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3-Estructuras Cristalinas PDF
3-Estructuras Cristalinas PDF
Modelo del paso del estado lquido al estado slido de los metales
Equilibrio lquido-vapor
Presin de vapor
Molculas en estado vapor
Molculas que pasan a vapor (se vaporizan)
Molculas que pasan al lquido (se condensan)
Enfriar o
comprimir
Calentar
o reducir
presin
GASES
-Desorden total
-Partculas tienen completa
libertad de movimiento.
-Partculas tienden a estar
alejadas entre si
- Forma y volumen
indeterminado.
Enfriar
Calentar
LQUIDOS
-Menor desorden
-Partculas tienen
movimiento relativo entre si
-Partculas tienen mayor
cohesin (juntas)
- Forma determinada al
recipiente que los contiene
SLIDOS
-Orden
-Partculas fijas en una
posicin determinada.
-Partculas unidas entre si
- Forma y volumen
determinado
Difraccin de rayos X
Patrn de difraccin segn orden
de la materia
Difraccin de rayos X
Interaccin de rayos X con un grupo de
tomo ordenado
CARACTERSTICAS
METALES
DERIVADAS DEL ENLACE METLICO
1. CONDUCCIN TRMICA Y
ELCTRICA ELEVADA
2. RESISTENCIA MECNICA ALTA
3. GRAN PLASTICIDAD, DUCTILIDAD Y
TENACIDAD
4. MALEABILIDAD ELEVADA
5. CARCTER RECICLABLE
ESTRUCTURA INTERNA
DE LOS METALES
REDES TRIDIMENSIONALES: ESTADO
CRISTALINO
ENLACE METLICO:
1. FORMACIN DE UNA NUBE
ELECTRNICA
2. PERTENENCIA INCONCRETA DE LOS eA LOS TOMOS
3. GRAN MOVILIDAD ELECTRNICA
4. ESTO JUSTIFICA LA ELEVADA
CONDUCTIVIDAD METLICA.
ENLACE METLICO
MISMA VECINDAD:
distancia permanente entre puntos
ESTRUCTURA CRISTALINA
REDES CRISTALINAS SIMPLES:
Representan todas las posibles redes
puntuales de tomos situados en vrtices.
Sus celdas unidad son CELDAS
PRIMITIVAS
REDES CRISTALINAS DE
BRAVAIS: 14 celdas unidad
CARACTERSTICAS:
Redes puntuales ms complejas
Cumplen la propiedad de misma vecindad.
Sus celdas unidad:CELDAS NO PRIMITIVAS
La posicin atmica en no vrtice da lugar:
Redes SENCILLAS
Redes CENTRADAS EN EL CUERPO
Redes CENTRADAS EN LAS CARAS.
Redes CENTRADAS EN LA BASE.
REDES DE BRAVAIS
SISTEMAS DE
CRISTALIZACIN DE LOS
METALES
1/8x8=1
Cubico centrado
en el cuerpo
Cubico centrado
en las caras
Exagonal
compacto
N de tomos: 2
Propiedades:
materiales
resistentes a
la deformacin
Fe, Ti, W, Mo, Nb,
Ta, K, Na, V, Cr, Zr
F. empaq: 0,68
N de tomos: 6
Propiedades: poco
deformables
Ti, Mg, Zn, Be, Co,
Zr, Cd
F. empaq: 0,74
Vista lateral
FCC
BCC
HCP
Planos de deslizamiento
12
48
Defectos puntuales
a)
b)
c)
d)
Substitucin
Solucin slida intersticial
Vacancia
Difucin intersticial
DEFECTOS
DE LA
ESTRUCTURA
CRISTALINA
DEFECTOS TRMICOS: Dilatacin trmica
por vibracin.
DEFECTOS ELECTRNICOS: Impurezas
atmicas.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
DEFECTOS ATMICOS:
estructura cristalina
Fallos
en
la
DEFECTOS ATMICOS
PUNTUALES
CAUSAN LOS EFECTOS DE
DIFUSIN.
ATMOS
INSTERSTICIALES: tomo en un
instersicio. Espontneo. La concentracin sube con T.
LUGARES VACANTES: En los que no hay tomos
TOMO EXTRAOS: tomos diferentes que se
sitan en los puntos reticulares o en los huecos.
Espontneo. La concentracin sube con T.
Difusin de tomos
SOLUCIONES SLIDAS
TIPOS:
Defectos de planos
Dislocacin de borde
Formacin de
una dislocacin
helicoidal
Dislocacin de tornillo
Dislocacin mixta
deformacin de una
dislocacin
deformacin de
una dislocacin
Dislocacin mixta
Tienecomponentesdebordeydetornillo.
Lalneadedislocacinesunacurvaplana