba
Todo curso incluye una pre-prueba y una post-prueba. Éstas son pruebas de selección múltiple.
Para información detallada de cómo registrar el conocimiento adquirido por el estudiante,
refiérase a la Guía de inicio rápido de Tech Lab.

Calificación
Las calificaciones de los estudiantes se basan en las preguntas de los ejercicios, las preguntas
sobre la localización y reparación de fallas, una prueba de la unidad, y una prueba posterior. El
valor ponderado por defecto de la prueba de la unidad dentro de la nota total, y el valor límite
para pasar la prueba pueden ser ajustados utilizando el Configurador global del Sistema Tech-
Lab. Para información detallada, consulte la guía de inicio rápido de Tech Lab.

Progreso del estudiante y realimentación del profesor


El progreso de la unidad está disponible a través del menú de la Unidad. La ventana de
Progreso le permite al profesor y al estudiante ver el porcentaje de avance en la unidad, el
número de sesiones y el tiempo que ha insumido en esa unidad. La ventana también indica si se
ha terminado la prueba de la unidad. Si la prueba se terminó, indica si el estudiante la aprobó,
basándose en el criterio de calificación.

2-7
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Preguntas y respuestas de número real


A través de los cursos FACET los estudiantes pueden encontrar preguntas de número real como
la que se muestra a continuación. Las respuestas de número real se califican como correctas si se
encuentran dentro de un rango de tolerancia aceptable.

La computadora
guarda este valor
de entrada de forma
que pueda ser
recuperado para
utilizarlo en
preguntas
posteriores.

La respuesta a la pregunta indicada en la ilustración anterior no involucra un valor recuperado de


una pregunta anterior. Aparece en la Guía del profesor como se muestra en el recuadro siguiente.

La información en la Guía del profesor le dice dónde se ubica la pregunta y el rango de


respuestas aceptables. En este caso, las respuestas aceptables se encuentran dentro del rango de
la respuesta nominal más o menos 5 por ciento de tolerancia.: (15 ± 5%).
e1p1 significa Este es el nombre que la computadora utiliza
Ejercicio 1 Pantalla de Procedimiento 1 internamente para identificar el valor de
entrada. En este caso, 14.5 será almacenado
Lugar: Página de procedimiento del bajo el nombre V1.
ejercicio: se1p1, Pregunta: e1p1a
NOTA: El valor de recuperación V1 no es lo
VS = Vcd mismo que el voltaje V1. El rótulo de
recuperación no aparece en pantalla.
Variable para esta pregunta: V1
Respuesta nominal: 15.0 En este caso, la respuesta a esta pregunta no
Valor min/máx: (14.25) a (15.75) está basada en el valor recuperado de una
Cálculo de valor: 15.000 pregunta anterior. Por lo tanto, el cálculo de
Porcentaje de tolerancia = verdadero valor es igual a la respuesta nominal.
Tolerancia menor = 5
Tolerancia mayor = 5
La palabra "verdadero" le dice que la
tolerancia se calcula como un porcentaje.

2-8
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Un segundo ejemplo (mostrado abajo) ilustra una respuesta que califica la computadora
utilizando un valor recuperado de una pregunta anterior.

Cuando una pregunta de número real se basa en un valor recuperado de una pregunta anterior, el
valor Min/Máx mostrado en la Guía del profesor se basa en un cálculo que utiliza los valores de
recuperación más altos y más bajos. Éste representa el rango teórico de respuestas que podrían
ser aceptadas por la computadora. (No es la respuesta nominal más o menos la tolerancia.)

Para encontrar el rango real de respuestas que la computadora aceptará en la pantalla, usted debe
utilizar el valor real recuperado (14.5 en este ejemplo) en sus cálculos; vea a continuación.

Cualquier letra rodeada por los signos "#"


Lugar: Página de procedimiento del
se refiere a un valor recuperado de una
ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5c
pregunta anterior.
IT = mA Puesto que el valor para #V1# es 14.5, la
computadora aceptará como correctas
Recordar etiqueta para esta pregunta: I1 respuestas en el siguiente rango:
Respuesta nominal: 9.091
Valor min/máx: (6.477) a (11.93) 14.5/1650*1000 ± 25% o
Cálculo de valor: #V1#/1650*1000 8.79 ± 25% o
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero 6.59 a 10.99
Corregir tolerancia menos = 25
Corregir tolerancia más = 25 Este rango calculado es diferente del valor
min/máx mostrado en la Guía del profesor,
el cual se basaba en un cálculo que utiliza
los valores recuperados más altos y más
bajos posibles.

NOTA: Después de cuatro respuestas incorrectas, los estudiantes serán informados para que
presionen <Ins> para insertar la respuesta correcta si esta opción ha sido habilitad en los ajustes
de configuración. Cuando la pregunta está basada en un valor recuperado de una pregunta
anterior, las respuestas obtenidas utilizando la tecla Insertar pueden no coincidir con las
respuestas nominales en esta guía.

2-9
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Valores de recuperación en texto


Algunas veces los números mostrados en pantalla son valores recuperados de entradas en
pantallas anteriores. Puesto que estos números son valores recuperados, cambiarán para cada
estudiante.

El valor de 10 se
recuperó de una
pantalla anterior

La Guía del profesor lista la etiqueta de recuperación en lugar de un número en esta pregunta.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p11, Pregunta:


Esta es una e1p11c
etiqueta de
recuperación IR2 = VR2/R2
para un valor = #V4#/3.3 kΩ
grabado en = mA
una pregunta
anterior. Variable para esta pregunta: I1
Respuesta nominal: 2.818
Valor Min/Máx: (2.489) a (3.164)
La respuesta
Cálculo de valor: #V4#/3.3
correcta
Porcentaje de tolerancia = verdadero
dependerá del
Tolerancia menor = 4
valor que el
Tolerancia mayor = 4
estudiante grabó
en la pregunta
anterior.

2-10
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

Seguridad
La seguridad es responsabilidad de todos. Todos deben cooperar para crear el ambiente de
trabajo lo más seguro posible. A los estudiantes se les debe recordar el daño potencial y darles
las reglas de seguridad, de sentido común e instrucción. en circuitos eléctricos.

Cualquier ambiente puede ser peligroso cuando no es familiar. El laboratorio basado en


computadoras de FACET puede ser un ambiente nuevo para algunos estudiantes. Instruya a los
estudiantes en el uso adecuado de los equipos de FACET y explíqueles qué comportamiento se
espera de ellos en este laboratorio. Es responsabilidad del profesor proporcionar la introducción
necesaria al ambiente de estudio y a los equipos. Esta tarea evitará daños tanto a los estudiantes
como a los equipos.

El voltaje y corriente utilizados en el laboratorio basado en computadoras FACET son, en sí


mísmos, inofensivos para una persona sana y normal. Sin embargo, un choque eléctrico que
llegue por sorpresa es incómodo y puede causar una reacción que podría crear daño. Se debe
asegurar que los estudiantes tengan en cuenta las siguientes reglas de seguridad eléctrica.

1. Apague la alimentación de potencia antes de trabajar en un circuito.


2. Confirme siempre que el circuito está cableado correctamente antes de encenderlo. Si se
requiere, haga que su profesor revise el cableado de su circuito.
3. Desarrolle los experimentos siguiendo las instrucciones: no se desvíe de la documentación.
4. Nunca toque cables “energizados o activos” con sus manos o con herramientas.
5. Siempre sostenga los terminales de prueba por sus áreas aisladas.
6. Tenga en cuenta que algunos componentes se pueden calentar mucho durante la operación.
(Sin embargo, ésta no es una condición normal para el equipo en los cursos FACET) Permita
siempre que los componentes se enfríen antes de proceder a tocarlos o retirarlos del circuito.
7. No trabaje sin supervisión. Asegúrese que hay alguien cerca para cortar la potencia y proveer
primeros auxilios en caso de un accidente.
8. Desconecte los cables de potencia por el toma, sin halar el cable. Revise que el aislamiento
no esté agrietado o roto en el cable.

2-11
Fundamentos de semiconductores Sección 2 – Introducción al currículo de FACET

2-12
SECCIÓN 3 – EL CURSO

SECCIÓN 3 – EL CURSO
THIS
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

UNIDAD 1 – INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES

OBJETIVO DE LA UNIDAD
Al finalizar esta unidad, usted será capaz de describir un semiconductor, identificar dispositivos
semiconductores y demostrar su operación utilizando el tablero de circuitos DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES).

FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf2, Pregunta: f2a


Un semiconductor
a. no es ni buen conductor, ni buen aislador
b. es buen conductor
c. es buen aislador

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf4, Pregunta: f4a


Los semiconductores tipo N y P tienen
a. pocos electrones libres y exceso de electrones libres respectivamente.
b. exceso de electrones libres y pocos electrones libres respectivamente.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf6, Pregunta: f6a


La región de deplexión es una banda cercana a:
a. el final de la región N
b. el final de la región P
c. la unión de las regiones N y P

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-1
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS

anillo de valencia (valence ring) - son los electrones más exteriores alrededor del núcleo de un
átomo. Estos electrones interactúan con los electrones de valencia de la vecindad y son la
principal influencia en las características eléctricas del elemento.
Ánodo (anode) - es la región del diodo dopada con material tipo P (Positivo).
base - es la región central de un transistor, ubicada entre el emisor y colector. La base siempre
está dopada con un material de polaridad opuesta al material con que se han dopado el emisor y
colector. Generalmente es muy delgada.
Cátodo (cathode)- región del diodo dopada con material tipo N (negativo).
Colector (collector) - es una región ubicada en uno de los extremos del transistor. Físicamente es
el área más grande, debido a que es la región donde se disipa la mayor cantidad de potencia.
diodos - dispositivo semiconductor que consta de material tipo P y tipo N.
diodo emisor de luz (LED, light-emitting diode) - es un diodo construido para liberar energía en
forma de luz, cuando se hace circular una corriente eléctrica. Los materiales utilizados en la
construcción del LED, determinan el color y brillo de la luz.
dopado (doping) - es el proceso de introducción deliberada de un tipo específico de impureza
dentro de una base de material de alta pureza. El dopado se logra a través de diferentes procesos,
pero siempre es cuidadosamente controlado para producir semiconductores con propiedades
específicas.
electrones libres (free electrons) - son electrones "extra" en el anillo de valencia que no están
incorporados en los enlaces covalentes. Estos electrones resultan del dopado de material base
puro con una impureza tipo N. Actúan como portadores de corriente en un material
semiconductor tipo N.
emisor (emitter) - es una región ubicada en uno de los extremos del transistor. El emisor está
dopado con el mismo tipo de impurezas que el colector.
huecos (holes) - Son cargas positivas en un semiconductor, producto de un enlace covalente
incompleto. Los huecos son creados al dopar el material puro con impurezas tipo P.
material tipo N (N type material) - material semiconductor puro, el cual ha sido dopado con una
impureza que introduce electrones libres dentro del semiconductor. Los átomos del material de
dopado, conocido algunas veces como donador, usualmente tienen un anillo de valencia que
tiene un electrón adicional de los requeridos para completar los enlaces covalentes con los
átomos del material base.
material tipo P (P type material) - es un material semiconductor puro que ha sido dopado con
una impureza que introduce cargas aparentemente positivas (huecos) dentro del semiconductor.
Los átomos del material de dopado, algunas veces llamados material receptor, usualmente tienen
un anillo de valencia al que le hace falta uno de los electrones requeridos para formar un enlace
covalente con los átomos del material base.
portadores mayoritarios (majority carriers) - Son cargas introducidas deliberadamente en
semiconductores para que actúen como portadoras de corriente. Los electrones son los
portadores mayoritarios en un material tipo N, los huecos son considerados como los portadores
mayoritarios en un material tipo P.
región de deplexión (depletion region) - es un área muy próxima a la unión PN, donde unas
pocas cargas de las áreas adyacentes tienden a cruzar la división y neutralizarse unas con otras.

3-2
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

semiconductor - es normalmente silicio o germanio, dopado con impurezas para crear un


compuesto cuya resistencia eléctrica es mayor que la de los conductores, pero menor a la
ofrecida por los aisladores.
transistor bipolar (bipolar transistor) -es un transistor de tres capas construido con dopado NPN
o PNP; más comúnmente conocido como transistor de uniones. El término bipolar se refiere a la
utilización de materiales dopados tipo P y N.
transistores (transistors) - son dispositivos que contienen capas de semiconductores tipo NPN o
PNP. Los transistores permiten que una corriente pequeña controle el flujo de una corriente más
grande.
Zener - es un diodo diseñado para mantener una caída de voltaje relativamente constante frente a
un rango de corriente. Los Zener se clasifican dentro de la familia de diodos comunes pero ellos
operan de manera diferente.

EQUIPO REQUERIDO
Unidad base de FACET
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES)

3-3
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

3-4
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

Ejercicio 1 – Identificación de componentes

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Al finalizar este ejercicio, usted será capaz de identificar varios dispositivos semiconductores.
Probará su conocimiento mediante la localización de diodos y transistores en el tablero de
circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES).

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d2, Pregunta: e1d2a


Los diodos tienen
a. una unión PN
b. dos uniones PN

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d3, Pregunta: e1d3a


Todos los diodos tienen
a. una terminal
b. tres terminales
c. dos terminales

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d6, Pregunta: e1d6a


El símbolo de un diodo Zener se muestra a la
a. izquierda
b. derecha

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d8, Pregunta: e1d8a


El encapsulado de diodos:
a. es fabricado con plástico, vidrio o una combinación de metal con vidrio o cerámica b. está
herméticamente sellado para prevenir la contaminación de los semiconductores por gases en el
aire o por la humedad
c. tiene un punto o banda de color que identifica el cátodo
d. todas las anteriores

3-5
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d11, Pregunta: e1d11a


Los transistores de unión tienen
a. tres regiones de material semiconductor tipo P y N, las cuales pueden ser combinadas
para formar transistores tipo PNP o NPN.
b. tres uniones de material semiconductor tipo P y N, las cuales pueden ser combinadas para
formar transistores PN, NP, NNP o PPN.
c. dos regiones de material semiconductor tipo P y N, que pueden ser combinadas para formar
transistores PN o NP.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d13, Pregunta: e1d13a


La región central de un transistor es:
a. el colector y los dos extremos son la base y el emisor.
b. el emisor y los dos extremos son la base y el colector.
c. la base y los dos extremos son el colector y el emisor.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d15, Pregunta: e1d15a


Este símbolo representa un
a. transistor NPN
b. transistor PNP

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2a


2. ¿Qué tipo de material se utiliza para encapsular los diodos (CR1 y CR2) en el circuito Diodos
y rectificación de media onda (DIODES AND ½ WAVE RECTIFICATION)?
a. metal y vidrio
b. vidrio
c. plástico

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2c


3. ¿Cuál se encuentra en la parte superior del circuito, el cátodo o el ánodo de CR1?
a. ánodo
b. cátodo

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3a


4. ¿Qué tipo de diodo es CR1 en el circuito Regulador de diodo Zener?
a. LED
b. Zener
c. diodo común

3-6
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p4, Pregunta: e1p4a


5. ¿Qué tipo de diodo se encuentra en el circuito Polarización de CD PNP?
a. LED
b. Zener
c. diodo común

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5a


6. ¿Qué tipo de transistor es Q1 en el circuito Ganancia y línea de carga del transistor
(TRANSISTOR LOAD LINES AND GAIN)?
a. PNP
b. NPN

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p6, Pregunta: e1p6a


7. ¿Qué tipo de transistor es Q1 en el circuito Polarización CD PNP (PNP DC BIAS)?
a. PNP
b. NPN

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7a


8. ¿Qué tipo de material se utiliza para el encapsulado de Q1 y Q2 en el circuito Unión del
transistor (TRANSISTOR JUNCTION)?
a. plástico
b. metal

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r1, Pregunta: e1r1


1. ¿Cuáles son las dos regiones de un diodo?
a. el emisor y el cátodo
b. el ánodo y el cátodo
c. la base y el cátodo
d. el emisor y el colector

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r2, Pregunta: e1r2


2. ¿Cuál es el símbolo para el cátodo de un diodo Zener?
a. una línea recta
b. una línea en forma de Z
c. una flecha
d. un círculo

3-7
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r3, Pregunta: e1r3


3. ¿Cuántas conexiones eléctricas tienen los transistores?
a. tres
b. dos
c. cuatro
d. uno

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r4, Pregunta: e1r4


4. El símbolo de un transistor PNP tiene en el emisor una flecha que apunta hacia
a. la base
b. el emisor
c. el colector
d. el cátodo

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r5, Pregunta: e1r5


5. La región base de un transistor es
a. siempre de material tipo N
b. siempre de material tipo P
c. una de las regiones en los extremos
d. una región entre el emisor y el colector

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-8
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

Ejercicio 2 – Ubicación e identificación de circuitos

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Al finalizar este ejercicio, estará familiarizado con el funcionamiento del tablero de circuitos
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES). Verificará su
conocimiento identificando los bloques de circuitos y operando un circuito de transistores.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d7, Pregunta: e2d7a


Los cinco primeros bloques de circuitos del tablero de circuitos DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES) contienen:
a. una combinación de circuitos con diodos y transistores
b. únicamente circuitos con diodos

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d11, Pregunta: e2d11a


Los bloques de circuito que tienen transistores NPN son:
a. los circuitos Unión de transistor (TRANSISTOR JUNCTION) y Ganancia y línea de
carga del transistor (TRANSISTOR LOAD LINES AND GAIN).
b. los circuitos Unión de transistor (TRANSISTOR JUNCTION) y Polarización CD PNP (PNP
CD BIAS).

3-9
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO


Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p1, Pregunta: e2p1a
1. Observe los bloques de circuito en el tablero de circuitos DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES).

El bloque de circuitos que contiene cuatro diodos conectados en puente en forma de diamante es
a. Regulador de diodo Zener (ZENER DIODE REGULATOR).
b. Duplicador de voltaje (VOLTAGE DOUBLER).
c. Ganancia y línea de carga del transistor (TRANSISTOR LOAD LINES AND GAIN).
d. Rectificación de onda completa con filtros de fuente de energía (FULL-WAVE
RECTIFICATION WITH POWER SUPPLY FILTERS).

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p2, Pregunta: e2p2a


2. El bloque de circuito que contiene un solo transistor NPN es
a. Polarización CD PNP (PNP DC BIAS).
b. Formación de ondas por diodos (DIODE WAVESHAPING).
c. Ganancia y línea de carga del transistor (TRANSISTOR LOAD LINES AND GAIN).
d. Rectificación de onda completa con filtros de fuente de energía (FULL-WAVE
RECTIFICATION WITH POWER SUPPLY FILTERS).

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3a


3. ¿Cuál es el circuito que tiene fuentes de voltaje variable positivas y negativas para polarizar
los diodos?
a. Diodos y rectificación de media onda (DIODES AND 1/2 WAVE RECTIFICATION)
b. Formación de ondas por diodos (DIODE WAVESHAPING)
c. Regulador de diodo Zener (ZENER DIODE REGULATOR)
d. Duplicador de Voltaje (VOLTAGE DOUBLER)

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p5, Pregunta: e2p5a


5. ¿Está el LED encendido o apagado?
a. encendido
b. apagado

3-10
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p6, Pregunta: e2p6a


6. Mueva el conector de dos postes como se observa en la figura. ¿Está el LED encendido o
apagado?
a. encendido
b. apagado

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7a


7. Observe el LED, cuando se conecta y desconecta el conector de dos postes varias veces.
¿Puede comparar la operación del transistor (Q1) con un interruptor controlado eléctricamente?
a. sí
b. no

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r1, Pregunta: e2r1


1. Excluyendo el espacio de conexión para el Buffer de generador (GENERATOR BUFFER), el
tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES)
tiene:
a. 6 circuitos
b. 8 circuitos
c. 5 circuitos
d. 7 circuitos

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r2, Pregunta: e2r2


2. El bloque de circuitos Diodos y rectificación de media onda (DIODES AND 1/2 WAVE
RECTIFICATION) tiene:
a. dos diodos Zener.
b. dos transistores.
c. un LED y un diodo.
d. dos diodos comunes.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r3, Pregunta: e2r3


3. El bloque de circuitos que tiene un diodo con el cátodo en forma de Z es
a. Regulador de diodo Zener (ZENER DIODE REGULATOR).
b. Duplicador de voltaje (VOLTAGE DOUBLER).
c. Formación de ondas por diodos (DIODE WAVESHAPING).
d. Polarización CD PNP (PNP DC BIAS).

3-11
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r4, Pregunta: e2r4


4. Hay un LED localizado en
a. Rectificación de onda completa con filtros de fuente de energía (FULL-WAVE
RECTIFICATION WITH POWER SUPPLY FILTERS).
b. Ganancia y línea de carga del transistor (TRANSISTOR LOAD LINES AND GAIN).
c. Polarización CD PNP (PNP DC BIAS).
d. Duplicador de voltaje (VOLTAGE DOUBLER).

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r5, Pregunta: e2r5


5. En este bloque de circuito se encuentran cuatro diodos y dos transistores:
a. Rectificación de onda completa con filtros de fuente de energía (FULL-WAVE
RECTIFICATION WITH POWER SUPPLY FILTERS).
b. Diodos y rectificación de media onda (DIODES AND 1/2 WAVE RECTIFICATION).
c. Ganancia y línea de carga del transistor (TRANSISTOR LOAD LINES AND GAIN).
d. Unión del transistor (TRANSISTOR JUNCTION).

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-12
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

PRUEBA DE LA UNIDAD

NOTA: Dependiendo de los ajustes de configuración, estas preguntas pueden presentarse


aleatoriamente en la pantalla.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut1, Pregunta: ut1


La flecha (1) apunta hacia
a. el ánodo.
b. el cátodo.
c. la base.
d. el colector.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut2, Pregunta: ut2


El transistor (Q1) mostrado en el bloque de circuitos Polarización CD PNP
a. puede operar como un interruptor, encendiendo o apagando el LED (DS1).
b. es un transistor NPN.
c. conduce cuando el terminal positivo de la fuente está conectado a R1.
d. se usa solamente en un circuito con LED.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut3, Pregunta: ut3


Usted puede diferenciar un transistor NPN de un PNP en un diagrama esquemático por
a. el tamaño del símbolo.
b. la dirección de la flecha en el emisor.
c. la forma del símbolo cátodo.
d. el ancho del símbolo base.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut4, Pregunta: ut4


El símbolo de la figura corresponde a:
a. transistor PNP
b. LED
c. transistor NPN
d. diodo Zener

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut5, Pregunta: ut5


¿Cómo podemos diferenciar un diodo Zener de un diodo común en un plano electrónico?
a. por el tamaño del símbolo
b. por la forma del símbolo cátodo
c. por la dirección de la flecha del emisor
d. por ancho del símbolo base

3-13
Fundamentos de semiconductores Unidad 1 – Introducción a los semiconductores

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut6, Pregunta: ut6


La región del emisor para un transistor PNP está construida de:
a. material tipo P.
b. material tipo N.
c. silicio.
d. germanio.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut7, Pregunta: ut7


El ánodo de un diodo está construido de
a. material tipo P.
b. material tipo N.
c. material tipo P o N.
d. un material que es buen conductor.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut8, Pregunta: ut8


Este símbolo muestra un
a. diodo Zener.
b. LED.
c. transistor NPN.
d. diodo común.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut9, Pregunta: ut9


La designación de referencia CR6 indica que el componente es
a. un transistor.
b. una resistencia.
c. un diodo.
d. un condensador.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut10, Pregunta: ut10


Un material semiconductor
a. es de silicio o germanio.
b. está dopado con una impureza para cambiar la resistencia.
c. no es ni buen conductor, ni buen aislador.
d. todas las anteriores.

3-14
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

UNIDAD 2 – DIODOS Y RECTIFICACIÓN DE MEDIA ONDA

OBJETIVO DE LA UNIDAD
Al finalizar esta unidad usted será capaz de demostrar los principios de operación del diodo
semiconductor y el diodo rectificador de media onda, mediante el uso de circuitos de prueba.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf1, Pregunta: f1a


Los diodos normalmente permiten
a. el flujo de corriente alterna (CA).
b. el flujo de corriente en una sola dirección.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf2, Pregunta: f2a


El voltaje de barrera para un diodo de silicio es aproximadamente
a. 6.0V.
b. 0.6V.
c. 0.3V.
Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf5, Pregunta: f5a
Un diodo está completamente en polarización directa cuando
a. el voltaje aplicado excede al voltaje de barrera.
b. cuando no hay flujo de corriente

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf6, Pregunta: f6a

Un diodo está en polarización inversa cuando


a. se aplica un voltaje positivo al cátodo y un voltaje negativo al ánodo.
b. hay flujo de corriente.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf7, Pregunta: f7a

Cuando un diodo funciona como rectificador de media onda, su salida es un voltaje ondulatorio
CD. Ésto sucede cuando la entrada CA
a. lo polariza en forma inversa.
b. lo polariza en forma directa.

MC DISPONIBLES
Ninguno

3-15
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-16
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS


caída de voltaje directa (VF) (forward voltage drop (VF))- condición que existe cuando el
cátodo del diodo es negativo con respecto al ánodo y la corriente fluye en forma directa.
cargas almacenadas (stored charges) - cargas positivas y negativas temporales existentes en un
semiconductor en polarización directa debido al flujo de corriente. Las cargas almacenadas
reducen la eficiencia de los semiconductores comunes a altas frecuencias porque éstas aumentan
el tiempo requerido por una unión para cambiar del estado de polarización directa a inversa.
CD ondulatoria (pulsating dc) - Los pulsos de salida de un rectificador de una polaridad que
corresponde a los semiciclos del voltaje de entrada CA del rectificador cuando el diodo está en
polarización directa.
corriente de fuga (dispersión) (leakage current) - la corriente pequeña que fluye a través de un
diodo polarizado inversamente.
curva característica (characteristic curve) - es una representación gráfica del flujo de la
corriente contraria a la caída de voltaje del diodo.
polarización directa (forward biased) –sucede cuando se conecta una fuente de tensión al diodo
donde el potencial negativo esté unido al cátodo y el positivo al ánodo. Al aplicar está tensión el
diodo conduce.
polarización inversa (reverse biased) - La condición que existe cuando el ánodo del diodo es
negativo con respecto al cátodo.
portadores minoritarios (minority carriers) - electrones libres en material tipo P y huecos
(cargas positivas) en material tipo N. Los portadores minoritarios se presentan por la existencia
de pequeñas cantidades de impurezas en el material básico semiconductor. Son los responsables
de la mayoría de las corrientes inversas (fugas) dentro de un semiconductor.
resistencia dinámica directa (rF) (dynamic forward resistance (rF)) - la resistencia aparente de
un diodo conductor, se calcula de una medida cambiada en la caída de voltaje dividida por una
medida cambiada en la corriente.
rectificación (rectification) - El proceso de convertir una corriente alterna a una corriente
directa.
rectificación de media onda (half-wave rectification) - es la rectificación en la cual la corriente
de salida fluye durante medio ciclo de la entrada de CA.
rizado (ripple) -La apariencia de los pulsos a salida de voltaje de un circuito rectificador.
tiempo de recuperación inverso (reverse recovery time (tRR)) - El tiempo requerido por un diodo
para dejar de conducir después de que la polarización directa ha sido retirada. El tiempo de
recuperación inverso se debe principalmente a cargas almacenadas.
voltaje de barrera (barrier voltage) - El potencial de voltaje requerido para que la corriente fluya
a través de la región de agotamiento de un diodo de unión. El voltaje de barrera debe ser
superado por el voltaje de polarización directa antes de que la corriente pueda fluir en un diodo.
voltaje de ruptura (breakdown voltage) - El voltaje inverso que causa que un diodo conduzca
lenta y destructivamente en dirección "equivocada". Los diodos deberían seleccionarse para tener
un voltaje de ruptura mayor que cualquier voltaje inverso aplicado normalmente.

3-17
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

EQUIPO REQUERIDO
Unidad base de FACET
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES)
Multímetro
Osciloscopio de doble trazo
Generador de onda senoidal

3-18
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Ejercicio 1 – Características CD del diodo

OBJETIVO DEL EJERCICIO

Al finalizar este ejercicio, usted será capaz de probar un diodo en un circuito típico, empleando
la curva característica CD de un diodo. Usted verificará los resultados con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d1, Pregunta: e1d1a


¿Qué lado de la curva característica de CD del diodo describe la polarización directa?
a. lado derecho
b. lado izquierdo

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d2, Pregunta: e1d2a


La parte izquierda de la curva característica de CD del diodo describe la
a. operación del diodo en polarización directa
b. operación del diodo en polarización inversa

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d3, Pregunta: e1d3a


La curva característica de CD de un diodo de silicio mostrada arriba, ¿muestra que éste conduce
cuando se aplica un voltaje de +0.75V?
a. no
b. sí

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d4, Pregunta: e1d4a


Por encima de el voltaje de barrera, la caída de voltaje del diodo
a. es casi constante
b. crece rápidamente

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d5, Pregunta: e1d5a


Cuando un diodo tiene poralización inversa, la cantidad pequeña de corriente que fluye se
denomina
a. corriente directa
b. corriente de fuga

3-19
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d6, Pregunta: e1d6a


La corriente inversa de un diodo comienza a aumentar rápidamente cuando el voltaje inverso
alcanza el
a. voltaje de barrera
b. voltaje de ruptura

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d7, Pregunta: e1d7a


A medida que la corriente directa de un diodo aumenta, el voltaje directo
a. es totalmente constante.
b. aumenta ligeramente.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d8, Pregunta: e1d8a


La resistencia directa de un diodo es muy
a. baja
b. alta

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d9, Pregunta: e1d9a


Los diodos pueden dañarse si se sobrepasa
a. la corriente directa máxima
b. el voltaje de barrera.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d11, Pregunta: e1d11a


Un diodo bueno se prueba con un óhmetro. Cuando el diodo tiene polarización directa, la lectura
del óhmetro debería indicar que
a. no hay flujo de corriente a través del diodo.
b. hay flujo de corriente a través del diodo.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d18, Pregunta: e1d18a


La figura muestra las conexiones del óhmetro para probar el diodo. El óhmetro muestra una
sobrecarga. El diodo está
a. defectuoso.
b. bueno.

3-20
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2a


2. Conecte el probador negro (común) del medidor al punto de prueba del ánodo, y el probador
rojo al punto de prueba del cátodo de CR1. La lectura de su medidor indica que el diodo
a. no está conduciendo.
b. está conduciendo.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2c


3. La lectura de su medidor indica que el diodo está
a. polarizado en forma directa.
b. polarizado en forma inversa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3a


4. Invierta los probadores conectando el rojo al ánodo y el negro al cátodo de CR1. La lectura de
su medidor indica que el diodo:
a. no está conduciendo.
b. está conduciendo.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3c


5. Con los probadores conectados en esta forma, la lectura de su medidor indica que el diodo está
a. polarizado en forma directa.
b. polarizado en forma inversa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p4, Pregunta: e1p4a


6. ¿Está bueno el diodo CR1?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p6, Pregunta: e1p6a


7. Busque el bloque de circuitos de Diodos y rectificación de media onda y realice las
conexiones que se indican en la figura.

Fije la fuente negativa variable (NEGATIVE VARIABLE SUPPLY) (VA) en -10.0 Vcd.

3-21
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

VR1 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V1
Respuesta nominal: –9.3
Valor min/máx: (–8.55 ) a (–10. )
Cálculo de valor: –9.3
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 8
Corregir tolerancia más = 8

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p6, Pregunta: e1p6c


VR2 = mVcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V2
Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (–50) a (50)
Cálculo de valor: 0
Corregir porcentaje de tolerancia = falso
Corregir tolerancia menos = 50
Corregir tolerancia más = 50

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7a


10. ¿Cuál diodo está polarizado en forma directa?
a. CR1
b. CR2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7c


11. ¿Cuál diodo está polarizado inversamente?
a. CR1
b. CR2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7e


12. ¿Cuál circuito de diodo permite el paso de corriente?
a. CR1
b. CR2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7g


13. La corriente fluye por CR1 porque éste está
a. polarizado en forma inversa.
b. polarizado en forma directa.

3-22
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p9, Pregunta: e1p9a


VR1 = mVcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V3
Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (–50) a (50)
Cálculo de valor: 0
Corregir porcentaje de tolerancia = falso
Corregir tolerancia menos = 50
Corregir tolerancia más = 50

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p9, Pregunta: e1p9c


VR2 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V4
Respuesta nominal: 9.3
Valor min/máx: (8.556) a (10.04)
Cálculo de valor: 9.3
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 8
Corregir tolerancia más = 8

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p10, Pregunta: e1p10a


17. ¿Cuál diodo está polarizado en forma directa?
a. CR1
b. CR2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p10, Pregunta: e1p10c


18. ¿Cuál diodo está polarizado en forma inversa?
a. CR1
b. CR2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p11, Pregunta: e1p11a


19. En el circuito que usted conectó, ¿cuál componente determina la cantidad de corriente a
través del diodo con polarización directa (CR2), después de sobrepasar el voltaje de barrera?
a. CR2
b. R2
c. R1
d. CR1

3-23
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p11, Pregunta: e1p11c


IR2 = VR2/R2
= #V4#/3.3 kΩ
= mA
Recordar etiqueta para esta pregunta: I1
Respuesta nominal: 2.818
*
Valor min/máx: (2.489) a (3.164)
Cálculo de valor: #v4#/3.3
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 4
Corregir tolerancia más = 4

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p11, Pregunta: e1p11e


ICR2 = mA
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 2.818
*
Valor min/máx: (2.439) a (3.227)
Cálculo de valor: #I1#
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 2
Corregir tolerancia más = 2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p13, Pregunta: e1p13a


a. Mida VR2
Recordar etiqueta para esta pregunta: V9
Respuesta nominal: 0.282
Valor min/máx: (0.141) a (0.423)
Cálculo de valor: .282
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 50
Corregir tolerancia más = 50

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-24
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p13, Pregunta: e1p13c


b. Calcule ICR2
Recordar etiqueta para esta pregunta: I4
Respuesta nominal: 0.085
*
Valor min/máx: ( .041) a ( .133)
Cálculo de valor: #V9#/3.3
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 4
Corregir tolerancia más = 4

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p13, Pregunta: e1p13e


VD = VA – VR2
Recordar etiqueta para esta pregunta: V10
Respuesta nominal: 0.468
*
Valor min/máx: ( .317) a ( .627)
Cálculo de valor: 0.75 – #V9#
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 3
Corregir tolerancia más = 3

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p14, Pregunta: e1p14a


a. Mida VR2
Recordar etiqueta para esta pregunta: V11
Respuesta nominal: 4.41
Valor min/máx: (3.969) a (4.851)
Cálculo de valor: 4.41
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 10
Corregir tolerancia más = 10

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-25
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p14, Pregunta: e1p14c


b. Calcule ICR2
Recordar etiqueta para esta pregunta: I5
Respuesta nominal: 1.336
*
Valor min/máx: (1.155) a (1.529)
Cálculo de valor: #V11#/3.3
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 4
Corregir tolerancia más = 4

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p14, Pregunta: e1p14e


c. Calcule VD
Recordar etiqueta para esta pregunta: V12
Respuesta nominal: 0.59
*
Valor min/máx: ( .145) a (1.062)
Cálculo de valor: 5 – #V11#
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 3
Corregir tolerancia más = 3

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p15, Pregunta: e1p15a


a. Mida VR2
Recordar etiqueta para esta pregunta: V13
Respuesta nominal: 9.4
Valor min/máx: (8.93) a (9.87)
Cálculo de valor: 9.4
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 5
Corregir tolerancia más = 5

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-26
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p15, Pregunta: e1p15c


b. Calcule ICR2
Recordar etiqueta para esta pregunta: I6
Respuesta nominal: 2.848
*
Valor min/máx: (2.625) a (3.081)
Cálculo de valor: #V13#/3.3
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 3
Corregir tolerancia más = 3

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p15, Pregunta: e1p15e


c. Calcule VD
Recordar etiqueta para esta pregunta: V14
Respuesta nominal: 0.6
*
Valor min/máx: (.126) a (1.102)
Cálculo de valor: 10 – #V13#
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 3
Corregir tolerancia más = 3

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p16, Pregunta: e1p16a


26. ¿Coincide su tabla de datos con la curva característica del diodo?
a. sí
b. no

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-27
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p16, Pregunta: e1p16c


VD = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 0.59
*
Valor min/máx: (.141) a (1.094)
Cálculo de valor: #V12#
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 3
Corregir tolerancia más = 3

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p16, Pregunta: e1p16e


28. ¿Permanece VD casi constante, con un aumento de ICR2 superior a #I5# mA?
a. no
b. sí

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-28
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r1, Pregunta: e1r1


Basándose en las mediciones, para CR1
a. la prueba es satisfactoria cuando MC1 está apagado, y no es satisfactoria cuando está
encendido.
b. la prueba es satisfactoria cuando MC1 está encendido y no es satisfactoria cuando está
apagado
c. la prueba es deficiente cuando MC1 está encendido y apagado.
d. la prueba es buena cuando MC1 está encendido y apagado.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r2, Pregunta: e1r2


2. La caída de voltaje directo (VF) de un diodo:
a. es una característica deseable para protección del circuito.
b. es casi constante cuando el diodo está completamente polarizado en forma directa.
c. no tiene relación con un material semiconductor.
d. está determinada por la resistencia del circuito.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r3, Pregunta: e1r3


3. La corriente de fuga
a. fluye cuando se excede el voltaje de ruptura inverso.
b. fluye cuando se ha excedido el voltaje de barrera.
c. mejora el desempeño del diodo.
d. debería ser pequeña en un buen diodo.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r4, Pregunta: e1r4


4. Una curva característica CD de un diodo
a. describe la operación del diodo en polarización directa.
b. describe la operación del diodo en polarización inversa.
c. muestra la caída de voltaje directa para un diodo.
d. todas las anteriores

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r5, Pregunta: e1r5


5. Cuando un diodo está en polarización directa, el cátodo
a. es negativo con respecto al ánodo.
b. es positivo con respecto al ánodo.
c. tiene polaridad opuesta con respecto al ánodo.
d. es polarizado inversamente.

3-29
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

MC DISPONIBLES
MC 1 TOGGLE

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-30
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Ejercicio 2 – Rectificación de media onda

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Al finalizar este ejercicio, usted será capaz de demostrar como opera un rectificador de media
onda, por medio de un circuito típico. Verifique sus resultados utilizando el osciloscopio y un
multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d1, Pregunta: e2d1a


El circuito rectificador de media onda consta de
a. una resistencia de carga.
b. un diodo y una resistencia de carga.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d1, Pregunta: e2d1c


Un rectificador de media onda puede producir
a. solamente una salida CD pulsante negativa.
b. solamente una salida CD pulsante positiva.
c. una salida CD pulsante positiva o negativa, dependiendo de cómo esté conectado el
diodo.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d2, Pregunta: e2d2a


En el circuito de la figura, la corriente solamente fluye durante los ciclos positivos de Vi porque
a. el ánodo de CR1 está conectado a Vi en el punto A.
b. el cátodo de CR1 está conectado a Vi en el punto A.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d3, Pregunta: e2d3a


En el circuito, la corriente solamente fluye durante los ciclos negativos de Vi porque
a. el ánodo de CR2 se conecta a Vi en el punto A.
b. el cátodo de CR2 se conecta Vi en el punto A.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d5, Pregunta: e2d5a


Un rectificador de media onda de diodo conducirá por
a. un ciclo completo de CA.
b. alrededor de 90º grados de un ciclo de CA.
c. un poco menos de 180º (la mitad) de un ciclo de CA.

3-31
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d6, Pregunta: e2d6a


La salida de un rectificador de media onda es
a. un voltaje de CA.
b. un voltaje CD pulsante.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d8, Pregunta: e2d8a


El voltaje de salida de un rectificador de media onda (Vo(pk)), es menor que el voltaje de entrada
(Vi(pk)) debido a
a. la caída de voltaje directo (VF) del diodo de aproximadamente 0.6 V.
b. la caída de voltaje en la resistencia de carga.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d9, Pregunta: e2d9a


Suponga que Vi(pk) se aumenta a 4.0V. Utilice la siguiente ecuación para calcular Vo(pk):
Vo(pk) = Vi(pk) – VF
= V
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 3.4
Valor min/máx: (3.298) a (3.502)
Cálculo de valor: 3.4
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 3
Corregir tolerancia más = 3

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d10, Pregunta: e2d10a


¿Por qué Vo llega a 0V antes que Vi?
a. Porque Vi no está en fase con Vo.
b. Vo = 0V cuando Vi está por debajo de la caída de voltaje directa de 0.6V
aproximadamente.

3-32
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d12, Pregunta: e2d12a


Si Vo(pk) = 5V, calcule Vo(avg).
Vo(avg) = 0.318 x Vo(pk)
= V
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 1.59
Valor min/máx: (1.542) a (1.638)
Cálculo de valor: 1.590
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 3
Corregir tolerancia más = 3

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d13, Pregunta: e2d13a


La frecuencia de rizado es
a. el doble de la frecuencia de entrada.
b. igual que la frecuencia de entrada.

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3a


5. En el bloque de circuitos Diodos y rectificación de media onda, ¿cuál circuito de diodo y
resistencia producirá una salida CD de media onda positiva?
a. CR1 y R1
b. CR2 y R2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3c


6. Conecte el probador del canal 2 a través de la resistencia de carga R2, y observe la forma de
onda de salida de CR2. ¿Observa una señal CD de media onda pulsante positiva a la salida de
CR2 en el canal 2?
a. si
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3e


7. Conecte el probador del canal 2 a través de la resistencia de carga R1, y observe la forma de
onda de salida de CR1. ¿Observa una señal CD de media onda negativa a la salida de CR1?
a. sí
b. no

3-33
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p4, Pregunta: e2p4a


8. ¿Por qué no hay una salida CD de media onda positiva en CR1, durante el semiciclo positivo
de la señal de entrada CA?
a. Porque CR1 está polarizado en forma directa (cátodo negativo con respecto al ánodo), durante
el semiciclo positivo de la señal de entrada CA.
b. Porque CR1 está polarizado en forma inversa (cátodo positivo con respecto al ánodo),
durante el semiciclo positivo de la señal de entrada CA.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p5, Pregunta: e2p5a


9. Con el probador del canal 2 conectado a través de R1, fije el barrido horizontal en 0.5 ms/cm.
Mueva la palanca de acoplamiento del canal 2 a GND y de regreso a CD. La señal de salida de
media onda negativa es
a. una señal CA
b. una señal CD pulsante

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p6, Pregunta: e2p6a


Vo(pk) = Vpk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V15
Respuesta nominal: 0.5
Valor min/máx: (0.35) a (0.65)
Cálculo de valor: .5
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 30
Corregir tolerancia más = 30

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p6, Pregunta: e2p6c


12. ¿Cuál es la diferencia entre el voltaje pico de la señal de entrada CA de 1 Vp y el voltaje pico
(Vo(pk)) de la señal de salida, medido en el paso 11?
Recordar etiqueta para esta pregunta: V16
Respuesta nominal: 0.5
*
Valor min/máx: (0.343) a (0.663)
Cálculo de valor: 1 – #V15#
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 2
Corregir tolerancia más = 2

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-34
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p6, Pregunta: e2p6e


13. ¿Qué causa que el voltaje de salida pico (Vo(pk)) de un rectificador de media onda sea menor
que el voltaje pico de entrada CA?
a. la caída de voltaje directo (VF) del diodo
b. la caída de voltaje del diodo a través de R2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7a


14. Aumente la señal de entrada CA a 4.0 Vpk-pk. En la pantalla del osciloscopio mida la
diferencia entre el voltaje de entrada CA de 2 Vpk CA y el voltaje pico de salida (Vo(pk)).
Recordar etiqueta para esta pregunta: V17
Respuesta nominal: 0.55
Valor min/máx: (0.385) a (0.715)
Cálculo de valor: .550
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 30
Corregir tolerancia más = 30

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7c


15. ¿Se conservó la diferencia entre el voltaje pico de entrada CA y el voltaje pico de salida,
después de aumentar la entrada de 2.0 a 4.0 Vpk-pk?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7e


16. Conecte el probador del canal 2 a través de R1. ¿La diferencia entre el voltaje pico negativo
de entrada CA y el pulso CD negativo es casi igual a la entrada y salida positivas?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9a


19. En el punto A, el diodo CR2 se
a. polariza en forma inversa.
b. polariza en forma directa y empieza a conducir.

3-35
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9c


20. En el punto B, el diodo CR2
a. deja de conducir porque el voltaje de entrada CA es menor que VF.
b. se polariza en forma directa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9e


21. El voltaje de entrada antes del punto A y después del punto B, ¿es suficiente para sobrepasar
el voltaje de barrera del diodo?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p10, Pregunta: e2p10a


23. Calcule el voltaje promedio de salida (Vo(avg)).
Vo(avg) = 0.318 x Vo(pk) = V
Recordar etiqueta para esta pregunta: V18
Respuesta nominal: 0.954
Valor min/máx: ( .935) a ( .973)
Cálculo de valor: 0.954
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 2
Corregir tolerancia más = 2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p10, Pregunta: e2p10c


24. Mida el voltaje promedio a través de R2 utilizando el multímetro.
Vo(avg) = V
Recordar etiqueta para esta pregunta: V19
Respuesta nominal: 0.86
Valor min/máx: (0.774) a (0.946)
Cálculo de valor: 0.860
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 10
Corregir tolerancia más = 10

3-36
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p11, Pregunta: e2p11a


25. Su valor medido de Vo (avg) (#V19#) es menor que su Vo(avg) (#V18#) calculado debido a
a. las tolerancias en las mediciones del multímetro.
b. que la señal CD de salida real es menor de 180º y la ecuación Vo(avg) = 0.318 x Vo(pk)
asume una señal de 180º.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p12, Pregunta: e2p12a


26. Fije el selector de sensibilidad del canal 2 en 2.02 V/cm y el selector de barrido horizontal en
0.5 ms/cm. La señal CD positiva pulsante que se observa en el osciloscopio se llama
a. rizado.
b. tiempo de recuperación inverso.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p13, Pregunta: e2p13a


27. Aumente la frecuencia de la señal de entrada a 10 kHz y fije el selector de barrido horizontal
en 20 µs/cm. Los picos negativos en la señal de salida son causados por
a. la respuesta de frecuencia.
b. el tiempo de recuperación inverso.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p14, Pregunta: e2p14a


28. Aumente la frecuencia de la señal de entrada a 50 kHz. ¿Concluiría usted que el tiempo de
recuperación inverso afecta el desempeño del diodo como rectificador de media onda, al
aumentar la frecuencia de entrada?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p16, Pregunta: e2p16a


31. MC 7 es activado en los circuitos CR1 y R1 para introducir una falla. Observe la salida del
rectificador de media onda en el canal 2. Active y desactive MC 7 haciendo un clic en el botón
MC y observe el efecto en la salida MC 7
a. hace un cortocircuito en R1.
b. conecta el ánodo de CR1 a la entrada de CA y el cátodo a R1.
c. hace cortocircuito en CR1.

3-37
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r1, Pregunta: e2r1


1. Con respecto al común del circuito, la señal observada a la salida de este circuito sería
a. pulsos positivos
b. pulsos negativos
c. corriente alterna
d. ninguna de las anteriores

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r2, Pregunta: e2r2


2. En un circuito rectificador de media onda, la anchura del pulso de voltaje de salida (tiempo de
conducción del diodo)
a. es mayor que la mitad del tiempo del ciclo de entrada.
b. es igual a la mitad del tiempo del ciclo de entrada.
c. depende de si el ánodo o el cátodo a la señal CA de entrada.
d. es ligeramente menor que la mitad del tiempo del ciclo de entrada.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r3, Pregunta: e2r3


3. El voltaje pico de la salida de un rectificador de media onda de diodo
a. es igual al voltaje pico de la señal de entrada CA.
b. es menor, aproximadamente 0.6V, que el voltaje pico de la entrada CA. Este valor
corresponde a la caída de voltaje (VF).
c. depende de, si la frecuencia de la señal de entrada CA es menor a 1 kHz.
d. es mayor, aproximadamente 0.6V, que el voltaje pico de la entrada CA. Este valor
corresponde a la caída de voltaje directo (VF).

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r4, Pregunta: e2r4


4. Con respecto al común del circuito, la señal que se observa a la salida de este circuito sería
a. corriente alterna.
b. pulsos negativos.
c. pulsos positivos.
d. ninguna de las anteriores

3-38
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r5, Pregunta: e2r5


5. ¿Con cuál de las siguientes ecuaciones se calcula la salida promedio Vo(avg) de un
rectificador de media onda?
a. Vo(avg) = 0.5 x Vo(pk)
b. Vo(avg) = 0.318 x Vo(pk)
c. Vo(avg) = 0.318 x Vo(pk-pk)
d. Vo(avg) = 2.0 x Vo(pk)

MC DISPONIBLES
MC 7 TOGGLE

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-39
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

PRUEBA DE LA UNIDAD

NOTA: Dependiendo de los ajustes de configuración, estas preguntas pueden presentarse


aleatoriamente en la pantalla.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut1, Pregunta: ut1


La curva característica CD del diodo se inclina bruscamente hacia arriba en:
a. el voltaje de ruptura.
b. voltaje de barrera o caída de voltaje directo.
c. aproximadamente 0.2 Vcd.
d. la corriente de fuga.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut2, Pregunta: ut2


Si el ánodo de un diodo es positivo con respecto al cátodo, el diodo está
a. en polarización inversa y no circula corriente.
b. en polarización inversa y conduce corriente.
c. en polarización directa y no conduce corriente.
d. en polarización directa y conduce corriente.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut3, Pregunta: ut3


La corriente de fuga fluye en un diodo
a. cuando éste está en polarización directa.
b. cuando éste está en polarización inversa.
c. después de alcanzar el voltaje de ruptura.
d. sólo si éste está defectuoso.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut4, Pregunta: ut4


Un buen diodo tiene
a. flujo de corriente cuando se polariza en forma directa.
b. una pequeña corriente de fuga, en el rango de micro o picoamperios.
c. una caída de voltaje directo constante.
d. todas las anteriores

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut5, Pregunta: ut5


¿Qué sucede en el voltaje de ruptura del diodo?
a. la corriente de ruptura aumenta rápidamente y el diodo podría dañarse
b. la corriente directa aumenta rápidamente
c. la corriente de fuga es muy pequeña
d. el voltaje inverso aumenta rápidamente

3-40
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut6, Pregunta: ut6


Los rectificadores de media onda de diodo reciben ese nombre porque
a. la corriente de carga fluye sólo durante medio ciclo de la entrada CA.
b. la frecuencia de salida en la mitad de la de entrada CA.
c. la salida sólo pueden ser pulsos positivos CD.
d. el voltaje de salida es la mitad del voltaje de entrada CA.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut7, Pregunta: ut7


Los pulsos CD a la salida de un rectificador de media onda ocurren
a. a la misma frecuencia que la entrada CA.
b. a la mitad de la frecuencia de la entrada CA.
c. al doble de la frecuencia de la entrada CA.
d. independientemente de la frecuencia de entrada CA.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut8, Pregunta: ut8


Este circuito es un
a. rectificador de media onda que produce pulsos CD negativos.
b. rectificador de media onda que produce pulsos CD positivos.
c. circuito de prueba de diodos.
d. rectificador de diodo que produce un pulso CD, con una polaridad igual a la de la entrada CA.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut9, Pregunta: ut9


Los circuitos rectificadores de media onda de diodo normales no pueden producir pulsos CD
puros para frecuencias de entrada mayores a 10 Khz debido a

a. un voltaje de ruptura bajo a frecuencias más altas.


b. que el voltaje de barrera aumenta significativamente.
c. el tiempo de recuperación inverso del diodo.
d. corrientes de fuga altas.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut10, Pregunta: ut10


A causa de la caída de voltaje directo del diodo en un circuito rectificador de media onda,
a. el voltaje de salida pico es mayor que el voltaje de entrada pico.
b. la resistencia de carga debería ser menor a 5 kΩ.
c. los rectificadores de media onda tienen pocas aplicaciones.
d. el voltaje de salida pico es menor que el voltaje de entrada pico, y el período del pulso
CD es menor a 180º.

3-41
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 – Diodos y rectificación de media onda

LOCALIZACIÓN DE FALLAS

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba2, Pregunta: trba2a


¿Está el circuito trabajando apropiadamente?
a. sí
b. no

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba3, Pregunta: trba3


6. ¿Cuál es el componente defectuoso?
a. CR1 (en corto).
b. CR2 (en corto).
c. R2 (en corto).
d. R1 (en corto).

MC DISPONIBLES
Ningunos

FALLAS DISPONIBLES
Falla 4

3-42
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

UNIDAD 3 – FILTRADO Y RECTIFICACIÓN/ONDA COMPLETA

OBJETIVO DE LA UNIDAD
Al completar esta unidad, usted será capaz de demostrar la rectificación de onda completa,
filtración, la duplicación de voltaje y medirá las condiciones del circuito.

FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf2, Pregunta: f2a


Un rectificador de puente de onda completa convierte
a. solo los semiciclos positivos de la entrada CA en pulsos de salida CD.
b. solo los semiciclos negativos de la entrada CA en pulsos de salida CD
c. semiciclos positivos y negativos de la entrada CA en pulsos de salida CD.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf3, Pregunta: f3a


El condensador de filtro reduce significativamente el rizado grande a la salida de un puente
porque
a. se carga lentamente y se descarga rápidamente.
b. se carga rápidamente y se descarga lentamente.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf4, Pregunta: f4a


La salida CD de un duplicador de voltaje es igual al doble del:
a. voltaje pico a pico de entrada CA.
b. voltaje pico de entrada CA.

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-43
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS


condensador de filtro (capacitor filter) - es un condensador usado para promediar los pulsos de
salida de un circuito rectificador.
condensador electrolítico (electrolytic capacitor) - Es un condensador de alta capacitancia que
es polarizado y usado en aplicaciones de filtros de fuentes de energía.
duplicador de voltaje – (voltage doubler) es un circuito designado para rectificar, filtrar y
duplicar el valor pico de entrada de voltaje de CA.
rectificador de onda completa (full-wave rectifier) - Es una configuración de un diodo en el que
las alternaciones positivo y negativo de una señal de entrada CA se convierten a una señal
ondulatoria de salida CD.
rectificador de puente (bridge rectifier)- es un tipo de circuito rectificador de onda completa.

EQUIPO REQUERIDO
Unidad base de FACET
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ( SEMICONDUCTOR DEVICES)
Multímetro
Osciloscopio de doble trazo
Generador de onda senoidal

3-44
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Ejercicio 1 – Rectificación onda completa con puente

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de demostrar la rectificación de onda
completa utilizando un circuito con rectificador de puente de onda completa. Verifique sus
resultados con un osciloscopio y un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d3, Pregunta: e1d3a


De las figuras mostradas, el rectificador de puente es
a. (A)
b. (B)

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d5, Pregunta: e1d5a


Los terminales de salida de un rectificador de puente de onda completa son aquellos marcados
con
a. el símbolo de una onda senoidal.
b. los signos (+) y (–).

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d7, Pregunta: e1d7a


Durante el semiciclo positivo de entrada CA, los diodos D1 y D3 están en
a. polarización directa y permiten la corriente a través de D3, R1 y D1.
b. polarización inversa y bloquean la corriente a través de D3, R1 y D1.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d8, Pregunta: e1d8a


Cuando los diodos D2 y D4 están en polarización directa durante los semiciclos negativos de la
entrada CA, la salida CD es:
a. un pulso negativo.
b. un pulso positivo.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d9, Pregunta: e1d9a


Durante el semiciclo positivo y negativo de la entrada CA, ¿cómo circula la corriente a través de
la resistencia de carga?
a. en diferentes direcciones
b. en la misma dirección

3-45
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d9, Pregunta: e1d9c


¿Cuál es la frecuencia de salida de un rectificador de onda completa?
a. igual a la frecuencia de la entrada CA
b. el doble de la frecuencia de entrada CA

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d10, Pregunta: e1d10a


Si el voltaje pico de salida es 10.0 Vo(pk), calcule el voltaje de salida promedio Vo(avg)).
Vo(avg) = V
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 6.36
Valor min/máx: (6.233) a (6.487)
Cálculo de valor: 6.360
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 2
Corregir tolerancia más = 2

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p1, Pregunta: e1p1a


2. ¿Qué es R1?
a. un puente rectificador de puente
b. una resistencia de carga

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3a


8. La relación primario-secundario del transformador, ¿es de aumento o disminución de voltaje?
a. disminución
b. aumento

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p4, Pregunta: e1p4a


10. ¿Van a ser rectificados a pulsos CD en la salida, los dos semiciclos de la entrada CA?
a. sí
b. no

3-46
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5a


11. Mida la frecuencia (f) de los pulsos de CD en R1 utilizando el canal 2 del osciloscopio.
f= Hz
Recordar etiqueta para esta pregunta: F1
Respuesta nominal: 200.0
Valor min/máx: (184) a (216)
Cálculo de valor: 200.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 8
Corregir tolerancia más = 8

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5c


12. Fije la sensibilidad del canal 2 a 0.2 V/MC y ajuste el nivel de referencia (0.0V). Mida el
voltaje pico de salida (Vo(pk)).
Vo(pk) = V
Recordar etiqueta para esta pregunta: V1
Respuesta nominal: 9.0
Valor min/máx: (8.28) a (9.72)
Cálculo de valor: 9.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 8
Corregir tolerancia más = 8

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5e


13. Calcule el voltaje de salida promedio (Vo(avg)). Use la siguiente ecuación con su valor
medido de Vo(pk) (#V#V).
Vo(avg) = 0.636 x Vo(pk)
= V
Recordar etiqueta para esta pregunta: V2
Respuesta nominal: 5.724
*
Valor min/máx: (5.161) a (6.306)
Cálculo de valor: #V1# *0.636
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 2
Corregir tolerancia más = 2

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-47
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5g


14. Ajuste el multímetro para voltaje de CD. Mida el voltaje de salida promedio en R1,
conectando el terminal común del multímetro al terminal negativo (–) de la salida.
Vo(avg) = V
Recordar etiqueta para esta pregunta: V3
Respuesta nominal: 5.4
Valor min/máx: (4.968) a (5.832)
Cálculo de valor: 5.400
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 8
Corregir tolerancia más = 8

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p6, Pregunta: e1p6a


15. La salida de la bobina secundaria del transformador se fijó en 20 Vpk-pk o un pico de
10 Vpk. Su valor medido del voltaje pico de salida del rectificador de onda completa fue
#V1# Vpk. La diferencia #(10 – V1)# se debe a
a. la caída de voltaje en la bobina del transformador.
b. la caída de voltaje directo en los dos diodos.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p9, Pregunta: e1p9a


19. Cuando el diodo D2 está conduciendo, su caída de voltaje (mostrada en la forma de onda
del canal 2) es igual a
a. la porción negativa (resaltada) en la forma de onda mostrada.
b. la porción positiva en la forma de onda mostrada.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p9, Pregunta: e1p9c


20. Mida en el osciloscopio la caída de voltaje en D2 (VD2), cuando este conduce. Mida VD2
desde la línea de referencia (GND).
VD2 = V
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: –0.5
Valor min/máx: (–0.75) a (–0.25)
Cálculo de valor: –0.500
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 50
Corregir tolerancia más = 50

3-48
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p9, Pregunta: e1p9e


21. Durante la porción negativa (resaltada) de la onda del canal 2, D2 está en
a. polarización inversa.
b. polarización directa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p10, Pregunta: e1p10a


22. ¿En cuál de los semiciclos de la entrada CA del canal 1, queda D2 polarizado en forma
directa?
a. en el negativo
b. en el positivo

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p10, Pregunta: e1p10c


23. ¿Qué otro diodo de este circuito está polarizado inversamente durante el semiciclo negativo
de la entrada CA?
a. D1
b. D3
c. D4

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p11, Pregunta: e1p11a


24. ¿En dónde está la porción positiva del voltaje del canal 2 del osciloscopio?
a. diodo D1 y resistencia de carga R1.
b. resistencia de carga R1.
c. diodo D4.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p11, Pregunta: e1p11c


25. ¿Cómo se encuentra D1 durante el semiciclo positivo de la entrada?
a. polarizado en forma inversa
b. polarizado en forma directa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p11, Pregunta: e1p11e


26. ¿Qué otro diodo de este circuito está en polarización directa durante el semiciclo positivo de
la entrada CA?
a. D2
b. D3
c. D4

3-49
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p12, Pregunta: e1p12a


27. Conecte el probador del canal 2 al terminal positivo (+) del puente. Durante el semiciclo
positivo de la entrada CA, la corriente fluye a través de:
a. D3, R1, y D1.
b. D2, R1, y D4.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p12, Pregunta: e1p12c


28. Durante el semiciclo negativo de la entrada CA, la corriente fluye a través de:
a. D3, R1, y D1.
b. D2, R1, y D4.

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r1, Pregunta: e1r1


1. En este rectificador de puente de onda completa, ¿qué grupos de diodos están polarizados
juntos?
a. D1 con D2 y D3 con D4
b. D1 con D4 y D3 con D2
c. D1 con D3 y D2 con D4
d. todos los diodos, D1, D2, D3 y D4

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r2, Pregunta: e1r2


2. Un rectificador de puente convierte
a. semiciclos de entrada positivos en una salida CD ondulatoria.
b. semiciclos de entrada negativos en una salida CD ondulatoria.
c. semiciclos de entrada negativos y positivos en una salida CD ondulatoria.
d. una entrada CD ondulatoria en una salida CA.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r3, Pregunta: e1r3


3. Un circuito rectificador de puente de onda completa conduce
a. solo durante los semiciclos negativos de la entrada CA.
b. solo durante los semiciclos positivos de la entrada CA.
c. sólo cuando el voltaje pico CA es mayor de 2V.
d. durante los semiciclos positivos y negativos de la entrada CA.

3-50
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r4, Pregunta: e1r4


4. La frecuencia de rizado de salida de un rectificador de puente de onda completa es
a. el doble de la frecuencia de entrada.
b. igual a la frecuencia de entrada.
c. la mitad de la frecuencia de entrada.
d. una función de la resistencia de carga.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r5, Pregunta: e1r5


5. ¿Cuál de las siguientes afirmaciones es verdadera acerca de un rectificador de puente de onda
completa?
a. La corriente de carga de un rectificador de puente de onda completa siempre fluye en la
misma dirección.
b. El voltaje pico de salida CD es menor que el voltaje pico de entrada CA, en un valor igual a
la caída de voltaje directo de los dos diodos que conducen.
c. El voltaje de salida CD promedio es 0.636 veces el voltaje pico de salida.
d. Todas las anteriores.

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-51
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

3-52
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Ejercicio 2 – Filtrado de la fuente de alimentación

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de demostrar cómo un filtro reduce
significativamente el rizado de una salida CD ondulatoria a un voltaje CD relativamente
uniforme, usando un circuito de filtro de entrada capacitivo. Usted verificará sus resultados con
un osciloscopio y un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d2, Pregunta: e2d2a


Un filtro de entrada capacitivo es un condensador electrolítico conectado a:
a. la salida de un rectificador, en paralelo con la carga.
b. en serie con la carga, a través de la salida del rectificador.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d4, Pregunta: e2d4a


Cuando no hay carga conectada a través del filtro de entrada capacitivo, el voltaje de salida del
rectificador
a. se mantiene en el voltaje pico.
b. se mantiene en 0 Vcd.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d9, Pregunta: e2d9a


En el punto B de la forma de onda de salida del filtro
a. el rectificador está cargando a C1 y suministrando corriente a RL.
b. C1 ha sido cargado al voltaje pico de salida del rectificador.
c. el voltaje de salida del rectificador ha aumentado al voltaje de C1.
d. C1 se está descargado a través de RL.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d9, Pregunta: e2d9c


Entre los puntos C y D de la forma de onda de salida del filtro,
a. el rectificador está cargando C1 y suministrando corriente a RL.
b. C1 ha alcanzado el voltaje pico de salida.
c. el voltaje de salida del rectificador ha aumentado al voltaje de C1.
d. C1 se está descargando a través de RL.

3-53
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d11, Pregunta: e2d11a


El tiempo de descarga para el filtro capacitivo es
a. más corto que el tiempo de carga y depende del voltaje pico del rectificador.
b. mayor que el tiempo de carga y depende del producto de la capacitancia por la
resistencia (constante de tiempo RC).

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d13, Pregunta: e2d13a


El rizado obtenido con un condensador de 20 µF, ¿es más pequeño o más grande que el obtenido
con un condensador de 10 µF?
a. más grande
b. más pequeño

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p1, Pregunta: e2p1a


2. El circuito que conectó es un:
a. rectificador de media onda.
b. filtro capacitivo.
c. rectificador de puente de onda completa sin resistencia de carga.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3a


7. La señal que observa en el canal 2 del osciloscopio corresponde a
a. pulsos de CD de media onda.
b. pulsos de CD de onda completa filtrados.
c. pulsos CD de onda completa sin filtrado.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3c


8. En el canal 2 del osciloscopio, mida el voltaje pico de salida (Vo(pk)) de los pulsos CD con
respecto a tierra.
Vo(pk) = V
Recordar etiqueta para esta pregunta: V5
Respuesta nominal: 13.0
Valor min/máx: (11.05) a (14.95)
Cálculo de valor: 13.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

3-54
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p4, Pregunta: e2p4a


10. Cuando agregó C1 a través del rectificador de puente de onda completa, el condensador
formó un
a. circuito rectificador de diodo de media onda.
b. filtro de entrada capacitivo a la salida de un rectificador de puente.
c. circuito puente de onda completa con una resistencia de carga.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p4, Pregunta: e2p4c


11. La señal del canal 2 es un voltaje constante porque
a. el circuito deja de ser un rectificador de onda completa cuando se conecta C1 a la salida.
b. el condensador se carga al voltaje pico de salida y permanece en ese valor, porque no
hay resistencia de carga para descargar el condensador.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p5, Pregunta: e2p5a


12. Utilice un multímetro para medir el voltaje de salida CD a través del rectificador de puente.
voltaje de salida (CD) = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V6
Respuesta nominal: 12.5
Valor min/máx: (11.25) a (13.75)
Cálculo de valor: 12.500
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 10
Corregir tolerancia más = 10

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p5, Pregunta: e2p5c


13. Con C1 conectado, su lectura de voltaje de salida fue #V6# Vcd, ¿es esencialmente igual al
voltaje pico de salida (#V5# Vcd) sin conectar C1?
a. sí
b. no
Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p5, Pregunta: e2p5e
14. Fije el canal 2 del osciloscopio en CA, con el valor más bajo de sensibilidad vertical, y
observe si existe rizado en el voltaje a través de C1. ¿Es el contenido de rizado del voltaje de C1
insignificante?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p6, Pregunta: e2p6a


16. La salida del canal 2 es
a. la salida no filtrada de un rectificador de onda completa de diodo a través de una carga
de 47 kΩ.
b. la salida filtrada de un rectificador de onda completa de diodo a través de una carga de 47
kΩ.

3-55
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7a


17. Conecte C1 y la resistencia de carga R2 (47 kΩ), como se observa. La salida en el canal 2 es
a. la salida no filtrada de un rectificador de onda completa de diodo a través de una carga de
47 kΩ.
b. la salida filtrada de un rectificador de onda completa de diodo a través de una carga de
47 kΩ.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7c


18. Ajuste el canal 2 del osciloscopio para observar si existe algún rizado en el voltaje CD de
salida.
¿Hay algún rizado a través de la salida del rectificador con C1 y R2 conectados?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7e


19. En el canal 2 del osciloscopio, mida el voltaje de rizado pico a pico con C1 y R2 conectados
a través de la salida.
Rizado = mVpk-pk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V7
Respuesta nominal: 100.0
Valor min/máx: (75) a (125)
Cálculo de valor: 100.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 25
Corregir tolerancia más = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p8, Pregunta: e2p8a


20. Si es necesario, ajuste la señal CA en el primario del transformador, que se observa en el
canal 1 a 20 Vpk-pk. Con un multímetro mida el voltaje de salida CD en C1 y R2.
voltaje de salida CD = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V8
Respuesta nominal: 9.66
Valor min/máx: (8.887) a (10.43)
Cálculo de valor: 9.660
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 8
Corregir tolerancia más = 8

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p8, Pregunta: e2p8c


21. Con R2 conectada en paralelo a C1, el voltaje de salida CD a través del rectificador de puente
disminuyó de #V6# Vcd a #V8# Vcd debido a
a. la caída de voltaje en la bobina secundaria del transformador.
b. la reducción del rizado.

3-56
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9a


23. En el canal 2 del osciloscopio, mida el voltaje pico a pico de rizado con C1, C2, y R2
conectados a través del rectificador.
Rizado = mVpk-pk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V9
Respuesta nominal: 50.0
Valor min/máx: (37.5) a (62.5)
Cálculo de valor: 50.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 25
Corregir tolerancia más = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9c


24. Utilizando un multímetro, mida el voltaje de salida CD del rectificador a través de C1, C2, y
R2.
voltaje de salida (CD) = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V10
Respuesta nominal: 9.65
Valor min/máx: (8.878) a (10.42)
Cálculo de valor: 9.650
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 8
Corregir tolerancia más = 8

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p10, Pregunta: e2p10a


25. Cuando aumentó el valor de la capacitancia en el filtro de 10 µF a 20 µF, el rizado medido
disminuyó de #V7# Vpk-pk a #V9# Vpk-pk ,pero el voltaje de salida permaneció esencialmente
constante (#V8# Vcd a #V10# Vcd). De sus mediciones, se puede concluir que al aumentar la
capacitancia del filtro, disminuye significativamente el rizado del voltaje rectificado,
a. pero no disminuye el nivel del voltaje CD.
b. y disminuye el nivel del voltaje CD.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p11, Pregunta: e2p11a


26. Disminuya la resistencia de carga, reemplazando R2 (47 kΩ) por R3 (33 kΩ) en el circuito.
Al disminuir la resistencia de carga, la corriente de carga
a. disminuye
b. aumenta

3-57
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p11, Pregunta: e2p11c


27. En el canal 2 del osciloscopio, mida el voltaje de rizado pico a pico con C1, C2 y R3
conectados.
Rizado = mVpk-pk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V11
Respuesta nominal: 60.0
Valor min/máx: (45) a (75)
Cálculo de valor: 60.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 25
Corregir tolerancia más = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p11, Pregunta: e2p11e


28. Utilice un multímetro para medir el voltaje de salida a través de C1, C2 y R3.
voltaje de salida (CD) = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V12
Respuesta nominal: 9.13
Valor min/máx: (8.4) a (9.86)
Cálculo de valor: 9.130
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 8
Corregir tolerancia más = 8

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p12, Pregunta: e2p12a


29. Cuando disminuyó la resistencia de 47 kΩ a 33 kΩ que se encuentra en paralelo con el
condensador de 20 µF, el rizado aumentó de #V9# Vpk-pk a #V11# Vpk-pk y el voltaje de
salida de CD disminuyó de #V10# Vcd a #V12# Vcd.

En una fuente de alimentación no regulada con filtro capacitivo, la resistencia de carga


a. afecta el rizado y el voltaje promedio de salida CD.
b. no afecta el rizado y el voltaje promedio de salida CD.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p13, Pregunta: e2p13a


30. En el canal 1 del osciloscopio, revise que el voltaje en el primario de T1 sea 20 Vpk-pk.
Mientras observa el rizado en el canal 2, aumente la frecuencia del generador senoidal a 500 Hz.
El contenido de rizado a la salida del voltaje CD en el canal 2, ¿aumenta o disminuye cuando
aumenta la frecuencia de línea?.
a.. aumenta
b. disminuye

3-58
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p14, Pregunta: e2p14a


32. MC 15 se activa para crear una falla en el circuito. Para observar el efecto de la MC
(Modificación del circuito), encienda y apague MC 15 presionando <MC>. MC 15
a. desconecta a R2 del circuito.
b. desconecta C1 del circuito.
c. cortocircuito T1.

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r1, Pregunta: e2r1


1. ¿Cómo está conectado un filtro de entrada capacitiva?
a. en serie con la resistencia de carga
b. en paralelo con la entrada CD a un rectificador de puente
c. en paralelo con la resistencia de carga
d. en serie con la entrada CA a un rectificador de puente.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r2, Pregunta: e2r2


2. ¿Cuál es el voltaje CD promedio de salida para un rectificador de puente de onda completa
con filtro capacitivo, pero sin carga ?
a. 0.636 veces el voltaje pico de los pulsos CD de salida
b. igual al voltaje pico a pico de la entrada CA
c. 0 Vcd
d. igual al voltaje pico de salida del rectificador sin un filtro

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r3, Pregunta: e2r3


3. El voltaje rizado pico a pico de un rectificador de puente con filtro de entrada capacitivo,
disminuye con un aumento en la
a. la capacitancia.
b. la resistencia de carga.
c. la frecuencia de entrada.
d. todas las anteriores

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r4, Pregunta: e2r4


4. Un filtro con entrada capacitivo disminuye el rizado de un rectificador de puente del rango
de voltios al rango de milivoltios, y mantiene un voltaje CD promedio alto de salida, porque las
constantes de tiempo de carga y descarga son
a. pequeña y grande, respectivamente.
b. grande y pequeña, respectivamente.
c. ambas grandes.
d. ambas pequeñas.

3-59
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r5, Pregunta: e2r5


5. Si un condensador de 10 µF se conecta en paralelo con un filtro de entrada con un
condensador de 20 µF , a la salida de un rectificador de puente, el rizado de salida
a. aumentará.
b. no cambiará
c. disminuirá.
d. tendrá una frecuencia más baja.

MC DISPONIBLES
MC 15 TOGGLE

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-60
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Ejercicio 3 – Duplicador de voltaje

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de demostrar cómo obtener una salida
de voltaje CD filtrada igual al doble del pico de voltaje CA de entrada, por medio de un circuito
duplicador (o doblador) de voltaje. Verificará sus resultados con un multímetro y un
osciloscopio.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d2, Pregunta: e3d2a


Si dos condensadores están conectados en serie y cada uno es cargado a 10 Vcd, el voltaje a
través de los dos es
a. 10 Vcd
b. 20 Vcd

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d3, Pregunta: e3d3a


En el duplicador de voltaje mostrado, cuando el diodo
a. CR1 conduce, el condensador C1 se carga.
b. CR2 conduce, el condensador C2 se carga.
c. ambas son correctas

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d5, Pregunta: e3d5a


Suponga que el voltaje pico de entrada (Vpk) es 15 Vpk. Durante el semiciclo negativo de la
entrada de CA, C2 se carga a (VC2) hasta un valor de
a. 30.0 Vcd
b. 14.4 Vcd

3-61
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d6, Pregunta: e3d6a


C1 se carga a 14.4 Vcd durante el semiciclo positivo de entrada de CA, y C2 se carga a 14.4 Vcd
durante el semiciclo negativo de entrada de CA. Calcule el máximo voltaje CD de salida (Vo) en
C1 y C2.
Vo = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V14
Respuesta nominal: 28.8
Valor min/máx: (28.22) a (29.38)
Cálculo de valor: 28.800
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 2
Corregir tolerancia más = 2

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d7, Pregunta: e3d7a


Si la frecuencia de la entrada CA es 50 Hz, la frecuencia del rizado de salida de un duplicador
de voltaje de onda completa es
a. 100 Hz.
b. 50 Hz.

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p2, Pregunta: e3p2a


5. En el canal 2 del osciloscopio, los picos de la señal de entrada al duplicador de voltaje son
aplanados
a. debido a la caída de voltaje en la bobina secundaria de T1 durante el período en que
cada diodo conduce una corriente relativamente alta.
b. porque los voltajes en los condensadores cargados (C1 y C2) se suman.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p3, Pregunta: e3p3a


6. Mida en el canal 2, el voltaje pico de entrada al duplicador de voltaje.
Vpk de entrada = V
Recordar etiqueta para esta pregunta: V15
Respuesta nominal: 10.5
Valor min/máx: (8.925) a (12.08)
Cálculo de valor: 10.500
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

3-62
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p3, Pregunta: e3p3c


7. ¿Qué valor calcularía para la salida CD del duplicador de voltaje (a través de R1 y R2) basado
en su voltaje pico de entrada medido #V15#V ? (Ignore la caída de voltaje del diodo.)
Vo calculado = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V16
Respuesta nominal: 21.0
Valor min/máx: (17.85) a (24.15)
Cálculo de valor: 21.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p3, Pregunta: e3p3e


8. Mida con el multímetro, el voltaje de salida del duplicador (a través de R1 y R2).
Vo medido = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V17
Respuesta nominal: 20.2
Valor min/máx: (17.17) a (23.23)
Cálculo de valor: 20.200
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p3, Pregunta: e3p3g


9. Considerando que las caídas de voltaje del diodo están justificadas en el valor medido, los
valores calculado(#V16# Vcd) y medido (#V17#dc) del voltaje de salida, ¿concuerdan?.
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p4, Pregunta: e3p4a


10. Mida con el multímetro la carga de voltaje CD a través de C2 (Vc2).
Vc2 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V18
Respuesta nominal: 10.1
Valor min/máx: (8.585) a (11.62)
Cálculo de valor: 10.100
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

3-63
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p4, Pregunta: e3p4c


11. Mida con el multímetro la carga de voltaje CD a través de C1 (VC1).
VC1 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V19
Respuesta nominal: 10.1
Valor min/máx: (8.585) a (11.62)
Cálculo de valor: 10.100
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p4, Pregunta: e3p4e


12. La suma de VC1 (#V19# Vcd) y VC2 (#V18# Vcd), ¿es igual al voltaje de salida medido
(#V17# Vcd) dentro de las tolerancias de medición?
a. no
b. sí

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p5, Pregunta: e3p5a


13. Conecte la salida del canal 2 al teminal superior de C1 y el terminal de tierra al extremo
inferior de C2, ajuste el osciloscopio en CA, mida el voltaje de rizado pico-pico de la salida de
CD.
Rizado = mVpk-pk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V20
Respuesta nominal: 25.0
Valor min/máx: (12.5) a (37.5)
Cálculo de valor: 25.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 50
Corregir tolerancia más = 50

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p5, Pregunta: e3p5c


14. Mida en el canal 2 del osciloscopio la frecuencia del rizado. Ésta es igual a
a. la frecuencia de la señal de entrada CA del canal 1.
b. dos veces la frecuencia de la señal de entrada CA del canal 1.

3-64
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p6, Pregunta: e3p6a


15. MC 18 se activa para agregar una resistencia de carga de 39KΩ a través de la salida en
paralelo con R1 y R2. Usted puede activar y desactivar MC 18 presionando <MC>. Observe la
señal de salida en el canal 2 del osciloscopio. Con una resistencia de 39 kΩ como carga, el
voltaje pico a pico del rizado de salida CD
a. aumentó
b. disminuyó

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p6, Pregunta: e3p6c


16. Mida en el canal 2 del osciloscopio el voltaje pico a pico del rizado de salida CD, con una
resistencia de 39 kΩ como carga (MC 18 activado).
Rizado = mVpk-pk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V21
Respuesta nominal: 60.0
Valor min/máx: (30) a (90)
Cálculo de valor: 60.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 50
Corregir tolerancia más = 50

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p6, Pregunta: e3p6e


17. Utilizando el multímetro, mida el voltaje de salida CD del duplicador con una carga de 39 kΩ
(MC 18 activado).
Vo = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V22
Respuesta nominal: 13.2
Valor min/máx: (11.22) a (15.18)
Cálculo de valor: 13.200
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

3-65
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r1, Pregunta: e3r1


La causa más probable para que el voltaje de salida disminuya con MC 17 activado, es que éste
causó
a. circuitos abiertos en ambos circuitos de diodos.
b. un aumento en la capacitancia de ambos condensadores.
c. un circuito abierto entre la entrada y un circuito de diodo.
d. un aumento en la resistencia de carga.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r2, Pregunta: e3r2


2. La salida de un duplicador de voltaje es aproximadamente dos veces:
a. el voltaje pico a pico de la entrada CA.
b. el voltaje pico de entrada CA.
c. la caída de voltaje a través de ambos diodos.
d. la caída de voltaje a través de la resistencia de carga.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r3, Pregunta: e3r3


3. Una resistencia de un valor alto (100 kΩ), puede colocarse a través de cada filtro capacitivo
de un duplicador de voltaje para
a. igualar las caídas de voltaje de los condensadores.
b. aumentar el cambio de voltaje del condensador.
c. aumentar la resistencia de carga.
d. disminuir la corriente del diodo.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r4, Pregunta: e3r4


4. En un circuito duplicador de voltaje, cada pareja de componentes diodo/condensador
conducen
a. 90º de cada ciclo de entrada CA.
b. durante los ciclos alternos del voltaje de entrada.
c. durante el mismo semiciclo del voltaje de entrada.
d. durante semiciclos alternos del voltaje de entrada.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r5, Pregunta: e3r5


5. La frecuencia del rizado de salida de un duplicador de voltaje de onda completa
a. es el doble de la frecuencia de entrada.
b. es la mitad de la frecuencia de la entrada.
c. es igual a la frecuencia de la entrada.
d. depende de los valores del condensador y la resistencia de carga.

3-66
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

MC DISPONIBLES
MC 18 TOGGLE
MC 17 TOGGLE

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-67
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

PRUEBA DE LA UNIDAD

NOTA: Dependiendo de los ajustes de configuración, estas preguntas pueden presentarse


aleatoriamente en la pantalla.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut1, Pregunta: ut1


¿Qué sucede si la capacitancia de un filtro rectificador aumenta?
a. el rizado de salida aumenta
b. el voltaje de salida CD disminuye apreciablemente
c. la corriente de carga disminuye
d. el rizado de salida disminuye

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut2, Pregunta: ut2


Un rectificador de puente de onda completa tiene
a. 6 diodos.
b. 4 diodos.
c. 2 diodos.
d. 6, 4, o 2 diodos, dependiendo de la configuración.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut3, Pregunta: ut3


Un circuito duplicador de voltaje tiene
a. dos condensadores conectados en paralelo.
b. cada pareja de condensador y diodo conectados en paralelo.
c. dos condensadores conectados en serie.
d. un condensador conectado en serie con la carga y otro condensador conectado en paralelo a
través de la carga.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut4, Pregunta: ut4


¿Cuál es la salida de un rectificador de onda completa no filtrado?
a. una señal pulsante de CD
b. una señal pulsante de CA
c. una onda senoidal con el doble de frecuencia de la línea
d. un voltaje CD relativamente liso

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut5, Pregunta: ut5


¿Cuál es la función de un filtro de entrada capacitivo?
a. convertir ondas senoidales CA en una señal pulsante de CD
b. convertir ondas de rizado CD en pulsos CD
c. convertir una señal pulsante CD en pulsante CA
d. alisar una señal pulsante CD

3-68
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut6, Pregunta: ut6


¿Qué sucede con el voltaje promedio de salida CD de un circuito rectificador filtrado, no
regulado?
a. disminuirá, si la resistencia de carga aumenta
b. disminuirá, si la resistencia de carga disminuye
c. no cambiará con modificaciones en la resistencia de carga
d. no se afectará por un cambio en el voltaje de entrada CA

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut7, Pregunta: ut7


En un rectificador de puente de onda completa, ¿cuántos diodos conducen al mismo tiempo?
a. 6
b. 4
c. 2
d. 1

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut8, Pregunta: ut8


En un duplicador de voltaje, ¿cuántos diodos conducen a la vez?
a. 6
b. 4
c. 2
d. 1

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut9, Pregunta: ut9


Una ventaja de la rectificación de onda completa es que
a. utiliza los semiciclos individuales del voltaje de entrada.
b. utiliza ambos semiciclos del voltaje de entrada.
c. utiliza más componentes.
d. no requiere filtrado a la salida.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut10, Pregunta: ut10


La frecuencia de los pulsos CD de un rectificador de puente
a. es igual al doble de la frecuencia de entrada CA.
b. es igual a la mitad de la frecuencia de entrada CA.
c. depende de la capacitancia del filtro.
d. es igual a la frecuencia de la entrada CA.

3-69
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

LOCALIZACIÓN DE FALLAS

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba2, Pregunta: trba2a


Conecte el probador del canal 2 del osciloscopio a través de R1, que es la salida (VR1) del
rectificador de puente de onda completa.
¿ Están siendo rectificados ambos semiciclos de la onda de entrada CA, a pulsos CD en la salida?
a. sí
b. no

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba2, Pregunta: trba2c


VR1 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 6.93
Valor min/máx: (6.237) a (7.623)
Cálculo de valor: 6.930
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 10
Corregir tolerancia más = 10

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba3, Pregunta: trba3


6. El componente defectuoso es
a. T1 (una bobina secundaria abierta).
b. R1 (en corto).
c. D2 (en corto).
d. T1 (una bobina primaria en corto).

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb2, Pregunta: trbb2a


Conecte el probador del canal 2 del osciloscopio a través de R1, que es la salida (VR1) del
rectificador de puente de onda completa.¿Están siendo rectificados ambos semiciclos de la forma
de onda de entrada CA a pulsos CD en la salida?
a. sí
b. no

3-70
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb2, Pregunta: trbb2c


VR1 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 6.93
Valor min/máx: (6.237) a (7.623)
Cálculo de valor: 6.930
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 10
Corregir tolerancia más = 10

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb3, Pregunta: trbb3


6. ¿Cuál es el componente defectuoso?
a. T1 (una bobina secundaria abierta).
b. R1 (en corto).
c. D2 (en corto).
d. T1 (una bobina primaria abierta).

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbc2, Pregunta: trbc2a


Conecte el probador del osciloscopio a través de la salida (R1 y R2). ¿La salida es esencialmente
una señal de voltaje CD constante sin rizado visible?
a. Sí
b. No

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbc2, Pregunta: trbc2c


4. Con un multímetro, mida el voltaje de CD de la salida (Vo).
Vo = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 20.2
Valor min/máx: (17.17) a (23.23)
Cálculo de valor: 20.2
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

3-71
Fundamentos de semiconductores Unidad 3 – Filtrado y rectificación/onda completa

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbc3, Pregunta: trbc3


6. ¿Cuál es el componente defectuoso?
a. CR2 (en corto)
b. CR1 (abierto)
c. C2 (abierto o desconectado)
d. C1 (abierto o desconectado)

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Falla 7
Falla 9
Falla 10
Falla 11

3-72
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

UNIDAD 4 – FORMAS DE ONDA Y REGULADOR ZENER

OBJETIVO DE LA UNIDAD
Al finalizar esta unidad, usted será capaz de describir el funcionamiento de un diodo Zener, los
diodos formadores de onda y el regulador de voltaje Zener. Utilizando los respectivos circuitos.

FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf5, Pregunta: f5a


La salida de un circuito de corrección de onda con diodo
a. convierte CD a CA
b. tiene una forma de onda diferente que la entrada.
c. filtra una señal CD ondulatoria.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf8, Pregunta: f8a


El voltaje Zener de un diodo Zener.
a. igual a la caída de voltaje directo.
b. está en su voltaje inverso de ruptura.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf10, Pregunta: f10a


Un diodo Zener como regulador de voltaje, mantiene el voltaje de salida casi constante para
a. variaciones de voltaje de entrada (línea).
b. variaciones en la corriente de carga.
c. todas las anteriores

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-73
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS


limitador (limiter) - un circuito que previenen los voltajes por arriba o por debajo de los puntos
especificados que se presentan en las terminales de salida del circuito.
fijación (clamper) – Circuito de fijación: es un circuito que cambia el nivel de referencia de una
forma de onda de entrada de un circuito de salida.
diodo Zener (Zener diode) - es un diodo designado para operar en la región de avalancha,
manteniendo una caída de voltaje relativamente constante sobre un rango de flujo de corriente.
El área de operación de avalancha de un diodo ocurre cuando el cátodo es positivo con respecto
al ánodo.
voltaje Zener (Zener voltage) - es el voltaje casi constante producido por un diodo Zener.
regulador de voltaje (voltage regulator) - un circuito que mantiene un voltaje de salida constante
cuando el voltaje de entrada y las cargas de salida cambian.
restauradores de CD (dc restorers) - circuitos que duplican sus voltajes de entrada a sus
terminales de salida pero mueven o cambian los niveles de referencia de la señal.
fijador positivo (positive clamper) - un circuito que ajusta o fija el pico negativo de una forma de
onda de entrada.
fijador negativo (negative clamper) - un circuito que ajusta o fija el pico positivo de una forma
de onda de entrada.
avalancha (avalanche) - el punto del voltaje inverso en el que una unión PN se rompe para dar
paso a valores altos de corriente.

EQUIPO REQUERIDO
Unidad base de FACET
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES)
Multímetro
Osciloscopio de doble trazo
Generador de onda senoidal

3-74
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Ejercicio 1 – Formador de onda con diodos

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Al finalizar este ejercicio, usted será capaz de describir las funciones de recorte y fijación para
una onda determinada. Utilizando los circuitos respectivos, adicionalmente, podrá verificar sus
resultados con el osciloscopio.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d3, Pregunta: e1d3a


Un circuito limitador (o recortador)
a. alisa los pulsos CD de salida.
b. opera como un rectificador de onda completa.
c. elimina un pico de una onda de entrada.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d4, Pregunta: e1d4a


En el primer circuito, el voltaje de salida es limitado a 0.6 Vcd cuando el diodo está:
a. polarizado en forma directa durante el semiciclo positivo de entrada.
b. polarizado en forma inversa durante el semiciclo negativo de entrada.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d6, Pregunta: e1d6a


Cuando VB es –6.4 Vcd, el semiciclo de salida negativo es limitado a cerca de
a. –6.4 Vcd.
b. –7.0 Vcd.
c. –0.6 Vcd.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d7, Pregunta: e1d7a


Si un circuito fijador mantiene el pico positivo de una onda cuadrada en 0 Vcd, la salida
aparecería como se muestra en:
a. (A)
b. (B)
c. (C)

3-75
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d7, Pregunta: e1d7c


Si el circuito fijador mantiene el pico negativo de la onda de forma cuadrada a 0 Vcd, la salida
aparecería como
a. (A)
b. (B)
c. (C)

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d10, Pregunta: e1d10a


Si la onda cuadrada de entrada tiene un voltaje de 15 Vpk, la magnitud del pico de salida
positivo por encima de 0 Vcd es aproximadamente
a. 30V.
b. 15V.
c. 20V.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d12, Pregunta: e1d12a


Si la onda cuadrada de entrada tiene un voltaje de 15 Vpk, la magnitud de la carga del
condensador C1 es aproximadamente:
a. +15 Vcd.
b. –15 Vcd.
c. –30 Vcd.

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p1, Pregunta: e1p1a


3. Conecte el probador del canal 2 a través de R2 y observe la forma de onda de salida. ¿Tienen
las ondas de salida y de entrada la misma forma?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2a


5. Con la fuente variable en el cátodo de CR1 en 0 Vcd, ¿cuál de los dos semiciclos de la señal
de salida, el positivo o el negativo, limitará el circuito?
a. el negativo
b. el positivo

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2c


6. Conecte el probador del canal 2 a través de la resistencia de carga R2. ¿Qué semiciclo de
salida está siendo limitado?
a. el negativo
b. el positivo

3-76
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3a


Pico positivo de salida = Vpk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V1
Respuesta nominal: 0.6
Valor min/máx: (0.36) a (0.84)
Cálculo de valor: 0.600
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 40
Corregir tolerancia más = 40

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3c


8. Su medición de #V1# Vpk es
a. la caída de voltaje directa de CR1.
b. la caída de voltaje de R1.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p4, Pregunta: e1p4a


9. Conecte el circuito mostrado. Ajuste la fuente variable negativa en CR2 a 0 Vcd. Use un
multímetro para medir el voltaje. ¿Qué semiciclo de entrada está siendo limitado?
a. el negativo
b. el positivo

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p4, Pregunta: e1p4c


10. Ajuste el osciloscopio para medir con precisión el voltaje pico (con respecto a tierra) al cual
el semiciclo negativo de salida es limitado.
Pico de salida negativo = Vpk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V2
Respuesta nominal: –0.6
Valor min/máx: (–0.84) a (–0.36)
Cálculo de valor: –0.600
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 40
Corregir tolerancia más = 40

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5a


11. Conecte el circuito mostrado. Fije la sensibilidad del canal 2 en 0.2 V/cm y con un probador
en X10 (2 V/cm). Con CR1 y CR2 en el circuito, ¿qué tipo de forma de onda observa?
a. onda senoidal
b. onda cuadrada

3-77
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5c


12. Ajuste la fuente variable positiva en 2.0 Vcd para CR1. Use un multímetro para medir el
voltaje. ¿Cuál semiciclo de salida aumentó?
a. el negativo
b. el positivo

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5e


13. En el canal 2 de la pantalla del osciloscopio, mida el pico del semiciclo de salida positivo
desde el nivel de referencia de 0 Vcd (tierra).
Pico positivo de salida = Vpk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V3
Respuesta nominal: 2.5
Valor min/máx: (2) a (3)
Cálculo de valor: 2.500
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 20
Corregir tolerancia más = 20

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p6, Pregunta: e1p6a


14. Ajuste la fuente variable negativa a –2.0 Vcd en CR2. Use un multímetro para medir el
voltaje. ¿Cuál semiciclo de salida aumentó
a. el negativo
b. el positivo

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p6, Pregunta: e1p6c


15. En el canal 2 de la pantalla del osciloscopio, mida el pico del semiciclo de salida negativo
desde el nivel de referencia de 0 Vcd (tierra).
Pico negativo de salida = Vpk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V4
Respuesta nominal: –2.5
Valor min/máx: (–3) a (–2)
Cálculo de valor: –2.500
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 20
Corregir tolerancia más = 20

3-78
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7a


16. ¿Concluiría usted que un circuito limitador de dos diodos ,puede convertir una onda senoidal
en una forma de onda que se aproxima a una onda cuadrada?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7c


17. Basándose en las formas de onda observadas, ¿se desplaza el voltaje de referencia de la señal
de salida con respecto al voltaje de referencia de la señal de la entrada?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7e

Recordar etiqueta para esta pregunta:


Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (–100) a (100)
Cálculo de valor: 0.000
Corregir porcentaje de tolerancia = falso
Corregir tolerancia menos = 100
Corregir tolerancia más = 100

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p8, Pregunta: e1p8a


21. Observe la salida del circuito de fijación en el canal 2. El pico positivo de la forma de onda
de salida, ¿es fijado a 0 Vcd? (No considere la caída de voltaje directa del diodo)
a. no
b. sí

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p8, Pregunta: e1p8c


Recordar etiqueta para esta pregunta: V5
Respuesta nominal: –10.0
Valor min/máx: (–12) a (–8)
Cálculo de valor: –10.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 20
Corregir tolerancia más = 20

3-79
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p9, Pregunta: e1p9a


23. Ajuste la fuente positiva variable a 3.0 Vcd en CR1. Use un multímetro para medir el voltaje.
En el canal 2, mida el nivel de voltaje para el cual se fija el pico de salida positivo, con respecto
a tierra.
Pico positivo fijado = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V6
Respuesta nominal: 3.0
Valor min/máx: (2.25) a (3.75)
Cálculo de valor: 3.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 25
Corregir tolerancia más = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p10, Pregunta: e1p10a


25. Observe la salida del circuito de fijación en el canal 2. El pico negativo de la forma de onda
de salida, ¿es fijado a cerca de 0 Vcd? (No considere la caída de voltaje directo del diodo)
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p10, Pregunta: e1p10c


Pico positivo de salida = Vpk
Recordar etiqueta para esta pregunta: V7
Respuesta nominal: 10.0
Valor min/máx: (8) a (12)
Cálculo de valor: 10.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 20
Corregir tolerancia más = 20

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p10, Pregunta: e1p10e


27. Examine la entrada de onda seno CA en el canal 1, y la salida de onda cuadrada en el canal 2.
¿Está el circuito de fijación trabajando como un circuito restaurador CD?
a. no
b. sí

3-80
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p11, Pregunta: e1p11a


28. Ajuste la fuente negativa variable a –2.0 Vcd en CR2. Use un multímetro para medir el
voltaje. En el canal 2, mida el nivel de voltaje para el cual se ha fijado el pico de salida negativo,
respecto a tierra.
Pico de salida negativo = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V8
Respuesta nominal: –2.0
Valor min/máx: (–2.5) a (–1.5)
Cálculo de valor: –2.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 25
Corregir tolerancia más = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p12, Pregunta: e1p12a


30. MC 14 está activado. Observe la forma de onda en la salida del circuito de fijación mostrada
en el canal 2. Basándose en la forma de onda, MC 14 hizo que la constante de tiempo de
descarga del circuito sea demasiado
a. corta
b. larga

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p12, Pregunta: e1p12c


31. Para hacer la constante de tiempo de descarga muy pequeña, MC 14
a. redujo la resistencia de carga R2.
b. incrementó la resistencia de carga R2.

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r1, Pregunta: e1r1


1. Un circuito limitador con diodos es usado para
a. convertir de CD a CA
b. recortar o aplanar un semiciclo de salida
c. rectificación de onda completa
d. reducir pero no distorsionar la amplitud de una señal CA

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r2, Pregunta: e1r2


2. ¿Cuál es la función del circuito de fijación?
a. rectifica y filtra una onda senoidal
b. convierte una onda cuadrada en una senoidal
c. convierte una onda senoidal en una onda cuadrada
d. desplaza el extremo de amplitud positivo o negativo de entrada a un nivel de voltaje de
referencia CD de salida diferente

3-81
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r3, Pregunta: e1r3


3. Usted puede ajustar el nivel limitador de una forma de onda de salida de un limitador
a. agregando un segundo condensador al circuito.
b. usando dos diodos en paralelo.
c. aplicando un voltaje de polarización CD al diodo.
d. cambiando el valor de la resistencia del circuito.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r4, Pregunta: e1r4


4. Para tener una forma de onda de salida no distorsionada de un circuito de fijación, la constante
de tiempo de descarga
a. debería ser grande, comparada con el período de la forma de onda de entrada.
b. debería ser corta, comparada con el período de la forma de onda de entrada.
c. no depende del período de la forma de onda de entrada.
d. debería ser igual al período de la onda de entrada.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r5, Pregunta: e1r5


5. En el circuito mostrado
a. R1 está fuera del circuito, porque CR1 está en polarización directa.
b. CR1 no puede polarizarse en forma directa porque CR1 bloquea todos los voltajes CD.
c. C1 se carga a través de R1 y se descarga a través de CR1.
d. C1 se carga a través de CR1 y se descarga a través de R1.

MC DISPONIBLES
MC 14

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-82
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Ejercicio 2 – El diodo Zener

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Al finalizar este ejercicio, usted será capaz de describir la operación de un diodo Zener,
empleando la curva característica CD. Podrá verificar sus resultados con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d1, Pregunta: e2d1a


El voltaje Zener o en avalancha de un diodo Zener ocurre en el
a. voltaje de polarización directa.
b. voltaje de ruptura.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d2, Pregunta: e2d2a


En al figura, ¿cuál es el diodo Zener?
a. CR1.
b. CR2.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d3, Pregunta: e2d3a


En la región Zener de la curva característica CD para un diodo Zener, la
a. corriente directa aumenta rápidamente con un aumento leve del voltaje.
b. la corriente inversa disminuye muy rápidamente con un aumento grande en el voltaje inverso.
c. la corriente inversa aumenta muy rápidamente con un aumento leve del voltaje inverso.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d4, Pregunta: e2d4a


La corriente de prueba Zener (IZT) está en un punto de la curva característica donde la corriente
Zener:
a. aumenta lentamente con un aumento del voltaje inverso.
b. comienza a aumentar rápidamente con un pequeño aumento en el voltaje Zener.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d5, Pregunta: e2d5a


En el circuito mostrado, la corriente Zener (IZ) sería:
a. (VA – VZ)/R2.
b. VZ/R2.

3-83
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p1, Pregunta: e2p1a


2. Polarice el diodo Zener CR1 en forma directa, conectando el terminal rojo (positivo) del
óhmetro al ánodo y el terminal negro (negativo) al cátodo. El medidor indica que el diodo Zener
a. conduce.
b. no conduce.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p1, Pregunta: e2p1c


3. Polarice el diodo Zener en forma inversa, conectando el terminal rojo (positivo) del óhmetro al
ánodo y el terminal negro (negativo) al cátodo. El medidor indica que el diodo Zener
a. conduce.
b. no conduce.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p2, Pregunta: e2p2a


5. Mida el voltaje a través del Zener CR1 (VCR1).
VCR1 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V9
Respuesta nominal: –0.7
Valor min/máx: (–0.91) a (–0.49)
Cálculo de valor: –0.700
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 30
Corregir tolerancia más = 30

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p2, Pregunta: e2p2c


6. Su lectura obtenida de VCR1 (#V9# Vcd), ¿indica que CR1 está polarizado en forma directa o
inversa?
a. inversa
b. directa

3-84
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3a


VCR1 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V10
Respuesta nominal: –0.7
Valor min/máx: (–0.91) a (–0.49)
Cálculo de valor: –0.700
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 30
Corregir tolerancia más = 30

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3c


8. Basándose en las mediciones de VCR1, #V9# Vcd y #V10# Vcd; cuando se aumentó el
voltaje de la fuente, ¿concluiría usted que el diodo Zener (CR1) está operando como rectificador
cuando se polariza en forma directa?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p6, Pregunta: e2p6a


a. Mida VCR1.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V13
Respuesta nominal: 6.0
Valor min/máx: (5.7) a (6.3)
Cálculo de valor: 6.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 5
Corregir tolerancia más = 5

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p6, Pregunta: e2p6c

Recordar etiqueta para esta pregunta: V14


Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (–90) a (90)
Cálculo de valor: 0.000
Corregir porcentaje de tolerancia = falso
Corregir tolerancia menos = 90
Corregir tolerancia más = 90

3-85
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p8, Pregunta: e2p8a


13. VA se fija en 7.0 Vcd.
a. Mida VCR1.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V15
Respuesta nominal: 6.78
Valor min/máx: (5.966) a (7.594)
Cálculo de valor: 6.780
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 12
Corregir tolerancia más = 12

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p8, Pregunta: e2p8c


b. Mida VR3.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V16
Respuesta nominal: 75.0
Valor min/máx: (15) a (135)
Cálculo de valor: 75.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 80
Corregir tolerancia más = 80

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p10, Pregunta: e2p10a


15. VA se fija en 8.0 Vcd.
a. Mida VCR1.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V17
Respuesta nominal: 6.85
Valor min/máx: (6.028) a (7.672)
Cálculo de valor: 6.850
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 12
Corregir tolerancia más = 12

3-86
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p10, Pregunta: e2p10c


b. Mida VR3.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V18
Respuesta nominal: 195.0
Valor min/máx: (87.75) a (302.3)
Cálculo de valor: 195.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 55
Corregir tolerancia más = 55

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p12, Pregunta: e2p12a


17. VA se fija a 10.0 Vcd.
a. Mida VCR1.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V19
Respuesta nominal: 6.97
Valor min/máx: (5.925) a (8.015)
Cálculo de valor: 6.970
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p12, Pregunta: e2p12c


b. Mida VR3.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V20
Respuesta nominal: 440.0
Valor min/máx: (308) a (572)
Cálculo de valor: 440.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 30
Corregir tolerancia más = 30

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p14, Pregunta: e2p14a


20. ¿Corresponde la curva obtenida (IZ) contra (VCR1) con la curva característica CD de un
diodo Zener?
a. sí
b. no

3-87
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p14, Pregunta: e2p14c


21. IZ es casi igual a 0 mA cuando VCR1 es menor que #V13# Vcd porque
a. no se ha alcanzado el voltaje Zener.
b. el Zener está polarizado en forma directa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p14, Pregunta: e2p14e


22. ¿Es el voltaje Zener (VZ) aproximadamente #V17# Vcd?
a. no
b. sí

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p14, Pregunta: e2p14g


23. ¿Está la corriente de prueba Zener (IZT) entre # V18# mA y # V20# mA?
a. sí
b. no

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r1, Pregunta: e2r1


1. La diferencia entre un diodo Zener y un rectificador es que el primero
a. está diseñado para operar en la caída de voltaje directo.
b. está construido de cristal en lugar de material cerámico.
c. está diseñado para operar en el voltaje de ruptura.
d. tiene una alta especificación de voltaje de ruptura.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r2, Pregunta: e2r2


2. Con un voltaje Zener, la corriente inversa
a. disminuye muy rápidamente con incrementos pequeños del voltaje inverso.
b. es igual a la corriente de fuga.
c. es un valor fijo.
d. crece muy rápidamente con incrementos pequeños del voltaje inverso.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r3, Pregunta: e2r3


3. ¿Qué es el voltaje Zener?
a. el voltaje de ruptura inverso de un diodo Zener
b. la caída de voltaje directo de un diodo Zener
c. la región donde sólo fluye la corriente de fuga en un diodo
d. la región de voltaje antes del voltaje de ruptura

3-88
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r4, Pregunta: e2r4


4. La corriente de prueba Zener (IZT)
a. ocurre en el codo del voltaje inverso y la curva de corriente.
b. ocurre cuando el Zener se sobrecalienta debido al exceso de generación de potencia.
c. fija el voltaje Zener dentro de los límites de tolerancia.
d. ocurre cuando un diodo Zener es polarizado en forma directa.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r5, Pregunta: e2r5


5. Si la caída de voltaje es 1.0 Vcd a través de una resistencia de 50 Ω en serie con un diodo
Zener que tiene un voltaje de 6.8 V, la corriente Zener es (Use la ley de Ohm: I = V/R).
a. 20 mA.
b. igual a IZT.
c. 50 mA.
d. 136 mA.

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-89
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

3-90
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Ejercicio 3 – El diodo Zener como regulador de voltaje

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Al finalizar este ejercicio, usted será capaz de describir la regulación de voltaje CD usando un
regulador con diodo Zener. Verificará sus resultados con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d1, Pregunta: e3d1a


La propiedad de un diodo Zener que hace posible utilizarlo como regulador de voltaje, es su casi
constante
a. caída de voltaje directo.
b. voltaje Zener (VZ) cuando está en polarización inversa.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d2, Pregunta: e3d2a


El propósito de RS en un circuito regulador Zener es
a. evitar que IZ alcance valores altos que puedan destruir el diodo.
b. fijar el voltaje CR1.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d3, Pregunta: e3d3a


Cuando un regulador de voltaje Zener controla el voltaje a un valor igual al voltaje Zener, IT es
igual a:
a. IL – IZ.
b. IL + IZ.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d4, Pregunta: e3d4a


Durante la operación normal de un regulador de voltaje Zener, un aumento en IL:
a. estará compensado por una disminución en IZ.
b. causará un aumento en IT.

3-91
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d5, Pregunta: e3d5a


Cuando la corriente Zener disminuye a valores por debajo del codo de la curva característica, el
voltaje Zener comienza a:
a. aumentar en forma apreciable con disminuciones pequeñas de la corriente Zener.
b. disminuir en forma apreciable con disminuciones pequeñas de la corriente Zener.

3-92
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d6, Pregunta: e3d6a


= %
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 1.4
Valor min/máx: (1.344) a (1.456)
Cálculo de valor: 1.400
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 4
Corregir tolerancia más = 4

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d7, Pregunta: e3d7a


Si VA aumenta y causa que IT aumente a 15 mA, VO permanece igual porque:
a. IZ aumentará aproximadamente 15 mA.
b. IL disminuirá aproximadamente 15 mA.

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p3, Pregunta: e3p3a


a. Mida VO a través de R4 y R5.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V25
Respuesta nominal: 6.88
Valor min/máx: (5.848) a (7.912)
Cálculo de valor: 6.880
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p3, Pregunta: e3p3c


b. Retire el conector de R3 y mida VR3.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V26
Respuesta nominal: 178.0
Valor min/máx: (71.2) a (284.8)
Cálculo de valor: 178.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 60
Corregir tolerancia más = 60

3-93
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p5, Pregunta: e3p5a


a. Mida VO en R4 y R5.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V27
Respuesta nominal: 6.86
Valor min/máx: (5.831) a (7.889)
Cálculo de valor: 6.860
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p5, Pregunta: e3p5c


b. Retire el conector de dos postes de R3 y mida VR3.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V28
Respuesta nominal: 141.0
Valor min/máx: (42.3) a (239.7)
Cálculo de valor: 141.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 70
Corregir tolerancia más = 70

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p7, Pregunta: e3p7a


a. Mida VO en R4 y R5.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V29
Respuesta nominal: 6.84
Valor min/máx: (5.814) a (7.866)
Cálculo de valor: 6.840
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p7, Pregunta: e3p7c


b. Retire el conector de postes de R3 y mida VR3.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V30
Respuesta nominal: 104.0
Valor min/máx: (31.2) a (176.8)
Cálculo de valor: 104.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 70
Corregir tolerancia más = 70

3-94
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p9, Pregunta: e3p9a


a. Mida VO en R4 y R5.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V31
Respuesta nominal: 5.43
Valor min/máx: (4.616) a (6.245)
Cálculo de valor: 5.430
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p9, Pregunta: e3p9c


b. Retire el conector de dos postes de R3 y mida VR3.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V32
Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (–20) a (20)
Cálculo de valor: 0.000
Corregir porcentaje de tolerancia = falso
Corregir tolerancia menos = 20
Corregir tolerancia más = 20

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p11, Pregunta: e3p11a


13. ¿Coinciden los datos de VO e IL con la curva típica del circuito, dentro de los rangos de
tolerancia de las medidas?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p11, Pregunta: e3p11c


14. Basándose en sus datos, ¿tiene el regulador control de VO para valores de IL hasta 20 mA?
a. no
b. sí

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p11, Pregunta: e3p11e


15. Basándose en sus datos, ¿pierde el regulador el control de VO después de 20 mA?
a. no
b. sí

3-95
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p11, Pregunta: e3p11g


16. La razón por la cual el regulador pierde control después de 20 mA en IL es que
a. IZ se aproxima a 0 mA.
b. VA no puede proporcionar una corriente total mayor a 20 mA.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p12, Pregunta: e3p12a


= %
Recordar etiqueta para esta pregunta: V36
Respuesta nominal: 0.585
*
Valor min/máx: (–26.2) a (36.81)
Cálculo de valor: ((#V25# – #V29#)/#V29#)100
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 2
Corregir tolerancia más = 2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p13, Pregunta: e3p13a


20. Ajuste la fuente variable positiva para que el voltaje de línea (VA) sea igual a 10.0 Vcd. Las
conexiones del voltímetro son mostradas para ajustar primero VA y luego medir VO.
Recordar etiqueta para esta pregunta: V33
Respuesta nominal: 6.97
Valor min/máx: (5.925) a (8.015)
Cálculo de valor: 6.970
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p13, Pregunta: e3p13c


21. Disminuya VA a 8.0 Vcd. Mida VO.
VO = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V34
Respuesta nominal: 6.84
Valor min/máx: (5.814) a (7.866)
Cálculo de valor: 6.840
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-96
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p13, Pregunta: e3p13e


22. Disminuya VA a 6.0 Vcd. Mida VO.
VO = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V35
Respuesta nominal: 5.68
Valor min/máx: (4.828) a (6.532)
Cálculo de valor: 5.680
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p14, Pregunta: e3p14a


25. ¿Controla el regulador Zener a VO cuando VA varía entre 8.0 Vcd y 10.0 Vcd?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p14, Pregunta: e3p14c


26. El regulador Zener pierde el control de VO cuando VA se reduce a 6.0 Vcd porque
a. la corriente de carga era muy baja.
b. la corriente Zener se redujo a 0 mA.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p15, Pregunta: e3p15a


27. Conecte R3 en serie con el Zener (CR3), removiendo el conector de dos postes y mida VR3.
VR3 = mVcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V37
Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (–10) a (10)
Cálculo de valor: 0.000
Corregir porcentaje de tolerancia = falso
Corregir tolerancia menos = 10
Corregir tolerancia más = 10

3-97
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p15, Pregunta: e3p15c


28. La medición de VR3 (#V37# mVcd) confirma su respuesta. sobre, ¿por qué el regulador
Zener no puede controlar VO cuando VA es igual a 6.0 Vcd?
a. sí
b. no

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r1, Pregunta: e3r1


Con R2 afectado por MC 6, el regulador de voltaje con diodo Zener
a. está operando correctamente.
b. no está regulando VO.
c. regula VO sólo cuando R4 está en 1 kΩ (completamente a la izquierda).
d. regula VO sólo cuando R4 está en 0 kΩ (completamente a la derecha).

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r2, Pregunta: e3r2


2. MC 6 aún se mantiene activo para poder observar la variación de R4 en VO. Basándose en la
observación de VO, a medida que cambia el valor de R4,
a. el valor de R2 ha disminuido en relación a su valor original (62Ω).
b. el circuito está abierto en R2.
c. el valor de R2 aumenta al punto donde la caída de voltaje en R2 es mayor que 4.0 Vcd.
d. el valor de R2 aumentó en cerca de 50Ω.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r3, Pregunta: e3r3


3. Durante la operación normal del regulador de voltaje Zener mostrado, el exceso de voltaje en
el circuito es liberado a través de
a. el diodo Zener (CR2).
b. las resistencias de carga (R4 y R5).
c. la resistencia reductora de tensión conectada en serie (R2).
d. la fuente de alimentación (VA).

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r4, Pregunta: e3r4


4. Cuando el regulador de voltaje Zener está operando normalmente, el voltaje de salida se
mantiene bastante constante a nivel del voltaje Zener
a. porque un aumento de IZ es compensado con un aumento de IL.
b. porque una disminución de IZ es compensada con una disminución en IL.
c. porque una disminución de IZ es compensada con un aumento en IL.
d. todas las anteriores

3-98
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r5, Pregunta: e3r5


5. Dentro de los límites de operación, un regulador de voltaje Zener puede mantener un voltaje
de salida bastante constante ante cambios en
a. el voltaje de línea.
b. la corriente de carga.
c. la resistencia de carga.
d. todas las anteriores

MC DISPONIBLES
MC 6
MC 6

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-99
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

PRUEBA DE LA UNIDAD

NOTA: Dependiendo de los ajustes de configuración, estas preguntas pueden presentarse


aleatoriamente en la pantalla.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut1, Pregunta: ut1


En los circuitos limitadores o fijadores, la polarización aplicada al diodo
a. debe ser negativa.
b. debe ser positiva.
c. se usa para fijar el voltaje al cual el diodo conduce.
d. puede aplicarse sólo al cátodo del diodo.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut2, Pregunta: ut2


En la dirección de polarización inversa, un diodo rectificador y un Zener
a. tienen idénticos puntos de ruptura.
b. tienen corrientes de avalancha que ocurren al voltaje de ruptura.
c. están apagados hasta que se alcanza el punto de ruptura.
d. tienen diferentes caídas de voltaje directo.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut3, Pregunta: ut3


Un circuito limitador
a. limita las señales de salida a ciertas frecuencias.
b. limita los extremos de amplitud de la forma de onda.
c. fija una forma de onda a un nivel de referencia dado.
d. alisa una señal pulsante CD.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut4, Pregunta: ut4


Un circuito de fijación
a. mantiene cualquiera de los extremos de amplitud en un nivel de referencia dado.
b. recorta ambos extremos de amplitud para obtener un nivel de referencia.
c. fija la frecuencia a un valor constante.
d. todas las anteriores

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut5, Pregunta: ut5


La limitación puede ser producida por
a. un diodo Zener.
b. un diodo en serie con la señal de entrada.
c. dos diodos en paralelo con la señal de entrada.
d. todas las anteriores

3-100
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut6, Pregunta: ut6


Con respecto al período de la señal de entrada a un circuito de fijación,
a. las constantes de tiempo de carga y descarga deberían ser cortas.
b. la constante de tiempo de carga debería ser corta, y la constante de tiempo de descarga
debería ser grande.
c. la constante de tiempo de carga deberá ser grande, y la constante de tiempo de descarga
debería ser corta.
d. las constantes de tiempo de carga y descarga deberían ser grandes.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut7, Pregunta: ut7


Durante la operación normal de un circuito regulador con diodo Zener, la corriente Zener se
selecciona para tener un valor en
a. la "soft region".
b. exactamente en el codo.
c. la "stiff region".
d. el orden de menos de 5 mA.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut8, Pregunta: ut8


El voltaje Zener
a. es el voltaje de barrera.
b. nunca es mayor que 6.8 Vcd.
c. es muy impredecible.
d. es el voltaje de ruptura inverso.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut9, Pregunta: ut9


Durante la operación normal, si la fuente de voltaje (VA) de un circuito regulador Zener
aumenta, mientras RL permanece constante, entonces
a. la corriente total del circuito (IT) no cambiará.
b. IT aumentará.
c. IT disminuirá.
d. el circuito estará sin regulación.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut10, Pregunta: ut10


Durante la operación normal, si la fuente de voltaje (VA) de un circuito regulador Zener
aumenta, mientras que RL permanece constante, entonces
a. la corriente Zener IZ aumentará.
b. la corriente de carga IL aumentará.
c. la corriente de carga y la corriente Zener aumentarán.
d. la corriente de carga y la corriente Zener disminuirán.

3-101
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

LOCALIZACIÓN DE FALLAS

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba2, Pregunta: trba2a


VO = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 6.98
Valor min/máx: (6.282) a (7.678)
Cálculo de valor: 6.980
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 10
Corregir tolerancia más = 10

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba2, Pregunta: trba2c


VO = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 6.01
Valor min/máx: (5.409) a (6.611)
Cálculo de valor: 6.010
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 10
Corregir tolerancia más = 10

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba3, Pregunta: trba3


7. El componente defectuoso es
a. CR1 (en corto).
b. R2 (abierto).
c. R4 (abierto).
d. R4 (contacto abierto).

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb2, Pregunta: trbb2a


5. Antes de insertar una falla, verifique que el circuito de fijación positivo esté trabajando
correctamente. Conecte el probador del canal 2 del osciloscopio a través de R2 para observar y
medir la salida (V0) del circuito de fijación. ¿Es la forma de onda de la señal de salida, una onda
cuadrada con la parte inferior de la onda cuadrada fijada a 0 Vcd?
a. sí
b. no

3-102
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb2, Pregunta: trbb2c


6. En el canal 2 del osciloscopio, mida el nivel de voltaje del pico de salida positivo de casi 0
Vcd. El nivel positivo de voltaje pico = V
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 10.0
Valor min/máx: (8) a (12)
Cálculo de valor: 10.000
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 20
Corregir tolerancia más = 20

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb3, Pregunta: trbb3


8. El componente defectuoso es
a. CR2 (en corto).
b. R2 (abierto).
c. R2 (resistencia disminuyó a casi 1 kΩ).
d. C1 (en corto).

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Falla 3
Falla 8

3-103
Fundamentos de semiconductores Unidad 4 – Formas de onda y regulador Zener

3-104
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

UNIDAD 5 – UNIONES/TRANSISTOR Y POLARIZACIÓN/PNP

OBJETIVO DE LA UNIDAD
Al completar esta unidad, usted será capaz de verificar transistores y probar un interruptor de
transistor utilizando circuitos de transistores NPN y PNP.

FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf1, Pregunta: f1a


La sección media de un transistor es
a. el colector, la cual es amplia y altamente dopada.
b. el emisor, la cual es amplia y altamente dopada.
c. la base, la cual es angosta y ligeramente dopada.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf3, Pregunta: f3a


El transistor PNP es
a. Q1
b. Q2

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf5, Pregunta: f5a


Para que la unión base-emisor de un transistor PNP esté en polarización directa, la base tiene que
ser más:
a. positiva que el emisor.
b. negativa que el emisor.

Para que la corriente fluya en un transistor, ¿qué unión debe estar en polarización directa?
a. base-colector
b. base-emisor

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-105
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS


uniones (junctions) – los puntos de contacto entre el emisor y la base o la base y el colector en
las secciones de un transistor.
PNP – un transistor de este tipo, tiene un material tipo N entre materiales tipo P.
NPN – un transistor de este tipo, tiene un material tipo P entre materiales tipo N.

EQUIPO REQUERIDO
Unidad base de FACET
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES)
Multímetro

3-106
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Ejercicio 1 – Prueba de uniones de un transistor

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya terminado este ejercicio, usted será capaz de probar un transistor polarizando las
uniones inversa y directamente. Verificará sus resultados con un óhmetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d2, Pregunta: e1d2a


Al probar un transistor con un óhmetro puede mostrar si éste
a. está abierto o en corto.
b. es tipo PNP o NPN.
c. tiene fuga significativa.
d. todas las anteriores

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d3, Pregunta: e1d3a


Cada una de las dos uniones de un transistor pueden probarse como
a. una resistencia.
b. un diodo.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d4, Pregunta: e1d4a


La unión base-emisor de un transistor NPN conduce cuando está en polarización directa. El
transistor está
a. bien.
b. defectuoso.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d4, Pregunta: e1d4c


La unión base-colector de un transistor NPN conduce cuando está en polarización inversa. El
transistor está
a. bien.
b. defectuoso.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d5, Pregunta: e1d5a


La unión base-colector de un transistor PNP conduce cuando está en polarización directa. El
transistor está
a. bien.
b. defectuoso.

3-107
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d5, Pregunta: e1d5c


Un transistor se encuentra en su estado apagado. La lectura de un óhmetro conectado a través del
colector y emisor indica que hay flujo de corriente. El transistor está
a. bien.
b. defectuoso.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d7, Pregunta: e1d7a


El óhmetro de arriba está conectado para
a. polarizar directamente la unión base-emisor.
b. polarizar inversamente la unión base-emisor.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d8, Pregunta: e1d8a


El óhmetro de arriba está conectado para
a. polarizar directamente la unión base-emisor.
b. polarizar inversamente la unión base-emisor.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d10, Pregunta: e1d10a


El óhmetro arriba indica una lectura cero.
a. La unión base-colector está en corto.
b. Hay un corto entre el colector y el emisor.
c. El transistor no está defectuoso.

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2a


3. La lectura en el óhmetro indica que la unión base-emisor

a. no está conduciendo.
b. está conduciendo.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2c


4. Su medición indica que la unión base-emisor de Q1 está
a. en polarización directa.
b. en polarización inversa.

3-108
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3a


6. Su lectura del medidor indica que la unión base-colector
a. no está conduciendo.
b. está conduciendo.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3c


7. Su medida indica que la unión base-colector de Q1 está polarizada en forma
a. directa.
b. inversa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3e


8. Ya que sus medidas mostraron que las uniones base-emisor y base-colector de Q1 están
polarizadas directamente, cuando la base es más positiva que el emisor o el colector, Q1 es un
transistor
a. PNP.
b. NPN.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p4, Pregunta: e1p4a


9. Observe que los diodos CR1 y CR2 conectados a la base del transistor de Q1 en el bloque de
circuitos Unión del transistor (TRANSISTOR JUNCTION). Si el terminal negro (negativo-
común) fue conectado en el cátodo del diodo CR1 o del diodo CR2, mientras el terminal rojo
(positivo) fue conectado a la base de Q1, los diodos están polarizados
a. directamente
b. inversamente

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p4, Pregunta: e1p4c


10. ¿Puede concluir que la unión base-emisor de Q1 se comporta como el diodo CR2 y que la
unión base-colector se comporta como el diodo CR1?
a. no
b. sí

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5a


11. Con un buen transistor, el óhmetro, como está conectado, indicaría que
a. no hay conducción entre el colector y el emisor.
b. hay conducción entre el colector y el emisor.

3-109
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p6, Pregunta: e1p6a


12. MC 2 es activado para introducir una falla en Q1. Use el óhmetro para probar las uniones.
¿En dónde está la falla?
a. en la unión base-colector de Q1
b. entre el colector y el emisor de Q1
c. en la unión base-emisor de Q1

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p6, Pregunta: e1p6c


13. Cuando MC 2 es activado, la unión base-emisor de Q1 está
a. abierta.
b. en corto.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7a


15. La lectura del medidor, ¿indica que la unión base-emisor está conduciendo?
a. no
b. sí

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7c


16. Su medición indica que la unión base-emisor de Q2 está en polarización
a. directa.
b. inversa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p8, Pregunta: e1p8a


18. Según la lectura del medidor, ¿está la unión base-colector de Q2 conduciendo?
a. no
b. sí

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p8, Pregunta: e1p8c


19. De acuerdo a su medición, la unión base-colector de Q2 está en polarización
a. directa.
b. inversa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p8, Pregunta: e1p8e


20. Como sus mediciones mostraron que las uniones base-emisor y base-colector de Q2 están
polarizadas inversamente, cuando la base es más positiva que el emisor o el colector, Q2 es un
transistor
a. PNP.
b. NPN.

3-110
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p9, Pregunta: e1p9a


21. Observe el bloque de circuitos Unión del transistor (TRANSISTOR JUNCTION). Si la punta
de color negro del probador fuera colocada en el ánodo del diodo CR2 o del diodo CR3. Los
diodos estarían polarizados
a. directamente.
b. inversamente.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p9, Pregunta: e1p9c


22. ¿Puede concluir que la unión base-emisor de Q2 se comporta como el diodo CR4 y que la
unión base-colector de Q1 se comporta como el diodo CR3?
a. no
b. sí

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p10, Pregunta: e1p10a


23. Con un buen transistor Q2, el óhmetro tal como está conectado, indicaría que
a. no hay conducción entre el colector y el emisor.
b. hay conducción entre el colector y el emisor.

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r1, Pregunta: e1r1


1. Localice Q2 en el bloque de circuitos Unión del transistor (TRANSISTOR JUNCTION). MC 3
es activado. Con un óhmetro, pruebe las uniones del transistor Q2. Esta prueba muestra que
a. una unión base-emisor está en corto.
b. la conexión de base está abierta.
c. existe un corto entre colector y emisor.
d. la conexión del colector está abierta.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r2, Pregunta: e1r2


2. Cuando la unión base-emisor de un transistor PNP es polarizada directamente,
a. la base es más negativa que el emisor.
b. la base es más positiva que el emisor.
c. la base es más positiva que el emisor y el colector.
d. el colector es más positivo que la base.

3-111
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r3, Pregunta: e1r3


3. ¿Cuándo se polariza inversamente la unión base-colector de un transistor NPN?
a. Cuando el colector es más negativo que la base.
b. Cuando la base es más positiva que el colector.
c. Cuando el emisor es más negativo que la base.
d. Cuando la base es más negativa que el colector.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r4, Pregunta: e1r4


4. Un óhmetro muestra lectura cero cuando la unión base-emisor de un transistor PNP es
polarizada directa o inversamente. La unión está
a. funcionando apropiadamente.
b. abierta.
c. en corto.
d. polarizada inversamente.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r5, Pregunta: e1r5


5. La sección del centro de un transistor se llama
a. la base.
b. el emisor.
c. el colector.
d. la unión CE.

MC DISPONIBLES
MC 2
MC 3

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-112
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Ejercicio 2 – Control de corriente de transistor PNP

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de demostrar el control de corriente del
transistor usando un circuito transistor PNP. Verifique sus resultados con un óhmetro.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d1, Pregunta: e2d1a


¿Debe ser polarizada en forma directa la unión base-emisor, para que la corriente fluya en un
transistor?
a. sí
b. no

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d2, Pregunta: e2d2a


La caída de voltaje de polarización directa de la unión base-emisor de un transistor de silicio está
entre
a. 1.2 Vcd y 2.0 Vcd
b. 0.5 Vcd y 0.8 Vcd

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d3, Pregunta: e2d3a


Un transistor opera como un interruptor abierto cuando
a. la unión base-emisor es polarizada inversamente.
b. la unión base-colector es polarizada inversamente.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d4, Pregunta: e2d4a


¿Qué controla la corriente de colector (IC)?
a. el voltaje de la fuente
b. la corriente de base (IB)
c. el tipo de transistor (PNP o NPN)

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d5, Pregunta: e2d5a


Cuando fluye la máxima corriente de colector (IC), el transistor está operando en el punto de
a. corte.
b. saturación.

3-113
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d6, Pregunta: e2d6a


Las corrientes del emisor y colector del transistor
a. tienen una diferencia que es igual a la corriente base.
b. pueden ser consideradas casi iguales ya que la corriente base es muy pequeña.
c. varían directamente con la corriente base.
d. todas las anteriores

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p2, Pregunta: e2p2a


2. En el circuito que conectó, ¿cómo está polarizado el transistor PNP (Q1)?
a. directamente
b. inversamente

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p2, Pregunta: e2p2c


3. El LED (DS1) está apagado porque la corriente
a. está fluyendo.
b. no está fluyendo

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3a


VA = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: –15.0
Valor min/máx: (–15.6) a (–14.4)
Cálculo de valor: –15.00
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 4
Corregir tolerancia más = 4

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3c


VBE = mVcd
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (–50) a (50)
Cálculo de valor: 0
Corregir porcentaje de tolerancia = falso
Corregir tolerancia menos = 50
Corregir tolerancia más = 50

3-114
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3e


6. ¿Está conduciendo el transistor Q1?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3g


7. Mida la caída de voltaje entre el colector y el emisor de Q1.
VCE = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: –13.6
Valor min/máx: (–15.) a (–12.2)
Cálculo de valor: –13.600
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 10
Corregir tolerancia más = 10

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p4, Pregunta: e2p4a

8. Conecte el circuito mostrado, moviendo el conector de dos postes en R1 del lado positivo de la
fuente de voltaje al lado negativo. ¿Está conduciendo Q1?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p4, Pregunta: e2p4c


9. Mida la caída de voltaje en la unión base-emisor de Q1 con el terminal común del medidor
conectado al emisor.
VBE = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V3
Respuesta nominal: –0.73
Valor min/máx: ( –.91) a ( –.55)
Cálculo de valor: –0.730
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 25
Corregir tolerancia más = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p4, Pregunta: e2p4e


10. La unión base-emisor, ¿está polarizada directamente?
a. sí
b. no

3-115
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p5, Pregunta: e2p5a


11. Con Q1 conduciendo, mida la caída de voltaje entre colector y emisor.
VCE = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V5
Respuesta nominal: –0.08
Valor min/máx: (–0.136) a (–0.024)
Cálculo de valor: –0.080
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 70
Corregir tolerancia más = 70

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p5, Pregunta: e2p5c


12. El transistor Q1 está operando en el punto de
a. corte.
b. saturación.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p6, Pregunta: e2p6a


13. Conecte el terminal del voltímetro al colector de Q1 y conecte el común entre R2 y DS1.
Mida la caída de voltaje en la resistencia de colector R2.
VR2 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V1
Respuesta nominal: 13.0
Valor min/máx: (11.05) a (14.95)
Cálculo de valor: 13.00
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 15
Corregir tolerancia más = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p6, Pregunta: e2p6c


= mA
Recordar etiqueta para esta pregunta: I1
Respuesta nominal: 13.0
*
Valor min/máx: (10.72) a (15.4 )
Cálculo de valor: #V1#
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 3
Corregir tolerancia más = 3

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-116
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7a


16. Conecte el terminal del voltímetro al colector de Q1, y el común entre R2 y DS1. Mida la
caída de voltaje a través de la resistencia R2 del colector.
VR2 = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V2
Respuesta nominal: 2.5
Valor min/máx: (0.5) a (4.5)
Cálculo de valor: 2.5
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 80
Corregir tolerancia más = 80

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7c


= mA
Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: 2.5
*
Valor min/máx: (0.475) a (4.725)
Cálculo de valor: #V2#
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 5
Corregir tolerancia más = 5

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7e


18. La disminución en IC de #I1# mA a #V2# mA, causó que el LED
a. se atenúe más.
b. brille más.

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-117
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p8, Pregunta: e2p8a


19. Mida la caída de voltaje en la unión base-emisor de Q1 con el terminal común del medidor
conectado al emisor.
VBE = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V4
Respuesta nominal: –0.64
Valor min/máx: (–0.8) a (–0.48)
Cálculo de valor: –0.640
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 25
Corregir tolerancia más = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p8, Pregunta: e2p8c


20. VBE, ¿fue disminuido de #V3# Vcd a #V4# Vcd causado por la baja corriente de base?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9a


21. La unión base-emisor del transistor Q1 PNP, ¿está aún en polarización directa?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9c


22. Con Q1 conduciendo menos, mida la caída de voltaje entre el emisor y el colector, con
referencia al emisor.
VCE = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: V6
Respuesta nominal: –11.2
Valor min/máx: (–14) a (–8.4)
Cálculo de valor: –11.2
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 25
Corregir tolerancia más = 25

3-118
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r1, Pregunta: e2r1


1. Conecte el circuito mostrado. El LED no enciende, lo cual indica que no hay flujo de corriente
de colector. Con un voltímetro verifique la caída de voltaje a través de las uniones de Q1. Su
prueba demostró que la unión
a. base-emisor está en corto.
b. base-emisor está abierta.
c. base-colector está abierta.
d. base-colector está en corto.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r2, Pregunta: e2r2


2. ¿En dónde opera un transistor cuando es usado como interruptor?
a. en cualquier punto, saturación o corte
b. entre los puntos de saturación y corte
c. siempre en el punto de saturación
d. siempre en el punto de corte

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r3, Pregunta: e2r3


3. ¿Qué se requiere para que un transistor conduzca?
a. que la unión base-emisor tiene que ser polarizada inversamente
b. que la unión base-colector tiene que ser polarizada directamente
c. que la unión base-emisor tiene que ser polarizada directamente
d. que la resistencia de base no puede ser mayor de 10 kΩ

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r4, Pregunta: e2r4


4. Cuando un transistor no está conduciendo, ¿qué sucede con la caída de voltaje a través de los
terminales colector y emisor (VCE)?
a. se aproxima a 0 Vcd
b. está usualmente entre 1 Vcd y 2 Vcd
c. no es predecible
d. es usualmente igual a la fuente (VA)

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r5, Pregunta: e2r5


5. La corriente de colector del transistor varía directamente con:
a. la corriente de base.
b. el tipo (NPN o PNP) de transistor.
c. el valor de la resistencia de colector.
d. la caída de voltaje de polarización inversa de la unión base-emisor.

3-119
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

MC DISPONIBLES
MC 9 TOGGLE
MC 10

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-120
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

PRUEBA DE LA UNIDAD

NOTA: Dependiendo de los ajustes de configuración, estas preguntas pueden presentarse


aleatoriamente en la pantalla.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut1, Pregunta: ut1


Un transistor es principalmente un dispositivo que controla
a. voltaje.
b. capacidad.
c. corriente.
d. inductancia.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut2, Pregunta: ut2


Un transistor tiene
a. cuatro regiones de semiconductor.
b. tres uniones PN.
c. dos uniones PN.
d. dos regiones de semiconductor.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut3, Pregunta: ut3


¿Qué sucede cuando un transistor está operando en saturación como un interruptor cerrado?
a. la corriente de colector es máxima
b. la corriente de colector es mínima
c. la unión base-emisor está polarizada inversamente
d. la caída de voltaje colector-emisor es máxima

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut4, Pregunta: ut4


Las condiciones de voltaje para el circuito transistor PNP se muestran debajo del diagrama.
¿Cuál de las siguientes sentencias es cierta?
a. la unión base-emisor está polarizada directamente y el LED encendido
b. la unión base-emisor está polarizada inversamente y el LED apagado
c. la corriente de base es mayor que la del colector
d. la corriente de colector es mayor que la del emisor

VOLTAJES DE CIRCUITO
VA = –10 Vcd
VB = –0.7 Vcd
VE = 0 Vcd
VC = –0.2 Vcd

3-121
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut5, Pregunta: ut5


En un transistor PNP
a. la base tiene que ser más negativa que el emisor para que la unión sea polarizada directamente.
b. el colector tiene que ser más negativo que la base para que la unión sea polarizada
inversamente.
c. la base se compone de material semiconductor negativo.
d. todas las anteriores

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut6, Pregunta: ut6


¿Qué se requiere para que un transistor PNP o NPN conduzca?
a. la unión base-colector tiene que ser polarizada directamente
b. el voltaje de fuente debería ser mayor de 10 Vcd
c. la unión base-emisor tiene que ser polarizada inversamente
d. la unión base-emisor tiene que ser polarizada directamente

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut7, Pregunta: ut7


¿Qué sucede cuando un transistor está en el punto de corte?
a. la corriente de colector es el 50 por ciento de la máxima y el voltaje de polarización directa es
el mínimo.
b. sólo la corriente de base fluye por las regiones de emisor y base.
c. la corriente del transistor es cero y el voltaje entre colector y emisor es de la fuente.
d. la unión base-colector es polarizada directamente.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut8, Pregunta: ut8


La relación entre las corrientes de un transistor es:
a. IC = IB + IE.
b. IB = IC - IE.
c. IE = IB + IC.
d. IE = IC - IB.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut9, Pregunta: ut9


Un transistor es probado con un óhmetro. Cuando la unión base-emisor es polarizada directa o
inversamente, el óhmetro no indica flujo de corriente a través de la unión. ¿Cómo se encuentra el
transistor?
a. defectuoso porque no hay corriente de fuga
b. en buen estado porque nunca fluye corriente a través de la unión base-emisor.
c. defectuoso porque la unión base-emisor está abierta
d. defectuoso porque la unión base-emisor está en corto

3-122
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut10, Pregunta: ut10


Un transistor PNP es probado con las puntas de prueba del óhmetro conectadas como se muestra.
¿Qué prueba se está realizando?
a. unión base-colector cuando se polariza directamente
b. unión base-emisor cuando se polariza directamente
c. unión base-emisor cuando se polariza inversamente
d. unión emisor-colector cuando se polariza inversamente

LOCALIZACIÓN DE FALLAS

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba2, Pregunta: trba2a


3. Antes de insertar una falla, usted tendrá la oportunidad de practicar la prueba de uniones de
transistores. Con un óhmetro, polarice directamente la unión base-emisor de Q1. ¿En esta unión
hay corriente de polarización directa (Q1-IBE-DIRECTA)?
a. sí
b. no

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba2, Pregunta: trba2c


4. Con un óhmetro, polarice inversamente la unión base-emisor de Q1. ¿Hay corriente inversa
por esta unión (Q1-IBE-INVERSA)?
a. sí
b. no

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba2, Pregunta: trba2e


5. ¿Hay flujo de corriente (Q1-ICE) entre colector y emisor de Q1?
a. sí
b. no

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba3, Pregunta: trba3


8. El componente defectuoso es
a. Q1 (unión emisor-colector).
b. Q2 (unión base-emisor).
c. Q1 (unión base-colector).
d. Q2 (unión colector-emisor).

3-123
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb2, Pregunta: trbb2a


3. Antes que una falla sea introducida, realice una práctica para verificar las uniones de un
transistor. Con un óhmetro, polarice directamente la unión base-emisor de Q1. ¿Hay corriente de
polarización directa en la unión base-emisor (Q1-IBE-DIRECTA)?
a. sí
b. no

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb2, Pregunta: trbb2c


4. Con un óhmetro, polarice inversamente la unión base-emisor de Q1. ¿Hay corriente de
polarización inversa por esta unión (Q1-IBE-INVERSA)?
a. sí
b. no

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb2, Pregunta: trbb2e


5. ¿Hay flujo de corriente (Q1-ICE) entre el colector y el emisor de Q1?
a. sí
b. no

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbb3, Pregunta: trbb3


8. El componente defectuoso es
a. Q1 (unión emisor-colector).
b. Q2 (unión base-emisor).
c. Q1 (unión base-colector).
d. Q2 (unión colector-emisor).

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbc2, Pregunta: trbc2a


2. Antes que una falla sea introducida en el circuito, verifique que está conectado y operando
correctamente, observando el LED (DS1) y midiendo el voltaje (VCE) de colector emisor de Q1.
¿Está el LED (DS1) activado?
a. sí
b. no

3-124
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbc2, Pregunta: trbc2c


3. Mida el voltaje (VCE) colector emisor de Q1.
VCE = Vcd
Recordar etiqueta para esta pregunta: Recordar etiqueta para esta pregunta:
Respuesta nominal: –0.25
Valor min/máx: ( –.5 ) a ( 0 )
Cálculo de valor: –0.250
Corregir porcentaje de tolerancia = verdadero
Corregir tolerancia menos = 99
Corregir tolerancia más = 99

Lugar: Página de localización de fallas: ttrbc3, Pregunta: trbc3


5. El componente defectuoso es
a. Q1 (unión base-emisor abierta).
b. R2 (en corto).
c. Q1 (unión base-emisor en corto).
d. R1 (circuito abierto entre R1 y VA).

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Falla 1
Falla 2
Falla 5

3-125
Fundamentos de semiconductores Unidad 5 – Uniones/transistor y polarización/PNP

3-126
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

UNIDAD 6 – GANANCIA Y LÍNEAS DE CARGA DE TRANSISTOR

OBJETIVO DE LA UNIDAD
Al completar está unidad, usted será capaz de demostrar cómo las condiciones de operación y
ganancia afectan las corrientes del circuito transistor usando un transistor CD o línea de carga.

FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf3, Pregunta: f3a


Para que la corriente de base (IB) fluya, ¿cómo debe estar polarizada la unión base-emisor?
a. directamente
b. inversamente

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf5, Pregunta: f5a


La ganancia de corriente (ßDC) es igual a:
a. IC/IE.
b. IC/IB.

Lugar: Página de fundamentos de la unidad: sf8, Pregunta: f8a


¿Qué sucede en la región activa de la línea de carga?
a. La unión base-emisor es polarizada directamente y la unión base colector inversamente.
b. Ambas uniones son polarizadas directamente.
c. La unión base-emisor es polarizada inversamente.

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-127
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS


línea de carga (load line) – Una curva de la corriente del colector versus el voltaje del colector,
usada para determinar el mejor punto de operación del transistor.
punto de corte (CUTOFF POINT) – el punto de operación del transistor polarizado
inversamente (no conduce).
punto de saturación (SATURATION POINT) – el punto de operación en el que la corriente
máxima fluye en un transistor polarizado directamente.
punto quiescente (Quiesecent point) o punto-Q (Q-POINT) – el punto de operación CD de un
transistor igual a aproximadamente la mitad del suministro de voltaje.

EQUIPO REQUERIDO
Unidad base de FACET
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES)
Multímetro

3-128
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Ejercicio 1 – Potencial de polarización

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de demostrar la relación entre el voltaje
base-emisor del transistor y la corriente base usando un circuito de transistor. Verificará sus
resultados con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d2, Pregunta: e1d2a


El voltaje aplicado a través de la unión PN del transistor, puede polarizar la unión en cualquier
dirección directa o inversa similar a la unión de un diodo
a. y dos diodos acoplados (base a base) funcionan como un transistor.
b. pero dos diodos acoplados (base a base) no funcionan como un transistor.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d3, Pregunta: e1d3a


Cuando la caída de voltaje directo de un transistor es alcanzada, la corriente directa aumenta
a. en una relación constante con el voltaje.
b. rápidamente con un pequeño aumento en el voltaje.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se1d6, Pregunta: e1d6a


Para que una corriente fluya en un transistor, la unión
a. base-colector tiene que ser polarizada directamente.
b. base-colector tiene que ser polarizada inversamente.
c. base-emisor tiene que ser polarizada directamente.

3-129
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2a


3. La unión base-emisor de Q1 (NPN) está
a. polarizada directamente.
b. polarizada inversamente.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2c


4. Mida el voltaje base-emisor de Q1 con el colector abierto (VBEO).
VBEO = Vcd
Variable para esta pregunta:
Respuesta nominal: –2.5
Valor min/máx: (–2.625) a (–2.375)
Cálculo de valor: –2.500
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 5
Tolerancia mayor = 5

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p2, Pregunta: e1p2e


5. ¿Está fluyendo corriente de base directa?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3a


VBEO = Vcd
Variable para esta pregunta: V1
Respuesta nominal: 0.74
Valor min/máx: (0.555) a (0.925)
Cálculo de valor: 0.740
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 25
Tolerancia mayor = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p3, Pregunta: e1p3c


8. Con el cambio en el circuito, la unión base-emisor, ¿está polarizado directa o inversamente?
a. directamente
b. inversamente

3-130
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p5, Pregunta: e1p5a


12. b. Mida VBEO.
Variable para esta pregunta: V3
Respuesta nominal: 0.605
Valor min/máx: ( .454) a ( .756)
Cálculo de valor: 0.605
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 25
Tolerancia mayor = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p7, Pregunta: e1p7a


14. b. Mida VBEO.
Variable para esta pregunta: V4
Respuesta nominal: 0.655
Valor min/máx: ( .491) a ( .819)
Cálculo de valor: 0.655
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 25
Tolerancia mayor = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p9, Pregunta: e1p9a


16. b. Mida VBEO.
Variable para esta pregunta: V5
Respuesta nominal: 0.68
Valor min/máx: (0.51) a (0.85)
Cálculo de valor: 0.680
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 25
Tolerancia mayor = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p11, Pregunta: e1p11a


18. b. Mida VBEO.
Variable para esta pregunta: V6
Respuesta nominal: 0.705
Valor min/máx: ( .529) a ( .881)
Cálculo de valor: 0.705
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 25
Tolerancia mayor = 25

3-131
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se1p12, Pregunta: e1p12a


21. ¿Hay alguna similitud entre sus datos de IBEO contra VBEO, para un transistor con la
relación de la corriente directa contra la caída de voltaje directo de un diodo?
a. sí
b. no

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r1, Pregunta: e1r1


1. La unión base-emisor de un transistor:
a. sólo puede ser polarizada inversamente sin importar la polaridad del voltaje aplicado.
b. sólo puede ser polarizada directamente sin importar la polaridad del voltaje aplicado.
c. puede ser polarizado directa o inversamente dependiendo de la polaridad del voltaje
aplicado.
d. tiene características de polarización directa CD completamente diferentes a las del diodo.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r2, Pregunta: e1r2


2. Los diodos y transistores de silicio
a. tiene diferente caída de voltaje directo.
b. tienen voltajes de caída directo en un rango de 0.5 a 0.75 Vcd.
c. se diferencian en que la unión de un transistor no tiene voltaje de ruptura inverso.
d. tienen una relación entre voltaje y corriente de polarización directa diferente.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r3, Pregunta: e1r3


3. Aquí se muestra la curva IBEO contra VBEO. Cuando el voltaje directo base-emisor (VBEO)
es 0.50 Vcd, la corriente directa base-emisor (IBEO) de un transistor de silicio
a. es más de 2 mA.
b. empieza a aumentar muy rápido.
c. empieza a disminuir rápidamente.
d. es menos de 20 µA.

3-132
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r4, Pregunta: e1r4


4. En la curva, la corriente de base-emisor (IBEO) comienza a aumentar con el colector abierto
en el rango de los cientos de microamperios, después que el voltaje directo base emisor (VBEO)
a. excede 0.70 Vcd.
b. excede 0.60 Vcd.
c. es mayor que 0.40 Vcd pero menor que 0.55 Vcd.
d. excede 0.75 Vcd.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se1r5, Pregunta: e1r5


5. Observe la curva. Cuando la corriente base-emisor (IBEO) excede 2 mA, la caída de voltaje
directo de base-emisor
a. comienza a disminuir.
b. es menor que 0.5 Vcd.
c. puede ser considerada constante.
d. aumenta muy rápidamente.

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-133
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

3-134
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Ejercicio 2 – Corriente/colector contra corriente/base

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya terminado este ejercicio, usted será capaz de demostrar la relación entre corriente
de colector y corriente de base usando un circuito con transistor. Verificará sus resultados con un
multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d1, Pregunta: e2d1a


La corriente fluye en el transistor Q1 porque la
a. unión base-colector está polarizada inversamente.
b. unión base-emisor está polarizada directamente.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d4, Pregunta: e2d4a


La corriente de emisor de un transistor es 10 mA. ¿Cuáles serían las corrientes de colector y
base?
a. 0.5 mA y 9.5 mA, respectivamente
b. 9.5 mA y 0.5 mA, respectivamente

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se2d6, Pregunta: e2d6a


IC = ßDC x IB
= mA
Variable para esta pregunta:
Respuesta nominal: 4.0
Valor min/máx: (4) a (4)
Cálculo de valor: 4.000
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 0
Tolerancia mayor = 0

3-135
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p3, Pregunta: e2p3a


5. IC es 2.0 mA.
a. Mida la caída de voltaje en la resistencia de base R6 (1 kΩ).
Variable para esta pregunta: V11
Respuesta nominal: 0.023
Valor min/máx: ( .006) a ( .04 )
Cálculo de valor: 0.023
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 75
Tolerancia mayor = 75

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p5, Pregunta: e2p5a


7. IC es 6.00 mA.
a. Mida la caída de voltaje en R6 (1 kΩ).
Variable para esta pregunta: V12
Respuesta nominal: 0.07
Valor min/máx: ( .018) a ( .123)
Cálculo de valor: 7e-2
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 75
Tolerancia mayor = 75

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p7, Pregunta: e2p7a


9. IC es 10.00 mA.
a. Mida la caída de voltaje en R6 (1 kΩ).
Variable para esta pregunta: V13
Respuesta nominal: 0.117
Valor min/máx: (.029) a (.205)
Cálculo de valor: 0.117
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 75
Tolerancia mayor = 75

3-136
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9a


12. Sus datos IC comparados con IB, ¿están entre las líneas de ganancias 300 y 50?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9c


13. De sus datos, calcule la IB requerida para aumentar IC de 2 mA a 10 mA.
IB cambia en = A
Variable para esta pregunta: I10
Respuesta nominal: 94.0
*
Valor min/máx: (-11.1) a (201. )
Cálculo de valor: (#V13#-#V11#)1000
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 1
Tolerancia mayor = 1

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9e


14. Calcule la ganancia (ßDC) de Q1 utilizando el cambio de # I10# mA en IB para un cambio
de 8.0 mA en IC.
ßDC = IC/IB
= 8.0 mA/#I10# mA/ 0.094
= mA
Variable para esta pregunta: G1
Respuesta nominal: 85.11
*
Valor min/máx: ( -735) a (40.6 )
Cálculo de valor: (8.0/#I10#)1000
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 2
Tolerancia mayor = 2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se2p9, Pregunta: e2p9g


15. Su ganancia calculada de (ßDC) de #G1# a partir de los valores medidos de corriente de
colector y base, ¿está entre los límites de especificación de ganancia de 50 y 300?
a. sí
b. no

*
NOTA: Los valores min/max mostrados están basados en un cálculo usando el valor absoluto
más bajo y más alto. Al usar la entrada real en sus cálculos, determinará el valor correcto.

3-137
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r1, Pregunta: e2r1


1. La propiedad ganancia de corriente de un transistor permite a
a. una pequeña corriente de colector (IC) controlar una corriente de base (IB) grande.
b. una pequeña corriente de base (IB) controlar una corriente de colector (IC) grande.
c. una pequeña corriente de emisor (IE) controlar una corriente de colector (IC) grande.
d. la corriente de colector (IC) fluir cuando la unión base-emisor está en polarización inversas.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r2, Pregunta: e2r2


2. La corriente de ganancia CD (ßDC) es expresada por, ¿cuál de las siguientes?
a. ßDC = IC/IB
b. ßDC = IB/IC
c. ßDC = IB/IE
d. ßDC = IC/IE

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r3, Pregunta: e2r3


3. La ganancia de corriente de CD (ßDC) del transistor usado en este ejercicio estuvo entre
a. 5 y 30.
b. 50 y 300.
c. 300 y 500.
d. 30 y 50.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r4, Pregunta: e2r4


4. Suponga que se requiere una corriente de colector (IC) de 10 mA para un transistor de
ganancia (ßDC) de 200. Calcule la corriente de base (IB) usando la relación de ganancia (ßDC =
IC/IB).
a. 0.02 mA
b. 0.02 mA
c. 0.05 mA
d. 0.05 mA

3-138
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de preguntas de repaso: se2r5, Pregunta: e2r5


5. La corriente de base (IB) de un transistor es usualmente
a. El 95% de la corriente de emisor (IE).
b. El 50% de la corriente de emisor (IE).
c. El 50% de la corriente de colector (IC).
d. Menos del 5% de la corriente de emisor (IE).

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-139
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

3-140
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Ejercicio 3 – Voltajes de CD del circuito transistor

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de demostrar las condiciones de
operación en CD de un circuito transistor, usando un transistor NPN. Verifique sus resultados
con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d8, Pregunta: e3d8a


Cuando un transistor está en saturación
a. las uniones están polarizadas directamente.
b. el voltaje colector-emisor se aproxima a cero.
c. las corrientes de transistor son máximas.
d. todas las anteriores

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d11, Pregunta: e3d11a


Cuando un circuito transistor está operando en la región activa (lineal), la unión base-colector
está en polarización
a. directa, la unión base-emisor está polarizada inversamente, y la corriente de colector no es
proporcional a la corriente de base.
b. inversa, la unión base-emisor está polarizada directamente, y la corriente de colector es
proporcional a la corriente de base.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se3d14, Pregunta: e3d14a


¿Cómo se encuentra el transistor cuando el voltaje de colector de éste es igual a la fuente de
voltaje de colector?
a. en el punto de saturación
b. operando en la región activa
c. en corte

3-141
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p2, Pregunta: e3p2a

Variable para esta pregunta: V15


Respuesta nominal: 0.649
Valor min/máx: ( .487) a ( .811)
Cálculo de valor: 0.649
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 25
Tolerancia mayor = 25

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p2, Pregunta: e3p2c


4. Basado en su valor medido de VBE (#V15# Vcd), la unión base-emisor está
a. en polarización directa.
b. en polarización inversa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p3, Pregunta: e3p3a


5. Mida el voltaje colector-emisor de Q1.
VCE = Vcd
Variable para esta pregunta: V16
Respuesta nominal: 0.12
Valor min/máx: (0.03) a (0.21)
Cálculo de valor: 0.120
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 75
Tolerancia mayor = 75

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p3, Pregunta: e3p3c


La unión base-colector, ¿está polarizada directamente?
a. sí
b. no

3-142
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p4, Pregunta: e3p4a


7. Mida la caída de voltaje en la resistencia R9 (100Ω) de colector.
VR9 = Vcd
Variable para esta pregunta: V17
Respuesta nominal: 0.214
Valor min/máx: (0.107) a (0.321)
Cálculo de valor: 0.214
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 50
Tolerancia mayor = 50

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p5, Pregunta: e3p5a


9. Mida la caída de voltaje en la resistencia de base R6 (1 kΩ).
VR6 = Vcd
Variable para esta pregunta: V18
Respuesta nominal: 0.03
Valor min/máx: (0.015) a (0.045)
Cálculo de valor: 0.030
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 50
Tolerancia mayor = 50

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p6, Pregunta: e3p6a


VBE= mVcd
Variable para esta pregunta: V19
Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (–10) a (10)
Cálculo de valor: 0.000
Porcentaje de tolerancia = falso
Tolerancia menor = 10
Tolerancia mayor = 10

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p6, Pregunta: e3p6c


12. Basado en su valor medido de VBE (#V19# mVcd), la unión base-emisor, ¿está polarizada
directamente?
a. sí
b. no

3-143
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p7, Pregunta: e3p7a


13. Mida VCE.
VCE = Vcd
Variable para esta pregunta: V20
Respuesta nominal: 10.0
Valor min/máx: (9.5) a (10.5)
Cálculo de valor: 10.000
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 5
Tolerancia mayor = 5

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p7, Pregunta: e3p7c


14. Su medición del voltaje de base de Q1 es #V19# mVcd, y el de colector es #V20# Vcd. La
unión base-colector está
a. en polarización directa.
b. en polarización inversa.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p8, Pregunta: e3p8a


VR9= mVcd
Variable para esta pregunta: V21
Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (-5) a (5)
Cálculo de valor: 0.000
Porcentaje de tolerancia = falso
Tolerancia menor = 5
Tolerancia mayor = 5

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p9, Pregunta: e3p9a


VR6= mVcd
Variable para esta pregunta: V22
Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (-5) a (5)
Cálculo de valor: 0.000
Porcentaje de tolerancia = falso
Tolerancia menor = 5
Tolerancia mayor = 5

3-144
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p10, Pregunta: e3p10a


VBE= Vcd
Variable para esta pregunta: V23
Respuesta nominal: 0.626
Valor min/máx: ( .501) a ( .751)
Cálculo de valor: 0.626
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 20
Tolerancia mayor = 20

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p10, Pregunta: e3p10c


20. Basado en su medición de VBE (#V23# Vcd), la unión base-emisor, ¿está polarizada
directamente?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p11, Pregunta: e3p11a


21. La unión base-colector, ¿está polarizada directamente?.
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p12, Pregunta: e3p12a


22. Mida VR9.
VR9 = Vcd
Variable para esta pregunta: V25
Respuesta nominal: 0.107
Valor min/máx: ( .032) a ( .182)
Cálculo de valor: 0.107
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 70
Tolerancia mayor = 70

3-145
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se3p13, Pregunta: e3p13a


24. Mida VR6.
VR6 = Vcd
Variable para esta pregunta: V26
Respuesta nominal: 0.005
Valor min/máx: ( .001) a ( .01 )
Cálculo de valor: 0.005
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 90
Tolerancia mayor = 90

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r1, Pregunta: e3r1


1. Este circuito muestra las condiciones de voltaje del circuito transistor. El transistor NPN (Q1)
está operando
a. en el punto de saturación.
b. en el punto de corte.
c. en la región activa.
d. con la unión colector base abierta.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r2, Pregunta: e3r2


2. Este circuito muestra las condiciones de voltaje para el circuito transistor. El transistor NPN
(Q1) está operando
a. en el punto de corte.
b. en el punto de saturación.
c. en la región activa.
d. con un corto en la unión base-emisor.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r3, Pregunta: e3r3


3. Este circuito muestra el voltaje para el circuito transistor. Q1 está operando
a. con un corto entre colector y emisor.
b. en la región activa.
c. en el punto de corte.
d. en el punto de saturación.

3-146
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r4, Pregunta: e3r4


4. Este circuito muestra las condiciones de voltaje del circuito transistor. Q1 está operando
a. en el punto de corte.
b. en la región activa.
c. en el punto de saturación.
d. con un corto entre colector y emisor.

Lugar: Página de preguntas de repaso: se3r5, Pregunta: e3r5


5. MC 19 se activa para introducir una falla en su circuito transistor. Realice mediciones de
voltaje en el circuito transistor Q1 cuando el potenciómetro R2 esté completamente a la izquierda
(CCW, antihorario) para las condiciones de corte, completamente a la derecha (CW, horario)
para condiciones de saturación, y en un punto intermedio para la región activa. Sus voltajes
medidos indican que la falla es:
a. una baja resistencia en corto entre colector y emisor de Q1.
b. un corto entre base y emisor de Q1.
c. una unión base-emisor abierta.
d. una unión base-colector abierta.

MC DISPONIBLES
MC 19

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-147
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

3-148
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Ejercicio 4 – Líneas de carga del transistor

OBJETIVO DEL EJERCICIO


Cuando haya completado este ejercicio, usted será capaz de determinar la línea de carga de CD
para un circuito transistor. Verifique sus resultados con un multímetro.

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se4d5, Pregunta: e4d5a


¿Cuáles son los dos puntos extremos de la línea de carga CD?
a. saturación y el punto-Q.
b. corte y saturación.
c. Q y el de corte.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se4d7, Pregunta: e4d7a


Si VA = 10.0 Vcd y RC = 2 kΩ, el valor de la corriente de colector en saturación (IC(SAT) =
VA/R) es igual a
a. 20 mA.
b. 5 mA.
c. 0.2 mA.

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se4d8, Pregunta: e4d8a


Si VA = 10.0 Vcd y RC = 2 kΩ, el punto de corte
a. IC = 0 mA y VCE = 10.0 Vcd
b. IC = 2.0 mA y VCE = 0 Vcd

Lugar: Página de discusión del ejercicio: se4d12, Pregunta: e4d12a


El punto Q de un circuito transistor
a. está en la intersección de las condiciones de operación de CD (IC, IB, y VCE) sobre la línea de
carga de CD.
b. debería estar localizado cerca del centro de la línea de carga CD.
c. cambiaría si la corriente de base cambia.
d. todas las anteriores

3-149
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

PROCEDIMIENTO DEL EJERCICIO

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p2, Pregunta: e4p2a


3. En el punto de saturación, ¿cuál sería la caída de voltaje entre colector y emisor (VCE(SAT))?
a. 0.0 Vcd.
b. 10.0 Vcd.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p2, Pregunta: e4p2c


4. En el punto de saturación, la caída de voltaje a través de las resistencias de colector (R8 + R9)
se considera igual a
a. 0.0 Vcd.
b. 10.0 Vcd.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p3, Pregunta: e4p3a


IC(SAT) = VA/RC = 10.0 Vcd/1.1 kΩ
= mA
Variable para esta pregunta: I30
Respuesta nominal: 9.09
Valor min/máx: (8.908) a (9.272)
Cálculo de valor: 9.090
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 2
Tolerancia mayor = 2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p4, Pregunta: e4p4a


6. En el punto de corte, la corriente de colector es
a. mayor que 5.0 mA.
b. 0.0 mA.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p4, Pregunta: e4p4c


7. En el punto de corte, el voltaje entre colector y emisor se considera igual a
a. 0.0 Vcd.
b. 10.0 Vcd.

3-150
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p5, Pregunta: e4p5a


9. Mida el voltaje colector-emisor de Q1. ¿Puede VCE considerarse cercano a 0 Vcd, como lo
muestra el gráfico de línea de carga?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p6, Pregunta: e4p6a


10. Mida la caída de voltaje a través de R9 (100Ω) de manera que se pueda determinar la
corriente de saturación del colector.
VR9 = Vcd
Variable para esta pregunta: V30
Respuesta nominal: 0.936
Valor min/máx: ( .796) a (1.076)
Cálculo de valor: 0.936
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 15
Tolerancia mayor = 15

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p6, Pregunta: e4p6c


11. Basado en su medición de VR9 (#V30# Vcd), IC(SAT) es igual a # V30# mA. Dentro de las
tolerancias de medición, el valor medido de IC(SAT), ¿concuerda con su valor calculado de
línea de carga IC(SAT) (#I30# mA)?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p7, Pregunta: e4p7a


12. Mida el voltaje colector-emisor. ¿Puede VCE (CUTOFF) ser considerado 10.0 Vcd, como lo
muestra el gráfico de línea de carga?
a. sí
b. no

3-151
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p8, Pregunta: e4p8a


VR9 = mVcd
Variable para esta pregunta: V31
Respuesta nominal: 0.0
Valor min/máx: (-5) a (5)
Cálculo de valor: 0.000
Porcentaje de tolerancia = falso
Tolerancia menor = 5
Tolerancia mayor = 5

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p8, Pregunta: e4p8c


14. Basado en sus mediciones de VR9 (#V31# mVcd), IC(CORTE) igual a # V31#/100 mA. El
valor de la medición de IC (CORTE), ¿coincide aproximadamente con su valor en la línea de
carga de IC(CORTE) (0.0 mA)?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p9, Pregunta: e4p9a


15. De la línea de carga CD mostrada, determine IC con un VCE de 5.0 Vcd.
IC = mA
Variable para esta pregunta: I31
Respuesta nominal: 4.6
Valor min/máx: (4.14) a (5.06)
Cálculo de valor: 4.600
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 10
Tolerancia mayor = 10

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p10, Pregunta: e4p10a


17. Mida la caída de voltaje a través de R9 (100Ω) para poder calcular la corriente de colector
con VCE en 5.0 Vcd.
VR9 = Vcd
Variable para esta pregunta: V32
Respuesta nominal: 0.47
Valor min/máx: (0.423) a (0.517)
Cálculo de valor: 0.470
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 10
Tolerancia mayor = 10

3-152
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p11, Pregunta: e4p11a


18. Basado en su medición de VR9 (#V32# Vcd), IC es igual a # V32# * 10 mA. Dentro de las
tolerancias de las mediciones, el valor de IC medido arriba, ¿concuerda con su valor de IC
(#I31# mA) en la línea de carga con un VCE de 5.0 Vcd?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p12, Pregunta: e4p12a


19. Mida la caída de voltaje a través de R6 (1 kΩ) para que pueda calcularse la corriente de base
(IB) con VCE en 5.0 Vcd.
VR6 = Vcd
Variable para esta pregunta: V33
Respuesta nominal: 0.03
Valor min/máx: (0.003) a (0.057)
Cálculo de valor: 0.030
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 90
Tolerancia mayor = 90

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p13, Pregunta: e4p13a


21. Con VCE en 5.0 Vcd, IC en # V32 * 10# mA, e IB en # V33 * 1000# µA, el circuito
transistor está operando en:
a. corte.
b. la región activa.
c. saturación.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p13, Pregunta: e4p13c


22. El punto en la línea de carga en el cual VCE es igual a 5.0 Vcd, es donde el circuito transistor
está operando. Este es el punto
a. Q.
b. activo.

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p14, Pregunta: e4p14a


24. Un incremento en RC de 1.1 kΩ a 4.8 kΩ,
a. aumenta la corriente de saturación de colector.
b. disminuye la corriente de saturación de colector.

3-153
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p15, Pregunta: e4p15a


25. Para el circuito conectado, RC = R7 + R9 = 4.8 kΩ. Calcule la corriente de saturación de
colector.
IC(SAT) = VA/RC = 10.0 Vcd/4.8 kΩ
= mA
Variable para esta pregunta: I32
Respuesta nominal: 2.08
Valor min/máx: (2.038) a (2.122)
Cálculo de valor: 2.080
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 2
Tolerancia mayor = 2

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p15, Pregunta: e4p15c


26. ¿Cambió el punto de corte con el aumento en la resistencia de colector a 4.8 kΩ?
a. sí
b. no

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p18, Pregunta: e4p18a


29. Mida la caída de voltaje a través de R9 (1000Ω) para poder determinar la corriente de
saturación del colector.
VR9 = Vcd
Variable para esta pregunta: V34
Respuesta nominal: 0.215
Valor min/máx: ( .194) a ( .237)
Cálculo de valor: 0.215
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 10
Tolerancia mayor = 10

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p18, Pregunta: e4p18c


30. Basado en su medida de VR9 (#V34# Vcd), IC(SAT) es igual a # V34#* mA. Con las
mediciones dentro de la tolerancia, el anterior valor medido de IC(SAT), ¿coincide con su valor
calculado en la línea de carga IC(SAT) (#I32# mA)?
a. sí
b. no

3-154
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de procedimiento del ejercicio: se4p19, Pregunta: e4p19a


31. Compare las líneas de carga para RC igual a 1.1 kΩ y a 4.8 kΩ. ¿Cuál resistencia de carga
proporciona un mejor rango de corriente colector, con un voltaje fuente de 10.0 Vcd?
a. 4.8 kΩ
b. 1.1 kΩ

PREGUNTAS DE REPASO

Lugar: Página de preguntas de repaso: se4r1, Pregunta: e4r1


1. Si es necesario, mida sólo la caída de voltaje en R9 entre VA y el terminal próximo al colector
de Q1. ¿Cuándo se presenta el punto de saturación?
a. cuando IC(SAT) = 0.0 mA y VCE = 10.0 Vcd
b. cuando IC(SAT) = 0.0 mA y VCE = 5.0 Vcd
c. cuando IC(SAT) = 4.3 mA y VCE = 0 Vcd
d. cuando IC(SAT) = 2.1 mA y VCE = 5.0 Vcd

Lugar: Página de preguntas de repaso: se4r2, Pregunta: e4r2


2. El punto de corte para el circuito es donde
a. IC = 0.0 mA y VCE = 5.0 Vcd
b. IC = 0.0 mA y VCE = 10.0 Vcd
c. IC = 4.3 mA y VCE = 0 Vcd
d. IC = 2.1 mA y VCE = 5.0 Vcd

Lugar: Página de preguntas de repaso: se4r3, Pregunta: e4r3


3. Aquí se muestra una línea de carga para el circuito, con una resistencia de colector de 2.3 kΩ
cuando MC 20 es activado. ¿Cuál es la corriente de colector cuando VCE es igual a 3.0 Vcd?
a. 1.5 mA
b. 3 mA
c. 0 mA
d. 4.3 mA

Lugar: Página de preguntas de repaso: se4r4, Pregunta: e4r4


4. En el circuito mostrado, la línea de carga está determinada por
a. VA y RC.
b. RB y IC.
c. IC y VCE.
d. VA y IB.

3-155
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página de preguntas de repaso: se4r5, Pregunta: e4r5


5. Una línea de carga de CD de un circuito transistor puede ser usada para determinar
a. el punto de quiescente óptimo (punto Q).
b. la resistencia del circuito de base.
c. la caída de voltaje óptima de base-colector.
d. la caída de voltaje de base-emisor.

MC DISPONIBLES
MC 20

FALLAS DISPONIBLES
Ninguna

3-156
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

PRUEBA DE LA UNIDAD

NOTA: Dependiendo de los ajustes de configuración, estas preguntas pueden presentarse


aleatoriamente en la pantalla.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut1, Pregunta: ut1


El voltaje directo de la unión base-emisor (VBE) de un transistor NPN de silicio
a. es casi 4.0 Vcd.
b. es casi 0.7 Vcd.
c. es casi 0.3 Vcd.
d. depende de la polaridad del voltaje.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut2, Pregunta: ut2


Si la base del transistor NPN es más negativa que el emisor, la unión está
a. polarizada inversamente.
b. polarizada directamente.
c. conduciendo.
d. aproximándose a la caída de voltaje directo.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut3, Pregunta: ut3


La corriente de colector (IC) de un transistor es controlada por
a. la corriente del emisor (IE).
b. la magnitud de la fuente de voltaje de colector (VA).
c. la polarización de la unión base-colector.
d. la corriente de base (IB).

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut4, Pregunta: ut4


La ganancia de corriente CD (ßDC) es expresada por:
a. ßDC = IC/IB
b. ßDC = IB/IC
c. ßDC = IB/IE
d. ßDC = IC/IE

3-157
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut5, Pregunta: ut5


Si se requiere una corriente de colector (IC) de 15 mA en un circuito transistor con una ganancia
de corriente (ßDC) de 300, la corriente de base (IB) debe ser
a. 0.0045 mA.
b. 20 mA.
c. 0.05 mA.
d. 0.02 mA.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut6, Pregunta: ut6


Cuando un circuito transistor está en el punto de saturación,
a. ambas uniones están polarizadas directamente.
b. la unión base-emisor está polarizada inversamente.
c. la unión base-emisor es polarizada inversamente y la base-colector directamente.
d. la unión base-emisor es polarizada directamente y la base-colector inversamente.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut7, Pregunta: ut7


Cuando un circuito transistor está en la región activa,
a. ambas uniones se polarizan directamente.
b. la unión base-emisor es polarizada inversamente.
c. la unión base-emisor es polarizada inversamente y la base-colector directamente.
d. la unión base-emisor es polarizada directamente y la base-colector inversamente.

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut8, Pregunta: ut8


La línea de carga CD es un gráfico de la
a. corriente de colector (IC) contra el voltaje colector-emisor (VCE).
b. corriente de base (IB) contra el voltaje base-emisor(VBE).
c. corriente de colector (IC) contra la corriente de base(IB).
d. corriente de colector (IC) contra el voltaje de base-emisor(VBE).

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut9, Pregunta: ut9


La línea de carga de CD se intersecta con los ejes Y y X en los puntos
a. Q y saturación, respectivamente.
b. Corte y saturación, respectivamente.
c. Saturación y ruptura, respectivamente.
d. Saturación y corte, respectivamente.

3-158
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

Lugar: Página sobre pregunta de prueba de la unidad: sut10, Pregunta: ut10


El punto en el cual las corrientes de colector (IC), y de base (IB), y el voltaje colector emisor
(VCE) se intersectan en la región activa de la línea de carga, es el punto
a. de ruptura.
b. de saturación.
c. quiescente (punto Q).
d. de corte.

LOCALIZACIÓN DE FALLAS

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba1, Pregunta: trba1a


4. Mida V2.
V2 = Vcd
Variable para esta pregunta: V2B
Respuesta nominal: 6.2
Valor min/máx: (1.55) a (10.85)
Cálculo de valor: 6.200
Porcentaje de tolerancia = verdadero
Tolerancia menor = 75
Tolerancia mayor = 75

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba2, Pregunta: trba2a


¿Está seguro que el circuito transistor NPN está funcionando correctamente?
a. sí
b. no

Lugar: Página de localización de fallas: ttrba3, Pregunta: trba3


8. El componente defectuoso es
a. Q1 (unión base-colector en corto).
b. Q1 (unión base-emisor en corto).
c. Q1 (fuga excesiva entre colector y emisor).
d. R7 (en corto).

MC DISPONIBLES
Ninguno

FALLAS DISPONIBLES
Falla 12

3-159
Fundamentos de semiconductores Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor

3-160
Fundamentos de semiconductores Apéndice A – Preguntas y respuestas de la pre-prueba y la post-prueba

APÉNDICE A – PREGUNTAS Y RESPUESTAS DE LA PRE-PRUEBA Y LA


POST-PRUEBA

Dependiendo de los ajustes de configuración, estas preguntas pueden presentarse aleatoriamente


en la pantalla. Las preguntas de la pre-prueba y de la post-prueba son las mismas.

1. Los dispositivos semiconductores se construyen comúnmente de


a. silicio.
b. aluminio.
c. Ftalato de dialilo.
d. arseniato de sodio.

2. Los materiales semiconductores


a. tienen una resistencia que está entre la de un conductor y un aislante.
b. son superconductores a temperaturas relativamente altas.
c. son sustancias muy poco comunes y costosas.
d. no forman estructuras cristalinas.

3. La característica más importante de los átomos semiconductores es


a. el número de neutrones en el núcleo.
b. el número de protones en el núcleo.
c. el número total de electrones en todas las órbitas.
d. el número de electrones en la órbita externa.

4. El término enlace covalente se refiere a


a. el adhesivo utilizado al armar las pastillas de semiconductor.
b. compartir los electrones del nivel externo de los átomos en un cristal.
c. la fuerza que une electrones y protones en un núcleo atómico.
d. la fuerza gravitacional entre átomos.

5. Las impurezas se introducen en los semiconductores puros a través de un proceso controlado


llamado
a. inyección.
b. fusión.
c. ósmosis.
d. dopado.

6. Los electrones libres en los semiconductores


a. se retiran por purificación constante.
b. se introducen por impurezas.
c. reducen la eficiencia del material tipo N.
d. son portadores minoritarios en el material tipo N.

A-1
Fundamentos de semiconductores Apéndice A – Preguntas y respuestas de la pre-prueba y la post-prueba

7. Los portadores mayoritarios en el material tipo P son


a. protones.
b. neutrones.
c. huecos.
d. ninguno de los anteriores.

8. Un dispositivo semiconductor simple llamado diodo permite el flujo de corriente en una sola
dirección y
a. está formado de tres o más uniones PN o NP de semiconductores.
b. consiste de una unión simple PN.
c. no requiere que se le introduzcan impurezas.
d. requiere un imán polarizado para su operación.

9. Las tres regiones de un transistor bipolar son


a. ánodo, cátodo y el puente.
b. emisor, base y colector.
c. cátodo, rejilla y placa.
d. fuente, puente y drenaje.

10. La región de deplexión en un diodo rectificador


a. se ensancha cuando el diodo se polariza inversamente.
b. se hace más estrecha cuando el diodo se polariza inversamente.
c. puede ser eliminada por un dopado apropiado.
d. se forma solamente en el material tipo P del ánodo.

11. Un diodo rectificador de silicio bien diseñado


a. no tiene caída de voltaje directa.
b. tiene aproximadamente 0.3V de caída de voltaje directa.
c. tiene alrededor de 0.7V de caída de voltaje directa.
d. Tiene alrededor de 0.7V de caída de voltaje inversa.

12. Cuando el ánodo de un diodo rectificador es positivo con respecto al cátodo, el diodo está
a. polarizado directamente y es conductor.
b. polarizado inversamente y es conductor.
c. sujeto a una ruptura en avalancha que lo destruirá.
d. polarizado inversamente y no es conductor.

13. La corriente de pérdida a través del diodo resulta de


a. la aplicación de un voltaje inverso excesivo.
b. la aplicación de un voltaje directo excesivo.
c. la alta capacitancia o inductancia en las uniones.
d. portadores minoritarios en los materiales tipo P y N.

A-2
Fundamentos de semiconductores Apéndice A – Preguntas y respuestas de la pre-prueba y la post-prueba

14. La rectificación es el proceso de


a. convertir el voltaje pulsante CD en CA.
b. convertir CA en CD ondulatoria.
c. remover el rizado del voltaje pulsante CD.
d. purificar el silicio o el germanio.

15. El rango de un extremo a otro de un buen diodo puede ser revisado


a. con un óhmetro y debe ser menor que 100 a 1.
b. con un óhmetro y debe ser mayor que 100 a 1.
c. con un multímetro y debe ser de 10 a 1 o menor.
d. solamente con instrumentos especiales y debe ser de 10 a 1 o menor.

16. El tiempo de recuperación inverso reduce el rendimiento de los diodos rectificadores


comunes en
a. circuitos de alto voltaje y baja frecuencia.
b. circuitos de corriente alta y baja frecuencia.
c. cualquier aplicación de corriente alta y alto voltaje.
d. cualquier aplicación de frecuencia alta.

17. La salida de un circuito rectificador de media onda tiene


a. dos veces la frecuencia de la señal de entrada.
b. la misma frecuencia de la señal de entrada.
c. la mitad de la frecuencia de la señal de entrada.
d. el mismo voltaje de la señal de entrada.

18. Si se invierte el diodo en un circuito rectificador de media onda,


a. la polaridad de la salida CD se mantiene invariable.
b. la amplitud de la salida CD se reduce.
c. la polaridad de la salida CD se invierte.
d. ninguna de las anteriores

19. Un circuito rectificador de onda completa


a. necesita solamente un diodo simple.
b. necesita dos diodos en paralelo.
c. es menos eficiente que un rectificador de media onda.
d. necesita dos o cuatro diodos.

20. Un circuito puente de diodos


a. es un tipo de rectificador de media onda.
b. requiere de un transformador secundario con tomas centrales.
c. produce formas de onda de salida sin rizado.
d. tiene cuatro diodos que conducen en pares.

A-3
Fundamentos de semiconductores Apéndice A – Preguntas y respuestas de la pre-prueba y la post-prueba

21. Los condensadores electrolíticos se utilizan generalmente como filtros de fuente de potencia
porque
a. proporcionan alta reactancia en las frecuencias de la línea de alimentación.
b. duplican el voltaje sin componentes adicionales.
c. invierten la fase de los picos negativos automáticamente.
d. proporcionan alta capacitancia en pequeños paquetes.

22. En muchas aplicaciones de fuentes de potencia, los circuitos rectificadores de onda completa
tienen mayor preferencia que los de media onda, pues los primeros
a. son más eficientes y más fáciles de filtrar.
b. requieren de menos componentes.
c. ofrecen un rizado de salida de baja frecuencia.
d. utilizan solamente picos positivos de una entrada CA.

23. Se puede reducir el rizado en la salida de cualquier fuente de potencia,


a. incrementando la capacitancia del circuito de filtro.
b. utilizando diodos con mayores índices de ruptura.
c. reduciendo la resistencia de carga.
d. incrementando la reactancia capacitiva del circuito de filtro.

24. El condensador en el circuito de filtro de una fuente de potencia


a. distribuye energía a la carga entre los picos de la entrada CD.
b. distribuye energía al circuito rectificador.
c. absorbe energía de la carga entre los picos del circuito CD.
d. absorbe energía de la carga únicamente durante los picos de la entrada CD.

25. Los transformadores se utilizan en fuentes de potencia para


a. convertir el voltaje de línea al nivel adecuado requerido por la aplicación.
b. aislar la corriente secundaria CD de una línea de potencia.
c. aumentar o disminuir la frecuencia de la línea de potencia.
d. convertir CD a un voltaje, en otro voltaje CD a otro nivel.

26. El rizado en la salida de una fuente de alimentación con filtro


a. es siempre el doble de la frecuencia de una línea de voltaje.
b. es siempre la mitad de la frecuencia de una línea de voltaje.
c. tiene una forma de onda en diente de sierra.
d. tiene una forma de onda sinusoidal.

27. En aplicaciones normales, un diodo Zener


a. está polarizado de tal manera que su cátodo es negativo con respecto a su ánodo.
b. reemplaza un diodo rectificador convencional.
c. reemplaza un diodo rectificador de alto voltaje.
d. está polarizado de tal manera que su cátodo es positivo con respecto a su ánodo.

A-4
Fundamentos de semiconductores Apéndice A – Preguntas y respuestas de la pre-prueba y la post-prueba

28. La caída de voltaje a través de un diodo Zener en uso normal


a. varía directamente con el flujo de corriente.
b. varía inversamente con el flujo de corriente.
c. es 0.3 V o 0.7 V.
d. se mantiene casi constante.

29. La corriente a través de un diodo Zener polarizado para aplicaciones normales


a. se mantiene a un nivel constante debido al Zener.
b. debe limitarse con resistencias en serie.
c. es muy pequeña para medirse con un multímetro.
d. no produce ninguna disipación de potencia.

30. Un limitador de diodos en serie es similar en su funcionamiento a


a. un rectificador de media onda.
b. un rectificador de onda completa.
c. un conversor CD a CA.
d. un restaurador CD.

31. Un circuito limitador puede utilizarse para


a. convertir la forma de onda triangular en una onda senoidal.
b. convertir una onda senoidal en una onda cuadrada.
c. incrementar la amplitud de una señal.
d. limitar la respuesta de la frecuencia del circuito.

32. Los circuitos de fijación utilizan un diodo y siempre incluyen


a. un condensador.
b. un inductor.
c. un Zener.
d. una batería polarizada.

33. En un circuito regulador en derivación con diodo Zener típico donde la fuente de voltaje
varía, el voltaje a través de
a. la resistencia de carga varía.
b. la resistencia reductora de tensión en serie varía.
c. el diodo Zener varía.
d. ninguna de las anteriores

34. ¿Cuál de los siguientes circuitos permite que un condensador se cargue rápidamente a través
de una impedancia baja y se descargue lentamente a través de una impedancia alta?
a. un circuito de fijación
b. un circuito limitador en derivación polarizado
c. un recortador de ondas
d. un seccionador

A-5
Fundamentos de semiconductores Apéndice A – Preguntas y respuestas de la pre-prueba y la post-prueba

35. El emisor de un transistor NPN se identifica en un diagrama por


a. una flecha apuntando hacia la base.
b. una flecha saliendo de la base.
c. su posición opuesta al cable con una flecha.
d. su posición entre los cables de la base y el colector.

36. Cuando se utiliza un transistor en un circuito amplificador clase A,


a. la unión base emisor está polarizada inversamente y la unión base colector está
polarizada directamente.
b. tanto la unión base-emisor como la unión base-colector están polarizadas directamente.
c. la unión base-emisor está polarizada directamente y la unión base-colector está
polarizada inversamente.
d. tanto la unión base-emisor como la unión base-colector están polarizadas inversamente.

37. Para construir un transistor se necesita


a. Germanio dopado con materiales tipo N y P.
b. Silicio dopado con materiales tipo N y P.
c. Tres capas y dos uniones.
d. a. ó b., y c

38. Un transistor PNP está polarizado directamente cuando su


a. base es negativa con respecto a su emisor.
b. base es positiva con respecto a su emisor.
c. colector es positivo con respecto a su emisor.
d. colector es negativo con respecto a su emisor.

39. El emisor de un transistor PNP se identifica en un diagrama con


a. una flecha apuntando hacia la base.
b. una flecha saliendo de la base.
c. su posición opuesta al cable con una flecha.
d. su posición entre los cables de la base y el colector.

40. Cuando un transistor está polarizado directamente,


a. casi toda la corriente del emisor fluye hacia el colector.
b. casi toda la corriente del emisor fluye hacia la base.
c. la corriente de la base se divide entre el colector y el emisor.
d. no hay flujo de corriente en el circuito base.

41. Los transistores se pueden utilizar como


a. amplificadores.
b. interruptores.
c. osciladores.
d. todas las anteriores

A-6
Fundamentos de semiconductores Apéndice A – Preguntas y respuestas de la pre-prueba y la post-prueba

42. Un transistor de potencia se puede identificar por


a. su tamaño relativamente grande.
b. su cubierta metálica o disipador de calor.
c. las gamas de voltaje y corriente en una hoja de especificaciones.
d. todas las anteriores

43. Los transistores de alta ganancia


a. no requieren corriente de base para controlar una corriente grande del colector.
b. requieren de una corriente de base pequeña para controlar una corriente grande del
colector.
c. requieren de una corriente de base grande para controlar una corriente grande del
colector.
d. son siempre PNP.

44. El voltaje de base de un transistor en un circuito amplificador


a. varía con la señal, pero la corriente de la base permanece casi constante.
b. permanece casi constante, pero la corriente de la base varía con la señal.
c. debe ser lo suficientemente alta para mantener saturado el transistor.
d. debe ser lo suficientemente pequeña para mantener el transistor cerca del punto de corte.

45. La línea de carga de un transistor es una representación gráfica de la relación entre


a. voltaje de colector y corriente de colector.
b. voltaje de colector y corriente de base.
c. corriente del emisor y corriente de base.
d. voltaje de colector y voltaje de base.

46. Los límites de una línea de carga de un transistor pueden determinarse si


a. se conocen la ganancia de la corriente del transistor y la fuente de voltaje.
b. se conocen la ganancia de la corriente del transistor y la resistencia de la carga.
c. se conocen la corriente de base y la ganancia de la corriente del transistor.
d. se conocen la fuente de voltaje y la resistencia de carga.

47. El punto de operación quiescente de un circuito amplificador con transistor es


a. determinado por el nivel de polarización CD.
b. seleccionado para estar cerca del centro de la línea de carga.
c. cerca de la mitad del nivel de la fuente de voltaje.
d. todas las anteriores

48. Si se aplica una corriente de base adicional a un transistor saturado,


a. la corriente de colector aumentará significativamente.
b. la corriente del colector se mantendrá invariable.
c. la corriente del emisor disminuirá.
d. el voltaje del emisor-colector aumentará.

A-7
Fundamentos de semiconductores Apéndice A – Preguntas y respuestas de la pre-prueba y la post-prueba

49. Un transistor tiene una ganancia de 100. Si la corriente de colector del transistor se mide y se
encuentra que es exactamente de 1 amperio,
a. la corriente de la base debe ser 100 mA.
b. la corriente del emisor debe ser 10 mA.
c. la corriente del emisor debe ser de 1.01 mA.
d. la corriente de la base debe ser de 1 mA.

50. Un transistor que tiene un VCE igual a 8V y la corriente de colector de 4 A


a. es un amplificador de señal pequeña.
b. debe ser capaz de disipar 32 vatios.
c. tiene una corriente de emisor ligeramente menor de 4A.
d. está saturado.

A-8
Fundamentos de semiconductores Apéndice B – Fallas y modificaciones del circuito (MC)

APÉNDICE B – FALLAS Y MODIFICACIONES DEL CIRCUITO (MC)

MC INTERRUPTOR FALLA ACCIÓN


ESQUEMÁTICO
NO.
– 21 1 unión base-
colector de
Q1 en corto
con 330Ω
– 22 2 unión
colector
emisor de
Q2 en corto
– 23 3 abre
escobilla R4
– 24 4 pone en
corto CR2
– 25 5 unión base-
emisor de
Q1 en corto
– 27 7 abre el
secundario
de T1
– 28 8 coloca 1 kΩ
en paralelo
con R2 de
100-kΩ
– 29 9 pone el
diodo en
corto en el
cuadrante
inferior
izquierdo
del puente
CR1
– 30 10 pone en
corto CR2
– 31 11 abre C1
– 32 12 pone en
corto la
unión base-
emisor de
Q1

B-1
Fundamentos de semiconductores Apéndice B – Fallas y modificaciones del circuito (MC)

MC INTERRUPTOR FALLA ACCIÓN


ESQUEMÁTICO
NO.
2 2 Esta MC se unión base-
utiliza emisor de
como una Q1en corto
falla.
3 3 – abre base de
Q2
6 6 – R2 = 1062Ω
9 9 – R1 = 1.01
MΩ
10 10 – pone en
corto base
de Q2
14 14 – coloca
1000Ω en
paralelo con
R2 de 100-
kΩ
15 15 Esta MC se abre C1
utiliza
como una
FALLA.
17 17 – abre CR2
18 18 – pone 39 kΩ
en paralelo
con R1, R2
conectadas
en serie
19 19 Esta MC se unión
utiliza emisor-
como una colector de
falla. Q1 en corto
con 100Ω
20 20 – R9 = 2300Ω

B-2
Fundamentos de CD Apéndice C – Localización y reparación de fallas de tarjetas y del curso

APÉNDICE C – LOCALIZACIÓN Y REPARACIÓN DE FALLAS DE


TARJETAS Y DEL CURSO

Problemas de una tarjeta impresa


El equipo FACET está diseñado, fabricado y probado cuidadosamente para asegurar una vida
larga y confiable. Si usted sospecha que hay una falla genuina en el equipo, se deben seguir los
siguientes pasos para hacer un seguimiento del problema.

A. SIEMPRE inserte la tarjeta en la unidad base antes de intentar utilizar un óhmetro en la


localización y reparación de fallas. Los diagramas esquemáticos impresos en las tarjetas se
modifican por la ausencia de las conexiones de conmutación en la unidad base; por lo tanto,
las pruebas con un óhmetro producirán resultados erróneos en tarjetas desconectadas. No
aplique potencia a la unidad base cuando hace pruebas de resistencia.
B. Un listado de funciones de interrupción de fallas se proporciona en el Apéndice B de esta
guía del profesor.

Problemas del curso


El curso FACET ha sido escrito para cumplir con objetivos cuidadosamente seleccionados.
Todos los ejercicios han sido probados con precisión y se ha revisado el contenido técnico de la
información presentada en las discusiones. Se han calculado las tolerancias de todas las
respuestas a preguntas de procedimiento y de repaso, para asegurar que las respuestas no se
invaliden por errores de componentes o instrumentos.

Sin embargo, usted o sus estudiantes pueden encontrar errores o experimentar dificultades en la
utilización de nuestras publicaciones. Agradecemos sus comentarios y le aseguramos que los
tendremos en cuenta cuidadosamente en nuestros continuos esfuerzos por mejorar el producto.

A medida que atendamos problemas del curso, publicaremos las correcciones que pueden bajarse
de nuestro website, www.labvolt.com. Seleccione el tabulador de soporte al cliente y entonces
escoja la línea de producto: FACET Seleccione un curso, luego seleccione de la lista de síntomas
que han sido atendidos y siga las instrucciones.

C-1
Fundamentos de CD Apéndice C – Localización y reparación de fallas de tarjetas y del curso

Haremos lo mejor para ayudarlo a resolver los problemas si usted llama el número a
continuación. Sin embargo, para lograr mejores resultados, o para evitar alguna confusión,
nosotros preferimos que nos escriba con una descripción del problema.

Si usted nos escribe, por favor incluya la siguiente información:

• Su nombre, título, dirección de correo y número (por favor incluya la mejor hora para
contactarlo).
• El título de la publicación y el número.
• Número(s) de página(s) y paso o número de la figura(s) del material en cuestión.
• Una descripción completa del problema encontrado y cualquier información adicional que
pueda ayudarnos a resolver el problema.

Envíe sus comentarios del curso a:

techsupport@labvolt.com

Lab-Volt Systems
P.O. Box 686
Farmingdale, NJ 07727
ATENCIÓN: Soporte técnico

Si prefiere llamar por teléfono con respecto a problemas del curso o del hardware, llámenos por
favor entre las 9:00 AM y 4:30 PM (Hora Este) al: (800) 522-4436 o al (888)-LAB-VOLT.

C-2

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