PRESENTADO POR
GIOVANNY ORTIZ
C.C. 1.07796857
C.C. 1045697638
C.C. 1033685765
C.C 1077967374
TUTOR
GRUPO
243006_42
Objetivo general
Conocer las diferentes características mediante los conceptos para así aplicarlos en
el montaje del circuito fuente.
Objetivos específicos.
𝑹𝑳
𝟏𝟓Ω
𝑉𝐿
𝑹𝑳 =
𝐼𝐿
12 𝑉
𝑹𝑳 = = 𝟏𝟓Ω
800 ∗ 10−3 𝐴
3.3 con el objetivo de conocer si el transistor 2N6059 soporta la potencia que se disipara para una
corriente de carga de 800mA o calcular el valor de la potencia disipada en el transistor teniendo
en cuenta las siguientes formulas:
𝑷𝑫
6.4 W
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑠 − 𝑉𝑠𝑎𝑙
𝑉𝐶𝐸 = 20 𝑉 − 12 𝑉 = 𝟖 𝑽
𝑃𝐷 = 𝑉𝐶𝐸 ∗ 𝐼𝐿
𝑃𝐷 = 8 𝑉 ∗ 800 ∗ 10−3 𝐴 = 𝟔. 𝟒 𝑾
3.4 Luego ya se puede afirmar si el transistor 2N6059 es apto para usarse en la práctica o no
“justifique su respuesta”:
SI NO
R/. Analizando el datasheet del fabricante, se puede evidenciar que no se superan los valores
correspondientes soportados en la práctica, donde se necesita manejar grandes cargas con
corrientes pequeñas.
𝑹𝒍𝒊𝒎
7.36 Ω
Utilizamos la formula
𝑉𝐸
𝐼𝑠𝑙 =
𝐿𝐶
0,7𝑉
𝐼𝑠𝑙 = = 𝟕. 𝟑𝟔 Ω
950 ∗ 10−3 𝐴
3.6. Explique cómo funciona esta técnica de protección y cuál es su principal desventaja.
R/. Al analizar esta técnica encontramos que las corrientes manejadas son pequeñas y que si su
valor se acerca a cero, hay puntos donde la impedancia es pequeña teniendo la posibilidad de
presentarse variaciones que dañen los componentes del circuito.
CONCLUSIÓNES
http://campus04.unad.edu.co/campus04_20152/mod/lesson/view.php
Circuitos de propósito especial Mijarez, R. (2014). Electrónica (pp. 115 - 122). Recuperado
de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=136&docID=11
013154&tm=1482099944106