Circuitos Electrónicos Amplificadores

Serie 1 - Problemas Amplificadores de Potencia

Prof.: Ing. L. Christian Farro

Ciclo: 2019-2

Prob.1: En el circuito, el transistor tiene las siguientes características: i Cmáx =300 mA ,

V BCEO =40V , Pcmax= 1W, V CE ,sat =0.5 V , β=50 , V BE =0.7 V . Considerar que las perdidas
RL
en Re no sean muy altas, elegir R E ≪ R L, R E= y para una buena estabilidad en el
20
RE
punto de operación emplear: Rb =( 1+ β ) . Calcular:
10
a) El pto. Q para máxima excursión simétrica.
b) R E, V CC , R1 y R2.
c) P Lmáx , PCC , P Cmín , PCmáx.
d) Eficiencia.

Solución
a) Punto de operación para máxima excursión simétrica
Recta DC: V CC =V CE + I E R E

Recta AC: 0=v CE +i C R L → v CE =−i C R L =−100i C

Recta de máxima excursión simétrica: vCE =i C RL +V CE ,sat =100 i C +0.5

Como esta recta contiene al punto de operación, debe cumplirse: V CEQ =100 I CQ +0.5

Reemplazando en la recta DC: V CC ≅ 100 I CQ +0.5+ I CQ R E

Para el máximo aprovechamiento del transistor debe cumplirse:

PCmáx =V CEQ I CQ =1W

Con las dos ecuaciones anteriores y despreciando R E, podemos obtener una ecuación de
segundo grado para hallar I CQ:

2
PCm á x V CE ,sat
I CQ =
−V CE , sat
2 RL √+
RL
+(2 RL )
Reemplazando valores y efectuando: I CQ =97.5 mA
Reemplazando en la recta de M.E.S. obtenemos: V CEQ =10.25 V

b) Obtención de R E, V CC , R1 y R2
Para que las pérdidas en R E no sean muy altas, elegimos: R E ≪ R L
RL
Entonces: R E= =5 Ω
20
De la recta de carga estática: V CC =V CE + I CQ R E =11 V

Obtención de R1 y R2:
Para buena estabilidad del punto de operación empleamos:
RE
Rb =( 1+ β ) =25.5 Ω
10
Luego: V BB =I B R b +V BE + I EQ R E=1.24 V
Rb
V CC R 2= =28 .7 Ω
R 1= ( ) R =226 Ω
V BB b 1−
V BB
V CC
c) Cálculo de P Lmáx:
2
I 2CQ R L ( V CEQ −V CE ,sat )
P Lmáx = = =475 mW
2 2 RL

Cálculo de PCC :
PCC =11∗0.0975=1.0725 W
Cálculo de PCmín , PCmáx :
En clase A se tiene: PCmáx =V CEQ I CQ =10.25∗0.0975=1 W
PCmín=V CEQ I CQ −P Lmáx =1W −0.475 W =525 mW

d) Cálculo de la eficiencia:
P Lmáx 525 mW
η= = =48.95 %
PCC 1072.5 mW

Prob.2: En el amplificador de la figura ¿Calcular la relación del nro. de espiras para

entregar una potencia máxima en la carga? Hallar PLmax, Potencia disipada en el
transistor, la potencia total entregada por la fuente de alimentación y la eficiencia.
Solución
Se asumen los datos: V BE =0.7 V . silicio, V CE ,sat =0.5 V
Como las resistencias de polarización ya están definidas, el punto de operación ya está
definido y podemos calcularlo:
R1 R 2 17 (3 ) R2 3
Rb = =
R1 + R2 17+3
=2.55 Ω V BB =V CC ( ) ( )
R1 + R2
=10
17+3
=1.5V

En la malla base-emisor:
I CQ 1
V BB =I B R b +V BE + I E R E =
β ( )
R b +V BE + 1+ I CQ R E
β
V BB−V BE 1.5−0.7
I CQ = = =0.59 A
1 1 2.55
β b ( )
R + 1+ R E
β 10
+ ( 1.1 ) 1

1
( )
V CEQ =V CC −I E RE =V CC − 1+ I CQ R E =10−( 1.1 ) 0.59 ( 1 )=9.35 V
β

n1
Cálculo de la relación de espiras: n=
n2
La recta de máxima excursión simétrica es dada por:
2 2 V CEQ 9.35 V
2
vCE =i C n R L → V CEQ =I CQ n R L → n R L =
= =15.85 Ω
I CQ 0.59 A
2 V CEQ 9.35 V 15.85 Ω
De donde: n R L= = =15.85 Ω →n 2= =1.98 → n ≅ 1.4
I CQ 0.59 A 8Ω

Cálculo de P Lmáx
2
I 2CQ n 2 R L ( V CEQ −V CE, sat ) ( 9.35−0.5 )2
P Lmáx = = = =2.47 W
2 2n 2 R L 2 ( 15.85 )

Cálculo de la potencia disipada en el transistor ( PCmáx )

PCmáx =V CEQ I CQ =9.35∗0.59=5.517 W

Cálculo de la potencia total entregada por la fuente de alimentación ( PCC )

 0.59 0.7+ ( 1.1 ) 0.59 ( 1 )
(
PCC =V CC ( I CQ + I BQ + I 1 )=10 0.59+
10
+
3 ) =( 10 ) 1.032=10.32 W

Cálculo de la eficiencia (η ).
P Lmáx 2.47
η= = =23.9 %
PCC 10.32

Prob.3: En el amplificador de la figura, obtener la potencia máxima en la carga, la

potencia disipada por el transistor, la eficiencia y las especificaciones técnicas del
transistor. Considere la relación de transformación n=1, R E=1 Ω , R L=8 Ω.
Solución
Se asumen los datos: V BE =0.7 V . silicio, V CE ,sat =0.5 V , β=50

La impedancia de carga reflejada al primario es: n2 R L=8 Ω

La recta DC es: V CC =V CE + I E R E ≅ V CE + I C R E
2
La recta de máxima excursión simétrica es: vCE =i C n R L + V CE, sat =8 i C +0.5

De donde: V CEQ =I CQ n2 R L + V CE, sat =8 I CQ + 0.5

De la recta DC: 10 ≅ V CEQ + I CQ (1 ) ≅ V CEQ + I C R E → 10=8 I CQ +0.5+ I CQ ( 1 )
10−0.5
Entonces: I CQ = =1.06 A V CEQ =8 ( 1.06 ) +0.5=8.98 V
9

Máxima potencia en la carga:

2
I 2CQ n 2 R L ( V CEQ −V CE, sat ) ( 8.98−0.5 )2
P Lmáx = = = =4.5 W
2 2n 2 R L 2 (8)

Potencia disipada por el transistor:

PCmáx =V CEQ I CQ =8.98∗1.06=9.52 W

Eficiencia
P Lmáx 4.5 4.5
η= ≅ = =4 2.45%
PCC V CC ( I CQ ) 10 ( 1.06 )

Especificaciones técnicas del transistor

Se debe cumplir: i Cmáx ≥ 2 I CQ =2.12 A BV CEO ≥2 V CC =20V
PCmáx ≥ V CEQ I CQ =9.52 W

Prob.4: En el circuito mostrado, se utiliza un transistor de silicio junto con una resistencia
de carga de 8Ω. Las especificaciones máximas de este transistor son: Pc máx.=24W,
BVceo=80V, Vce sat=2V.
Determinar el punto de reposo (Q), la potencia máxima en la carga y el rendimiento.

Solución
Punto de operación para máxima excursión simétrica
Recta DC: V CC =V CE + I E R E →15=V CE + I E R E

Recta AC: 0=v CE +i C R L → v CE =−8 i C

Recta de máxima excursión simétrica: vCE =+ 8i C +V CE , sat =8 iC +2
Como esta recta contiene al punto de operación, debe cumplirse: V CEQ =8 I CQ +2
Reemplazando en la recta DC: 15 ≅ 8 I CQ +2+ I CQ R E
RL 8
Eligiendo R E ≪ R L → R E = = =0.4 Ω
20 20
15−2
Obtenemos: I CQ = =1.55 A
8.4
Luego: V CEQ =+8 I CQ +V CE , sat =8 ( 1.55 ) +2=14.4 V

Cálculo de P Lmáx:
2
I 2CQ R L ( V CEQ −V CE ,sat )
P Lmáx = = =9.61 W
2 2 RL

Cálculo de la eficiencia:

Cálculo de PCC :
PCC ≅ 15∗1.55=23.25W
Entonces:
P Lmáx 9.61 W
η= = =41.33 %
PCC 23.25 W
Prob.5: En el amplificador de la figura, calcular:
a) La potencia máxima en la carga
b) Pcc total
c) El rendimiento
n1 1
Datos: β=200 , n= =
n2 √ 2

Solución
a) Cálculo de la potencia máxima en la carga
Las resistencia de polarización definen el punto de operación.
Hallamos el punto de operación:
Se asumen los datos: V BE =0.7 V . silicio , V CE ,sat =0 V
R1 R 2 600 ( 600 ) R2 600
Rb = =
R1 + R2 600+600
=300 Ω V BB =V CC ( ) (
R1 + R2
=10 )
600+600
=5V

En la malla base-emisor:
I CQ 1
V BB =I B R b +V BE + I E R e1=
β ( )
R b+V BE + 1+ I CQ R e1
β
V BB−V BE 5−0.7
I CQ = = =1.72 A
1 1 300
R + 1+ Re 1
β b β ( ) 200
+ ( 1.005 ) 1

1
( )
V CEQ =V CC −I E Re 1=V CC − 1+ I CQ Re 1=10−( 1.005 ) 1.72 ( 1 )=8.27 V
β
2
( 1.72 )2 1 4
P Lmáx =
I 2
CQ
2
n RL
=
( ) √2
=2.96W
2 2

b) Cálculo de PCC total

1.72 0.7+ ( 1.005 ) 1.72 ( 1 )
(
PCC =V CC ( I CQ + I BQ + I 1 )=10 1.72+
200
+
600 ) =17.33 W

c) Cálculo del rendimiento

 P Lmáx 2.96
η= = =17 .08 %
PCC 17.33

Prob.6: En el circuito de la figura, hallar el punto de funcionamiento (pto. Q), la disipación

de potencia del transistor, la potencia total suministrada por la fuente de alimentación y el
rendimiento del circuito, si la tensión de salida p-p es 18V. Considerar Ib=valor muy
pequeño (= 0).

Solución
Punto de operación:
Las resistencias de polarización definen el punto de operación.
Hallamos el punto de operación:
Se asumen los datos: V BE =0.7 V . silicio, V CE ,sat =0 V
R1 R 2 0.49 K ( 0.068 K )
Rb = = =60 Ω
R1 + R2 0.49 K +0.068 K
R2 0.068 K
V BB =V CC ( R1 + R2) (
=30
0.49 K + 0.068 K ) =3.66 V

En la malla base-emisor:
I CQ 1
V BB =I B R b +V BE + I E R e1=
β ( )
R b+V BE + 1+ I CQ R e1
β
Como I B es despreciable, tendremos:
V BB −V BE 3.66−0.7
I CQ ≅ = =0.148 A
Re 1 20
V CEQ =V CC −I CQ R e1 =30−( 0.148 ) 20=27 V

Disipación de potencia del transistor

PCmáx =V CEQ I CQ =27 V∗0.148 A=4 W

Potencia total suministrada por la fuente de alimentación

+30
(
PCC ≅ V CC ( I CQ + I 1 ) =30 0.148+
558)=6.05 W

Rendimiento del circuito:

Si la tensión de salida es 18Vpp, podemos hallar la potencia en la carga.
 2
( V L) ( 9 )2
P L= = =0.225W
2 R L 2 ( 180 )
Luego:
P 0.225
η= L = =5.63 %
PCC 4

Prob.7: En el circuito de la figura, hallar:

a) La potencia máxima disipada en la carga
b) La potencia total suministrada por la fuente de alimentación
c) La potencia máxima disipada en el colector
d) El rendimiento.

Solución
a) Potencia máxima disipada en la carga
Se asumen los datos: V BE =0.7 V . silicio , V CE ,sat =0 V
El punto de operación ya está definido por las resitencias de polarización y podemos
calcularlo.
R1 R 2 85 (15 ) R2 15
Rb = =
R1 + R2 85+15
=12.75 Ω V BB =V CC ( ) (
R 1 + R2
=10 )
85+15
=1.5V

En la malla base-emisor:
I CQ 1
V BB =I B R b +V BE + I E R e=
β ( )
R b +V BE + 1+ I CQ Re
β
V BB −V BE 1.5−0.7
I CQ = = ≅ 0.6 A
1 1 12.75
β b ( )
R + 1+ Re 1
β 40
+ ( 1.025 ) 1

1
( )
V CEQ =V CC −I E Re =V CC − 1+ I CQ R e1=10−( 1.025 ) 0.6 ( 1 ) ≅ 9.4 V
β
Luego:
2
( V CEQ ) ( 9.4 )2
P Lmáx = = ≅ 0.442W
2 RL 2 ( 100 )

b) Potencia total suministrada por la fuente de alimentación

 0.6 0.7 + ( 1.025 ) 0.6 (1 )
(
PCC =V CC ( I CQ + I BQ + I 1 )=10 0.6+
40
+
15 ) =7.03 W

c) Potencia máxima disipada en el colector

PCmáx =V CEQ I CQ =9.4 V ∗0.6 A=5.64 W

d) Rendimiento.
P Lmáx 0.442
η= = =6 .29 %
PCC 7.03

Prob.8: En el amplificador de potencia de la figura, β puede variar entre 6 y 20.

a) Calcular Rb para obtener la máxima potencia en la carga.
b) El punto de reposo
c) Calcular el rendimiento máximo.

Solución
a) Cálculo de Rb para obtener la máxima potencia en la carga.

Cálculo de Rb :

b) El punto de reposo

c) Cálculo del rendimiento máximo.

Prob.9: Para el siguiente circuito, se tiene el amplificador con resistencia en colector,

determinar:
a) El punto de operación
b) La máxima excursión simétrica del colector
c) La potencia suministrada por la fuente de alimentación
d) La eficiencia
Datos: Vcc= 15V, Rc (carga)=1K, Re=0.5K, Vce sat=0, β=100
 VCC
15V
RC
R2 1K
C

+
+
Vi
R1 Re
- 0.5K

Solución
a) Punto de operación
Recta de carga DC
V CC =V CE + I C R C + I E Re
Como β ≫ 1 → I E ≅ I C
Entonces:
V CC =V CE + I C ( RC + Re ) →15=V CE + I C ( 1.5 K )

Recta de carga AC
0=v ce +i c RC +i e R e → v ce =−i c (1.5 K )

Ambas rectas tienen la misma pendiente (-1/1.5kOhms) y coinciden (están superpuestas).

Luego, graficando: i cmáx ocurre cuando v ce =0

15 V
En la primera ecuación: i cmáx = =10 mA
1.5 K Ω

i C
(mA)

10

pendiente = - 1 / 1.5K

ICQ = 5

vCE
(V)
VCEQ VCC
7.5 15

vCEmáx ocurre cuando: i C =0

Luego: vCEmáx =15 V

Para lograr máxima excursión simétrica, se escoge el punto de operación (a partir del cual
se originan las variaciones de la señal que ocurren sobre la recta AC y que en este caso
coinciden con la DC), en el centro de la línea de carga dinámica.
Por lo tanto: I CQ =5 mA
V CEQ =7.5 V Punto de operación (punto Q)
b) La máxima excursión simétrica de la corriente de colector (pico a pico), será de 10mA
(La corriente pico será: I cm=5 mA )

c) La potencia suministrada por la fuente de alimentación

Despreciando la corriente en el circuito de base:
PCC =V CC I CQ =15 V ( 5 x 10−3 A ) =75 mW

d) La eficiencia
P Lmáx
η=
PCC

Potencia de señal suministrada a la carga (RC):

En este caso:
T
1
P Lmáx = ∫ i 2C ( R C ) dt
T 0
En condiciones de máxima excursión simétrica ( I cm=I CQ )
2
Por lo tanto: P Lmáx =1 K
( 5 x 10−3 )
=12.5 mW
2
Entonces:
P Lmá x 12.5 mW
η= = =16.67 %
PCC 75 mW

Prob.10: El amplificador de potencia de la fig. entrega una potencia máxima de 5W a una

carga de 4 Ω. Se ajusta el punto de reposo para que la variación sea simétrica máxima y
la tensión de alimentación es de Vcc=20V. Sabiendo que una de las limitaciones del
transistor es de ic máx = 4 A.
Calcular: N=n1/n2, el punto de reposo IcQ, VceQ y el rendimiento.
Prob.11: El circuito de la figura es un amplificador clase A que puede suministrar una
potencia máxima sin distorsión de 2W a la carga de 10Ω. Hallar: IcQ, Pcc y n (%) e indicar
las especificaciones del transistor.

Prob.12: Hallar n de modo que en la carga pueda disiparse la potencia máxima. Calcular
PL máx., Pc máx., y Pcc total.

Prob.13: En la Figura se muestra un amplificador de emisor común, donde β =200. Al

realizar un ensayo se obtiene que la tensión pico a pico máxima en la salida sin
distorsión es de 2,34 V, siendo 50 mV la aplicada a la entrada. Determinar Av, Ai, Psal
(max) en la carga, Pcc total y la eficiencia (ƞ%).
Datos: R1=10K, R2=2.2K, Rc=3.6K, Re=1K, RL=0.75K.
Prob.14: En el circuito de la figura, obtener Pcc total, la potencia a través de la carga
(Rc), y la eficiencia del amplificador, para un voltaje de entrada que produce una
corriente (Ib) de 10 ma pico. Los valores para el circuito son: Rb=1K, Vcc=20V, Rc=20Ω y
β= 25.

Prob. 15: Un cierto transistor de potencia puede disipar hasta 10 W. Determine la

potencia de salida máxima que puede obtenerse de un amplificador push pull clase B,
como el de la figura, usando dos de estos transistores. Asuma que la excitación es
sinusoidal y que el amplificador tiene una eficiencia del 75%.

T1
T2
1:1
2 8 Q1 n:1
8 2

5 VCC
Vin 7 5
7 RL

11 6
Q2 6 11
1:1
n:1

Prob.16: Diseñar de un amplificador clase B acoplado por transformador, para

proporcionar una potencia máxima de salida (PLmáx) de 10W a una resistencia de carga
RL=4Ω. Suponer un voltaje de alimentación de cd de 15V y transistores con βF=hfe=100
y Vbe=0.7V. Obtener la máxima disipación de potencia en el colector, y la potencia
entregada por la fuente Vcc.