Preguntas:

3)Detalla información relevante del origen de los dispositivos BJT, FET, MOS,
circuito integrado Y microprocesador.

BJT:

El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del transistor de unión,

fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John
Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la dirección de William Shockley, cuya primera
patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1948, a la cual
siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo. El transistor
bipolar de unión, inventado por Shockley en 1948,5fue durante tres décadas el
dispositivo favorito en el diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso
de los BJTs ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos
digitales integrados.

FET:

En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de

campo, tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura
que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los
Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, cuya nueva patente fue
solicitada el 31 de octubre de 1952 El primer transistor MOSFET fue construido por el
coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de
los Laboratorios Bell, en 1960.

MOS:

Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrónico

formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de
óxido (SiO2). Los elementos se contactan con dos terminales metálicas llamadas
sustrato y compuerta. La estructura se compara con un condensador de placas
paralelas, en donde se reemplaza una de las placas por el silicio semiconductor del
sustrato, y la otra por un metal, aunque en la práctica se usa polisilicio, es decir,
un policristal de silicio.
Circuito integrado:

En abril de 1958, el ingeniero alemán Werner Jacobi (Siemens AG) completa la primera
solicitud de patente para circuitos integrados con dispositivos amplificadores
de semiconductores

Más tarde, la integración de circuitos fue conceptualizada por el científico de

radares Geoffrey Dummer (1909-2002), que estaba trabajando para la Royal Radar
Establishment del Ministerio de Defensa Británico, a finales de la década de 1940 y
principios de la década de 1950.

El primer circuito integrado fue desarrollado en 1959 por el ingeniero Jack S. Kilby
(1923-2005) pocos meses después de haber sido contratado por la firma Texas
Instruments. Se trataba de un dispositivo de germanio que
integraba seis transistores en una misma base semiconductora para formar
un oscilador de rotación de fase.

En el año 2000 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Física por la enorme
contribución de su invento al desarrollo de la tecnología.

Microprocesador:

El primer microprocesador fue el Intel 4004,1 producido en 1971. Se desarrolló

originalmente para una calculadora y resultó revolucionario para su época.
Contenía 2300 transistores, era un microprocesador de arquitectura de 4 bits que
podía realizar hasta 60 000 operaciones por segundo trabajando a una frecuencia
de reloj de alrededor de 700 kHz.
El primer microprocesador de 8 bits fue el Intel 8008, desarrollado a mediados de
1972 para su uso en terminales informáticos. El Intel 8008 integraba 3300
transistores y podía procesar a frecuencias máximas de 800 kHz.

El primer microprocesador realmente diseñado para uso general, desarrollado en

1974, fue el Intel 8080 de 8 bits, que contenía 4500 transistores y podía ejecutar
200 000 instrucciones por segundo trabajando a alrededor de 2 MHz.