Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
ELECTRÓNICA ANÁLOGA
Editado por:
IVAN CAMILO NIETO SÁNCHEZ
@Copyright
ISBN
2009
Centro Nacional de Medios para el Aprendizaje
PRIMERA UNIDAD
FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES
1. Símbolo de un Diodo
2. Clases de diodos
3. Polarización de un diodo
4. Curvas características del diodo.
5. Diodos de propósitos especial
1. Descripción.
2. Tipos de transistores de unión bipolar.
3. Funcionamiento básico.
4. Polarización de un transistor.
5. Zona de trabajo.
SEGUNDA UNIDAD
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
1. Tipo de FET.
2. Operación y construcción de FET.
3. Características de funcionamiento.
4. Principales aplicaciones.
CAPITULO 5 MOSFET
1. Breve historia.
2. Funcionamiento.
3. Estado de funcionamiento de un transistor MOSFET.
4. Aplicaciones.
5. Ventajas.
CAPITULO 6 Amplificadores
1. Generalidades
2. Amplificadores de señal pequeña
3. Amplificadores en Cascada
TERCERA UNIDAD
AMPLIFICADORES
1. Generalidades
2. Clasificación
1. Generalidades
2. Clasificación
1. Generalidades
2. Comportamiento en continua (CD).
3. Comportamiento en Alterna (CA).
4. Tipos de circuitos.
5. Clasificaciones
6. Estructuras
UNIDAD No 1
FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES
CAPITULO 1
Desde que apareció la primera aplicación en 1915 con el detector de galena, hasta
1939-40, se puede decir que fue un periodo de incertidumbre, luego en 1948,
apareció el transistor de puntas; en 1950 el transistor de Shockley; en 1953 el
diodo de túnel; en 1958 el tecnetrón, y en 1960 los circuitos integrados, etc. .Quizá
ninguna técnica ha hecho tan rápidos progresos como la de los semiconductores,
los cuales son capaces de representar los mismos papeles que los tubos de vacío,
pero con numerosas ventajas.
Electrones en
Elemento Grupo
la última capa
Cd
II B 2 e-
(Cadmio)
Al, Ga, B, In
III A 3 e-
(Aluminio, Galio, Boro, Indio)
Si, Ge
IV A 4 e-
(Silicio, Germanio)
P, As, Sb
VA 5 e-
(Fosforo, Arsénico, Antimonio)
ni = n = p
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente
vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también
conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido
un electrón son conocidos como huecos.
CAPITULO 2
2. DIODOS SEMICONDUCTORES
Símbolos gráficos
Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos
p y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar
que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en
cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos
decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).
Formación de la zona de carga espacial
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.
Al dispositivo así obtenidoo sse le denomina diodo, que en un caso como mo el descrito,
tal que no se encuentra so sometido a una diferencia de potencial exte xterna, se dice
que no está polarizado. All e extremo p, se le denomina ánodo, represen entándose por
la letra A, mientras que la zo
zona n, el cátodo, se representa por la letra
a C (o K).
A (p) C ó K (n)
Repre
presentación simbólica del diodo pn
Cuando se somete al diod odo a una diferencia de tensión externa, se dice que el
diodo está polarizado, pudie
diendo ser la polarización directa o inversa.
a.
2.2.2. Polarización Directa E Inversa.
Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas
condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo
hasta llegar al final
al del cristal p, desde el cual se introduce
uce en el hilo
conductor y llega has
asta la batería.
De este modo, con la bate tería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de e la zona p, aparece a través del diodo unau corriente
eléctrica constante hasta el final.
2.2.3. Polarización
n inversa
Modelos matemáticos
USOS
Protección
Fuentes de ruido de RF
También son usados como fuentes de ruido en los analizadores de antena y como
generadores de ruido blanco.
2.4.2. Fotodiodo
Principio de operación
Un fotodiodo es una unión P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente
energía llega al diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con
carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a
una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por el
campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N
fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente
dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus terminales, en la
zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos.
Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias
comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz).
Este diodo se usa en combinación con circuitos resonantes construidos con guias
de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio e
hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en inglés) y la sintonización es realizada
mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los
cuales los ajustes son eléctricos.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta
200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.
El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que
bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. A veces se los denomina diodos
láser de inyección, o por sus siglas inglesas LD o ILD.
Algunas aplicaciones
conmutador de RF
resistencia variable
protector de sobretensiones
fotodetector
2.4.10. Diodo
oVVaricap
2.4.11. o Zener
Diodo
Un diodo Zener, es un diod iodo de silicio que se ha construido para que
ue funcione en
las zonas de rupturas. Llamlamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el
diodo zener es la parte esen
sencial de los reguladores de tensión casi constantes
con con
independencia de que se p presenten grandes variaciones de la tensiónión de red, de
la resistencia de carga y tem
temperatura.
3. TRANSISTORES BIPOLARES
3.1. Descripción
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día
son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operación.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
El transistor bipolar de he
heterounión (TBH) es una mejora del BJT JT que puede
altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un
manejar señales de muy alt
dispositivo muy común ho hoy en día en circuitos ultrarrápidos, geneneralmente en
sistemas de radiofrecuencia
cia.
3.3. Funcionamiento
nto Básico
Cuando el interruptor SW1 1eestá abierto no circula intensidad por la Bas
ase del
transistor por lo que la lámp
para no se encenderá, ya que, toda la tensiósión se
encuentra entre Colector y E Emisor. (Figura 1).
F.1 F.2
F
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.
Sa
Saturación Corte Activa
A
IC Má
Máxima = ICEO ≈ 0 Variable
Va
IB V
Variable =0 Variable
Va
CAPITULO 4
4. cto de Campo
El transistor de Efect
La tensión de control o
rol se emplea para crear un campo eléctrico
Símbolo de un FET de
e canal N Símbolo de un FET de canal P
Ventajas y desventajas del FET
Las ventajas del FET pueden resumirse como sigue:
1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del
orden de 107). Como esta impedancia de entrada es considerablemente
mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de
entrada de un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen
requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar
un mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede
obtener una densidad de empaque mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para
valores pequeños de tensión de drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el
tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de
almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
Zona de saturación
Zona de corte
4.4. licaciones
Principales aplic
APLICACIÓN PRINCI
NCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o Impedadancia de entrada Uso general, equipo de medida,
separador (buffer) alta y d
de salida baja receptores
Sintonizadores de FM, equipo para
Amplificador de RF Bajo ruido
comunicaciones
Baja distorsión de Receptores de FM y TV, equipos
Mezclador
intermodulación para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar Receptores, generadores de
CAG ganancia señales
Amplificador Baja capacidad de Instrumentos de medición, equipos
cascodo entrada de prueba
Amplificadores de cc, sistemas de
Troceador Ausencia de deriva
control de dirección
Amplificadores operacionales,
Resistor variable
Se controla por voltaje órganos electrónicos, controlas de
por voltaje
tono
Amplificador de Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,
baja frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia patrón,
Oscilador
frecuencia receptores
Integración en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
computadores, memori
CAPITULO 5
5. MOSFET
Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares
presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensión, Es un dispositivo
extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular
o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. Su
velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando, así,
lo que se denomina distorsión por fase.
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius von Edgar Lilienfeld en 1930,
aunque debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca
de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se
pudieron fabricar hasta décadas más tarde. En concreto, para que este tipo de
dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y
el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es
algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo de la tecnología del
silicio.
5.2. Funcionamiento
Estado de corte
Conducción lineal
Saturación
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador
y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es
debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.
Modelos matemáticos
5.4. Aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios.
Véase Tecnología CMOS
5.5. Ventajas
6. AMPLIFICADORES
6.1. Generalidades
Para que un transistor opere como amplificador debe estar polarizado en la región
activa. El problema de polarización es el de establecer una corriente de cd.
Constante en el emisor (o colector). Esta corriente debe ser predecible e
insensible a variaciones en temperatura.
Características:
Para que una señal sea amplificada tiene que ser una señal de corriente alterna.
No tiene sentido amplificar una señal de corriente continua, porque ésta no lleva
ninguna información.
Ve
e = Vb - 0.6 Voltios
La
a ganancia de tensión es:
Av
v = Vout / Vin = Ve / Vb.
La impedancia de entrada
a sse obtiene con la siguiente fórmula: Zin = (β + 1) x
Re
6.2.2. Presentación
ón De Amplificadores Tipo Fet
Ro = Rs / [ 1 + (gm x Rs) ]
Autopolarización
6.3. Amplificadores
sEEn Cascada
Con el objeto de obtener mayor ganancia de la señal, es posible a partir de una
sola etapa amplificadora, se ponen en cascada varias etapas.
A1 A2 An
Entrada salida
AMPLIFICADORES
CAPITULO 7
7. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
7.1. GENERALIDADES
Dentro de las dos gamas de amplificadores vistas, también, podemos hacer una
clasificación atendiendo a su forma de trabajo:
Podemos, según esto, tener: amplificadores de tensión (tanto para B.F. como
para R.F.) y amplificadores de potencia (también, para ambas gamas de
frecuencias). En este tema únicamente vamos a entrar en los amplificadores de
potencia, que son los que nos interesan para iniciar el campo de las R.F., el resto
los damos por estudiados y aprendidos (porque son los montajes de
amplificadores que se estudian en los principios básicos).
son, por así decirlo, una mezcla de los dos anteriores, un amplificador
de potencia funciona en clase AB cuando la tensión de polarización y la
amplitud máxima de la señal de entrada poseen valores tales que
hacen que la corriente de salida circule durante menos de un período y
más de un semiperíodo de la señal de entrada.
En los amplificadores de clase A no hay nunca corriente de reja (base) por lo que
es indiferente decir que el amplificador es de clase A1 o de clase A. Lo contrario
ocurre en los amplificadores de clase C donde siempre va a existir corriente de
reja (base), en este caso es indiferente decir que el amplificador es de clase C2 o
de clase C (a secas). En los amplificadores de clase B y AB, puede que exista o
no la corriente de base (o reja) por lo que sí es importante que nos especifiquen
el tipo de amplificador del que se trata (AB1 diría que no tiene corriente de base y
B2 indicaría que sí hay corriente de base). Este tipo de notación también
podemos encontrarla en los amplificadores transistorizados.
CAPITULO 8
8. EL AMPLIFICADOR DE TENSIÓN
8.1. Generalidades
Estas curvas del transistor son diferentes para cada carga conectada a la salida
del transistor y junto con la recta de carga nos sirven para determinar la
característica de transferencia dinámica del transistor, es decir, la relación entre
la corriente de colector y la corriente de base (en el tipo de montaje que estamos
examinando).
Otra característica, de este tipo de amplificadores, era que la señal de salida sale
invertida con respecto a la señal de entrada (por eso se le denomina, también,
"amplificador inversor de fase"), es decir cuando la señal de entrada se
encuentra en el valor de pico del semiciclo negativo, en la salida nos
encontraremos en el pico del semiciclo positivo.
8.2. Clasificación
8.2.1. Amplificadores clase B
Por norma general, los amplificadores que se van a hacer trabajar en clase B, se
montan con transistores que trabajen en contrafase (push-pull); con el fin de
minimizar los armónicos que se pueden generar en este tipo de montajes, estos
amplificadores adoptan una serie de montajes determinados.
Señal de entrada y salida para amplificadores clase A y clase B
A este salto entre las dos senoides es a lo que se le conoce como distorsión de
cruce del amplificador; el "aplanamiento" al que tiende la señal es debido a que
en la señal de salida se producen armónicos impares de la frecuencia de la
señal.
8.2.3. Amplificador
or en contrafase simétrico complementario
rio
En el esquema anterior hhemos visto un montaje con dos transisto tores NPN, a
veces se recurre a montar
tar dos transistores de tipo complementarioo (uno
( NPN y
otro PNP), en este casoo el esquema lo vemos en el gráfico sigu iguiente. Este
montaje, además, tiene la particularidad de ser un amplificador enn clase B sin
a, recibe el nombre de amplificador en
transformador de salida, n contrafase
ario.
simétrico complementario
8.2.4. Amplificador
or clase B sin transformador de salida
En los equipos receptor tores de R.F., las etapas finales son, lógicamente,
ló
amplificadores de B.F. qu que excitan un altavoz. En estas ocasionenes se suele
recurrir a montajes como oe se montaje no
el que vemos en la imagen de arriba; ese
difiere de los esquemas e estudiados hasta ahora, la única salvedadd es que, en
vez de tener un transform irectamente el
rmador de salida, el amplificador ataca direc
altavoz; con este tipo de mo a un
montaje hacemos que el amplificador rinda u 15% más
que si utilizásemos dicho tr
transformador.
9. AMPLIFICADORES OPERACIONALES
9.1. Generalidades
El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un
ancho de banda también infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de
respuesta nulo y ningún ruido. Como la impedancia de entrada es infinita también
se dice que las corrientes de entrada son cero.
Notación
El símbolo de un MONOLIT
ITICO es el mostrado en la siguiente figura
ura:
9.2. Comportamiento
nto En Continua (DC)
Lazo abierto
Si no existe realimentación
ión la salida del A.O. será la resta de sus dos d entradas
multiplicada por un factor. r. Este factor suele ser del orden de 100.0 0.000 (que se
considerará infinito en cál
cálculos con el componente ideal). Por lo tanto si la
diferencia entre las dos tens
nsiones es de 1V la salida debería ser 100.0 .000V. Debido
a la limitación que supone ne no poder entregar más tensión de la que qu hay en la
alimentación, el A.O. estará
ará saturado si se da este caso. Si la tensión ión más alta es
la aplicada a la patilla + la salida será la que corresponde a la alime mentación V S+,
mientras que si la tensión m más alta es la del pin - la salida será la alime
mentación VS-.
Lazo cerrado
V+ = V-
I+ = I - = 0
En principio la ganancia calculada para continua puede ser aplicada para alterna,
pero a partir de ciertas frecuencias aparecen limitaciones. (Ver sección de
limitaciones)
Análisis
Para analizar un circuito en el que haya A.O. puede usarse cualquier método, pero
uno habitual es:
Configuraciones
itos
9.4. Tipo De Circuito
9.4.1. Seguidor
9.4.2. Inversor
o Definiendo cor
corrientes: uí se despeja
y de aquí
o
rcuitos el análisis es similar.
Para el resto de circu
Zin = Rin
9.4.3. No inversorr
Como observamos, el voltaj ltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero
pe como
conocemos que la ganancia cia del amplificador operacional es muy grand nde, el voltaje
en el pin positivo es iguall al voltaje en el pin negativo, conociendo ell voltaje
vo en el
pin negativo podemos calcu lcular, la relación que existe entre el voltaje de salida con
el voltaje de entrada hacienendo uso de un pequeño divisor de tensión..
Zin = ∞
nversor
9.4.4. Sumador inve
o
La expresión se simp
mplifica bastante si se usan resistencias dell mismo
m valor
Impedancias de entra
trada: Zn = Rn
9.4.5. Restador
Para resistencias ind
independientes R1,R2,R3,R4:
o
Igual que antes esta
ta expresión puede simplificarse con resistencncias iguales
La impedancia difere
rencial entre dos entradas es Z in = R1 + R2
o Vinicial es la ten
tensión de salida en el origen de tiempos
Deriva e invierte la se
señal respecto al tiempo
Este circuito también
ién se usa como filtro
9.5. Aplicaciones
Calculadoras analógi
ógicas
Filtros
Preamplificadores y b
buffers de audio y video
Reguladores
Conversores
Evitar el efecto de carga
Adaptadores de niveles (por ejemplo CMOS y TTL)
9.6. Estructura
Aunque es usual presentar al A.O. como una caja negra con características
ideales es importante entender la forma en que funciona, de esta forma se podrá
entender mejor las limitaciones que presenta.
Los diseños varían entre cada fabricante y cada producto, pero todos los A.O.
tienen básicamente la misma estructura interna, que consiste en tres etapas:
Las etapas en rojo son espejos de corriente. El superior de la izquierda sirve para
poder soportar grandes tensiones en modo común en la entrada. El superior de la
derecha proporciona una corriente a la circuitería de salida para mantener la
tensión. El inferior tiene una baja corriente de colector debido a las resistencias de
5kΩ . Se usa como conexión de gran impedancia a la alimentación negativa para
poder tener una tensión de referencia sin que haya efecto de carga en el circuito
de entrada.
Los pines llamados Offset null son usados para eliminar las tensiones de offset
que pueda haber en el circuito.
El condensador se usa como parte de un filtro paso bajo para reducir la frecuencia
y prevenir que el A.O oscile.
Parámetros
Limitaciones
Saturación
Tensión de offset
Es la diferencia de tensión
n que se obtiene entre los dos pines de entr ntrada cuando
la tensión de salida es nula
ula, este votltaje es cero en un amplificadoror ideal lo cual
no se obtiene en un ampli plificador real. Esta tensión puede ajustarse
rse a cero por
medio del uso de las e entradas de offset (solo en algunos modelos m de
operacionales) en caso de eqquerer precisión. El offset puede variar dep
ependiendo de
la temperatura (T) del opera
eracional como sigue:
Corrientes
Aquí hay dos tipos de co
corrientes que considerar y que los fabrica
icantes suelen
proporcionar:
IOFFSET = | I + − I − |
Característica tensión-frec
recuencia
Como la ganancia en lazo zo abierto es del orden de 100.000 un amp plificador con
esta configuración sólo ten
tendría un ancho de banda de unos pocos os Hercios. Al
realimentar negativamente
te sse baja la ganancia a valores del orden de
e 10 a cambio
de tener un ancho de band nda aceptable. Existen modelos de diferente
ntes A.O. para
trabajar en frecuencias sup
superiores, en estos amplificadores prima mantener
ma las
características a frecuencia
cias más altas que el resto, sacrificando a cambio un
menor valor de ganancia u o otro aspecto técnico. B
Capacidades
Deriva térmica
Debido a que una unión ión semiconductora varía su comportamie iento con la
temperatura, los A.O. tamb mbién cambian sus características, en este caso
c hay que
diferenciar el tipo de transis
sistor en el que está basado, así las corriente
ntes anteriores
variarán de forma diferentete con la temperatura si son bipolares o JFET
ET.