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SEGUNDO LABORATORIO ELECTRONICA II

Construccin de la recta de carga en AC y DC de un amplicador de EC con transistor BJT


Alexander Leon Leon, cod.: 1160391

AbstractEste laboratorio decribe el proceso para la realizacin de la recta de carga de un amplicador BJT en la conguracin emisor comun, tambien describe el analisis de los parametros en DC y la determiacin de la ganacia por medio de un oscilosciopio. Index TermsAmplicador, Ganancia de voltaje, Recta de carga, Transistor.

Denir los parmetros nominales del transistor a partir de las hojas de especicaciones del fabricante. III. MARCO TEORICO

I. INTRODUCCIN N el analisis de un amplicador lo primero es analizar la conguracin en la que se encuantra el transistor, en este laboratorio utilizamos la conguracin de emisor comun ya que esta nos ofrece un valor alto de ganancia de voltaje y nos ofrece una ganancia de corriente pequea, la unica desventaja de esta conguracin es que al momento de analizar la seal de salida, esta se desfasa 180 grados con respecto a la seal de entrada. En este laboratorio antes de hacer las respectivas simulaciones en pspice y de hacer el montaje en el laboratorio se hizo un analisis matematico previo para determinar los valores nominales de las componentes que se encuentran en el circuito, para poder determinar estos parametros se utilizaron diferentes parametros de diseo que seran analizados en esta practica.

El amplicador de emisor comun se caracteriza por amplicar la seal, tanto voltaje como la corriente, ademas la seal de salida es invertida con repecto a la entrada y sus impedancias de entrada y salida son altas.

Figure 1. Conguracin amplicador emisor comun

II. OBJETIVOS A. Objetivo General Comprobar el cumplimiento de los criterios de diseo vistos en clase para un amplicador de emisor comn con BJT garantizando su trabajo en las diferentes regiones de la recta de carga de AC y DC. B. Objetivos Especcos

Al hacer un analisis en DC el circuito se separa del los parametros en corriente alterna y solo se maneja la polarizacion en DC; cuando se hace un analisis en AC el capacitor de desvio CE cortocircuita la resistencian de emisor y el capacitor C1 une los parametros en corriente alterna al circuito. IV. EQUIPO NECESARIO

Avanzar en el uso de la herramienta de simulacin ORCAD PSPICE utilizando los dos tipos de anlisis de circuitos: barrido en DC (DC sweep) y barrido en AC (AC sweep). Manejar las tcnicas de anlisis y diseo de circuitos amplicadores con transistores BJT que permitan deducir los criterios de diseo para cumplir las exigencias de operacin del circuito amplicador. Mejorar el manejo de instrumentos de medida del laboratorio para garantizar valores exactos en la medida de las variables, utilizando metodos indirectos.

Computador con ltimas especicaciones Herramienta de simulacin ORCAD PSPICE 10.3 1 Protoboard 1 Fuente de voltaje Regulada (0-32V / 0-3A) 1 Generador de seal con su respectiva punta de prueba (0-10 Mhz) 1 Osciloscopio con sus respectivas puntas de prueba (0200Mhz) 1 Multmetro Digital (500V / 10 A /10 Mhz ) Pinzas, Pelacables, cables. V. COMPONENTES NECESARIOS

Fabian Gmez Lpez, Universidad Francisco de Paula Santander, CcutaColombia, e-mail:fabiangomez@ufps.edu.co. Jeison Eduardo Diaz Rodriguez, Universidad Francisco de Paula Santander, Ccuta-Colombia, e-mail: jeisoneduardodr@ufps.edu.co.

Resistencias R1,R2,RC,RE de Watt 2 Capacitores de 1uF, 2uF, 10uF a 50 V 1 Transistor BJT Q2N2222A

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VI. PROCEDIMIENTO Para poder determinar mediante un analisis matematico los valores de las resistencias que contiene el circuito es necesario obtener ciertos Valores de parametros de diseo con los cuales se plantea el analisis.
Table I PARAMETROS DE DISEO PARAMETROS DE DISEO VARIABLE VALOR ICQ 10mA ICQ 20mA AV 10 AV 15 VCC 10V VCC 15 RL 1K RL 2k VIN VIN 50mV

Table III PARAMETROS A UTILIZAR PARAMETROS A UTILIZAR VARIABLE VALOR ICQ 15mA AV 13 VCC 15 RL 2K VIN 100mV

En este laboratorio se utiliza el transistor 2N2222 este dispositivo cuenta con unas especicacioes que se encuentre en el datasheet del fabricante y con estos valores podemos determitar sus caracteristicas de funcionamiento a la hora de hacer el montje en el laboratorio, estas carateriticas son:
Table II C ARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR 2N2222 Caracteristica VBE IC (max) VCE (max) P(max) valor nominal con T= 300K 250 ( Ic=10mA) 0.645V 600mA 35v 625mW

Rac = RL + RE 1 Y como: RL = RC RL Entonces: RL = 2000 500 RL = 400 Para poder determinar la resisitencia RE 1 que esta en el emisor en corriente alterna se utiliza la formula de la gananacia, asi: RL AV = r +( +1) R
L

como se sabe que: r = AV =


RL
VT ICQ

VT ICQ

y >>1, entonces:

+RE 1

Luego de seleccionado el trasistor y de conocer sus caracteristicas de funcionamiento procedemos a determinar el valor de las resistencias que vamos a utilizar para obtener los parametros establecidos para el diseo. Para ello hacemos un analisis en corriente directa para determinar las condiciones de polarizacin .

Al despejar RE 1 , tenemos: R 400 25mV T RE 1 = AVL IV , RE 1 = 13 15mA CQ RE 1 = 29.10 Entonces: Rac = 400 + 29.10, Rac = 429.10 Como necesitamos que el punto de operacin se encuentre en la mitad de la recta de carga debemos asumir que = 0.5 VCC ICQ = (1 )Rac +Rdc Al despejar queda que: VCC VCC ICQ = Rac +Rdc , por lo tanto Rac + Rdc = ICQ Al depejar Rdc = 570.9 Debido a que Rdc = RC + RE 1 + RE 2 entonces: RE 2 = Rdc RC RE 1 RE 2 = 570.9 500 29.10 = 41.8 Determinacion de las resistencias R1 y R2

Figure 2. Conguracin amplicador emisor comun

Al hacer el analisis en DC empezamos por asumir que la resistencia RC = 500 que utilizamos para calcular la RL

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Figure 3. Analisis en DC amplicador emisor comun

VIII. ANALISIS EN ORCAD PSPICE

Analizando la malla de entrada y por medio de condiciones de estabilidad tenemos que RB = 0.1* RET RET = RE 1 + RE 2 , RET = 29.1 + 41.8 = 70.9 Entonces: VBB = 1.1RET ICQ + VBE VBB = 1.1 (70.9) (15mA) = 1.823V Por lo tanto: RB = 0.1 250 70.9 = 1.77K R1 R2 C C R1 como RB = R y VBB = V 1 +R2 R1 +R2 Entonces: R2 = R1 =
RB VCC 2.04K = 151 = 16.785K VBB .823 RB 2.04K 0.8789 = 0.8789 = 2.3224K

VII. VALORES CALCULADOS Y VALORES COMERCIALES Despues de determinar los valores de las resistencias que van en el circuito de emisor comun (EC) se hace un analisis con el programa ORCAD PSPICE para comprovar que con estas resistencias se puedan obtener los parametros establecidos para el diseo, para que posteriormete se proceda a hacer el montaje del circuito en el laboratorio y poder determinar estos parametros mediante un forma experimental.

Figure 4. Dibujo esquematico en orcad pspice

Para hacer un analisis en ORCAD PSPICE debemos hacer un barrido en DC, este barrido se hace por medio de la herramienta llamada BIAS POINT que me permite observar los valores de ploarizacin del transistor.

Table IV VALORES CALCULADOS VALORES CALCULADOS R1 2.017K R2 14,57K RE 1 29.10 RE 2 41.8

Debido a que en el mercado de elementos electronicos existen una serie de valores comerciles de resistencias en las cuales se basan todos los circuitos electronicos se hace necesario seleccionar los valores mas aproximados a los valores calculados para poder obtener los valores de los parametros mas aproximados posibles
Figure 5. Valores de la polarizacin del transistor

Table V VALORES COMERCIALES VALORES COMERCIALES R1 2K R2 15K 33 RE 1 47 RE 2

Para poder observar la ganacia y la seal de salida del circuito se debe hacer un barrido en el dominio del tiempo, para ello utilizamos la herramienta llamada analisis en TIME DOMAIN que me permite observar de forma graca la seal de salida del transistor con su respectiva ganancia.

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Para poder determinar la ganancia del amplicador se ubico el osciloscopio en modo XY y en modo dual para el esto de parametros.
Table VII ANALISIS EN AC ANALISIS EN DC V. TEORICO V.SIMULACION -11.4 -11 -11 -11.22 6.57 6.92 15 15 30.2mA 30mA

VARIABLE V0 AV = V S AV = m Vcc(max) IC (max)


vce 2

V. EXPERIMETAL 1.1 100mV = 11 -11 6.8 14.5 30.4mA

X. CONCLUSIONES

Como se puede observar en la graca de pspice la seal de salida se desfasa 180 grados con respecto a la seal de entrada y esto era de esperarse ya que en esta conguracin la seal de salida se invierte y esta es una de las desventajas que tiene la conguracion de emisor comun; tambien se puede observar que la seal de salida es amplicada y se obtiene un valor alto de esta seal. IX. RESULTADOS EXPERIMENTALES Hecho el analisis en ORCAD PSPICE se hace el montaje en el laboratorio para determinar los valores con las resistencias calculadas de una forma experimetal, esto nos conrma que los valores en simulacin y en forma experimental son muy semejantes a los calculados y estan en un rango de error del 5%. para determinar los valores en DC se procedio a desconetar lo realcionado con AC, de ah se realizaron las mediciones con un multimetro para determiar los parametros de plarizacin.
Table VI ANALISIS EN DC ANALISIS EN DC V. TEORICO V.SIMULACION 12,4mA 11,9mA 47.7uA 49.6uA 7,7V 6.92V 0.65V 0.649V 250 250

En esta practica se aprendo a determirar los valores de las resistencias por medio de los parametros de diseo establecidos como: los parametros de estabilidad, los de obtener un maximo grado de excucin para el punto de operacion del transistor Se hizo gran enfasis en la utilizacin de la hoja de especicaciones del los fabricantres de los transistore ya que all encontramos los valores nominales o los valores maximos de operacin con los cuales trabaja el transistor. Al momento de determinar los valores de las resistencia por medio del analisis matematico es necesario seleccionar los valores comerciles mas proximos de las resistencias para asi obtener una ganancia y un valor de los parametros mas aproximados de los que nos basamos en las condiciones de diseo. Al iniciar el analisis de los valores de las resistencias se hace necesario asumir un valor de la resistencia de colector para poder de ah determinar las demas resistencias que acompaan el circuito.

VARIABLE ICQ IBQ VCEQ VBEQ Bdc

V. EXPERIMETAL 12,5mA 50uA 6.8V 0.67V 249

Posteriormente se hicieron los analisis en coriente continua AC para ello se utilizo un generador de seales el cual entrego una frecuencia de 10Khz y un voltaje VIN = 100mV , por medio de un osciliscopio se tomaron las medidas de la seal de salida y la ganancia de voltaje.

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