Laboratorio de Componentes Electrnicos: Prctica 5 Caracterizacin de transistores

PRCTICA 5: CARACTERIZACIN DE
TRANSISTORES.
1.1.

Objetivos:

Hallar las caractersticas de transistores BJT, JFET y MOS mediante las hojas de
especificaciones.

Analizar las caractersticas de transistores BJT, JFET y MOS mediante el

polmetro.

1.2.

Calcular la curva punto a punto de los transistores BJT, JFET y MOS.

Material:

Instrumental:
2 fuentes de tensin DC
Generador de seal
Osciloscopio
Polmetro
Entrenador
Componentes:
Transistores BJT: BC547B, BC557B, BC639, BC640
Transistor JFET: BF 256B
Transistor MOS: BS170
Resistencias: 100, 1K, 4.7k
Potencimetros: 10 K, 5M

Prctica 5, pgina

1/4

Laboratorio de Componentes Electrnicos: Prctica 5 Caracterizacin de transistores

1.3.

Desarrollo de la Prctica:

1. Caractersticas del transistor mediante polmetro

1a- Mediante el polmetro las caractersticas que a priori podemos obtener son: deduccin del tipo
de transistor (NPN o PNP en los BJT y tipo de canal en el JFET y MOS), configuracin de cada
patilla y (hFE).
Para ello, encontrar cul es la situacin de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la
correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el polmetro para medir en el caso
de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs o para el
caso del JFET y del MOS si se trata de un canal N o de un canal P y cul es la puerta (G). Se
utilizarn en este apartado los transistores BC547B, BC557B, BC639, BC640, BF256B y BS170.

2. Caractersticas del transistor mediante hojas de especificaciones

Utilizando los catlogos genricos de componentes analizar los siguientes parmetros.
2a- Para los BJT BC547B, BC557B, BC639 y BC640; tipo de transistor, configuracin de cada
patilla, potencia mxima, VCE mxima, IC mxima, (hFE) y frecuencia de corte.
2b- Para el JFET BF256B; tipo de transistor, configuracin de cada patilla, potencia mxima, V DS
mxima, VP, IDSS y gm .
2c- Para el MOS BS170; tipo de transistor, configuracin de cada patilla, potencia mxima y V DS
mxima.

3. Grfica de comportamiento de un transistor BJT.

Para obtener las curvas caractersticas (IC vs. VCE para distintas IB) de un transistor BJT se
debe realizar un montaje como el de la figura 1.

Prctica 5, pgina

2/4

Laboratorio de Componentes Electrnicos: Prctica 5 Caracterizacin de transistores

Figura 1. Circuito de polarizacin del transistor BJT tipo NPN.

Donde T1= BC547B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K; Rb2 = 5M; Rc1= 100 y Rc2 = 10K. Se
requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuacin se vara Rc2 de forma
de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.
3a- Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el polmetro y el osciloscopio repitiendo el
proceso para IB igual a 50uA, 75uA y 125uA.
3b- Con esta configuracin estar alguna vez el transistor en la regin de saturacin?.
3c- Y en corte?.
3d- Por qu?.
4. Grfica de comportamiento de un transistor JFET
Para obtener las curvas caractersticas de un transistor JFET, que representan I D frente a VDS para
diferentes valores de VGS, se debe realizar un montaje como el de la figura 2.

Figura 2. Circuito de polarizacin del transistor JFET tipo Canal N.

Prctica 5, pgina

3/4

Laboratorio de Componentes Electrnicos: Prctica 5 Caracterizacin de transistores

Donde T1= BF256B; Vref1= 15V; Vref2= 15V; P1= 1M; P2 = 10k y R1= 100. Para sacar las
curvas caractersticas se debe ajustar P1 de modo que VGS = 0V. A continuacin se vara P2 de
forma que VDS sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5V midiendo para cada caso ID. Para ello se emplear el
polmetro y el osciloscopio y se repetir el proceso para cuando VGS valga 0.5V, -1V y as
sucesivamente hasta llegar a corte.
4a- Obtener las curvas caractersticas del transistor.
4b- En qu regin nos interesa que est el transistor para amplificar?.
4c- Si P1 = 1K, cmo cambiara el funcionamiento del montaje?.

5. Grfica de comportamiento de un transistor MOS

Conociendo a priori las caractersticas del transistor MOS que se desea analizar, construya un
circuito que permita obtener las curvas caractersticas del transistor BS170 y obtngalas (I D vs.
VDS para 3 VGS distintas y ID vs. VGS para 3 VDS distintas). Para ello dispone de los componentes y
el instrumental empleado en los apartados anteriores.
5a- Detallar el esquema circuital de montaje empleado para caracterizar el transistor MOS y
proporcionar las grficas obtenidas.
5b- Cul es la tensin umbral de este transistor MOS?
5c- En qu regin nos interesa polarizar el transistor para que trabaje en una etapa de
amplificacin?
Nota: tener en cuenta que el fabricante de la informacin mostrada en la figura 3 sobre el
transistor.

Figura 3. Identificacin de terminales del transistor BS170.

Prctica 5, pgina

4/4