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Fabricacion Chips 061009 PDF
Fabricacion Chips 061009 PDF
Introducción a la fabricación de
Circuitos Integrados
Adaptado de:
Moreira, Paulo “Introduction to VLSI digital design” CERN, Suiza, 2005
Contenido
Historia
Proceso de Fabricación
Magic
IETIX
Resumen
Pablo Alvarado 2
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Historia
1883 Thomas Edison (“Efecto Edison”)
Experimentando con bombillos, Edison encontró que en el
vacío una corriente puede fluir del filamento luminoso a una
placa de metal polarizada positivamente pero no a una
polarizada negativamente
1904 John Ambrose Fleming (“Diodo Fleming”)
Reconoce impacto del descubrimiento de Edison, y
Audion (Triodo) demuestra la rectificación de señales CA.
1906, Lee De Forest
1906 Lee de Forest (“Triodo”)
Añade una rejilla al diodo de Fleming lo que permite
“amplificar” señales.
Los tubos al vacío continúan su evolución
Dominan industria de radio y TV hasta los 60s, y representan
la “génesis” de la industria electrónica actual. Son sin
embargo frágiles, relativamente grandes, consumen mucha
potencia y tienen altos costos de producción.
Pablo Alvarado 3
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Historia (2)
1940 Russel Ohl (Union PN junction)
La union PN es desarrollada en los Laboratorios Bell.
1945 Labs. Bell establece grupo para desarrollar alternativa
de tubos al vacío. El grupo lo lidera William Shockley.
1947 Bardeen and Brattain (Transistor)
Se crea el primer circuito amplificador de estado sólido
Primer transistor de contacto utilizando un transistor de contacto puntual (Ge)
puntual (germanio)
1947, John Bardeen y Walter 1950 William Shockley (Transistor de juntura)
Brattain Más fácil de producir que el transistor de contacto puntual.
Laboratorios Bell
1952 fabricación de silicio monocristalino
1954 primer transistor comercial de silicio
Texas Instruments
1954 Primer radio de transistores (Regency TR-1)
4 transistores de Texas Instruments
1955 Primer transistor de efecto de campo
Laboratorios Bell
Pablo Alvarado 4
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Historia (3)
1952 Geoffrey W. A. Dummer (concepto de CI)
En 1952 se publicó el concepto y en 1956 se hizo un intento
1954 Desarrollo de proceso de enmascaramiento del óxido
Proceso incluye oxidación, foto-enmascaramiento, corrosión
y difusión
1958 Jack Kilby (Circuito Integrado)
Primer circuito integrado (Ge) Oscilador con 5 componentes
1958 Jack S. Kilby,
Texas Instruments 1959 Invento de tecnología planar
Esta tecnología se usa aún en la actualidad
5 componentes entre
transistores, resistencias y
condensadores 1960 Primer MOSFET fabricado
En los Labs. Bell, por Kahng
1961 Primer Circuito Integrado comercial
Fairchild and Texas Instruments
1962 Invento de TTL
1963 Primer Circuito Integrado PMOS producido por RCA
1963 CMOS inventado
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Historia (4)
1971 Primer microprocesador
Intel produce el 4004 (primer
microprocesador de 4 bits)
Conjunto de 3 chips encapsulados en DIP de
16 pines
Circuito Integrado de 2 kbit ROM
Circuito Integrado de 320 bit RAM
Procesador:
Proceso PMOS de compuertas en Si, 10 µm
~2300 transistores
Velocidad de reloj: 108 kHz
Tamaño del dado de silicio: 13,5 mm2
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Historia (5)
1982 Intel 80286
Proceso CMOS de compuertas en Si, 1,5 µm
1 capa de polisilicio
2 capas metalicas
134 000 transistores
Velocidad de reloj 6 a 12 MHz
Tamaño del dado 68,7 mm2
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Historia (6)
2000 Pentium 4
Proceso CMOS de compuertas en Si, 0,18µm
1 capa de polisilicio
6 capas metálicas
Fabricación: 21 capas / máscaras
42 millones de transistores
Reloj: 1,400 to 1,500 MHz
Tamaño del dado: 224 mm2
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Historia (7)
Historia de los microprocesadores de Intel
(Tomado de http://www.intel.com/pressroom/kits/quickreffam.htm)
Pablo Alvarado 9
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Ley de Moore
En 1965 Gordon Moore ¿Qué motiva este ritmo de
(entonces en Fairchild Corp.) desarrollo en tecnologías de
notó que: integración?
“La complejidad de ¿El deseo de superación y
integración se duplica cada motivación de las personas
3 años” involucradas con tecnología?
Esta afirmación se conoce y / o ¿es una motivación
comúnmente como la “Ley económica la mayor
de Moore” directriz?
Ha resultado “correcta” Ventas de la industria de
hasta este momento semiconductores:
1962, > $1000 Millones
1978, > $10 000 Millones
1994, > $100 000 Millones
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Motivador: Economía
Tradicionalmente, el costo por función en un CI se
reduce de un 25% a un 30% por año.
– Esto le permite al mercado de la electrónica a crecer
un 15% por año
Para lograrlo, el número de funciones por CI debe
crecer, lo que requiere:
Incremento del número de transistores
incremento de la funcionalidad
Incremento de la velocidad de reloj
más operaciones por unidad de tiempo = incremento de la
funcionalidad
Disminución del tamaño de características
si se mantiene el área se mantiene el precio
mejora en el desempeño
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Pablo Alvarado 12
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
¿Hay un límite?
Fábrica con gran volumen de producción
Capacidad total: 40 000 obleas iniciadas por mes (Wafer Starts Per
Month, WSPM) (180 nm)
Inversión total capital: $2700 Millones
Maquinaria y equipo de producción: 80%
Servicios, Facilidades: 15%
Sistemas de manejo de materiales: 3%
Información y control de fábrica: 2%
Ingresos mundiales del mercado mundial de semiconductores en
el 2000: ~$180 000 Millones
Tasa de crecimiento del mercado de semiconductores ~15% / año
Tasa de crecimiento de mercado de equipo: ~19.4% / año
Al 2010 los costos para equipo excederán el 30% de los ingresos del
mercado de semiconductores!
Limitaciones tecnológicas (tamaño de las estructuras,
velocidades de transmisión, etc.)
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Fabricación de un
Circuito Integrado
Pablo Alvarado 14
Inversor CMOS
A Y VDD
0
A Y
A Y
GND
Paulo Moreira Introduction 15
Transistor n-MOS
n+ n+
p bulk Si
p+ p+
n bulk Si
n+ diffusion
p+ diffusion
n+ n+ p+ p+
polysilicon
n well
p substrate
metal1
p+ n+ n+ p+ p+ n+
n well
p substrate
GND VDD
• Seis máscaras
– n-well
n well
– Polysilicon
– n+ diffusion Polysilicon
– p+ diffusion
– Contact n+ Diffusion
– Metal
p+ Diffusion
Contact
Metal
p substrate
SiO 2
p substrate
Photoresist
SiO 2
p substrate
Photoresist
SiO 2
p substrate
Photoresist
SiO 2
p substrate
SiO 2
p substrate
n well
n well
p substrate
Polysilicon
Thin gate oxide
n well
p substrate
Polysilicon
Polysilicon
Thin gate oxide
n well
p substrate
n well
p substrate
n+ Diffusion
n well
p substrate
n+ n+ n+
n well
p substrate
n+ n+ n+
n well
p substrate
p+ Diffusion
p+ n+ n+ p+ p+ n+
n well
p substrate
Contact
Metal
Metal
Thick field oxide
p+ n+ n+ p+ p+ n+
n well
p substrate
Niveles de abstracción
en el Diseño VLSI
Alto
High
System Specification
Especificación del sistema
Sistema
System
de Abstracción
of Abstraction
Módulo funcional
Functional Module +
NivelLevel
Compuerta
Gate
Circuito
Circuit
G
Dispositivo
Device S D
Bajo
Low
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Dominios de Descripción
de Diseño VLSI
Dominio Comportamental Dominio Estructural
Instrucciones
circuital
Transistores RTL, lógico
Celdas arquitectural
Módulos
Niveles de abstracción
Chips
Tarjetas
Dominio Físico Pablo Alvarado 42
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Simulación
Ingreso del
Especificación del Layout
Diseño
Pre-layout
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Extracción de
Extracción del Simulación del
Verificación Elementos
Diseño Post-layout
Parásitos
●Comprobación ●Extracción
de reglas de ●Extracción de ●Simulación del
diseño ●Layout vs elementos circuito
Esquemático parásitos
●Comprobación ●Rediseño
de reglas
eléctricas
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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Referencias
Moreira, Paulo “Introduction to VLSI digital design” CERN, Suiza, 2005
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