PROBLEMAS DE ELECTRNICA

ANALGICA
(Transistores c.a.)

Escuela Politcnica Superior

Profesor. Daro Garca Rodrguez
Transistores c.a.

1.3.- En el circuito emisor comn de la figura de la parte inquierda, siendo sus

parmetros h, hfe = 80 y hie = 1 k y sus parmetros , r = 1 k y gm = 80 mA/V. Calcular
ganancia de intensidad y de tensin y resistencia de entrada y salida.

C
vC
2K B iC
5K

+ ib
vs
E

En el circuito dado hemos cortocircuitado las fuentes de tensiones en continua que sirven
para polarizar el transistor y as darnos los parmetros en corriente alterna del transistor.
El circuito equivalente en parmetro h es el siguiente:

h fe ib = 80ib
2K hie = 1k C
B E
vC
+ ib iC
vs 5K

Ro R'o
Ri

Vamos a calcular por el problema.:

ic h fe ib
Ganancia de intensidad : Ai = = = h fe = 80
ib ib
v i h
Resistencia de entrada : Ri = be = b ie = hie = 1K
ib ib

vc i R h fe ib Rc h fe Rc 805
Ganancia de tensin: Av = = c c = = = = 400
vbe ib hie ib hie hie 1
Tambien

2
Transistores c.a.

vc i R R 5
Av = = c c = Ai c = 80 = 400
vbe ib hie Ri 1
El signo menos nos indica que entre la entrada y salida existe un desfase de 180.

2K
B

+ ib Ri
vs

Ganancia de tensin con respecto a vs.:

vc vc vbe v Ri 1 400
Avs = = = Av be = Av = 400 =
vs vbe vs vs Ri + Rs 2 +1 3

( ver figura anterior)

Las resistencia de salida en los dos puntos sern:

Ro se calcula abriendo la fuente de intensidad que en este caso es infinito.

R'o ser infinito en paralelo con Rc luego nos dar Rc = 5 K.

El circuito equivalente en parmetro pi es el siguiente:

r = 1k g m vbe = 80vbe
2K B C
E
vC
+ ib iC
vs 5K

Ro R 'o
Ri
Calculemos lo solicitado por el problema:

3
Transistores c.a.

ic g m vbe g m ib r
Ganancia de intensidad: Ai = = = = g m r = 801 = 80
ib ib ib
vbe
Resistencia de entrada : Ri = = r = 1K
ib

Ganancia de tensin:
v i R g m vbe Rc g m ib r Rc
Av = c = c c = = = g m Rc = 805 = 400
vbe ib r ib r ib r
El signo menos nos indica que entre la entrada y salida existe un desfase de 180.

Ganancia de tensin con respecto a vs:

vc v v v Ri 1 400
Avs = = c be = Av be = Av = 400 =
v s vbe v s vs Ri + Rs 2 +1 3
Resistencias de salida:

Ro se calcula abriendo la fuente de intensidad que en este caso es infinito.

R'o ser infinito en paralelo con Rc luego nos dar Rc = 5 K.

Los resultados en ambos casos son iguales, como era lo previsto.

4
Transistores c.a.

2.3.- En el circuito colector comn de la figura de la parte inquierda, siendo sus

parmetros h, hfe = 80 y hie = 1 k y sus parmetros , r = 1 k y gm = 80 mA/V. Calcular
ganancia de intensidad y de tensin y resistencia de entrada y salida.

2K B iC

ib E ve
vs +
ie 5K

En el circuito dado hemos cortocircuitado las fuentes de tensiones en continua que sirven
para polarizar el transistor y as darnos los parmetros en corriente alterna del transistor.
El circuito equivalente, en forma aproximada, en parmetro h es el siguiente:

h fe ib = 80ib
2K hie = 1k C
B E

+ ib iC
vs
5K

R 'o
Ri

En esta configuracin la entrada la tenemos en la base y la salida en el emisor.

En primer lugar vamos a poner las ecuaciones del circuito:

ie =ib + hfeib = ib(hfe + 1) vs =ib(Rs + hie ) + ieRe = ib(Rs +hie+(hfe + 1)Re)

ie ib (h fe + 1)
Ganancia de intensidad: Ai = = = (h fe + 1) = 80 + 1 = 81
ib ib

Resistencia de entrada :

v b ib hie + i e R e ib ( hie + ( h fe + 1))

Ri = = = = hie + ( h fe + 1) R e = 1 + 815 = 406 k
ib ib ib

5
Transistores c.a.

Ganancia de tensin Av:

ve Ai RL Ai Re 815 405
Av = = = = = =1
vb Ri Ri 406 406

Ganancia de tensin Avs

ve ve vb v Ri 406 406
Avs = = = Av b = Av = 1 = =1
v s v s vb vs Rs + Ri 2 + 406 408

Resistencia de salida mirada desde el emisor hacia la izquierda, sin tener la

resistencia de emisor englobada. Para el clculo de la impedancia de salida se cortocircuita
la fuente de entrada y en la salida se pone una fuente de tensin, la fuente de tensin partida
por la intensidad que circula es la impedancia de salida sin tener en cuenta el signo.

2K hie = 1k
B E

ib
+
ie

Ro

Ro =
[ve ] = ib ( Rs + hie ) = Rs + hie =
2 +1 3
= k
[ie ] ib (h fe + 1) h fe + 1 80 + 1 81

La resistencia de salida R'o es decir teniendo presente la resistencia de la carga en

este caso Re es la combinacin en paralelo de R'o con Re.

3
5
Ro Re 15 15
Ro = = 81 = = = 0.037k
Ro + Re 3 3 + 815 408
+5
81

Con los parmetros se realiza de la misma manera solamente teniendo

presente que r = hie y hfe = gm r

6
Transistores c.a.

3.3.- En el circuito de la figura 1 los valores de las resistencias son: Rs=2K,

R1=90k, R2=10k, Rc=4k y Re=1k, y los parmetros aproximado en corriente alterna
hfe=50 y hie=1k.
a) Calcular las ganancias de tensin e intensidades, y resistencias de entrada y
salida en el colector.
b) Calcular las ganancias de tensin e intensidades, y resistencias de entrada y
salida en el emisor.

Rc
ic
R1
RC ii ib
Rs B C
Rs Cp C
B Q1 15 Q1
V E
E vs
Vs
Rb Re
R2 Re
1k
R'i Ri
0
0

Fig.1 Fig.2

En primer lugar calculemos el thevenin de las resistencias R1 y R2. Y obtendremos

el circuito de la figura 2. Las tensiones continuas y los condensadores de paso se
cortocircuitan para el calculo de alterna.

R1 R2 9010
Rb = = = 9k
R1 + R2 90 + 10

A continuacin calculamos lo solicitado por el problema, con salida en el colector

ic h fe ib
Ganancia de intensidad definida por : Ai = = = h fe = 50
ib ib

Resistencia de entrada sin Rb :

vb
Ri = = hie + (h fe + 1)Re = 1 + (50 + 1)1 = 52k
ib

vc R 4
Ganancia de tensin definida por: Av = = Ai c = 50 = 3.84
vb Ri 52

Ri Rb 529
Resistencia de entrada con Rb: Ri' = = = 7.67k
Ri + Rb 52 + 9

7
Transistores c.a.

Ganancia de tensin respecto a vs : (ver fig.3).

RS B

Ri
VS
Fig 3

vc v c vb v Ri' 7.67
Avs = = = Av b = Av '
= 3.84 = 3.05
v s v s vb vs Rs + Ri 7.67 + 2

Resistencia de Salida en los dos puntos Ro = (en el colector sin tener en cuenta
Rc)
Ro' = Rc = 4k . ( teniendo en cuenta la resistencia Rc) .

Ganancia de intensidad definida por: (ver fig.4).

Rs
ib
ii
Vs Rb Ri
Fig.4

ic ic ib i Rb 9
Ai' = = = Ai b = Ai = 50 = 7.38
ii ii ib ii Rb + Ri 9 + 52

b) Salida en emisor:

ie (h fe + 1)ib
Ganancia de intensidad definida por: Ai = = = (h fe + 1) = 51
ib ib

vb
Resistencia de entrada sin Rb: Ri = = hie + (h fe + 1)Re = 1 + (50 + 1)1 = 52k.
ib

ve R 1
Ganancia de tensin : Av = = Ai e = 51 = 0.98
vb Ri 52

8
Transistores c.a.

Ri Rb 529
Impedancia de entrada con Rb : Ri' = = = 7.67k.
Ri + Rb 52 + 9

ve ve vb vb Ri' 7.67
Ganancia de tensin: Avs = = = Av = Av '
= 0.98 = 0.78
v s v s vb vs Rs + Ri 7.67 + 2

Ganancia de intensidad definida por:

i i i i Rb 9
Ai' = e = e b = Ai b = Ai = 51 = 7.52
ii ii ib ii Rb + Ri 9 + 52

Resistencia de salida (en emisor sin tener presenta la Re : (ver fig.5).

Rs hie E
1k
ie
Rb ib
Fig.5

0
Rs Rb 29
'
+ hie +1
R + hie Rs + Rb
Ro = s
= = 2+9 = 0.052k.
(h fe + 1) (h fe + 1) (50 + 1)

Re Ro 0.0521
Resistencia de salida (en emisor con Re ) : Ro' = = = 0.049k
Re + Ro 0.052 + 1

9
Transistores c.a.

4.3.-En el circuito de dos etapas de la figura las resistencias tienen unos valores de
Rs=1 k, R1 =40 k, R2=40 k, Rc1=5k, Re1=0.1k y Re2=5k. Los parmetros en
alterna, de forma aproximada, dado por hie=1k y hfe=50.
Calcular las ganancias de intensidades, tensiones y resistencias de entrada y salida
de las dos etapas.(La salida se encuentra en el emisor de Q2).

Rc1
R1
Rs Q2
Q1 12V

Re1 Re2
Vs R2
1

Calculemos el thevenin de las resistencias R1 y R2 y cortocircuitamos las tensiones

de continua.y tendremos el circuito de la figura 2.

Rc1
ii ib1
B Q2
Q1 i
C
b2 E2
Rs E1
Re2 ie2
vs Rb1
Re1

R'i Ri Ro R'o
0

Fig.2

En primer lugar tendremos que calcular lo solicitado en el transistor Q2, menos la

impedancia de salida, ya que la resistencia de entrada de Q2, carga a Q1.

Luego en Q2

ie 2 (h fe + 1)ib 2
Ganancia de intensidad Ai 2 = = = (h fe + 1) = 51
ib 2 ib 2

vb 2
Resistencia de entrada : Ri 2 = = hie + (h fe + 1)Re 2 = 1 + (50 + 1)5 = 256k.
ib 2

ve 2 R 5
Ganancia de tensin : Av 2 = = Ai 2 e 2 = 51 1
vb 2 Ri 2 256

Ri 2 Rc1 2565
La resistencia de colector de Q1 : Rc' 1 = = = 4.9k.
Ri 2 + Rc1 256 + 5

10
Transistores c.a.

En Q1 Se tiene:

ic1 h fe ib 2
Ganancia de intensidad : Ai1 = = = h fe = 50
ib1 ib 2

vb1
Resistencia de entrada: Ri1 = = hie + (h fe + 1)Re1 = 1 + (50 + 1)0.1 = 6.1k.
ib1

vc1 R' 4.9

Ganancia de tensin : Av1 = = Ai1 c1 = 50 = 40.16
vb1 Ri 6.1

4040
Rb1 = = 20k.
40 + 40

Ri1 Rb1 6.120

Resistencia de entrada con Rb1: Ri'1 = = = 4.67k.
Ri1 + Rb1 6.1 + 20

ve 2 ve 2 vc1
Ganancia de tensin total: Avt = = = Av 2 Av1 = 1(40.16) = 40.16
vb1 vb1 vb 2

Ganancia de tensin total con entrada vs:

ve 2 ve 2 vb1 Ri'1 4.67
Avst = = = Avst ' = 40.16 = 33.08
vs v s vb1 Ri1 + Rs 4.67 + 1

Impedancias de salida: (Fig.3)

Rc1 hie

Fig.3 Ro

R c 1 + h ie 4 +1
Ro = = = 0 .1 K
( h fe + 1 ) 50 + 1

Ro Re 2 0.15
Ro' = = = 0.1k
Ro + Re 2 0.1 + 5

Ganancia de intensidad dada por: (Fig 4)

11
Transistores c.a.

Rs
ib
ii
Vs R b1 Ri
Fig.4

ie 2 ie 2 ib 2 ic1 Rc1 5
Ai = = = Ai1 Ai 2 ( ) = 5051( ) = 48.85
ib1 ib1 ib 2 ic1 Rc1 + Ri 2 5 + 256

Ganancia de intensidad dada por :

ie 2 ie 2 ib1 Rb1 20
Ai' = = = Ai = 48.85 = 37.43
ii ii ib1 Rb1 + Ri1 20 + 6.1

El thevenin de la entrada del circuito lo hemos transformado en el Norton donde el

v
ib1 valor de i s = s , quedando el circuito
Rs
de la figura de la izquierda donde
vamos a definir otra ganancia de
Rs intensidad:
is Rb1
Ri

Rs Rb1 120
i i i i Rs + Rb1
Ai" = e 2 = e 2 b1 = Ai b1 = Ai = 48,85 1 + 20 = 6,6
is ib1 i s is Rs Rb1 120
+ Ri + 6 .1
Rs + Rb1 1 + 20

12
Transistores c.a.

5.3.-En el circuito de dos etapas de la figura las resistencias tienen unos valores de
R1 =90 k, R2=10 k,, Rc1=10 k, Re1=0.1 k, R3=45 k, R4=5 k, Re2=0.33 k
Rc2=3k y Rs= 1 k. Los parmetros, de ambos transistores, en alterna de una forma
aproximada son hie=1k y hfe=50.
Calcular las ganancias de intensidades, tensiones y resistencias de entrada y salida
de las dos etapas.(La salida se encuentra en el colector de Q2).

Rc1
R1 Cp Rc2
R3
Rs Cp

Q1 Q2 12V
Cp
Vs R4
R2 Re1 Cp Cp

En primer lugar calculemos el thevenin de las resistencias R1, R2 y R3 , R4 y

cortocircuitando las tensiones de continua y condensadores, por ser condensadores de paso,
en alterna, obtenemos el esquema de la fig.2.

Rc1 ic2

ii ib1 ib2
ic1
Q1 Q2 Rc2

Rb1 Rb2
vs

R'i1
R'o
Ri1 R'i2 Ri2 Ro

R3 R4 455 R1 R2 9010
Rb 2 = = = 4.5k Rb1 = = = 9k
R3 + R4 45 + 5 R1 + R2 90 + 10
Fig.2

Empezamos los clculos por la segunda etapa, Q2:

ic 2 h fe ib 2
Ganancia de intensidad : Ai 2 = = = h fe = 50
ib 2 ib 2

vb 2
Resistencia de entrada : Ri 2 = = hie + (h fe + 1)Re 2 = 1 + (50 + 1)0 = 1k.
ib 2

13
Transistores c.a.

vc 2 R 3
Ganancia de tensin : Av 2 = = Ai 2 c 2 = 50 = 150
vb 2 Ri 2 1

Ri 2 Rb 2 14.5
Resistencia de entrada incluyendo Rb2 : Ri'2 = = = 0.82k.
Ri 2 + Rb 2 1 + 4.5

Rc1 Ri'2 100.82

Carga en el colector de Q1 Rc' 1 = '
= = 0.76 K.
Rc1 + Ri 2 10 + 0.82

Analicemos la etapa de Q1:

ic1 h fe ib1
Ganancia de intensidad: Ai1 = = = h fe = 50
ib1 ib1

vb1
Resistencia de entrada : Ri1 = = hie + (h fe + 1)Re1 = 1 + (50 + 1)0 = 1k.
ib1

Ri1 Rb1 19
Resistencia de entrada incluyendo Rb1: Ri'1 = = = 0.9k.
Ri1 + Rb1 1 + 9

vc1 R' 0.76

Ganancia de tensin: Av1 = = Ai1 c1 = 50 = 38
vb1 Ri1 1

vc 2 vc 2 vc1
Ganancia de tensin total Avt = = = Av 2 Av1 = (150)(38) = 5700
vb1 vb1 vb 2

Ganancia de tensin total con referencia a vs

vc 2 vc 2 vb1 v Ri'1 0.9

Avst = = = Avt b1 = Avt '
= 5700 = 2700
vs v s vb1 vs Rs + Ri1 1 + 0.9

Resistencias de salida (ver fig.2) Ro = Ro' = Rc 2 = 3k

Ganancia de intensidad total definida por

14
Transistores c.a.

Rc1 Rb 2 104.5
ic 2 ic 2 ib 2 ic1 i Rc1 Rb 2
Ait = = = Ai1 Ai 2 b 2 = Ai1 Ai 2 ( ) = 5050( 10 + 4.5 ) = 1891
ib1 ib1 ib 2 ic1 ic1 Rc1 Rb 2 104.5
+ Ri 2 +1
Rc1 + Rb 2 10 + 4.5

ic1 ib2

Rc1 Ri2
Rb2 Ib2 Ri2
ic1
Rc1

0
0

Ganancia de intensidad total definida por (ver figura inferior hoja).

ic 2 ic 2 ib1 Rb1 9
Ait' = = = Ait = 1891 = 1701.9
ii ii ib1 Rb1 + Ri1 9 +1

Ib1
ii
Rs Rb1
Vs
Ri1

15
Transistores c.a.

6.3.- En el circuito de sumidero comn de la figura, donde el valor de la resistencia

de drenador es de 5 k y sus parmetros de corriente alterna, aproximado, es de gm = 2
mA/V. Siendo las resistencia de polarizacin R1 = 2M y R2 = 4 M, Fuente de
alimentacin VDD= 12 V. y resistencia de fuente de tensin alterna Ri = 1k.
a) Calcular la tensin de salida, ganancia de tensin e intensidad , impedancia de
entrada y salida en alterna.
b) Si la resistencia la colocamos en el sumidero el circuito es de drenador comn,
calcular lo solicitado en el apartado anterior.

5k
5k
R1 G D
2M
D
G 12V 1k
vi 4/3M
1k Cp Rg
vi 4M
R2

0
0
Fig.2
Fig.2

D
G
G
gmvgs 2vi D
1k 5k
vi 4/3
M 1k 5k
vi
0
0

Fig.3 Fig.4

En primer lugar calculemos el thevenin equivalente de las resistencia R1 y R2 que se

R R 24 8 4
encuentran en paralelo. R g = 1 2 = = = M
R1 + R2 2 + 4 6 3

La fuente de tensin equivalente no la calculamos, ya que en alterna la

tenemos que cortocircuitar.
A continuacin calculemos el thevenin en alterna mirado de la puerta haca
la izquierda. Y nos dar la tensin de entrada vs en serie con Ri, por ser Rg mucho
mayor Ri , luego nos quedara el circuito de la figura 2 y su equivalente el de la
figura 4.

id = g m v gs = g m vi = 2vi mA v d = id Rd = 2vi 5 = 10vi

vd
Ganancia de tensin : Av = = 10
vi

Ganancia de intensidad infinito ya que la intensidad de la puerta es igual a cero.

16
Transistores c.a.

Resistencia de salida Ro = (se abre la fuente de intensidad ) y

Ro' = Rd = 5k

Resistencia de entrada es infinito ya que por la puerta no circula intensidad.

c) Si la resistencia se encuentra en el sumidero Rs= 5 k, su circuito equivalente

nos viene expresado por la figura 5. Donde podemos escribir:

1k Gmvgs
2M
S

M1 Fig.6
12V vi 5k
1k

Vi 4M
5k
Ro R'o
0

Fig.5
g m vi 2vi 2v
id = g m v gs = g m (vi i d Rs ) donde id = = = i mA
1 + g m Rs 1 + 25 11

2vi 10vi
v s = i d R d = 5 = V
11 11

v s 10
Ganancia de tensin: Av = =
vi 11

Impedancia de entrada infinito (la intensidad de entrada es igual a cero).

Para calcular la impedancia de salida aqu se cortocircuita la fuente de entrada y en

la salida se le coloca una fuente V, la fuente partido por la intensidad que circula
por ella en valor absoluto es la impedancia de salida.

id = g m V Impedancia de salida Ro =
[V ] =
1
k.
[ g m V ] gm

y teniendo presente la resistencia Rs

1
Rs
gm Rs 5 5
Ro `= = = = k.
1 Rs g m + 1 52 + 1 11
Rs +
gm

17
Transistores c.a.

7.3.- En el circuito de sumidero comn de la figura, donde el valor de la resistencia

de drenador es de 5 k y sus parmetros de corriente alterna, aproximado, es de =100
rd=50K . Siendo las resistencia de polarizacin R1 = 2M y R2 = 4 M, Fuente de
alimentacin VDD= 12 V. y resistencia de fuente de tensin alterna Ri = 1k.
d) Calcular la tensin de salida, ganancia de tensin e intensidad , impedancia de
entrada y salida en alterna.
e) Si la resistencia la colocamos en el sumidero el circuito es de drenador comn,
calcular lo solicitado en el apartado anterior.

5k
5k
R1 G D
2M
D
G 12V 1k
vi 4/3M
1k Cp Rg
vi 4M
R2

0
0
Fig.2
Fig.2

D
D
1k rd 1k
id
5k
G G
Vi Rd rd 5k
vgs Vi Rd
gm vgs

Ro Ro
0 0

Fig.3 Fig.4

En primer lugar calculemos el thevenin equivalente de las resistencia R1 y R2 que se

R R 24 8 4
encuentran en paralelo. R g = 1 2 = = = M
R1 + R2 2 + 4 6 3

La fuente de tensin equivalente no la calculamos, ya que en alterna la

tenemos que cortocircuitar.
A continuacin calculemos el thevenin en alterna mirado de la puerta haca
la izquierda. Y nos dar la tensin de entrada vs en serie con Ri, por ser Rg mucho
mayor Ri , luego nos quedara el circuito de la figura 2 y su equivalente el de la
figura 3 y figura 4 (thevenin y Norton). Ya sabemos que
100 1 mA
gm = = = 2 = 2
rd 50 k V

En el circuito de la figura 3 podemos escribir:

18
Transistores c.a.

v gs vi vi Rd 1005vi
id = = la salida v d = id RL = = = 9.1vi
rd + Rd rd + Rd rd + Rd 50 + 5

En el circuito de la figura 4

rd Rd 505
id = g m v gs = g m vi = 2vi mA v d = i d = 2vi = 9.1vi
rd + Rd 50 + 5

vd
Ganancia de tensin : Av = = 9.1
vi

Ganancia de intensidad infinito ya que la intensidad de la puerta es igual a cero.

Resistencia de salida Ro = 50k (se abre la fuente de intensidad ) y

R R 505
Ro' = o d = = 4.54k
Ro + Rd 50 + 5

Resistencia de entrada es infinito ya que por la puerta no circula intensidad.

f) Si la resistencia se encuentra en el sumidero Rs= 5 k, su circuito equivalente

nos viene expresado en la figura 5. Donde podemos dibujar:

2M

M1
12V
1k

Vi 4M
5k

Fig.5

D D

1k rd id 1k
G G rd
vgs gmvgs
Vi Fig. 6 Vi
+ Fig. 7
S S
Rs 5k Rs 5k

0 0

19
Transistores c.a.

en la figura 6 , tenemos su equivalente en thevenin.

vi
v gs = (vi id Rs ) = i d (rd + Rs ) id =
rd + ( + 1)Rs

vi 1005vi
v s = id Rs = R s = = 0.9vi
rd + ( + 1)Rs 50 + (100 + 1)5

v s 0.9vi
Ganancia de tensin: = Av = = 0.9
vi vi
Resistencia de entrada infinito (la intensidad de entrada es igual a cero).

Para el calculo de la resistencia de salida en el sumidero no incluyendo la resistencia

Rs se define de la siguiente forma.

mod ulo tensin circuito abierto

Ro = para ello pongamos ambos circuitos
mod ulo int ensidad en cortocircuito
a continuacin

D
D
1k rd
G G rd id
V2
vi vgs vi vgs
S S

Circuito abierto Cortocircuito

0 0

vi
En el primer circuito escribimos: v s = v gs = (vi v s ) vs =
+1

vi
En el segundo: v gs = vi = i d rd id =
rd

vi
vs +1 r 50
Ro = = = d = = 0.5k
id vi + 1 100 + 1
rd

20
Transistores c.a.

La resistencia de salida en el sumidero incluyendo la resistencia Rs nos viene

expresada por la combinacin en paralelo de Ro con Rs.

rd
R s
Ro R s +1 rd Rs 505
R' o = = = = = 0.45k
Ro + R s rd rd + ( + 1)Rs 50 + (100 + 1)5
+ Rs
+1

21
Transistores c.a.

8.3.- Los transistores MOS de la figura son idnticos y su parmetro gm de valor

2mA/V . (Los condensadores del circuito son condensadores de paso).
a) Calcular la ganancia de cada etapa.
b) La ganancia total (salida en el sumidero del tercer MOS)
c) Resistencia de salida.

40k 30M 10k 40M

40M
1k M1
M3
M2 12V
1n
V1

20M 20M 20M R7 5k

Las resistencias de 40 M, 20M y 30M, se utilizan slo de polarizacin en

continua ya que en alterna est en paralelo con 40k, 10k y 1k y es equivalente
a estas ltimas resistencias. Lo condensadores son de paso y en alterna es un
cortocircuito. Quedando el circuito equivalente al de la fig.2

40k 10k

1k
M3
M1 M2
V1

5k

0
Fig.2

Cada uno de los MOS se pueden estudiar por separado siendo la carga 40k,10k y 5k
de M1, M2 y M3 respectivamente, ya que, las dos primeras resistencias estn en paralelo
con la resistencia de entrada de la etapa siguiente que es infinito su resistencia.
Los tres circuitos equivalentes de los tres MOS son los siguientes.

1k 40k 10k
D1 D2

gmvi 40k gmvd1 gmvgs3

vi Vd1 10k Vd2
G1 G2 G3
S3
0 0 5k

Ro R'o
0

22
Transistores c.a.

En el Primer MOS :

id1=gmvgs1 =gmvi vd1=-id1Rd1 =- gmRd1vi = -240vi =- 80 vi Voltios

v d 1 80vi
Ganancia de tensin definida por: Av1 = = = 80
vi vi

En el segundo MOS:

id2=gmvgs2 =gmvd1 vd2=-id2Rd2 =- gmRd2vd1 = -210vd1 =- 20 vd1 Voltios

v d 2 20v d 1
Ganancia de tensin definida por: Av 2 = = = 20
vd 1 vd 1

En el tercer MOS:

g m v d 2
id3=gmvgs3 =gm(vd2-id3Rs3) id 3 = mA
(1 + g m Rs 3 )

g m v d 2 25v d 2 10v d 2
v s 3 = i s 3 Rs 3 = R s 3 = = Voltios
(1 + g m Rs 3 ) (1 + 25) 11

v s 3 10v d 2 10
Ganancia de tensin definida por: Av 3 = = =
v d 2 11v d 2 11

b) Ganancia de tensin total:

vs 3 vs 3 vd 2 vd 1 10 16000
Av = = = Av 3 Av 2 Av1 = (20)(80) = = 1.454.54
vi vd 2 vd 1vi 11 11

c ) Resistencia de salida, interviene slo el ltimo MOS, para calcular R0 se

sustituye la resistencia Rs3 por una fuente de tensin V y esta tensin dividida por
la intensidad que circula por V en valor absoluto es el valor de Ro,
cortocircuentando la fuente de tensin de la entrada.

Ro =
[V ] =
1 1
= = 0.5k
[g m V ] gm 2
Rs 3 Ro 5 * 0.5 2.5
Ro' = = = k = 0.45k
Rs 3 + Ro 5 + 0.5 5.5

23
Transistores c.a.

9.3.- Los transistores MOS de la figura son idnticos y sus parmetros =100 y rd=50 K .
(Los condensadores del circuito son condensadores de paso).
d) Calcular la ganancia de cada etapa. La ganancia total (salida en el sumidero
del tercer MOS)
e) Resistencia de salida.

40k 30M 10k 40M

40M
1k M1
M3
M2 12V
1n
V1

20M 20M 20M R7 5k

Las resistencias de 40 M, 20M y 30M, se utilizan slo de polarizacin en

continua ya que en alterna est en paralelo con 40k, 10k y 1k y es equivalente
a estas ltimas resistencias. Lo condensadores son de paso y en alterna es un
cortocircuito. Quedando el circuito equivalente al de la fig.2

40k 10k

1k
M3
M1 M2
V1 vo
5k

Fig.2

Cada uno de los MOS se pueden estudiar por separado siendo la carga 40k,10k y 5k
de M1, M2 y M3 respectivamente, ya que, las dos primeras resistencias estn en paralelo
con la resistencia de entrada de la etapa siguiente, que es infinito su resistencia.
Los tres circuitos equivalentes de los tres MOS son los siguientes.

G1 G2
D1 D2 G3 D3
Rd2 50k id3
50k id2
1k 50k
id1 40k Rd1
10k vgs3
vgs1 +
Vi S
+ + vgs2 Vd2
5k

0 0 0

24
Transistores c.a.

En el Primer MOS :

v gs1 100vi 100vi

id 1 = = mA v d 1 = i d 1 40 = 40 = 44.4viVoltios
50 + 40 90 90

v d 1 44.4vi
Ganancia de tensin definida por: Av1 = = = 44.4
vi vi

En el segundo MOS:

v gs 2 100v d 1 100v d 1
id 2 = = mA v d 2 = id 2 10 = 10 = 16.6v d 1Voltios
50 + 10 60 60

v d 2 16.6v d 1
Ganancia de tensin definida por: Av 2 = = = 16.6
vd 1 vd 1

En el tercer MOS:

v gs 3 = i d 3 (5 + 50) v gs 3 = v d 2 id 3 5 de estas ecuaciones deducimos:

v ds 2 100v d 2 vo
id 3 = = vo = i d 3 5 = 0.99v d 2 Av 3 = = 0.99
50 + ( + 1)5 505 vd 2

b) Ganancia de tensin total:

v o v o v d 2 v d 1
Av = = = Av 3 Av 2 Av1 = 0.99(16.6)(44.4) = 729.67
vi v d 2 v d 1 vi

c ) Resistencia de salida, interviene slo el ltimo MOS, para calcular Ro, aplicamos la
formula del problema 7-3 en la pgina 20 y 21.

rd 50 50
Ro = = = = 0.49 K
+ 1 100 + 1 101
Rs 3 Ro 5 * 0.49 2.48
Ro' = = = k = 0.45k
Rs 3 + Ro 5 + 0.49 5.49

25
Transistores c.a.

10.3.- En el circuito de la figura R1=60 k , R2 = 50 k y RL = 8 k , siendo el

parmetro en alterna gm= 4mA/V (forma aproximada).
a) Si aplicamos una tensin en alterna vi Voltios entre puerta y sumidero calcular
v
la ganancia de tensin Av = d .
vi
b) Si la tensin vi se la aplicamos en serie con la resistencia R2. Calcular lo mismo
que en el apartado anterior.

RL
R1 R1 D
G
D gm vi
12V RL
Vi i1 i2
G
R2
Fig.2 0

a) En primer lugar la fuente vi en paralelo con la resistencia R2, es equivalente slo

a la fuente vi, a continuacin pongo el circuito equivalente del MOS con el resto
de los componentes externos del circuito y tendremos el circuito de la figura 2
pudiendo escribir las siguientes ecuaciones:

En el nudo superior: i2 = g m v gs + i1 = g m vi + i1

(v i + I 2 R L )
En la malla exterior podemos escribir: i1 R1 + vi + i2 RL = 0 i1 =
R1

Sustituyendo en la primera ecuacin obtenemos:

vi ( g m R1 1) vi (460 1) 239vi
i2 = = = mA es la intensidad en la carga
R1 + RL 60 + 8 68

2398
Tensin de salida v d = i 2 R L = vi = 28,12viVoltios
68

R1 i4 i3 Ganancia de tensin :
G D
v
R2 RL
Av = d = 28,12
gmvgs vi
Fig.3
Vi
S

26
Transistores c.a.

b) En este apartado tenemos la fig. 3, donde podemos escribir las siguientes

ecuaciones:

En el nudo superior: i3 = g m v gs + i4

Tensin entre puerta y sumidero: v gs = I 4 R2 + vi ,

Malla exterior: i3 RL + i 4 ( R1 + R2 ) + vi = 0
En estas tres ecuaciones nos interesa calcular el valor de i3. ( sustituimos la 2 y 3 ecuacin
en la 1).

v i + i3 R L v i + i3 R L v + i R
i4 = i3 = g m ( R2 + v i ) + ( i 3 L )
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2

1 g m R1
i3 = vi mA
R1 + R2 + g m R L R2 + R L

Luego en la salida tendremos:

1 g m R1 1 460 1912
v d = i 3 R L = RL vi = 8vi = vi = 1.11vi
R1 + R2 + g m RL R2 + RL 60 + 50 + 4850 + 8 1718

La ganancia de tensin:

v d 1,11vi
Av = = = 1.11
vi vi

27
Transistores c.a.

11.3.- En el circuito de la figura R1=60 k , R2 = 50 k y RL = 8 k , siendo los

parmetros en alterna . =100 y rd=50 K .
a) Si aplicamos una tensin en alterna vi Voltios entre puerta y sumidero calcular la
v
ganancia de tensin Av = d .
vi
b) Si la tensin vi se la aplicamos en serie con la resistencia R2. Calcular lo mismo
que en el apartado anterior.
60k
G D vo
RL
R1 50k
I2 8k
D + I1
12V
Vi v gs
G
R2
+

0
0

a) En primer lugar la fuente vi en paralelo con la resistencia R2, es equivalente slo

a la fuente vi, a continuacin pongo el circuito equivalente del MOS con el resto de
los componentes externos del circuito y tendremos el circuito de la figura de la
derecha. Sabemos que vgs=vi.
Pudiendo escribir las ecuaciones de mallas:

vi + vi 110 50 I 1
v = 50 58 I
i 2
110 101vi
50 100v
I2 =
i 5950vi
= = 1,55vi mA
110 50 3880
50 58

salida v d = I 2 RL = 1.53vi 8 = 12.27viVoltios

vd
Ganancia de tensin : Av = = 12.27
vi

b) En este caso el circuito sera el siguiente:

Aqu no podemos poner directamente, en forma de matrices, las ecuaciones de

malla, ya que el valor de la tensin entre puerta y sumidero no es funcin solo de la
entrada sino de la intensidad I1.
Podemos escribir las siguientes ecuaciones, segn la figura del ciercuito:

28
Transistores c.a.

v gs = vi 50I 1
vi + v gs = I 1 (50 + 60 + 50 ) I 2 50
v gs = I 1 50 + I 2 (50 + 8)
60k
G D

50k 50k
8k
I1 I2
vgs
v +
V1
S
0

Sustituyendo la primera ecuacin en la segunda y tercera ecuacin y expresndola

en forma matricial obtenemos:

( + 1)vi 5160 50 I 1
v = 5050 58 I
i 2

5160 101vi
5050 100v
I2 =
i 5950vi
= = 0.127vi mA
5160 50 46780
5050 58

Salida v d = I 2 RL = 0.127vi 8 = 1.01viVoltios

vd
Ganancia de tensin : Av = = 1.01
vi

29