Creación del transistor

En 1947, William Shockley, un visionario capaz de ver la importancia de los transistores

antes que nadie, Walter Brattain, un físico experimental capaz de construir y reparar
prácticamente cualquier cosa y John Bardeen, capaz de ir más allá en la comprensión de
los fenómenos aparentemente complejos y exponerlos de la manera más sencilla posible.
Durante el conocido como "Mes milagroso" entre el 17 de noviembre y el 23 de diciembre
realizaron infinidad de pruebas para mejorar el dispositivo hasta llegar a conseguir su
objetivo: el primer transistor de contacto puntual, hecho con dos púas de metal (oro) que
se presionan sobre la superficie de material semiconductor (germanio) en posiciones muy
próximas entre sí. [1]

El primer transistor utilizaba la tecnología conocida como “punto de contacto”, y se

basaba en las propiedades semiconductoras del Germanio. Poco más tarde, Shockley creó
el “transistor de unión”. En septiembre de 1951 los laboratorios Bell patentaron la
tecnología de fabricación de ambos tipos de transistores, y la vendieron. [2]

El primer transistor fabricado en gran escala fue el CK722, de Raytheon, en 1953. [2]

Evolución de los circuitos integrados

Mientras la mayor parte de las aplicaciones continuaban utilizando tecnologías de

válvulas o tubos de vacío, la electrónica de semiconductores continuaba su desarrollo. En
1959, dos ingenieros independientes y trabajando para empresas diferentes, desarrollaron
los primeros circuitos integrados de la historia. Jack St. Clair Kilby, trabajando para Texas
Instruments, desarrolló el primer circuito integrado de germanio. Por su parte, Robert N.
Noyce, trabajando para Fairchild Semiconductor, desarrolló el primer circuito integrado
de silicio. Kilby continuó trabajando para Texas Instruments, logrando varias patentes
(además de las correspondientes a los circuitos integrados). Entre sus invenciones se
destaca el desarrollo de la primera calculadora de bolsillo. Kilby recibió el Premio Nobel
de Física en 2000, “por trabajos básicos en tecnologías de la información y la
comunicación”, y “por su parte en la invención del circuito integrado”. En 1959 Noyce
fue Gerente General de Fairchild Semiconductor. En 1968 decidió crear su propia
compañía, y con algunos colegas fundó INTEL. Recibió la Medalla de Honor de IEEE en
1978, “por sus contribuciones a los circuitos integrados de silicio”. [3]
Existen tres tipos de circuitos integrados:

1. Circuito monolítico: La palabra monolítico viene del griego y significa “una

piedra”. La palabra es apropiada porque los componentes son parte de un chip. El
Circuito monolítico es el tipo más común de circuito integrado, ya que desde su
intervención los fabricantes han estado produciendo los circuitos integrados
monolíticos para llevar a cabo todo tipo de funciones. Los tipos comercialmente
disponibles se pueden utilizar como amplificadores, reguladores de voltaje,
conmutadores, receptores de AM, circuito de televisión y circuitos de
ordenadores. Pero tienen limitadores de potencia. Ya que la mayoría de ellos son
del tamaño de un transistor discreto de señal pequeña, generalmente tiene un
índice de máxima potencia menor que 1W. Están fabricados en un solo
monocristal, habitualmente de silicio, pero también existen en germanio,
arseniuro de galio, silicio-germanio, etc. [3]
2. Circuito híbrido de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolíticos,
pero además, contienen componentes difíciles de fabricar con tecnología
monolítica. Muchos conversores A/D – D/A se fabricaron en tecnología híbrida
hasta que progresos en la tecnología permitieron fabricar resistencias precisas. [3]
3. Circuito híbrido de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos
monolíticos. De hecho suelen contener circuitos monolíticos sin cápsula (dices),
transistores, diodos, etc., sobre un sustrato dieléctrico, interconectados con pistas
conductoras. Las resistencias se depositan por serigrafía y se ajustan haciéndoles
cortes con láser. Todo ello se encapsula, tanto en cápsulas plásticas como
metálicas, dependiendo de la disipación de potencia que necesiten. En muchos
casos, la cápsula no está “moldeada”, sino que simplemente consiste en una resina
epoxi que protege el circuito. [3]

Atendiendo al nivel de integración – número de componentes – los circuitos

integrados se clasifican en:

 SSI (Small Scale Integration) pequeño nivel: inferior a 12.

 MSI (Medium Scale Integration) medio: 12 a 99.
 LSI (Large Scale Integration) grande: 100 a 9999.
 VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10 000 a 99 999.
 ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: igual o superior a 100 000.
En cuanto a las funciones integradas, existen dos clasificaciones fundamentales de
circuitos integrados (IC):

 Circuitos integrados analógicos: Pueden constar desde simples transistores

encapsulados juntos, sin unión entre ellos, hasta dispositivos completos como
amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio completos. [3]
 Circuitos integrados digitales: Pueden ser desde básicas puertas lógicas hasta
los más complicados microprocesadores. Éstos son diseñados y fabricados para
cumplir una función específica dentro de un sistema. En general, la fabricación de
los circuitos integrados es compleja ya que tienen una alta integración de
componentes en un espacio muy reducido de forma que llegan a ser
microscópicos. Sin embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto a
los antiguos circuitos, además de un montaje más rápido móvil, etc. [3]
Análisis de Moore

El CI experimentó un desarrollo sin precedentes en los siguientes años, impulsado

principalmente por el programa espacial y la industria militar de los EEUU. En efecto, en
1961 Fairchild Semiconductors comercializó su primer CI, que se instaló en las
calculadoras del ejército de los EEUU y en 1962, Texas Instrument comercializó el suyo,
que se instaló en aviones de la fuerza aérea del mismo país y en el sistema de guía de los
misiles Minuteman, uno de los programas de armamento más costosos de la historia
militar. [4]
Fruto de estos avances motivados por la Guerra Fría, se fabricaban CIs cada vez más
complejos y con mayor número de transistores. Si los primeros CIs integraban unas pocas
decenas de transistores, muy pocos años después ya se comercializaban CIs con miles y
decenas de miles y hoy día, hay CIs con miles de millones de transistores. El aumento del
número de transistores por CI sigue desde entonces una tendencia conocida como Ley de
Moore, debida al científico Gordon Moore que la enunció en fecha tan temprana como
1965. Dicha ley constata que el número de transistores que tiene un CI se duplica cada
dos años. La figura muestra dicha evolución: [4]
En 1975, Moore revisa su análisis de 1965 y afirma que el número de componentes en los
chips más complejos se doblará aproximadamente cada dos años. Desde 1980 la Ley de
Moore ha sido usada de distintas maneras. La propia Intel, que Moore presidió, describía
en su web la Ley de Moore asegurando que cada 18 meses se dobla el número de
transistores por circuito integrado. Moore advirtió que él nunca había hablado de 18
meses. "Dije un año, y luego dos. La Ley de Moore ha dado nombre a todo lo que cambia
exponencialmente.
 Se muestran procesadores de la marca Intel para ilustrar como la cumplen los CI de
mayor implantación en el mercado de los ordenadores. La escala vertical es logarítmica.

William Shockley, Walter Brattain, y John Bardeen, capaz de ir más allá en la

comprensión de los fenómenos aparentemente complejos y exponerlos de la manera más
sencilla posible. Durante el conocido como "Mes milagroso" entre el 17 de noviembre y
el 23 de diciembre realizaron infinidad de pruebas para mejorar el dispositivo hasta llegar
a conseguir su objetivo: el primer transistor de contacto puntual, hecho con dos púas de
metal (oro) que se presionan sobre la superficie de material semiconductor (germanio) en
posiciones muy próximas entre sí. [1]

El primer transistor utilizaba la tecnología conocida como “punto de contacto”, y se

basaba en las propiedades semiconductoras del Germanio. Poco más tarde, Shockley creó
el “transistor de unión”. En septiembre de 1951 los laboratorios Bell patentaron la
tecnología de fabricación de ambos tipos de transistores, y la vendieron. [2]

El primer transistor fabricado en gran escala fue el CK722, de Raytheon, en 1953. [2]
Diagramas y Esquemas

•William Shockley, Walter Brattain, y John Bardeen

•Entre el 17 de noviembre y el 23 de diciembre realizaron el primer transistor
de contacto puntual
1947 •Poco más tarde, Shockley creó el “transistor de unión”

•Los laboratorios Bell patentaron la tecnología de fabricación de ambos tipos

de transistores, y la vendieron.
1951

•El primer transistor fabricado en gran escala fue el CK722, de Raytheon.

1953

Diagrama: Historia del transistor

1947 •Introduccion a los transistores.

1971 •Aparicion del primer microprocesador, el 4004. con 2000 transistores

1981 •Lanzamiento del procesador 8088 de intel, con 16 bits.

1982 •Procesador Intel 286 con 139000 transistores

1985 •Intel 386, capaz de ejecutar multiples tareas.

1991 •Lanzamiento del procesador Intel Pentium con 3 millones de transistores.

1999 •Tres veces mas de transistores con el Intel Pentium III

2001 •Primeros procesadores de silicio de 90nm

2005 •Primer procesador multinucleo.

2006 •Procesador intel Core Duo fabricado en 65nm

2007 •Lanzamiento del primer procesador con 4 nucleos

2008 •La era de los 45nm.

Diagrama: Historia de los procesadores Intel.

Conclusiones:
 Al revisar la historia de los transistores, estos surgieron debido a la necesidad de
suplantar los tubos al vacio que eran demasiado grandes y consumían una gran
cantidad de energía.
 Los circuitos integrados surgen debido a la existencia de los transistores, ya que
estos permitieron asi agruparlos en grandes cantidades y lograr finalmente
emplearlo en una pequeña placa.
 Los circuitos integrados con el pasar de los años fueron aumentando
exponencialmente hasta lograr llegar a alcanzar una gran cantidad de transistores.
Pero en un futuro como lo dice Gordon Moore estos dejaran de ser de utilidad ya
que llegarían a un punto en el cual el tamaño de los transistores ya no sea capaz
de transmitir información.