DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

La historia de los semiconductores se remonta a los tiempos de Faraday (1833) y Becquerel (1839). Faraday
descubre que el sulfato de plata tiene un coeficiente de temperatura negativo y Becquerel estudia las
propiedades de algunos electrolitos.
Ambrose Fleming (1905), en la búsqueda de un detector de señales eléctricas, desarrolla el diodo de vacío, el
primer dispositivo electrónico (válvula) conocido. Casi simultáneamente, Gertel y Elstel (1905) toman como
base el efecto fotoeléctrico y producen la primera célula fotoeléctrica, la cual no será utilizada con fines
comerciales hasta 1920, cuando da comienzo la investigación del cine sonoro y de la televisión.
Poco después, Lee de Foret (1907) inventa el triodo. Este dispositivo, aparte de detectar señales eléctricas, es
ya capaz de amplificar señales (surge añadiendo un tercer electrodo a la válvula). Hacia 1915 se comienza a
usar el cristal de galena como detector de señales. A principios de los años 20 se empiezan a utilizar los
rectificadores de selenio y de óxido de cobre y las válvulas de radio sustituyen el detector de cristal.

Entre 1920 y 1940, por un lado se desarrolla el tetrodo y el pentodo, y de otro, los físicos elaboran teorías que
explican algunos de los fenómenos descubiertos hasta entonces. En 1923 Schottky publica la teoría de los
rectificadores secos; es la primera contribución al estudio teórico de los semiconductores. En esta teoría se
aprecia que el empleo de la mecánica cuántica se revela indispensable.
Tal vez sea el televisor el invento más notable de nuestro tiempo, a juzgar por el impacto social que ha
causado. En 1928 Zworykin desarrolla un dispositivo capaz de transformar una imagen óptica en una corriente
eléctrica: el iconoscopio. Poco después este dispositivo o tubo sufre modificaciones y así se obtiene el tubo
disector de imagen, en que la imagen se consigue a base de presentarla línea a línea en lugar de punto a
punto. Una vez salvados todos los problemas técnicos en la experimentación, la televisión comercial irrumpe en
los hogares norteamericanos en 1945.
Hacia 1940, durante la segunda guerra mundial, se busca un detector de cristal que satisfaga las necesidades
del radar (instrumento que funciona en las ondas centimétricas). La industria electrónica se desarrolla
vertiginosamente y surgen técnicas de miniaturización y empleo de materiales robustos y ligeros en los
dispositivos electrónicos. Así el diodo semiconductor recibe un nuevo impulso, mientras que el diodo de vacío
queda relegado. Pongamos en claro aquí las ventajas del diodo de cristal de silicio o diodo semiconductor
(diodo de unión pn) frente al diodo de vacío: dimensiones reducidas, capacidades en paralelo muy pequeñas,
posibilidades de empleo para captar señales de muy alta frecuencia por el radar y su estudio teórico constituye
una base indispensable en el estudio del transistor.
- Efecto termoiónico: Emisión de electrones por un cuerpo, generalmente metálico, a elevada
temperatura.
- Electrolito: Sustancia que en estado fundido o disuelto conduce la corriente eléctrica debido a la
existencia de iones; es susceptible de descomponerse por electrolisis.
- Diodo de vacío: válvula electrónica que consta de dos electrodos. El cátodo es un filamento que, al ser
calentado mediante una pila, emite electrones que van a parar al otro electrodo o ánodo.
- Triodo: Válvula o tubo de vacío termoiónico de 3 elementos: ánodo, cátodo y una rejilla (electrodo de
control) cuya potencia regula la corriente de electrones que va del cátodo al ánodo.

RESUMEN HISTÓRICO DESDE LA INVENCIÓN DEL TRANSISTOR

A finales de la década de los 40 estaban claras las limitaciones de los dispositivos termoiónicos, que habían
imperado en la electrónica aplicada desde que Fleming construyera el primer diodo de vacío de la historia. La

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única salida posible estaba en el desarrollo de nuevos dispositivos que utilizasen materiales sólidos, a causa de
que en estos se podía modular la conductividad.

El transistor bipolar
La invención y desarrollo del transistor bipolar de difusión se llevó a cabo en los Bell Telephone Laboratories,
donde un grupo de ingenieros electrónicos y metalúrgicos (W. Schockley, J. Bardeen, W. Brattain) se
propusieron la realización de un amplificador de estado sólido. La denominación transistor bipolar es debida a
la existencia de dos tipos de portadores –electrones y huecos- y al hecho del cambio de impedancias entre el
circuito de emisor (baja) y el de colector (alta), de donde se genera la palabra transistor (transfer-resistor). W.
Schockley, J. Bardeen, W. Brattain reciben el premio Nobel de Física en 1956.

Transistor unipolar JFET

En los años sucesivos se perfecciona el transistor bipolar y se desarrollan nuevos dispositivos de estado sólido.
Entre estos pueden citarse el transistor de base gradualmente impurificada, los transistores de potencia, el
transistor unipolar de efecto de campo (JFET=Junction Field-Effect Transistor) construido por Shockley en
1952, el diodo de cuatro capas (también debido a Shockley), los elementos de control de potencia (tiristores y
triacs) y el efecto del efecto túnel en uniones por Esaki (1958).

Transistor unipolar MOS

Ya J.E. Lilienfield (1926) había imaginado un dispositivo similar al actual transistor metal-óxido-semiconductor
de efecto de campo (MOSFET o simplemente transistor MOS). Pero por limitaciones tecnológicas obvias de la
época no pudo construirse. En 1960 Atalla y Kalng proponen que sobre un semiconductor base o sustrato de
silicio se produzca una fina capa de dióxido de silicio (SiO2). Y en 1963 Holfstein y Heiman construyen el
primer dispositivo MOS que funciona en deplexión o vaciamiento y en acumulación.

Microelectrónica: los circuitos integrados

Hacia el año 1958 era evidente la necesidad de obtener dispositivos para hacer circuitos de dimensiones más
pequeñas que las alcanzadas hasta esa fecha. Esta situación conduce a que se produzca un circuito de
componentes discretos hecho únicamente de silicio (prototipo experimental de un oscilador de deriva de fase
construido por Kilby en 1959) El desarrollo de los nuevos circuitos comienza con los circuitos digitales discretos
bipolares (1962). Pronto se pasa a los circuitos monolíticos bipolares (que ya eran circuitos integrados en un

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substrato común de Si), con la familia lógica TTL (Transistor-Transistor Logic), que no puede fabricarse con
dispositivos discretos porque emplea un transistor multiemisor que no se consigue como dispositivo discreto. El
paso siguiente fue aplicar la incipiente tecnología microelectrónica de los CI monolíticos bipolares a la de los
dispositivos MOS. Así se produce un singular avance en los CI digitales, de forma particular en las memorias
lógicas, que lleva en los años 70 a la caída de los precios de las calculadoras, caída que se continúa
produciendo año tras año.
Hasta el año 1972 el predominio de los CI digitales fue de los MOS sobre los bipolares, salvo cuando se
requería gran velocidad, que era satisfecha con CI bipolares T2L. A partir de ese año el dominio deja de ser
absoluto, al irrumpir en el campo de la microelectrónica la familia bipolar IIL (Integrated-Injection-Logic); su
configuración básica permite una mayor densidad de integración y rapidez de cálculo que con sus
competidoras de tecnología MOS.
Desde 1962, en que se produjeron los primeros CI lógicos digitales de pequeña escala de integración (SSI
=Small Scale Integration), hasta la actualidad, la microelectrónica ha experimentado un extraordinario
desarrollo:

DESARROLLO EXPERIMENTADO POR LA MICROELECTRÓNICA

Nivel de Integración Fecha N° de comp/chip Aplicaciones ejemplo

SSI (Small Scale comienzo de los Compuertas lógicas
Integration) 60 10-100 comp/chip básicas familia 74xx
MSI (Medium Scale mediado de los 100-1.000
Integration) 60 comp/chip codificadores sumadores circuitos secuenciales
LSI (Large Scale Comienzo de los 1.000-10.000 circuitos aritméticos relojes digitales y
Integration) 70 comp/chip complejos contadores
VLSI (Very Large Scale mediado de los 10mil-100mil microcontroladores equipos de medición de
Integration) 70 comp/chip memorias precisión
ULSI (Ultra Large Scale mediado de los 100mil-1millon microprocesadores
Integration) 80 comp/chip avanzados
GLSI (Giga Large Scale más de 1 millón procesadores de última
Integration) actualidad comp/chip generación

A la vista de los datos anteriores, se puede afirmar, sin peligro de equivocarse, que es la historia del
incremento de componentes por chip y de la reducción de las dimensiones mínimas de los componentes del CI.
Sin embargo la evolución de los circuitos integrados lineales o analógicos ha sido más lenta que la de los
digitales encontrándose en la actualidad en un proceso menos avanzado. De todas formas, el CI amplificador
operacional ha llegado a tal grado de versatilidad y precisión en configuraciones realimentadas, que se
considera el componente básico de los CI más avanzado, sustituyendo al transistor salvo en los casos de
aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.

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MODELOS EN SEMICONDUCTORES Y EN FÍSICA DE
SEMICONDUCTORES
Definición de modelo:
Modelo de enlace covalente.
Modelo de bandas de energía.
Modelo analítico o matemático.
Modelo circuital o analógico.

1.1. MODELO DE ENLACE COVALENTE

1.1.1. Materiales Semiconductores.
1.1.2. Estructura cristalina
Elementos semiconductores
Índices de Miller.

1.2. MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA

1.2.1. Modelo cualitativo de bandas de energía.
1.2.2. Modelo cuantitativo de bandas de energía.

1.3. MODELOS ANALÍTICOS.

1.4. MODELOS ANALÓGICOS O CIRCUITOS EQUIVALENTES.

Definición de modelo: El término modelo se refiere a una representación matemática que permite comprender
la naturaleza de determinados comportamientos físicos que se dan en el material, pero que además permite
avanzar en el conocimiento mediante la realización de descubrimientos importantes.
Son cuatro los modelos que permiten analizar y comprender el comportamiento de los semiconductores. y de
dispositivos semiconductores.
Modelo de enlace covalente: Es el más simple. Permite hacerse una idea intuitiva de los procesos de
conducción en semiconductores. Ofrece una representación cualitativa del comportamiento interno de
los sólidos cristalinos.
Modelo de bandas de energía: Es el más utilizado. Reúne las características de ser un modelo gráfico
y matemático. Permite describir los fenómenos de transporte en semiconductores y dispositivos
semiconductores de una forma cuantitativa.
Modelo analítico o matemático: Describe mediante un conjunto de ecuaciones matemáticas los
procesos físicos que tienen lugar en el semiconductor o dispositivo.
Modelo circuital o analógico: Describe el comportamiento del dispositivo a nivel macroscópico en
función de las magnitudes de tensión y de corriente. Adecuado para el análisis de circuitos en los que
intervengan dispositivos semiconductores.

MODELO DE ENLACE COVALENTE.

MATERIALES SEMICONDUCTORES.

Los materiales de estado sólido pueden agruparse, de acuerdo con su comportamiento eléctrico, en tres
clases: aislantes, semiconductores y conductores. La figura muestra la conductividad eléctrica  (y la
resistividad =1/ ) asociada a varios sólidos importantes.

Fig. 1: Resistividades y Conductividades para aislantes, semiconductores y conductores.

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 -18 -8
Aislantes: Conductividad entre 10 y 10 S/cm (cuarzo y vidrio)
4 6
Conductores: Conductividad entre 10 y 10 S/cm (aluminio, plata)
Semiconductores: Zona intermedia: Conductividad en función de: temperatura, iluminación, campo magnético y
cantidad de impurezas (Ge, Si, GaAs)

El Silicio Si y el Germanio Ge pertenecen al grupo IV de la tabla periódica, pero no todos los elementos del
grupo IV son semiconductores, el Carbono C cristalizado como diamante es un aislante y cristalizado como
grafito es conductor, el Estaño Sn y el Plomo Pb son conductores.

Hay otros materiales semiconductores formados por aleaciones GaAs Arseniuro de Galio (grupo III y V) Sulfuro
de Cadmio CdS (grupo II y VI), todos ellos forman cristales que tienen la misma estructura, sistema cúbico de
cuerpo centrado.

Estructura cristalina
Los materiales semiconductores se encuentran en la naturaleza formando una llamada estructura cristalina.
Según esta estructura, los átomos del material semiconductor se encuentran distribuidos espacialmente
formando una estructura regular (celosía, enrejado o “lattice”).
Para un material semiconductor dado, hay una estructura básica llamada celda unidad, a partir de la cual es
posible mediante repetición tridimensional construir la estructura propia del cristal.
En la siguiente figura se recogen tres tipos diferentes de celdas unidad en un cristal de tipo cúbico.

Fig. 2: Tres tipos diferentes de celdas unidad en un cristal cúbico. (a) Celda de cubo simple. (b) Celda cúbica
centrada en el centro. (c) Celda cúbica centrada en las caras.
2.a) Celda de cubo simple: En ella cada átomo del material ocupa los ocho vértices (aristas) del cubo.
La cantidad a es llamada constante de la estructura. El Polonio cristaliza en esta forma.

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 2.b) Celda cúbica centrada en el centro: En esta estructura, además de los ocho átomos de las aristas
hay uno ocupando el centro de la celda. Es la celda tipo (bcc) (body-centered-cubic). Ejemplos son
el sodio y tungsteno.
2.c) Celda cúbica centrada en las caras: En este tipo de celda, además de los ocho átomos de las
aristas se encuentran seis átomos más, localizados en el centro de cada cara. Es la celda de tipo
(fcc) (face-centered cubic). Cada átomo tiene 12 vecinos. Ejemplos son el aluminio, cobre, oro y
platino.

Los elementos semiconductores tales como el germanio y el silicio presentan una estructura cristalina del tipo
del diamante (ver figura 3(a)). Dicha estructura puede ser vista como dos estructuras (fcc) interpenetradas con
3
un desplazamiento de una con respecto a la otra de¼ de la distancia a lo largo de la diagonal del cubo ( 𝑎).
4
En este caso, cada átomo del semiconductor está rodeado de cuatro átomos equidistantes configurando los
vértices de un tetraedro.
La estructura de la zincblenda (pechblenda) es idéntica a la del diamante salvo en que cada estructura (fcc)
constituyente está formada por átomos de valencia diferente. A dicha estructura pertenecen materiales
semiconductores del tipo del arseniuro de galio (GaAs) en que una de las estructuras (fcc) tiene átomos de Ga
(III columna) y la otra de As (V columna).

Fig. 3: (a) Estructura del diamante. (b) Estructura de la Pechblenda

Índices de Miller: En la figura 2.b) se puede ver que hay cuatro átomos en el plano ABCD cinco átomos en el
plano ACEF (cuatro en las esquinas y uno en el centro).
Además, las distancias interatómicas en cada uno de los planos son diferentes. Ello conlleva que las
propiedades del cristal van a ser diferentes según el plano que se considere, siendo las propiedades eléctricas
y otras características función de la orientación del cristal
Un método conveniente para definir los planos de un cristal es utilizar los llamados índices de Miller. Estos
índices se obtienen con los siguientes pasos:
(1) Intersecar el plano en cuestión con los tres ejes cartesianos y obtener la distancia de la intersección
en términos de la constante de la estructura.
(2) Obtener los recíprocos (inversos) de estos tres números y reducirlos al entero mínimo común
múltiplo (entero más próximo a los números multiplicándolos por el menor entero posible).
(3) Englobar los tres números en un paréntesis (hkl) y este conformará los índices de Miller.

En Fig. 4 se muestran algunos ejemplos de obtención de los índices de Miller en diferentes planos de un cristal

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 Fig. 4: Índices de Miller de algunos planos importantes de un cristal cúbico.

Las propiedades físicas de los cristales varían con el plano en el que ocurre el fenómeno. Por eso es
importante tener conocimiento de la existencia de estos planos perfectamente definidos dentro del cristal y
fácilmente identificados con los índices de Miller.

LIGADURAS COVALENTES DEL Carbono, Silicio y Germanio

Tanto el Carbono, como el Silicio y el Germanio tienen cuatro electrones de valencia. La estructura cristalina
hace que estén ligados compartiendo sus electrones de valencia. Las fuerzas internas provocadas por la
tendencia de los átomos para completar su órbita con ocho electrones son muy grandes. Como cada átomo
tiene cuatro electrones de valencia, los cuatro átomos vecinos comparten sus electrones de modo que todos
tengan ocho, formando un tetraedro regular.

Fig. 5: (a) Tetraedro que constituyen los enlaces. (b) Proyección plana.
2 2 6 2 2
El Silicio tiene 14 electrones que están ubicados 1s 2s 2p 3s 3p , le faltan 4 electrones para completar el
subnivel 3p.
2 2 6 2 6 10 2 2
El Germanio tiene 32 electrones 1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p le faltan 4 electrones para completar el nivel
4p.
Cada átomo es representado por su núcleo y la totalidad de los electrones ligados a él. Sólo los electrones de
valencia se dibujan como tales, es así como el núcleo resulta tener (+4) cargas, compensadas por cuatro
electrones de valencia. Así cada átomo queda balanceado formando una sustancia electro neutra. Puede
observarse que a cada átomo lo rodean ocho electrones formando las ligaduras. Las fuerzas que mantienen a
los átomos unidos en esta estructura cristalina perfectamente regular no es eléctrica, sino estructural.

ROTURA DE LAS LIGADURAS

Sólo para temperatura de 0°K es un aislante perfecto, conforme aumente la temperatura los átomos van a ir
ganando suficiente energía para lograr que algunos de los enlaces se rompan, para el Silicio la energía de
enlace es de 1,1 eV mientras que para el Germanio es de 0,72 eV.

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Al romperse un enlace se genera un electrón que tiene energía suficiente para estar libre, dentro de la
estructura cristalina, pero también quedó una ligadura sin su electrón y esta va a tratar de recuperar al electrón
perdido. La afinidad con los electrones vecinos es muy grande, y al atraer a un electrón vecino se reconstruye
la ligadura, pero se rompe la ligadura vecina, de esta forma las ligaduras se van reconstruyendo transfiriendo el
problema a alguna de las ligaduras vecinas. Por lo tanto la ligadura rota es móvil, es como si fuera el baile de la
escoba, continuamente un bailarín está sin pareja, pero cambia de individuo y de posición en el salón.

Dibujo básico de los enlaces en el silicio intrínseco. (a) Un enlace roto en la posición A, da lugar a un electrón
en la banda de conducción y un hueco. (b) Enlace roto en la posición B.

Una vez roto un enlace el electrón queda libre para desplazarse por la estructura cristalina, a este se le
denomina electrón de conducción, se llama así porque con su movimiento se genera una corriente eléctrica.
Por otro lado la ligadura rota se desplaza dentro de la estructura del cristal, a esta se le denomina laguna o
hueco, en ingles hole (agujero) por la carencia de un electrón. El hueco al ser móvil y tener carga (carga
positiva porque es la ausencia de un electrón) se considera una partícula generadora de corriente eléctrica.

Así es como en un semiconductor intrínseco, es decir puro, existen dos fenómenos que determinan la
conductividad del material. Puede decirse que en ellos existen dos partículas que se mueven en su seno,
electrones de conducción y huecos. Negativos los primeros –q y positivos los segundos +q, donde q es la
carga del electrón.
10
En el Silicio tendremos a temperatura ambiente una concentración de electrones de aproximadamente 10
3
electrones/cm .

𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
𝑛𝑖 = 1010
𝑐𝑚3

Además como por cada electrón que rompe su enlace aparece un hueco, entonces tendremos también
10 3
aproximadamente 10 huecos/cm

ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠
𝑝𝑖 = 1010
𝑐𝑚3

Los electrones y huecos se pueden volver a recombinar, el tiempo medio de un electrón libre es del orden del
microsegundo.

𝑛 . 𝑝 = 𝑛𝑖 2 = 𝑝𝑖 2 Relación entre portadores negativos y portadores positivos

IMPUREZAS EN EL SOLIDO CRISTALINO

En el análisis efectuado hasta ahora, el sólido cristalino era puro. La presencia de electrones y huecos se debía
a la rotura de enlaces y por lo tanto estaban balanceadas en número. Siempre se generan pares electrón-

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hueco y también se recombinan por pares. La conductividad determinada por estos portadores se llama
intrínseca.
Sería poca la importancia de estos cristales si no existiera una forma práctica de dosificar a voluntad el número
de portadores de uno u otro signo, cambiando así no solo el valor de su conductividad, sino también, y esto es
mucho más importante, su naturaleza.

SEMICONDUCTOR TIPO N
Para intentar cambiar la cantidad de portadores, podríamos pensar en tener un material semiconductor que
tuviera más electrones que un semiconductor en su estado intrínseco, los que podríamos hacer es
simplemente agregarle electrones por medio de algún método físico, sin embargo los electrones inyectados
escaparían del cristal al primer contacto con otro cuerpo cualquiera y nuestro semiconductor quedaría
nuevamente en la condición intrínseca.

Lo que en realidad se hace es un procedimiento más complejo, al cristal en su estado puro se le agrega una
pequeña cantidad de átomos del grupo V de la tabla periódica por ejemplo Fosforo P o Arsénico As. Estos
elementos tienen la particularidad de tener 5 electrones de valencia (pentavalentes). Una vez agregadas estas
impurezas el material se calienta hasta casi la fusión para luego dejarlo cristalizar nuevamente.

A este procedimiento se le llama dopaje o contaminación o impurificación del material.

La cantidad de impurezas agregada dependen del uso que se dará al semiconductor, pero suelen ser
8
aproximadamente de un átomo de impureza cada 10 átomos de semiconductor, son cantidades muy
pequeñas.

Quinto electrón del átomo pentavalente

Estructuralmente el átomo de impureza es muy semejante y completa los cuatro enlaces normales de valencia
del cristal, pero un electrón queda sin completar ningún enlace, el átomo encerrado en el circulo es neutro (no
tiene carga). El quinto electrón no es un electrón ni libre ni ligado, necesita una pequeña cantidad de energía
para liberarse, 0,05 eV, por lo que es de suponer que a temperatura ambiente este ha recibido suficiente
energía para liberarse y convertirse en un electrón de conducción. Cuando este electrón se libera no deja un
hueco en su lugar ya que no se rompió ninguno de los cuatro enlaces.
A este tipo de impurezas les llamamos impurezas donoras, porque aportan un electrón al semiconductor
intrínseco.
Al material así impurificado le llamamos semiconductor tipo N porque en el predominan los portadores
negativos, sin embargo, el material, macroscópicamente hablando, sigue siendo electro neutro, porque al
material original que inicialmente era electro neutro, le hemos agregado átomos de impurezas también electro
neutras, por lo que no hemos agregado carga al material.
3
Si llamamos n a la cantidad de electrones de conducción por cm y ND a la cantidad de impurezas donoras por
3
cm .
𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
𝑛 = 𝑁𝐷 + 𝑛𝑖  𝑁𝐷 = 1014
𝑐𝑚 3

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS UTN FRM 2020 9/ 14

 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
(el cobre tiene aproximadamente 1022 )
𝑐𝑚 3

𝑛 . 𝑝 = 𝑛𝑖 2 Relación entre portadores negativos y portadores positivos

Como esta relación siempre se debe cumplir y teníamos

𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
𝑛𝑖 = 1010
𝑐𝑚3

𝑛𝑖 2
𝑝=
𝑛
𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 2
(1010 ) ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠
𝑝= 𝑐𝑚3 = 106
𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑐𝑚3
1014 3
𝑐𝑚

La cantidad de huecos se ve reducida drásticamente, entonces en el semiconductor tipo N encontramos que

los electrones son los portadores que predominan para la conducción eléctrica, por lo que les llamamos
portadores mayoritarios, mientras que a los huecos les llamamos portadores minoritarios, por encontrarse
en menor cantidad.

Cabe repetir que a pesar de haberse provocado un desbalance de portadores respecto al semiconductor
intrínseco, el material sigue siendo electro neutro.

SEMICONDUCTOR TIPO P
Para obtener un semiconductor tipo P deberíamos contaminar a nuestro cristal con átomos del grupo III de la
tabla periódica, esto es Aluminio (Al), Indio (In) y Galio (Ga).

Electrón faltante del átomo trivalente

Estructuralmente hablando, el átomo trivalente es muy parecido al del cristal, pero sólo puede completar tres de
los cuatro enlaces, quedando un enlace sin completar, pero esto no significó la aparición de un electrón de
conducción, sino un hueco. Este enlace incompleto tiene una gran afinidad con los electrones vecinos y
rápidamente se completará ese enlace, formando un ión negativo fijo en la estructura del cristal

A estas impurezas les llamamos impurezas aceptoras porque aceptarán un electrón para completar el enlace
incompleto.
3 3
Si llamamos p a la cantidad de huecos por cm y NA a la cantidad de impurezas aceptoras por cm .
ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠
𝑝 = 𝑁𝐴 + 𝑝𝑖  𝑁𝐴 = 1014
𝑐𝑚 3

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS UTN FRM 2020 10/ 14

𝑛 . 𝑝 = 𝑛𝑖 2

𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
𝑛𝑖 = 1010
𝑐𝑚3

𝑛𝑖 2
𝑝=
𝑛
𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 2
(1010 ) 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
𝑛= 𝑐𝑚3 = 106
ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 𝑐𝑚3
1014 3
𝑐𝑚

En este material la cantidad de electrones se ve reducida drásticamente, entonces en el semiconductor tipo P

encontramos que los huecos son los portadores que predominan para la conducción eléctrica, por lo que les
llamamos portadores mayoritarios, mientras que a los electrones les llamamos portadores minoritarios, por
encontrarse en menor cantidad.

En cualquiera de los materiales (P o N) si se somete a altas temperaturas, se rompen tantos enlaces que la
cantidad de portadores que se aportó con el dopaje queda enmascarada y el material tiende a comportarse
como intrínseco.

CONDUCCION EN UN MATERIAL

MATERIALES CONDUCTORES

¿Qué sucede si tenemos un metal y le aplicamos un campo eléctrico?

Razonamiento:
1- Aplicamos un campo eléctrico externo
2- Como en el material tenemos electrones libres con carga, se genera sobre ellos una fuerza.
3- Esta fuerza implica una aceleración.
4- La aceleración provoca una velocidad en aumento
5- Por lo tanto una corriente en crecimiento

El punto 4 y el 5 no son correctos.

Cuando se acelera un electrón va incrementando su velocidad hasta que tiene alguna interacción que provoca
un decrecimiento en su velocidad para luego volver a tomar velocidad.

Estas interacciones pueden ser por vibraciones atómicas o por iones, es como atravesar una pista de baile
llena de gente bailando.

Obtendremos una velocidad media o velocidad de deriva o de arrastre Vd.

𝑣𝑑 = 𝜇. 𝐸
donde: E = campo eléctrico
 = movilidad de los electrones

Podemos obtener una densidad de corriente dada por:

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS UTN FRM 2020 11/ 14

 𝐽 = 𝑛. 𝑞. 𝑣𝑑
donde J = densidad de corriente
n = cantidad de electrones por cm3
vd = velocidad de arrastre

también podríamos expresarla como:

𝐽 = 𝑛. 𝑞. 𝜇. 𝐸

𝐽 = . 𝐸

donde:  = conductividad = 𝑛. 𝑞. 𝜇
( sigma)

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Varias son las causas que perturban el movimiento de los portadores durante la conducción eléctrica en
semiconductores:

a) Agitación térmica
La agitación térmica de la estructura cristalina provoca la dispersión de los portadores, y por lo tanto, un
aumento en la resistencia eléctrica. A mayor temperatura, mayor dispersión, y por lo tanto, menor velocidad
crítica (la máxima alcanzada, a partir de la cual la aceleración es cero).

b) Átomos de impurezas ionizados

Cuando los electrones o lagunas pasan cerca de un átomo donor o aceptor ionizado, son repelidos o
atraídos, según el caso. Y por lo tanto, este efecto provoca la dispersión de los portadores.
Cuanto mayor es la temperatura, menor es el efecto dispersivo de los iones (porque la velocidad es alta, y el
efecto electrostático es débil)

c) Átomos de impurezas sin ionizar

Los átomos de impurezas sin ionizar, que sólo existen de manera significativa a muy baja temperatura,
dispersan a los portadores por el efecto gravitacional de sus masas, distintas a las masas de los átomos del
semiconductor.

d) Portadores de distinta polaridad

Los electrones y los huecos se dispersan entre ellos. Cuando circula la corriente para un sentido, ambos
portadores van en sentido contrario, y si están cerca, se atraen, distorsionando el sentido de la corriente, y
disminuyendo su componente en el sentido original.

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS UTN FRM 2020 12/ 14

e) Portadores de la misma polaridad
Estos producen dispersión entre ellos al pasarse cerca, pero no afectan a la corriente, debido a que sus
sentidos de circulación se mantienen a pesar de haberse dispersado.

En los semiconductores, al tener dos tipos de portadores, vemos que la densidad de corriente de arrastre es:

𝐽𝐴 = 𝑛. 𝑞. 𝜇𝑛 . 𝐸 + 𝑝. 𝑞. 𝜇𝑝 . 𝐸

Donde n = movilidad de los electrones

p = movilidad de los huecos

El primer término es la densidad de corriente de electrones y el segundo término es la densidad de corriente de

huecos, si bien ambos se mueven en sentidos opuestos suman sus aportes a la corriente general. En éste
caso vemos que diferenciamos con un subíndice A para indicar que es de arrastre, porque existe una corriente
de otra naturaleza: la difusión, que denominaremos con el subíndice D.

La movilidad no es un valor constante, depende del portador, del material, de la temperatura.

Electrón Hueco

Ge 3.900 1.900
𝑐𝑚 2
a 300°K
𝑉𝑜𝑙𝑡 .𝑆𝑒𝑔
Si 1.350 480

CONDUCTIVIDAD
𝐽𝐴 = 𝑛. 𝑞. 𝜇𝑛 . 𝐸

 = 𝑛. 𝑞. 𝜇𝑛

La conductividad en un semiconductor es muy dependiente de la

temperatura.

En la zona 1, Zona de ionización de impurezas (los electrones ganan la

energía suficiente para liberarse) la conductividad crece rápido porque
la concentración de portadores crece rápido debido a la ionización de
impurezas. El crecimiento es exponencial, por lo que predomina sobre
la disminución de la movilidad en esa zona.
En la zona 2, la concentración de portadores se mantiene constante,
porque prácticamente todas las impurezas están ionizadas y la
temperatura no es aún suficiente para romper ligaduras a gran escala.
Pero la movilidad disminuye por efecto de la dispersión térmica de los
portadores, y por ende, disminuye la conductividad. A esta zona se le
llama zona extrínseca o zona metálica, porque el comportamiento es
similar a los metales, disminuyendo la conductividad con la
temperatura. En esta zona es donde debe trabajar nuestro material.

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En la zona 3, Zona intrínseca, el número de portadores aumenta rápidamente por la rotura térmica de
ligaduras. Este aumento, como es exponencial, predomina sobre la disminución de la movilidad.

EJEMPLO
Supongamos ahora un cristal semiconductor con una concentración de portadores mucho mayor en un lado
con respecto al otro, antes de unirse ambas zonas son electro neutras. La zona de la izquierda está mucho
más impurificada que la de la derecha, por lo que posee proporcionalmente menos cantidad de huecos que la
de la derecha.

Cuando entran en contacto se produce un flujo de portadores por difusión, desde la región donde hay más
concentración a la que hay menor concentración, al pasar los electrones a la otra zona dejan los iones de los
que se separaron, entonces cada electrón que pasa carga negativamente la zona de la derecha y deja la zona
de la izquierda cargada positivamente.

𝑑𝑛
𝐽𝐷𝑛 = 𝐷𝑛 . 𝑞.
𝑑𝑥

Donde: JDn= densidad de corriente de difusión

de electrones (n)
Dn=Constante de difusión de
electrones.
q = carga
𝑑𝑛
= derivada de la concentración de
𝑑𝑥
portadores respecto a la distancia,
esta sería infinita si la juntura
fuera ideal.
Esta corriente no está dada ni por la carga ni por campo eléctrico, se da por diferencia de concentraciones.
También tenemos la corriente de difusión de los huecos:

𝑑𝑝
𝐽𝐷𝑝 = −𝐷𝑝 . 𝑞.
𝑑𝑥

Donde: JDp= densidad de corriente de difusión

de huecos (p)
Dp = Constante de difusión de huecos.
q = carga
𝑑𝑝
= derivada de la concentración de
𝑑𝑥
portadores respecto a la distancia

El movimiento de los huecos es contrario al movimiento de los electrones.

La difusión de los portadores genera un campo eléctrico que crea una corriente de arrastre opuesta a la
corriente de difusión, que va creciendo hasta llegar a la magnitud de la corriente de difusión, momento en el
que se logra un equilibrio dinámico de corrientes.

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