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Facultad De Ingeniera
ctrica Y Electro
nica
Departamento De Ingeniera Ele
nica
Electro
loga-II
Ana
2016-1
Caracterizaci
on de Transistores de Efecto de
Campo y Amplificadores B
asicos
Objetivo
Determinar experimentalmente las caractersticas y comportamiento de los transistores de efecto de campo (MOSFETS), y explorar su aplicaci
on en topologas basicas de amplificacion.
Materiales
Circuito Integrado CD4007
Resistencias
Condensadores
Protoboard
Pr
actica
Los dispositivos MOSFET, encuentran muchsimas de sus aplicaciones en conmutacion como integrados digitales (con
diversos grados de integraci
on), aunque en la actualidad han penetrado fuertemente en el campo de las comunicaciones
en circuitos de radio frecuencia, sobre todo bajo la tecnologa CMOS, es decir, dispositivos complementarios MOS
tanto de canal N como de canal P en el mismo chip. No es com
un encontrar, en presentacion discreta, transistores
MOSFET para se
nal y aplicaciones lineales; solo aquellos utilizados para aplicaciones de potencia son la alternativa
que se encuentra disponible en el mercado.
La informaci
on que se tiene de las hojas de datos de los transistores MOSFET, se circunscribe, aparte de los valores
lmites permitidos de voltaje y disipaci
on de potencia, a los datos relacionados con la aplicacion especfica del circuito
integrado, y no de sus componentes individuales. As que, si de desean conocer los parametros fundamentales Vt , k y
, es necesario medirlos experimentalmente, como se hara en la primera parte de esta practica.
La segunda parte, se enfoca en el dise
no de amplificadores basicos con MOSFET, utilizaremos para esta pr
actica
uno de los transistores MOSFET de canal N del circuito integrado EF 4007, o CD4007, que deben estar previamente
caracterizados, a saber, el factor de transconductancia kn y el voltaje de umbral Vt . Al dar un vistazo a la hoja
de datos del fabricante, este no proporciona informacion sobre estos parametros, ni tampoco sobre la longitud de
modulaci
on de canal. Sin embargo, es posible encontrar informacion detallada en algunos modelos Spice para este
integrado. En el Anexo 1, pueden encontrar algunos vnculos en los cuales se observan modelos Spice. Es posible que
para ser utilizado en el software de simulaci
on de su eleccion, sea necesario realizar algunos cambios.
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3.1
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Caracterizaci
on MOSFET (canal N y P)
En esta parte de la pr
actica se utilizar
a un arreglo de transistores MOS complementario, que viene en forma de circuito
integrado bajo referencias tales como HEF 4007, CD4007, o T C4007, el cual consta de tres MOSFET de canal N
y tres de canal P, que aunque vienen interconectados como un doble par complementario y un inversor, permiten el
acceso a cada dispositivo. El integrado viene en una pastilla DIP de 14 pines y es muy flexible en su utilizaci
on. En
la figura 1 se muestra la asignaci
on de pines completa, es decir, con el sustrato en la parte superior de la misma, y
simplificada en la parte de abajo. Esta u
ltima es la mas conveniente para nuestros propositos.
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Table 1: Par
ametros del modelo lineal para MOSFETs.
Vth (V) K (mA/V 2 ) (V 1 )
Canal N
Canal P
3.2
Amplificadores MOSFET
Dise
ne un amplificador de tres etapas, con transistores MOSFET, que cumpla con las siguientes especificaciones:
VCC < 16 V .
10Hz < BWm < 1M Hz.
El voltaje de salida pico a pico debe ser el maximo posible.
ID < 10mA.
Avm > 10 V /V .
Previo al da de la pr
actica:
Analice el comportamiento de los circuitos dise
nados. Obtenga los valores de polarizacion DC y estime el valor
de la transconductancia gm y proceda a calcular los valores de ganancia Avm en peque
na se
nal. Tambien estime las
impedancias de entrada Zi y de salida Zo del amplificador.
Verifique los resultados de su an
alisis con simulaciones. Tenga en cuenta las tolerancias de cada elemento. Observe
la respuesta en frecuencia de los amplificadores. Estime los puntos de corte en alta y baja frecuencia para el ancho de
banda medio del amplificador (BWm ).
El da de la pr
actica:
Comprueben la correcta polarizaci
on de sus dise
nos.
Realicen el c
alculo de corriente de Drenador.
Eval
uen la ganancia, impedancias de entrada y salida, y ancho de banda a partir de sus medidas.
Experimente con los circuitos dise
nados y saque sus propias conclusiones.
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http://people.rit.edu/lffeee/CD4007_SPICE_MODEL.pdf
http://www.cpp.edu/~bolson/web_pages/how_to_spice.htm
http://materias.fi.uba.ar/6625/TPs/TP2/CD4007.lib