UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

MATERIA: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 1

PROFESOR: CUZCANO RIVAS ABILIO BERNANDIO
TRABAJO: INFORME DE LABORATORIO
TEMA: RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR CASCODE
SEMESTRE: 2020 – B
ALUMNOS:
- ARANDA BAZÁN CHARLY ALBERTO 1713210145
- SILVA ALONZO, JUAN ARMANDO 040563G
- GALLARDO RAMÍREZ, JESÚS ANDERSON 1713220537

1. Objetivos
De acuerdo con los puntos establecidos:
  Aplicar los conceptos adquiridos del diseño del amplificador multietapa
cascode.
 Analizar y comparar la ganancia, ancho de banda y frecuencia de corte con
respecto al emisor común de una etapa.
 Conocer los distintos tipos de diseño para el cascode.
 Saber el funcionamiento de cada uno de ellos con sus ventajas y
desventajas.
2. Marco teórico
La implementación de este tipo de amplificadores (cascada/cascode) permiten no
solo la obtención de una ganancia especifica por medio de las obtenidas en cada
fase, también les proporcionan las características de las configuraciones
monoetapa (ganancias, impedancias) al combinarlas y formar este tipo de
amplificadores.
La configuración en cascode está constituida por 2 transistores, uno de ellos en
emisor común y el otro en base común. Tiene 2 tipos mostrados a continuación:

Esta configuración tiene las ventajas en su utilización como elemento de baja

realimentación interna, como amplificadores sintonizados (trabajan a frecuencias
centrales donde se tiene definido su ancho de banda).
Como se mencionó antes, esta configuración también rescata características de
otras configuraciones en monoetapa como la impedancia de entrada de un emisor
común (punto en el que un amplificador base común tiene de desventaja una
impedancia de entrada baja) y la impedancia de salida del amplificador base
común.
Proporcionando así un amplificador de impedancia de entrada relativamente con
una ganancia de tensión baja para la 1ra etapa que garantiza que la capacitancia
de entrada Miller esté en su valor mínimo, en tanto que la siguiente etapa de base
común proporciona una excelente respuesta en alta frecuencia.
 Características de la configuración cascode:
 Admitancia de entrada aproximada a la de emisor común.
 Admitancia de salida aproximada a la de base común.
 Ganancia de corriente aproximada al emisor común.
 Ganancia de tensión aproximada al producto de emisor y base común.
 Realimentación interna despreciable.

3. Aplicativos
Circuito #1
Simular el siguiente circuito:

El análisis en DC:
i CQ2 ≅ i EQ 2
i EQ 2 ≅ i CQ1
i CQ1 ≅ i EQ 1
i CQ1 ≅ i EQ 1

3.9 k
V TH = ∗20V =4.4318 V
17.6 k

RTH =R 4∨¿ ( R 3+ R 1 )=3.0358 kOhm

V TH −0.7 V 4.4318 V −0.7 V

iB = =
RTH + ( β+1 )∗R5 3.0358 k +201 k

i B =18.29uA

i C =i B∗β=18.29 uA∗200=3.658 mA
Luego:
V CC =i CQ ( 1.5 k +1 k ) +V CE 2+V CE 1
20 V −3.658 m ( 2.5 k )=V C 2 E 1
V C 2 E 1 =10.855V

En cada arreglo de resistencias a base:

Vcc=i 1∗R 1+i3∗R 3+i 4∗R 4=i1∗( R 1+ R 3+ R 4)

20 V
i 1= =1.36 mA
17.6 k

Además, se cumple en la malla:

i 2∗R 2=V CE 1=1.36 mA ( 6.2 KOhm ) =8.432V

Entonces:
V CE 2=2.423 V

Calculamos la resistencia dinámica de cada transistor:

25 mV
r 'e= =6.8343 Ohm
3.658 mA

El análisis en AC:
R B=6.2 k ∨¿ 3.9 k=2.394 k
Se divide en 2 etapas, en la primera etapa:
La impedancia de entrada:

Z¿ =β r ' e∨¿ R B=6.8343∨¿ 2.394 k =870 Ohm

La impedancia de salida:
Z out =r ' e =6.8343 Ohm

La ganancia de tensión:
V i=i B 1∗β r ' e

V o =−i E 2∗r ' e=−β i B 1∗r ' e

V o −i B 1∗β r ' e
A v1= = '
=−1
Vi β i B 1∗r e

En la segunda etapa:
La impedancia de entrada:

Z¿ =r ' e=6.8343

La impedancia de salida:
Z out =RC =1.5 K Ohm

La ganancia de tensión:
V i=− β i E 2∗r ' e

V o =−i o∗RC =−β i E 2∗RC

V o −β i E 2∗RC R C 1.5 k
A v2= = = = =219.4811
V i −βi E 2∗r ' e r ' e 6.8343

De tal manera que la ganancia total del amplificador sin carga:

A v =A v 1∗A v 2=−219.4811

A frecuencias medias quiere decir que tiene una ganancia en decibelios 46.823dB y un
desfase de 180°.
Lo siguiente a evaluar es la frecuencia de corte inferior. Para ello, cortocircuitamos las
fuentes y analizamos capacitor por capacitor para encontrar la resistencia equivalente de
cada uno (aquellos que no se analizan, se cortocircuitan).

Para la primera rama RC en entrada:

R X =R B∨¿ β r 'e =870Ohm

1
f c1 = =18.29 Hz
2 π∗10 uF∗870 Ohm

Para la rama RC en emisor de Q1:

Vx
i x +i B + β i B=
RE

V x =−i B β r ' e

β r 'e
R x =R E∨¿ =6.7543 Ohm
β+1

1
f c2 = =235.63 Hz
2 π∗100 uF∗6.7543 Ohm
En la rama RC en base de Q2 se puede simplificar:

R x =r ' e =6.8343
1
f c3 = =465.75 Hz
2 π∗50 uF∗6.8343 Ohm

La rama RC de salida:

R X =7.5 k ∨¿ 1.5 k=1.25 KOhm

1
f c 4= =127.324 Hz
2 π∗1uF∗1.25 KOhm
Frecuencia de corte inferior:
fc=18.29+235.63+ 465.75+127.324=846.994 Hz

Circuito #2
Simular el siguiente circuito
Ya que se ha resuelto el ejercicio anterior, se tiene conocimiento del procedimiento a
realizar. Algo que destacar: Se está utilizando una resistencia de fuente (50Ohm) y una
carga (50Ohm). Considerar β=100
Punto de operación:
Análisis en DC:
8k
V TH = ∗24 V =6.4 V
30 k

RTH =R 4∨¿ ( R 3+ R 1 )=5.866 kOhm

V TH −0.7 V 6.4 V −0.7 V

iB = = =27.42 uA
RTH + ( β+1 )∗( ℜ1+ ℜ2) 5.866 k +101(2 k )

i B =27.42uA

i C =i B∗β=27.42 uA∗100=2.742 mA
Luego:
V CC =i CQ ( 1 k +1 k +2 k ) +V CE2 +V CE 1
2 4 V −2.742 mA ( 4 k )=V C 2 E 1
V C 2 E 1 =13.032 V

En cada arreglo de resistencias a base:

Vcc=i 1∗R 1+i3∗R 2+ i 4∗R 3=i1∗(R 1+ R 2+ R 3)

24V
i 1= =0.8 mA
30 k

Además, se cumple en la malla:

i 2∗R 2=V CE 1=0.8 mA ( 4 KOhm ) =3.2V

Entonces:
V CE 2=9.832 V

Calculamos la resistencia dinámica de cada transistor:

25 mV
r 'e= =9.12 Ohm
2.741 mA
El análisis en AC:

Al agregarse la resistencia de fuente, carga y en emisor se tienen cambios en las fórmulas

con respecto al circuito anterior.

R B=(4 k∨¿ 8 k )=2.666 k

Se divide en 2 etapas, en la primera etapa:
La impedancia de entrada:

i B 1∗( β r ' e ) + ( β+1 ) i B 1 (1 k )=Vi

Vi '
=β r e+ ( β +1 ) ( 1k )=912+101 k=101.912 Kohm
iB 1

Zin=2.666 k∨¿ 101.912 k=2.598 Kohm

La impedancia de salida:
Z out =r ' e =9.12 Ohm

La ganancia de tensión:
V i=i B 1∗( β r ' e ) + ( β+ 1 ) i B 1 ( 1 k )=i B 1 (101.912 Kohm)

Pero tenemos que la fuente de donde proviene la señal es V s :

V s∗2.598 Kohm
V i= =V s∗0.981
2.598 Kohm+50

Vi
=0.98
Vs

V o =−i E 2∗r ' e=−β i B 1∗r ' e

Vo −β i B 1∗r ' e −912

= = =−0. 00894
V i i B 1 ( 101.912 Kohm ) 101.912 Kohm
 Vo Vi
A v1= =0.98 (0.00894)=−0.00876
Vi Vs

En la segunda etapa:
La impedancia de entrada: Sin cambios

Z¿ =r ' e=9.12Ohm

La impedancia de salida: Sin cambios

Z out =RC =2 KOhm

La ganancia de tensión:

V i=− β i B 1∗r ' e

V o =−i o∗(RC ∨¿ R L )=−α i E 2∗(RC ∨¿ R L )

β
α=
β+ 1

V o −α i E 2∗(RC ∨¿ R L ) 48.7317
A v2= = = =5.3434
Vi −i E 2∗r ' e 9 . 12

De tal manera que la ganancia total del amplificador:

A v =A v 1∗A v 2=−0.0468

A frecuencias medias quiere decir que tiene una ganancia en decibelios -26.595dB y un
desfase de 180°.
La ganancia de corriente:

io
∗i
i E2 E2
∗i B 1
iB 1
Ai =
ii

−i o ( RL )=− β i E 2 (RC ∨¿ RL)

β
α= =0.99
β+ 1

i o α ( RC ∨¿ RL) 0.99∗48.387
= = =0.958
iE 2 RL 50
 β i B 1=−i E 2

iE 2
=−β=−100
iB 1

(i ¿ ¿ i−i B 1)∗RB=i B 1 [ β r ' e+ ( β +1 ) ( 1 k ) ] ¿

iB 1 RB 2.666 k
= ' = =0.0254
i i β r e + ( β+ 1 )( 1 k ) + RB 101.912k + 2.666 k

Ai=0.99∗(−100 )∗0.506=−2.4423

4. Simulación
- Circuito #1:
Circuito
#2
5. Tablas
 Circuito #1:

Ganancia de tensión a frecuencias medias: 47.309dB.

Ganancia de tensión obtenida: 46.823dB.
Error:
|46.823−47.309|
E %= ∗100 %=1.038 %
46.823

Circuito #2:

Ganancia de tensión a frecuencias medias: -26.65dB

Ganancia de tensión obtenida: -26.595Db
Caso: Atenuación
Error:
|−26.595+26.65|
E %= ∗100 %=0.207 %
26.595

6. Cuestionario
1. ¿Qué caracteriza a un amplificador en su configuración en cascode?
 Este tipo de configuración está compuesto por un transistor en base común y
emisor común, siendo este último por donde la señal a amplificar ingresará. La
configuración en cascode toma la impedancia de entrada aproximada a la de una
configuración de emisor común, la impedancia de salida de base común, una
ganancia de tensión aproximada a la de emisor común y una ganancia de corriente
como el producto de ambas configuraciones ya mencionadas.

2. ¿Cómo determinamos la ganancia de corriente en este tipo de configuraciones?

Esto también incluye a la ganancia de tensión. Debemos relacionar las corrientes

de cada transistor con otras, de manera que por la regla de la cadena se puede
simplificar como el producto de estas.

io
∗i
i E2 E2
∗i B 1
iB 1
Ai =
ii

Relacionándolas podemos fácilmente establecer la ganancia de corriente total de

un amplificador en cascode.

3. ¿Qué efectos tiene la resistencia de emisor en estas configuraciones?

Tal como en los amplificadores monoetapa y multietapa en muchas de las
ocasiones la implementación de una resistencia por emisor, siendo los objetos 2.
Su intervención en el cálculo de la ganancia del amplificador y también como
disipador de calor auxiliar (estos se encuentran integrados en algunos
componentes evitando que se calienten y dañen).

4. ¿Qué variaciones tendría una configuración cascode implementando FETs?

A diferencia de los BJT, los FET’s son controlados por valores de tensión, más
específicamente tensión de Compuerta-Fuente. De acuerdo con valores de tensión
G-S, es que circulará una corriente por el canal de Drenador-Fuente (Ecuación de
Shockley). Tomaría, nuevamente, las configuraciones fuente y compuerta común
haciendo que posea las características más resaltantes de estas configuraciones.

5. ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de esta configuración de amplificador?

Ventajas: La implementación de un cascode ofrece una ganancia alta, un alto
ancho de banda, alta velocidad de respuesta, alta estabilidad y alta impedancia de
entrada.
Desventajas: Se requiere de 2 transistores y requiere un voltaje de suministro
relativamente alto (como se observó con Vcc=20/24V). Para el cascode de 2 FET,
 ambos transistores deben polarizarse con una amplia tensión de canal D-S en
funcionamiento, imponiendo un límite inferior a la tensión de alimentación.

7. Conclusiones
 El cascode es un tipo de amplificador de 2 etapas que consta de una etapa en
emisor común y otra en base común.
 Posee un mayor aislamiento de entrada y salida, mayor impedancia de entrada,
alta impedancia de salida y un ancho de banda mayor (efecto Miller).
 Resulta más práctico relacionar las tensiones y corriente en AC para obtener las
respectivas ganancias de tensión y corriente.

8. Bibliografía

Nashelsky, Robert L. Boylestad - Louis. 2009. Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos

electrónicos. s.l. : Pearson, 2009.

Floyd, Dispositivos Electrónicos, 8va Edición, Pearson, 2008