Captulo 10

Materiales semiconductores
10.1 Introduccin
10.2 Diferencias entre semiconductores y
conductores
10.3 Modelo de enlace covalente. Semiconductores
intrnsecos y extrnsecos
10.4 Ley de accin de masas. Ley de neutralidad
elctrica
10.5 Propiedades del germanio y del silicio. tomos
donadores y aceptores para el germanio y el silicio
10.6 Conduccin en semiconductores
10.7 Corrientes de desplazamiento
10.8 Corrientes de difusin
10.9 Corriente total
10.10 Variacin de potencial en un semiconductor
con dopado no uniforme
10.11 Cuestiones y problemas

Objetivos
Describir cualitativamente el comportamiento de los semiconductores.
Justificar mediante el modelo de enlace covalente las caractersticas de los semiconductores intrnsecos y extrnsecos.
Introducir el modelo de bandas de energa.
Definir portadores mayoritarios y minoritarios, impurezas donadoras y aceptoras, y sus concentraciones.
Enunciar las leyes de accin de masas y neutralidad elctrica
y aplicarlas al clculo de concentraciones de portadores.
Saber cuantificar las corrientes de desplazamiento y de difusin en un semiconductor.
Relacionar los conceptos de conductividad, movilidad y concentracin de portadores.
Distinguir entre corrientes de electrones y huecos.

10-1

10.1 Introduccin
Antes de comenzar con la descripcin de los materiales semiconductores, para resaltar su importancia en la tecnologa actual veamos dos aplicaciones sencillas y bien conocidas en electrnica e informtica:
La primera de ellas es el dispositivo denominado rectificador de seales
que transforma una diferencia de potencial variable en otra cuya polaridad sea
siempre la misma. Dicho dispositivo se puede realizar mediante la utilizacin de
cuatro diodos en la configuracin que indica la Figura 10-1 (circuito denominado puente de diodos). Si, por ejemplo, entre A y B se aplica una diferencia de
potencial sinusoidal, a la salida del puente, entre los puntos C y D, obtenemos
una diferencia de potencial variable en la que el intervalo de polaridad negativa
se ha transformado en positiva, manteniendo la forma de la onda sinusoidal. Si
aadimos a la salida un condensador se puede llegar a alisar la diferencia de
potencial a la salida hasta llegar a ser constante. Este dispositivo se utiliza, por
ejemplo, en las fuentes de alimentacin de los ordenadores para transformar la
tensin alterna de la red elctrica en una tensin continua, que es la utilizada
en la electrnica digital.
A
Ve

D2

D1

Vs

Vs
Ve C
0

T t

T/2

R
D3

Vm

D4

T/2

T t

-Vm

Figura 10-1. Rectificacin de la corriente alterna en un puente de diodos. A la izquierda se representa la

tensin de entrada Ve que se aplica en los puntos A y B, y a la derecha la tensin de salida entre los puntos C y D, Vs

Otra aplicacin es la puerta inversora, una puerta lgica cuya tabla de

verdad es la que se muestra en la tabla, y que se puede realizar mediante el
circuito de la Figura 10-2 que contiene un transistor:
5V
R3

INVERSOR

Y
vO

A
A

Y=A

vi

R1

Entrada: A
1
0

R2

0V

Salida: Y
0
1

0V

Figura 10-2. Puerta lgica inversora

En estos dos circuitos aparecen el diodo y transistor, componentes que

actualmente se construyen utilizando materiales semiconductores. El comportamiento de dichos elementos se debe a la naturaleza de estos materiales. Los
ejemplos ms caractersticos de materiales semiconductores son el Ge y Si,
aunque existen muchos otros: GaAs (Arseniuro de Galio), GaP, InAs, InP, InGaAs, InGaAsP, GaAsP, SiC, ZnSe, En este tema describiremos las propiedades fundamentales de los materiales semiconductores, e introduciremos el
10-2

modelo del enlace covalente que nos permitirn entender su comportamiento.

Este estudio se realizar desde un punto de vista puramente cualitativo y descriptivo, puesto que la comprensin completa de las caractersticas y propiedades de los materiales semiconductores implicara el adentrarse en la fsica del
estado slido, lo cual queda lejos de los objetivos del presente libro, y de las
titulaciones a las cuales va dirigido.
10.2 Diferencias entre semiconductores y conductores
Vamos a analizar las diferencias fundamentales entre semiconductores y
conductores, para despus describir los modelos de semiconductor que las
justifiquen.
Conductividad elctrica
Una diferencia cuantitativa fundamental entre conductores, semiconductores y aislantes es la mayor o menor facilidad que presentan al paso de la corriente elctrica, es decir, la conductividad que presentan los materiales.
En la tabla siguiente podemos observar el orden de magnitud de la conductividad para materiales aislantes, semiconductores y conductores.
CONDUCTIVIDAD

(m)-1

< 10-8
10-8
10-8 - 106
106 - 108

Tipo de material

Ejemplo

AISLANTE
SEMICONDUCTOR PURO
SEMICONDUCTOR CON IMPUREZAS
CONDUCTOR

cuarzo, plstico
Silicio, germanio
Si, Ge dopados
plata, cobre

Tabla 10-1. rdenes de magnitud de la conductividad para materiales aislantes, semiconductores y conductores

Los semiconductores tpicos puros, germanio y silicio, tienen conductividades que les situaran prximos a los aislantes. Pero si introducimos pequeas cantidades, del orden de millonsimas partes, de otros elementos, su conductividad puede aumentar y situarse prxima a la de los conductores. A esta
modificacin de los semiconductores puros, se le denomina dopado, y se describir con detalle ms adelante.
Variacin de la conductividad con la temperatura
En las grficas de la Figura 10-3 podemos ver como para el cobre, al
igual que todos los conductores, a temperaturas bajas la conductividad es
grande, y disminuye al aumentar la temperatura, aunque mantenindose en el
mismo orden de magnitud. Sin embargo, en el germanio, como en todos los
semiconductores puros, a temperaturas muy bajas la conductividad es prcticamente nula, y aumenta considerablemente al aumentar la temperatura.

10-3

T (C)
-200

T (C)

200 400 600 800

5 -200

(m)-1 x 106

(m)-1 x 108

1
0,8
0,6

Cu

0,4
0,2
0

200 400 600 800

4
3

Ge

2
1
0

200 400 600 800 1000 1200

T (K)

200 400 600 800 1000 1200

T (K)

Figura 10-3. Comparacin del comportamiento de conductores y semiconductores frente a la temperatura

Conductividad (1m-1)

Para el caso de semiconductores dopados se observa una variacin de

la conductividad con la temperatura diferente al caso de un semiconductor puro. En la grfica de la Figura 10-4 se compara la conductividad del Si puro con
la del Si dopado con dos concentraciones de impurezas diferentes. En el Si con
impurezas se observa como a temperaturas muy bajas (prximas al cero absoluto) se produce un aumento brusco de la conductividad, despus se mantiene
constante, y aparece un nuevo aumento de la conductividad a temperaturas
ms altas anlogo al caso del Si puro.
ND=10 20 m-3

2
ND=510 19 m-3

Si puro

100

200

300

400

500
T (K)

Figura 10-4. Variacin de la conductividad con la temperatura para el

Si puro, y Si dopado con diferentes concentraciones de impurezas

10-4

Fotoconductividad del Ge

Variacin de la conductividad con la iluminacin del material

Cuando se ilumina un semiconductor con una radiacin luminosa de energa
variable se observa que la conductividad
del material vara tal y como muestra la
grfica de la Figura 10-5. En dicha grfica
observamos dos aspectos destacables:
1. Es necesario un valor mnimo de energa de los fotones1 para que la conductividad del material iluminado vare,
observando adems en esa energa de
los fotones un salto brusco en la conFrecuencia radiacin
ductividad.
Energa de los fotones
2. Una variacin en la energa de los fotones proporciona una variacin en la
Figura 10-5. Variacin de la conductividad con
conductividad del material.
la iluminacin
Al realizar la misma experiencia con
un material conductor, no se observa variacin de la conductividad en funcin
de la energa de los fotones.
Efecto Hall
Las propiedades descritas anteriormente tienen la caracterstica comn
de que al iluminar o aumentar la temperatura del material, en realidad estamos
aportando energa al semiconductor. La experiencia que se describe a continuacin es conceptualmente diferente a las anteriores.
El efecto Hall permite distinguir el signo de los portadores de carga en un
material. Mediante dicho efecto se observa que en los materiales conductores
los portadores de carga tienen signo negativo, son los electrones libres, mientras que en los semiconductores los portadores de carga pueden tener signo
negativo o signo positivo.
En un conductor por el que circula una corriente, en presencia de un
campo magntico perpendicular al movimiento de las cargas, aparece una separacin de cargas que da lugar a un campo elctrico en el interior del conductor perpendicular al movimiento de las cargas y al campo magntico aplicado, y
en consecuencia una diferencia de potencial entre los puntos C y A de la Figura
10-6.

El comportamiento de la luz cuando interacciona con la materia se describe considerando la

luz compuesta por paquetes de energa, llamados fotones. Un fotn posee una energa E relacionada con la frecuencia f y la longitud de onda de la onda luminosa, por la ecuacin E = h f
= h c / , siendo h la constante de Planck y c la velocidad de la luz. Cada fotn puede interactuar con una nica partcula a la que suministrar su energa.
10-5

La existencia de esta diferencia

de potencial se pone de mani0
fiesto experimentalmente al co+
locar un voltmetro preciso entre
va
V
H
los puntos A y C: esta diferencia
I
F
de potencial suele ser del orden
de microvoltios. En el caso que
A
B
estamos considerando y conecFigura 10-6. Efecto Hall en un metal o en un semiconductor
tando el positivo del voltmetro
tipo n
al punto C y el negativo al punto
A, el voltmetro nos proporcionara una lectura positiva; es decir, la tensin en
el punto C es mayor que la tensin en el punto A.
Si sustituimos el material conductor por una barra de silicio, dopado con
tomos de fsforo y repetimos la experiencia, se obtiene que, de nuevo, aparece entre el punto C y el A una diferencia de potencial, que al igual que en el
caso de la barra conductora corresponde a un valor de la tensin en C superior
a la tensin en A; la lectura del voltmetro es de nuevo positiva, aunque ahora
es del orden de milivoltios. Este resultado nos confirmara que en el semiconductor dopado con fsforo los portadores de carga siguen siendo los electrones
libres.
Si en lugar de dopar el silicio con tomos de fsforo (material pentavalente, cinco electrones en la ltima capa), lo dopamos con tomos de galio, por
ejemplo, (material trivalente) los resultados experimentales cambian. El voltmetro conectado entre los puntos C y A nos indica que sigue existiendo una
diferencia de potencial del orden de milivoltios entre esos dos puntos, pero ahora esta diferencia de potencial es negativa, y la tensin en el punto C es inferior
a la tensin en el punto A. Recordemos que no hemos modificado ni el sentido
de la corriente, ni el del campo magntico. Cmo podemos explicar esta diferencia?
La nica explicacin poC
sible es que, al dopar con galio,
0
los portadores de carga respon+
sables de la corriente elctrica

va
-V
H
sean cargas positivas. As, en la
I
F
parte superior del material aparece un exceso de carga negatiA
B
va y en la parte inferior una disFigura 10-7. Efecto Hall en un semiconductor tipo p
tribucin de cargas positivas.
Estas distribuciones de carga
proporcionan la diferencia de potencial negativa que est mostrada en la Figura
10-7. En el caso de los conductores su modelo de conduccin planteaba la
existencia de electrones libres, que producan la corriente elctrica, e iones positivos inmviles formados por los ncleos de los tomos y los electrones de
orbitales interiores. Ms adelante definiremos el carcter que tienen estas cargas positivas mviles.

10-6

10.3 Modelo de enlace covalente. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos

E (eV)

Introduccin. Configuracin electrnica de los materiales semiconductores

Muchas de las propiedades macroscpicas de los materiales vienen dadas por la estructura electrnica de los mismos, y ms concretamente por la
configuracin electrnica de la ltima capa, denominada capa de valencia. De
esta forma, para entender el comportamiento de los materiales semiconductores es necesario conocer su configuracin electrnica. En esta seccin vamos
a describir cualitativamente la configuracin electrnica de los materiales semiconductores.
Los tomos estn formados por un ncleo central constituido por protones y neutrones, y electrones alrededor de l formando determinadas rbitas.
Estos electrones tienen una energa determinada por la suma de la energa
cintica debida a su movimiento y la energa potencial debido al potencial electrosttico creado por el ncleo. Utilizando las leyes de la mecnica cuntica, se
obtiene que el electrn no puede tener un valor cualquiera de energa, sino que
presenta unos valores discretos determinados formando una serie de niveles
de energa. Los valores de energa que los electrones pueden tener en un
tomo se conocen como estados o niveles permitidos, pudiendo situarse diferente nmero de electrones en cada nivel permitido. Estos estados o niveles
permitidos se agrupan en lo que se denominan capas, cada una de las cuales
tiene diferente nmero de niveles.
Por ejemplo, el tomo ms sencillo que existe es el de hidrgeno, constituido por un protn y un electrn. En ausencia de campos magnticos externos,
la principal interaccin presente es la interaccin elctrica entre el protn del
ncleo y el electrn.
En la Figura 10-8 se representa mediante una lnea
0
horizontal la energa de los 10
-2
primeros niveles energticos
-4
para el tomo de hidrgeno.
-6
Observa que los niveles ms
-8
-10
energticos estn muy cerca-12
nos entre s, de modo que en
-14
la grfica prcticamente se solapan entre ellos.
El electrn en el tomo Figura 10-8. Energa de los 10 primeros niveles energticos
de hidrgeno se situar en el del tomo de hidrgeno, con un electrn en su estado fundamental
nivel menos energtico, es decir, en la capa n=1: se dice entonces que el tomo est es su estado fundamental. La energa que posee el
electrn en el tomo se denomina energa de ligadura: en el tomo de hidrgeno, en su estado fundamental, esta energa es de 13,6 eV.
El electrn-voltio (eV) es una unidad para medir energa, muy utilizada
en fsica atmica y nuclear. Se define como la energa que adquiere un electrn
cuando se acelera mediante una diferencia de potencial de 1 V.
1 eV = 1,6 10-19 J

10-7

E (eV)

Si por algn motivo se

aporta energa al tomo, el
0
Fotn
electrn podr pasar a otro ni-2
E-12,09 eV
-4
vel ms energtico, estando
-6
entonces el tomo en lo que se
Fotn
-8
denomina un estado excitado.
12,09 eV
Fotn
-10
Al cabo de un periodo de tiemE
-12
po, normalmente muy corto, el
-14
electrn retornar al nivel menos energtico, volviendo el
tomo a su nivel fundamental, y Figura 10-9. Excitacindesexcitacin de un electrn en el
tomo de hidrgeno
emitiendo una cantidad de
energa igual a la diferencia de
energa entre los dos niveles. En la Figura 10-9 se muestra un ejemplo en el
que al incidir un fotn con energa E, el electrn pasa a la tercera capa (n = 3,
con energa de 1,51 eV), perdiendo entonces el fotn una energa igual a la
diferencia de energa de los dos niveles, es decir 12,09 eV. Posteriormente el
electrn vuelve a su estado fundamental, emitiendo un fotn con una energa
de 12,09 eV. Observa que en todos estos procesos se cumple el principio de
conservacin de la energa.
Si la energa que se aporta al tomo es mayor que la energa de ligadura
del electrn, ste podr liberarse del tomo, y entonces se dice que el tomo
est ionizado. Por este motivo, a la energa de ligadura se le denomina tambin
energa de ionizacin.
De esta forma, los electrones de un tomo se sitan en los niveles energticos permitidos, ocupando los niveles menos energticos, y quedando libres
los de ms energa, llenando as las capas inferiores del tomo. La ltima capa
que contiene electrones se denomina capa de valencia. Por ejemplo, en la Figura 10-10 se representa la estructura electrnica del silicio y el germanio. Se
puede apreciar como los electrones llenan los niveles permitidos inferiores
(menos energticos), quedando el resto libre. La capa de valencia en el silicio
es la n=3, y en el germanio la n=4.
5f

6d
6p

4f

5d
5p

4d

7p

5f

7s

6d
6p

4f

6s

5d
5p

4d

5s

3p
3s
2p
2s

6s

5s

4p

3d

7p
7s

4p

3d

4s

3p
3s

Configuracin electrnica del

tomo del Si

2p
2s

1s

4s

Configuracin electrnica del

tomo del Ge

1s

Figura 10-10. Configuracin electrnica del Si y el Ge. Las lneas horizontales representan los niveles
energticos permitidos. Las flechas representan los electrones situados en los diferentes niveles energticos. En cada nivel aparecen dos electrones

La situacin ms estable es aquella en la cual el tomo tiene un nmero

de electrones tal que sus capas inferiores estn completamente llenas, quedando las capas superiores completamente vacas. Este es el caso de los gases nobles que presentan una reactividad qumica prcticamente nula. La tendencia del resto de materiales es de combinarse entre s para alcanzar esta
situacin, para lo cual ganan o pierden electrones de su capa de valencia. Por
ejemplo, la sal comn (cloruro sdico, NaCl) est constituida por el enlace de
10-8

tomos de Cl a los que le falta un electrn para completar su capa de valencia,

y tomos de Na que tienen sus capas inferiores completamente llenas, y un
nico electrn en la capa de valencia: el Na cede este electrn al Cl, de forma
que entonces ambos tomos quedan con sus capas inferiores completamente
llenas, dando lugar a un compuesto que es ms estable que los tomos individuales que lo constituyen.
En el caso de los semiconductores puros, stos presentan una configuracin electrnica comn
5
6
7
en su capa de valencia: les falta cuatro electrones
B
C
N
para completarla. Por ejemplo, en la Figura 10-10 se
muestra la configuracin electrnica del Si y el Ge: el
13 14 15
silicio tiene 14 electrones en total, y el germanio 32
(ver Tabla 10-2) de modo que estos tomos necesiAl Si
P
tan cuatro electrones para completar su capa de va31 32 33
lencia (la 3s 3p para el Si y la 4s 4p para el Ge). Entonces, para conseguir llenar la capa de valencia, en
Ga Ge As
estos materiales cada tomo se combina con cuatro
tomos vecinos, compartiendo con cada uno de ellos
49 50 51
dos electrones, uno del propio tomo y otro del tomo
In Sn Sb
vecino, de forma que todos ellos consiguen llenar la
capa de valencia.
Tabla 10-2. Detalle de la zona
de la tabla peridica donde se

encuentra el Si y el Ge
Conduccin intrnseca
Vamos a explicar el comportamiento de los semiconductores
denominados intrnsecos (germanio
y silicio puros) a partir de un modelo
cualitativo: el modelo de enlace covalente.
Para comprender el comportamiento elctrico de estos materiales, es importante tener en cuenta su
estructura cristalina comentada anteriormente: cada tomo est rodeado
de cuatro tomos vecinos, y con cacristalina de un material semida uno de ellos comparte dos elec- Figura 10-11. Estructura
conductor
trones, uno del propio tomo y otro
del tomo vecino, dando lugar a una distribucin espacial como la que se
muestra en la Figura 10-11. Cada tomo de silicio sera el centro de un tetraedro en cuyos vrtices estn los cuatro tomos de silicio con los que forma enlaces covalentes.
Esta distribucin espacial puede simplificarse mediante la representacin
en dos dimensiones mostrada en la Figura 10-12, donde las esferas grandes
representan los ncleos junto con las capas completas de electrones, y las esferas pequeas representan los electrones compartidos.

10-9

Esta estructura corresponde a un cristal

puro, y a temperaturas muy bajas, cercanas al
+4
+4
+4
cero absoluto donde todos los electrones de valencia se encuentran ligados a sus tomos.
Si la temperatura aumenta, estos electrones ligados pueden llegar a poseer suficiente
+4
+4
+4
energa como para romper el enlace y convertirse en electrones libres dentro del slido, es decir, electrones de conduccin, responsables de
la conductividad elctrica. La energa necesaria
+4
+4
+4
para romper un enlace se llama energa de ionizacin y es de 0,7 eV para el germanio, y 1,1 eV
para el silicio.
Figura 10-12. Enlaces covalentes a 0
K
Con este modelo puede explicarse el porqu del aumento de la conductividad con el au+4
+4
+4
mento de la temperatura o al iluminar el semielectrn
Energa
conductor. Al proporcionar energa al semiconductor estamos permitiendo a un mayor nmero
de electrones ligados que se conviertan en elec+4
+4
+4
trones libres, contribuyendo a los procesos de
conduccin. Adems, la energa que se proporhueco
cione a los electrones debe ser superior a la
energa de ionizacin, por lo cual se entiende
+4
+4
+4
porque en ambos casos existe un umbral de
energa por debajo del cual la conductividad no
sufre variacin (para temperaturas bajas, Figura Figura 10-13. Generacin de pares
10-3 y Figura 10-4, y energas de fotn peque- electrnhueco, mediante el aporte de
una determinada cantidad de energa
as, Figura 10-5)
(energa trmica, fotn, )
Por otro lado, cuando un electrn abandona un enlace se produce en l una vacante denominada hueco. Dicho hueco
se comporta, a todos los efectos, como si de una partcula con carga positiva
se tratase, ya que si aplicamos un campo elctrico, los electrones tienden a
moverse en sentido contrario al campo, y aunque no sean electrones libres s
pueden saltar de un enlace a otro prximo, necesitando para ello una cantidad
de energa mucho menor que la necesaria para romper el enlace y crear el par
electrnhueco. La consecuencia de estos movimientos es que el hueco se ha trasladado,
movindose en la direccin y sentido del cam+4
+4
+4
po. La existencia del hueco como si de una parEnerga
tcula real se tratara llega incluso hasta el punto
electrn
de asignarle una masa, que se denomina masa
efectiva del hueco que es del mismo rango que
+4
+4
+4
la masa del electrn.
Al proceso de ruptura del enlace covalenhueco
te se le llama generacin de pares electrn
hueco. Por otro lado, una vez se han generado
+4
+4
+4
pares electrnhueco, es tambin posible el
proceso inverso en el cual un electrn libre
ocupa un hueco, pasando a ser ligado, liberan- Figura 10-14. Regeneracin de pares
electrnhueco, liberando una deterdo una determinada cantidad de energa. Este
minada cantidad de energa
10-10

proceso se le denomina recombinacin de pares electrnhueco. Cuando el

semiconductor est en equilibrio la generacin y la recombinacin crean y hacen desaparecer el mismo nmero de pares electrnhueco en el mismo tiempo, y por lo tanto las concentraciones de ambos portadores de carga se mantienen constantes y son idnticas. A temperatura ambiente las concentraciones
de equilibrio son del orden de 1019 - 1020 pares electrnhueco/m3.
A la conductividad descrita, que recordemos es debida a la generacin
de pares electrnhueco, se le denomina intrnseca.

Dopado de un material semiconductor

Una red slida de semiconductor puro, por ejemplo de silicio, consta de
tomos iguales tetravalentes (cuatro electrones en su capa de valencia). Si en
esta red slida introducimos de forma controlada tomos de similar tamao pero con cinco o tres electrones en su capa de valencia, es decir, tomos pentavalentes o trivalentes, estaremos introduciendo impurezas que van a producir
una variacin de los portadores de carga en el material, sin perder la neutralidad elctrica del mismo. A este proceso se le denomina dopado, y la cantidad
de tomos dopantes que se introducen en el semiconductor puro suele ser del
orden de millonsimas partes. De esta manera, dependiendo del dopado podemos controlar la conductividad y cual ser el portador mayoritario de carga
del semiconductor.
Conduccin extrnseca: semiconductor tipo n
En este caso sustituimos en la red cristalina del elemento semiconductor alguno de sus
+4
+4
+4
tomos por otros de un material que, siendo
tomo
electrn
aproximadamente del mismo tamao (radio
donador
atmico parecido), tenga cinco electrones en la
ltima capa, a los que se llama tomos donado+4
+4
+5
res. En esta situacin se encuentra el fsforo,
arsnico y el antimonio en una red de silicio,
elementos situados en la columna derecha del
Si en la tabla peridica (ver Tabla 10-5).
+4
+4
+4
El electrn que no forma parte del enlace
covalente, incluso a temperaturas bajas se encuentra muy dbilmente atrado, y con energas Figura 10-15. Impureza donadora en
una red de silicio
del orden de 0,05 eV se convierte en un electrn
de conduccin, por lo que tenemos un material cuyos portadores mayoritarios
de carga son partculas negativas (los electrones). Estos electrones no crean
huecos puesto que no forman parte del enlace covalente entre los tomos.
Como se ve, hace falta muy poca energa para liberar estos electrones, lo cual
justifica que en los semiconductores dopados, a temperaturas muy bajas se
observe un aumento brusco de la conductividad, mantenindose despus prcticamente constante, hasta una temperatura en la cual los procesos de generacin de pares electrnhueco se hacen significativos producindose otro aumento de la conductividad (Figura 10-4).
Por otra parte, la prdida de este electrn por parte del tomo donador
origina que este tomo adquiera una carga positiva, pues el ncleo no se ha
modificado, y el tomo posee un electrn menos. Se crea, por lo tanto, un in
cargado positivamente inmvil, es decir, no contribuye a la conduccin.
10-11

El fenmeno de generacin de pares electrnhueco se sigue produciendo, por lo que tambin aparecen huecos en el material, que son los portadores minoritarios.
Los semiconductores con impurezas donadores se denominan extrnsecos tipo n (n de negativo), ya que en ellos la concentracin de electrones es
mucho mayor que la de huecos. Para hacernos una idea del orden de magnitud
de las concentraciones de electrones y huecos, en el Ejemplo 10-1 se muestra
un caso en el que la concentracin de electrones, n, es del orden de 1022 electrones/m3 y la de huecos, p, del orden de 1016 huecos/m3.

Conduccin extrnseca: semiconductor tipo p

Una situacin diferente a la anterior se
obtiene sustituyendo tomos del material semi+4
+4
+4
conductor por tomos con un electrn menos en
tomo
la ltima capa. En esta situacin se encuentra el
aceptor
boro, aluminio, galio y el indio en una red de silicio, elementos situados a la izquierda del Si en
+4
+4
+3
la tabla peridica (ver Tabla 10-5). A los elementos con tres electrones en la capa de valencia se
hueco
les denomina aceptores. Los semiconductores
con impurezas aceptoras se denominan extrn+4
+4
+4
secos tipo p. En estos casos, la concentracin
de huecos es mucho mayor que la de electrones. En el Ejemplo 10-1 aparece una situacin Figura 10-16. Impureza aceptora en
una red de silicio
donde, con un dopado de un tomo de antimonio por cada 1,1106 tomos de germanio, la concentracin de huecos se hace
mucho mayor que la de electrones: p 1022 y n 1016.
En este caso un electrn de un enlace prximo puede ocupar este hueco
con muy poca energa, del orden de 0,05 0,16 eV en el Si, crendose un
tomo de impureza ionizada inmvil
hueco que puede moverse por la red (el movimiento del hueco, igual que en los semiconductores intrnsecos, ser consecuencia del
+4
+4
+4
movimiento de los electrones de enlaces prximos que van ocupando sucesivamente huecos). Igual que en los semiconductores n, hace falta muy poca energa para que aparezca
+4
+4
+3
este hueco, lo cual justifica el aumento brusco
de la concentracin de huecos y, por lo tanto,
de la conductividad de los semiconductores
con impurezas aceptoras desde bajas tempe+4
+4
+4
raturas (Figura 10-4).
Existe por tanto, un hueco por cada
tomo de impurezas que puede moverse por
Movimiento del hueco
el cristal. Estos huecos son los portadores
mayoritarios, y actan como partculas con Figura 10-17. Los huecos se mueven por
carga positiva. Tambin aparecern electrones la cada sucesiva de electrones en ellos
procedentes de la ruptura de enlaces covalentes, que sern los portadores minoritarios.
La ganancia de un electrn por parte del tomo de impureza trivalente
origina que este tomo adquiera una carga negativa, pues el ncleo no se ha

10-12

modificado, y el tomo posee un electrn ms. Se crea, por lo tanto, un in negativo inmvil, es decir, que no contribuye a la conduccin.
Los semiconductores con impurezas aceptoras se denominan extrnsecos tipo
p (p de positivo), ya que en ellos la concentracin de huecos es mucho mayor
que la de electrones. Los rdenes de magnitud de las concentraciones de electrones y huecos son semejantes a los de los semiconductores tipo n, pero para
los portadores de carga contrarios.

tipo p

tipo n

Iones de semiconductor(INMVIL)

Iones de semiconductor(INMVIL)

Iones de impureza aceptora (INMVIL)

Iones de impureza dadora (INMVIL)

Hueco aportado por impureza (MVIL)

Electrn liberado por dador (MVIL)

Electrn trmico (MVIL)

Electrn trmico (MVIL)

Hueco trmico (MVIL)

Hueco trmico (MVIL)

Tabla 10-3. Esquema con todas las partculas presentes en los semiconductores

10.4 Ley de accin de masas. Ley de neutralidad elctrica

Como se observa de los apartados anteriores, un parmetro muy importante para estudiar las propiedades de los materiales semiconductores es la
concentracin de electrones y huecos. No vamos a extendernos en la obtencin de las expresiones que nos permiten calcular estas concentraciones, pudindose obtener en algunos de los libros citados en la bibliografa (J. Llinares
y A. Page o S.M. Sze, por ejemplo).
Ley de accin de masas

n p = ni2

Ecuacin 10-1

donde ni es una funcin de la temperatura, que se denomina concentracin

intrnseca,

10-13

Concentracin intrnseca (x10 18 m-3)

50
40
Ge
30
20
10
0
250

Si
275

300

325

350

375

400
T (K)

Figura 10-18. Concentracin intrnseca del germanio y el silicio a distintas temperaturas

De esta forma vemos que para un valor fijo de la temperatura el producto

de las concentraciones de electrones y huecos es siempre constante e independiente de que sea intrnseco, extrnseco tipo n o tipo p. A la relacin anterior, dada por la Ecuacin 10-1, se le llama ley de accin de masas.
Si el semiconductor es intrnseco tenemos que n = p, por lo que n = p =
ni, de donde se deduce que la concentracin intrnseca representa la concentracin de portadores en un semiconductor intrnseco en equilibrio.
Si el semiconductor es extrnseco, para determinar la concentracin de
portadores necesitamos tambin una relacin entre estas concentraciones y la
concentracin de impurezas donadoras y aceptoras. Esta relacin se denominada ley de neutralidad elctrica, y se basa en el hecho de que, aunque aadamos impurezas en un semiconductor, ste sigue siendo elctricamente neutro. As, las concentraciones de cargas positivas y negativas son iguales:
(cargas positivas) = (cargas negativas)
El nmero de cargas positivas presentes en el semiconductor viene dado
por la suma del nmero total de huecos y el nmero de tomos donadores (cada tomo donador cede un electrn, por lo que se posee una carga positiva). El
nmero de cargas negativas es igual a la suma de los electrones libres y la
cantidad de impurezas aceptoras (cada impureza aceptora tiene un electrn en
exceso, por lo que posee una carga negativa). Dividiendo por el volumen, esta
relacin entre cargas se convierte en una relacin entre concentraciones:

ND + p = NA + n

Ecuacin 10-2

En esta expresin, ND y NA representan respectivamente la concentracin de impurezas donadoras y aceptoras.

10.5 Propiedades del germanio y del silicio. tomos donadores y aceptores para el germanio y el silicio
En las tablas siguientes, podemos observar las propiedades ms importantes de los semiconductores intrnsecos ms caractersticos, Ge y Si (Tabla

10-14

10-4), los tomos donadores y aceptores para el Ge y el Si (Tabla 10-5 y Tabla

10-6), y su energa de ionizacin.
Propiedades del germanio y del silicio
Ge

Si

Nmero atmico

32

14

Masa atmica (g/mol)

72,6

28,08

Radio atmico (nm)

0,137

0,132

Estructura electrnica

[Ar]4s23d104p2

[Ne]3s23p2

Densidad (kg/m3)

5323

2330

Temperatura de fusin

937,4 C

1410 C

Calor especfico (J/kg C)

309

677

Concentracin atmica (at/m3)

4,421028

4,961028

Concentracin intrnseca a 300 K

2,361019 m-3

1,51016 m-3

Constante A (m-3 K-3/2)

1,911021

4,921021

Anchura banda prohibida a 300 K

0,67 eV

1,12 eV

Movilidad electrones a 300 K

0,39 m2/Vs

0,135 m2/Vs

Movilidad huecos a 300 K

0,182 m2/Vs

0,05 m2/Vs

Resistividad intrnseca a 300 K

0,47 m

2300 m

Difusividad electrones

10,110-3 m2/s

3,510-3 m2/s

Difusividad huecos

4,910-3 m2/s

1,310-3 m2/s

Permitividad elctrica

15,7

12

Masa efectiva electrones

0,5 m0

1,1 m0

Masa efectiva huecos

0,37 m0

0,59 m0

Tabla 10-4. Propiedades del germanio y del silicio

1,008

4,003

He
5

10

9,012

10,811

12,011

14,007

15,999

18,998

20,183

11

12

13

14

15

16

17

18

Na

Mg

22,990

24,305

26,982

28,086

30,974

32,064

35,453

39,948

19

20

30

31

32

33

34

35

36

Ca

39,10

40,08

65,37

69,72

72,59

74,92

78,96

79,91

83,80

Li

Be

6,941

Al

Zn

Ga

Si
Ge

10-15

N
P
As

O
S
Se

F
Cl
Br

Ne
Ar
Kr

37

38

Rb

Sr

85,47

87,62

55

56

Cs

Ba

132,91

137,33

48

49

50

51

52

53

54

112,40

114,82

118,89

121,75

127,60

126,90

131,30

80

81

82

83

84

85

86

200,59

204,37

207,19

208,98

(210)

(210)

(222)

Cd
Hg

In

Sn

Tl

Pb

Sb
Bi

Te
Po

At

Xe
Rn

Tabla 10-5. tomos donadores y aceptores para el Si. Donadores: P, As y Sb (negro

sobre blanco en la tabla). Aceptores: B, Al, Ga e In (blanco sobre negro en la tabla)

1,008

4,003

He

Li

Be

6,941

9,012

11

12

Na

Mg

22,990

24,305

19

20

Ca

39,10

40,08

37

38

Rb

Sr

85,47

87,62

55

56

Cs

Ba

132,91

137,33

10

10,811

12,011

14,007

15,999

18,998

20,183

13

14

15

16

17

18

26,982

28,086

30,974

32,064

35,453

39,948

30

31

32

33

34

35

36

65,37

69,72

72,59

74,92

78,96

79,91

83,80

48

49

50

51

52

53

54

112,40

114,82

118,89

121,75

127,60

126,90

131,30

80

81

82

83

84

85

86

200,59

204,37

207,19

208,98

(210)

(210)

(222)

Al

Zn
Cd
Hg

Si

Ga

Ge

In

Sn

Tl

Pb

N
P
As
Sb
Bi

O
S
Se
Te
Po

F
Cl
Br
I

At

Ne
Ar
Kr
Xe
Rn

Tabla 10-6. tomos donadores y aceptores para el Ge. Donadores: Li, P, As, Sb y Bi
(negro sobre blanco en la tabla). Aceptores: B, Al, Ga, In y Tl (blanco sobre negro en
la tabla)

10-16

Ejemplo 10-1
Halla la concentracin de electrones y huecos en el germanio en las circunstancias siguientes:
a) Germanio puro a 300 K (ni (300 K) = 2,361019 m-3)
b) A 300 K dopado con antimonio en una concentracin de 41022 m-3
c) A 300 K dopado con indio en una concentracin de 31022 m-3
d) Germanio puro a 500 K (ni (500 K) = 2,11022 m-3)
e) A 500 K dopado con antimonio en una concentracin de 31022 m-3.
f) A 500 K dopado con indio en una concentracin de 41022 m-3

Solucin
a) La ley de accin de masas indica que el producto entre las concentraciones de electrones y de huecos es igual a la concentracin intrnseca al cuadrado, es decir,
np = ni2
donde la concentracin intrnseca a 300 K para el germanio es igual a
2,361019 m-3.
Para el caso de un semiconductor puro, las concentraciones de electrones y
huecos son iguales, de modo que,

n = p = ni = 2,361019 e-h/m3
b) Debido a que la concentracin de impurezas es mucho ms grande que
la concentracin intrnseca, y puesto que el antimonio es un tomo donador
para el germanio, la concentracin de electrones es aproximadamente igual
a la concentracin de impurezas:
n 41022 electrones/m3
y aplicando la ley de accin de masas la concentracin de huecos ser,
ni2
1,39 1016 huecos/m3
p=
n
c) En este caso, puesto que el indio es una impureza aceptora para el germanio, tenemos:
p 31022 huecos/m3

ni2
1,86 1016 electrones/m3
p
d) Al igual que en el apartado a), para el caso de un semiconductor puro, las
concentraciones de electrones y huecos son iguales a la concentracin intrnseca a la temperatura indicada, de modo que,
n=

n = p = ni = 2,11022 e-h/m3
e) En este caso, la aproximacin utilizada en los apartados b) y c) no puede
10-17

ser usada debido a que la concentracin de impurezas no es mucho ms

grande que la concentracin intrnseca. Por ello, junto a la ley de accin de
masas habr que utilizar tambin la ley de neutralidad elctrica:
ND + p = NA + n
donde ND y NA son respectivamente las concentraciones de impurezas donadoras y aceptoras. En este caso, puesto que el antimonio es una impureza donadora tendremos que NA = 0, y ND = 31022 m-3.
De este modo tenemos un sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas,
p n = n i2

n = N D + p

cuya solucin es,

n = 4,081022 electrones/m3
p = 1,081022 huecos/m3
f) En esta situacin, puesto que el indio es una impureza aceptora tendremos que ND = 0, y NA = 41022 m-3. De este modo tenemos un sistema de
dos ecuaciones con dos incgnitas,
p n = n i2

p = N A + n

cuya solucin es,

p = 4,901022 huecos/m3
n = 2,101022 electrones/m3

10.6 Conduccin en semiconductores

Como ya se estudi anteriormente, las corrientes que se producen en los
semiconductores pueden ser debidas tanto a la existencia de electrones libres
en el semiconductor como a huecos.
Adems, existen dos mecanismos diferentes responsables de las corrientes elctricas en los semiconductores.
En primer lugar, existe el mecanismo ya conocido por el cual al aplicar
un campo elctrico al semiconductor, los electrones libres o los huecos son
desplazados por el campo elctrico (los huecos en el sentido del campo elctrico, y los electrones en sentido contrario). Este mecanismo se denomina conduccin por desplazamiento.
En segundo lugar, otro mecanismo ocurre cuando
la concentracin de portadores de carga en el semiconductor no es uniforme; en este caso se produce un desplazamiento de portadores de carga desde las zonas de
mayor concentracin hacia las zonas de menor concentracin, con la aparicin de unas corrientes denominadas
corrientes de difusin (Figura 10-19). Ms adelante veremos diferentes mecanismos mediante los cuales se Figura 10-19. Difusin

10-18

puede conseguir una concentracin de carga no uniforme en el semiconductor:

dopado no uniforme, inyeccin de portadores, ...
Este proceso de difusin es similar al que se produce en un vaso de
agua en el que agreguemos una gotas de caf o cualquier lquido (por ejemplo
coloreado para poder observar fcilmente el proceso): como la concentracin
de las distintas molculas es diferente, los movimientos aleatorios de las partculas tienden a igualar las concentraciones. Evidentemente, el proceso no tiene
ninguna finalidad en el sentido de que las partculas no tienen un objetivo a
donde dirigirse; se trata de un proceso catico que da lugar a que predomine el
movimiento desde las zonas de mayor concentracin, hacia las de menor. Una
explicacin sencilla se puede fundamentar en consideraciones estadsticas que
tengan en cuenta el mayor nmero de espacios libres en las zonas de menor
concentracin y el mayor nmero de interacciones o choques entre partculas
en las zonas de mayor concentracin.
En la Figura 10-20, se aclara esta idea. Podemos ver dos procesos de
difusin que en principio parecen tener la misma lgica. Sin embargo, un anlisis ms detallado, nos aclara que as como el movimiento de las molculas
obedece nicamente al azar, el segundo proceso es un proceso inteligente:
las ovejas s poseen una finalidad cuando se difunden. De esta forma, el primer
proceso produce una distribucin final homognea de los dos lquidos, mientras
que el segundo proceso produce un movimiento de las ovejas de un recinto a
otro.

Figura 10-20. Difusin de un lquido (crculos rellenos) en otro (crculos vacos)

Figura 10-21. Difusin de ovejas en un redil

10.7 Corrientes de desplazamiento

Las corrientes de desplazamiento son debidas a la existencia de un
campo elctrico en el interior de un semiconductor. Este campo elctrico acta
tanto sobre electrones como sobre los huecos. Este mecanismo ya fue estudiado en el tema de corriente elctrica, aunque centrado entonces en la co10-19

rriente en los conductores. En l ya se estudi el concepto de velocidad de

arrastre y su relacin con el campo elctrico. En el caso de los semiconductores, al existir dos tipos de portadores, tendremos dos velocidades de arrastre
diferentes para huecos y para electrones, y por tanto movilidades distintas para
electrones
n, y para huecos p. De este modo, al aplicar un campo elctrico
v
E , las velocidades de electrones y huecos sern:

r
v
v n = n E

r
v
v p = pE

puede observarse que los electrones se mueven en sentido contrario al campo

aplicado al tener carga negativa. En todo momento el subndice n hace referencia a los electrones, y p a los huecos.
De este modo, las densidades de corriente de desplazamiento producidas por ambos portadores sern:

r
r
r
r
Jn des = nqv n = n( qe )( n E ) = nqe n E
r
r
r
J p des = pqv p = pqe pE
siendo n y p la concentracin de electrones y huecos respectivamente, y qe la
carga del electrn en valor absoluto. A pesar
de moverse
electrones y huecos
r
r
en sentido contrario, sin embargo, tanto Jn des como J p des tienen el mismo sentido (el mismo que el campo aplicado). La densidad de corriente de desplazamiento total ser la suma de ambas:

r
r
r
r
Jdes = J p des + Jn des = qe(nn + pp) E
r
Eext

r
r
vn = -nE

r
Jn des

r
r
vp = pE

r
Jp des

Figura 10-22. Corrientes de desplazamiento en un semiconductor

Si admitimos un comportamiento hmico del semiconductor, podemos

aplicar la ley de Ohm microscpica, y as obtener la conductividad del semiconductor en funcin de las concentraciones de portadores:

r
r
Jdes = E

= qe(nn + pp)

Si se trata de un semiconductor intrnseco, n = p = ni, por lo tanto:

10-20

 = qe ni (n + p)

Ecuacin 10-3

En el caso de semiconductores extrnsecos, dado que la concentracin

de portadores mayoritarios es mucho mayor que la de portadores minoritarios,
se podr despreciar la participacin de los portadores minoritarios en la conductividad, y por lo tanto la conductividad en cada tipo de semiconductor ser
la sealada en la Figura 10-23:

n >> p
qenn

p >> n
qepp

Figura 10-23. Conductividades en los semiconductores extrnsecos tipo n en la figura

de la izquierda, y tipo p en la de la derecha

En la Tabla 10-7 se muestra los valores de movilidades, conductividades

y concentraciones intrnsecas de dos semiconductores a 27 C (germanio y
silicio) comparadas con las de dos conductores (hierro y cobre). Hay que resaltar el hecho de las bajas movilidades de los electrones en los conductores, lo
que se interpreta porque las velocidades de arrastre en ellos es menor, pues no
olvidemos que la concentracin de portadores es mayor. Tambin hay que observar las diferencias entre las conductividades entre conductores y semiconductores.
n(m2/Vs)
p(m2/Vs)
i(-1m-1)
ni(e-/m3)

Ge
0,390
0,182
2,2
1019

Si
0,135
0,05
4,310-4
1015

Fe
8,510-4

Cu
4,5410-4

11,7106
1028

62,5106
1029

Tabla 10-7. Movilidades, conductividades y concentraciones intrnsecas de semiconductores y conductores a 27 C

Influencia de la temperatura en la conductividad

Al aumentar la temperatura de un semiconductor, la concentracin intrnseca aumenta, por lo que tendremos una mayor concentracin de pares
electrnhueco. De este modo, es de esperar un aumento en la conductividad.
El efecto est representado en el siguiente grfico para el germanio puro.

10-21

Conductividad ( m)

-1

30
25
20

Ge

15
10
5
0
250

275

300

325

350

375
T (K)

Figura 10-24. Influencia de la temperatura en la conductividad

Si en lugar de tratarse de un semiconductor puro, ste se encuentra dopado, la situacin es distinta por la presencia de impurezas. El comportamiento
est descrito en la Figura 10-25 en el que es posible apreciar tres zonas:
1. En el cero absoluto de temperatura (0 K), todos los electrones estn
ligados a sus tomos, y por tanto no hay portadores de carga libres, y la conductividad es nula. En los semiconductores dopados, al aumentar la temperatura ligeramente por encima de 0 K, los tomos de impurezas ya se ionizan por
tener una energa de ionizacin muy pequea; por lo tanto, tendremos una
concentracin de portadores significativa que posibilita la conduccin, incluso a
temperaturas prximas al cero absoluto (0 K). De este modo, la curva sube
muy rpidamente.
En el semiconductor puro no se ha alcanzado todava la temperatura en
la cual se produce la ionizacin de los tomos del semiconductor, y por tanto la
conductividad es prcticamente nula.
2. Al aumentar la temperatura, la conductividad no aumenta de modo
sensible, pues ya se han ionizado todas las impurezas en los semiconductores
dopados, y el nico proceso que aporta nuevos portadores de carga libres es la
generacin trmica de pares electrnhueco. Los pares electrnhueco generados trmicamente son cuantitativamente insignificantes a temperaturas menores o prximas a la temperatura ambiente (300 K), tanto para semiconductores dopados como puros.

(unidades arbitrarias)

2
semiconductor dopado

semiconductor puro

T (K)
Figura 10-25. Influencia de la temperatura en la conductividad de los semiconductores extrnsecos

10-22

3. Si la temperatura alcanza valores ms altos, los pares electrnhueco

generados trmicamente empiezan a ser lo suficientemente significativos como
para que su nmero sea comparable o mayor a los que tenamos procedentes
de las impurezas. De este modo, la conductividad, que se haba mantenido estable, aumenta ahora como consecuencia de los pares electrnhueco generados trmicamente. Por lo tanto, a temperaturas muy altas el comportamiento
del semiconductor dopado y el puro tiende a confundirse.
Por otra parte, hay que tener en cuenta que el aumento de pares electrnhueco trae consigo un aumento significativo de la proporcin de portadores minoritarios, pues el aumento en cantidades iguales de ambos tipos de portadores, hace que la proporcin de minoritarios aumente.

9:1

3:1

Figura 10-26. Al aumentar en cantidades iguales electrones

y huecos, el aumento del portador minoritario es proporcionalmente ms importante

Ejemplo 10-2
Un semiconductor intrnseco contiene 21021 pares electrnhueco por
m . Calcula su resistividad, sabiendo que las movilidades son n = 0,3
m2/Vs; p = 0,09 m2/Vs
3

Solucin

La conductividad de un semiconductor intrnseco se calcula como:

= qe ni (n + p)
por lo que sustituyendo:
= 1,610-19 21021 (0,3 + 0,09) = 125 (m)-1

por lo que la resistividad es:

=

1
= 0,008 m

10.8 Corrientes de difusin

Las corrientes de difusin en un semiconductor son producidas por las
diferentes concentraciones de portadores en un semiconductor, y pueden deberse a la difusin de huecos, o a la difusin de electrones.
Para expresar las diferentes concentraciones de portadores, tanto de
electrones como de huecos, utilizaremos el gradiente de concentracin. Tal y
10-23

como se defini el operador gradiente en el captulo 2 de teora de campos, el

gradiente de concentraciones de electrones y huecos vendr dado por:
p r p r p r
n r n r n r
n =
i +
j+
k
p =
i +
j+
k
x
y
z
x
y
z
Para el caso de una nica dimensin, por ejemplo la x, estas expresiones se reducen a
dn r
dp r
n =
i
p =
i
dx
dx
suponiendo un gradiente de concentraciones a lo largo del eje x. Recordemos
que n y p son la concentracin de electrones y huecos (numero de electrones/huecos por unidad de volumen), respectivamente, por lo que n y p expresan la mayor o menor diferencia de concentraciones. El sentido del vector
gradiente est dirigido hacia valores crecientes de la concentracin.
gradiente alto

gradiente bajo

n, p
x
Figura 10-27. Gradiente de concentraciones en el eje x

La dependencia entre este gradiente de concentraciones y la corriente

de difusin que se produce, viene dada por la ley de Fick, que para la corriente
de electrones es:
r
Ecuacin 10-4
Jn dif = qeDnn
qe es la carga de los electrones en valor absoluto, y Dn el coeficiente de difusin de stos, un parmetro caracterstico del material y de la temperatura.
De forma anloga, se puede escribir la ley de Fick para la corriente de
difusin de huecos:
r
Ecuacin 10-5
Jp dif = -qeDpp
qe es la carga de los huecos en valor absoluto (que es igual a la carga del electrn en valor absoluto), y Dp es el coeficiente de difusin de los huecos.
Puede observarse que la corriente de difusin de los electrones tiene el
mismo sentido que el gradiente de electrones, esto es, hacia valores de concentracin mayores, debido a que los electrones por difusin tienden a moverse de la regin de mayor concentracin a la de menor concentracin, es decir
en direccin contraria al gradiente, y puesto que los electrones tienen carga
negativa, esto implica una corriente elctrica en sentido contrario a su movimiento, es decir, en sentido del gradiente de concentracin de electrones (ver
Figura 10-28).
Sin embargo, la corriente de difusin de los huecos tiene sentido contrario al del gradiente, debido a que los huecos tienden a moverse de la zona de
10-24

mayor concentracin a la de menor concentracin, es decir en sentido contrario

al gradiente, y como se trata de cargas positivas, la densidad de corriente tendr la direccin de movimiento de los huecos, es decir, sentido contrario al gradiente (ver Figura 10-28).
p
n
r
r
Jp
Jn

r
Jp = -qeDpp

r
Jn = qeDnn

Figura 10-28. Corrientes de difusin de electrones y de huecos

Obsrvese la analoga existente entre la ley de Ohm y la ley de Fick. En

el primer caso, la corriente de desplazamiento es directamente proporcional al
gradiente del potencial elctrico, con una constante de proporcionalidad, la
conductividad. En el segundo caso, la corriente de difusin es directamente
proporcional al gradiente de concentracin, con la constante de difusin multiplicada por la carga del portador (+qe o -qe) como constante de proporcionalidad.
Ley de Ohm
r
Jdes = -V

Ley de Fick
r
Jdif = -qDp

Como ejemplo, los coeficientes de difusin en el silicio a 300 K son

3,510-3 m2/s para los electrones, y 1,3110-3 m2/s, para huecos. Las dimensiones del coeficiente de difusin son:
[D] = L-2 T-2
to:

La densidad de corriente total debida a electrones y a huecos es por tan-

r
J dif = q e (Dn n D p p )

Ecuacin 10-6

Parece lgico suponer que las constantes de difusin estn relacionadas

con las movilidades de los portadores. En efecto, un anlisis estadstico del
fenmeno de la difusin permite establecer la denominada relacin de Einstein:
Dn Dp kT
=
=
= VT
Ecuacin 10-7
n p
qe

k es la constante de Boltzmann = 1,3810-23 JK-1, y VT es el denominado potencial equivalente de temperatura, que a 300 K vale 26 mV.
10-25

Sustituyendo los valores de k y qe, el potencial equivalente de temperatura se puede expresar de forma bastante aproximada como:
T
VT =
11600
siendo T la temperatura en kelvin.

Ejemplo 10-3
La concentracin de huecos en una barra de silicio de 5 mm2, no es
uniforme, y sigue la ley p = kx, siendo k = 41020 huecos/m4. Determina la
corriente de difusin existente en la barra. (El coeficiente de difusin de
huecos en el silicio a 300 K es 1,310-3 m2/s)

Solucin
Puesto que la concentracin vara nicamente en el eje X, la corriente
de difusin tendr la direccin del eje X, y su mdulo vendr dado por:

Jdif = qeDpp = qeDp dp/dx = 1,610-191,310-341020 = 8,3210-2 A/m2

y la intensidad de corriente es: JS = 8,3210-2510-6 = 416 nA

10.9 Corriente total

Si incluimos todas las corrientes que tienen lugar en el semiconductor
tanto como consecuencia de la aplicacin de un campo elctrico (corriente de
desplazamiento), como consecuencia de un gradiente de concentraciones (corrientes de difusin) tendremos:
r
r
r
r
Jn = Jn dif + Jn des = qeDnn + nnqe E
r
r
r
r
J p = J p dif + J p des = - qeDpp + ppqe E

y la densidad de corriente total:

r
r
r
r
J = Jn + J p = qe (nn + pp) E + qe(Dnn - Dpp)

10-26

Ecuacin 10-8

10.10 Variacin de potencial en un semiconductor con dopado no uniforme

Vamos a estudiar la polarizacin que se produce en un semiconductor
extrnseco que haya sido dopado de forma no uniforme y que se encuentre
elctricamente aislado. Supongamos que se trata de un semiconductor tipo p, y
que el dopado sigue una cierta ley, p = p(x). Al no tener una concentracin de
huecos constante, se producir una corriente de difusin desde la zona de mayor concentracin a la de menor
concentracin. Puesto que la
p(x1)
p(x2)
concentracin de huecos depenr
de nicamente de la coordenada
E
x, vamos a trabajar nicamente
en una dimensin. La corriente de
p = p(x)
difusin ser:
r
dp r
x1
x2
J p dif = qe Dp
i
dx
x
Obsrvese que al ser 0
r
dp/dx < 0, J pdif est dirigido en Figura 10-29. Variacin de potencial en un semiconductor
con dopado no uniforme
sentido positivo del eje OX.
Al estar aislado, la corriente total deber de ser cero, por lo que la corriente de difusin anterior, al producir una segregacin de cargas, ser compensada por una corriente de desplazamiento de huecos en sentido contrario al
de la difusin. Esta segunda corriente, por tanto, es producida por un campo
elctrico en el interior de conductor dirigido desde la zona de menor concentracin hacia la de mayor concentracin, de tal modo que:
r
r
r
r
D 1 dp VT dp
dp r
J p = J p dif + J p des = - qeDp
i + ppqeE i = 0 E = p
=
dx
p p dx p dx
VT es el potencial equivalente de temperatura.
La consecuencia de este campo elctrico es la aparicin de una diferencia de potencial entre los extremos del semiconductor, diferencia de potencial
que se puede calcular fcilmente a partir del campo elctrico:
x2

x2

p2

V dp
dp
p
V2 V1 = Edx = T
dx = VT
= VT ln 1
p dx
p
p2
x
x
p
1

Ecuacin 10-9

Esta diferencia de potencial es la que se conoce como potencial de contacto, y explica que algunos semiconductores presenten una diferencia de potencial entre sus extremos an cuando no formen parte de ningn circuito elctrico. Esta ecuacin puede expresarse de la forma:
p1 = p2e(V V ) / V
2

Ecuacin
10-10

Esta es la denominada relacin de Boltzmann, que se puede obtener

tambin a partir de la teora cintica de los gases.

10-27

En el caso de que el dopado se hubiera efectuado con impurezas donadoras en vez de aceptoras, todo el anlisis anterior se puede repetir sustituyendo huecos por electrones, para obtener:
V2 - V1 = VT ln
n1 = n2 e -(V

n1
n2

V1 ) / VT

Ecuacin
10-11
Ecuacin
10-12

10.11 Cuestiones y problemas

1. Cita dos diferencias entre materiales conductores y semiconductores.
2. Indica si son verdaderas o falsas las siguientes afirmaciones:
La conduccin en semiconductores se debe slo al movimiento de electrones.
Los huecos son la ausencia de un electrn en un enlace covalente.
Los huecos se comportan como una partcula cargada positivamente en
el interior del semiconductor.
Los semiconductores intrnsecos:
Son cristales de semiconductor puro.
Tienen mayor nmero de electrones que de huecos.
No tienen carga neta.
Los semiconductores extrnsecos:
Tienen carga neta.
Los tipos n estn cargados negativamente.
Los tomos donadores ceden un electrn libre.
Los aceptores se convierten en iones negativos.
En semiconductores tipo n la concentracin de huecos aumenta respecto del intrnseco.
3. Escribe la ley de accin de masas y la de neutralidad elctrica especificando
claramente que son las magnitudes que intervienen.
4. Describe una experiencia que permita distinguir si un semiconductor es tipo
p o tipo n.
5. Qu tipo de impurezas hay que aadir a un semiconductor intrnseco para
convertirlo en un semiconductor extrnseco de tipo n? Y en otro de tipo p?
Justifica las respuestas.
6. Representa el diagrama de bandas de energa para un semiconductor: a)
intrnseca, b) extrnseco tipo p, y c) extrnseco tipo n.
7. Un cristal de germanio se contamina con antimonio, que tiene 5 electrones
en su ltima capa electrnica. Seala si aumentan, disminuyen o permanecen
constantes las siguientes magnitudes:
10-28

a) La conductividad.
b) La concentracin de electrones.
c) La concentracin de huecos en el cristal.
Justifica brevemente las respuestas.

8. Explica la generacin de un par electrnhueco en un semiconductor segn

la teora de las bandas de energa.
9. Un semiconductor extrnseco tipo n esta formado por silicio con un dopado
de 1017 tomos de antimonio/cm3. Teniendo en cuenta que la concentracin
intrnseca del silicio a 300 K es ni=1,51010 partculas/cm3 Cul es la concentracin de huecos y de electrones en dicho semiconductor a 300 K?
10. Explica las diferencias que se producen al realizar la experiencia de Hall a
un semiconductor extrnseco de tipo n y a uno de tipo p. Justifica la respuesta.
11. Halla la concentracin de electrones y huecos en el silicio en las circunstancias siguientes:
a) Silicio puro a 300 K
b) A 300 K dopado con arsnico en una concentracin de 51020 m-3
c) A 300 K dopado con galio en una concentracin de 21020 m-3
d) Silicio puro a 500 K (ni (500 K) = 3,71020 m-3)
e) A 500 K dopado con galio en una concentracin de 51020 m-3
f) A 500 K dopado con arsnico en una concentracin de 21020 m-3.
12. Explica brevemente el diferente comportamiento de la conductividad de un
semiconductor frente a la temperatura segn sea este intrnseco o extrnseco.
Adems, indica, en el dibujo, a que clase de semiconductor corresponde cada
curva.
13. Indica si son verdaderas o falsas las siguientes afirmaciones:
La difusin tiende a homogeneizar las concentraciones.
Los procesos de difusin, aunque suponen movimientos de carga, no dan
lugar a corrientes elctricas en el semiconductor.
La corriente de difusin de huecos es proporcional al gradiente de la concentracin de huecos.
A mayor nmero de huecos, mayor nmero de recombinaciones.
Si por causas externas al semiconductor se genera un exceso de electrones
y huecos, al desaparecer estas condiciones de equilibrio no vuelven a alcanzarse.
14. Halla la resistividad del silicio en las circunstancias siguientes:
a) A 300 K.
b) A 300 K dopado con indio en una concentracin de 51020 tomos/m3
c) A 500 K (ni (500 K) = 3,71020 m-3)
d) A 500 K dopado con indio en una concentracin de 51020 tomos/m3
Sol: 2250 m; 0,25 m; 0,09 m; 0,1 m
15. A una barra de germanio de 2 cm2 de seccin y longitud 10 cm se le aplica
una diferencia de potencial de 10 V entre sus extremos. Calcula a 300 K:
10-29

a) Resistividad del germanio.

b) Resistencia de la barra.
c) Velocidad de arrastre de electrones y huecos.
d) Intensidad de corriente.
Sol: = 0,462 m: R = 231 ; vn = 39 m/s; vp = 18 m/s; I = 43,3 mA

16. Un semiconductor intrnseco contiene 1020 pares electrnhueco por m3.

Calcular la resistividad, sabiendo que las movilidades son n = 0,2 m2/Vs; p =
0,06 m2/Vs
Sol: = 0,24 m
17. Sea una barra de silicio de seccin 2 mm2, cuya concentracin de electrones, no uniforme, sigue la ley n = kx, siendo k = 21019 electrones/m4. Determina la corriente de difusin existente en la barra. (Consultar tabla 8-1).
Sol: 22,4 nA.
18. Una barra de semiconductor a 300 K con dopado no uniforme tiene una
concentracin de huecos en sus extremos de p1 = 1016, p2 = 1022 huecos/m3.
Qu diferencia de potencial existir entre los extremos?.
Sol: V21 = -0,36 V

GLOSARIO
Hueco. Es la ausencia de un electrn cuando se produce una
ruptura de enlace covalente. Se comporta como si de una partcula real se tratara: tiene carga (la fundamental), y masa efectiva
y movilidad del mismo orden de magnitud que las del electrn.
Semiconductor intrnseco: formado exclusivamente por tomos de semiconductor. La concentracin de huecos es igual a la
de electrones libres.
Conduccin intrnseca. Conduccin producida por los pares
electrnhueco libres generados en cantidades iguales en un
semiconductor por aporte de energa.
Concentracin de portadores de carga. Llamamos n a la concentracin de electrones libres y p a la concentracin de huecos.
Concentracin intrnseca ni: concentracin de electrones y
huecos en un semiconductor intrnseco.
Dopado. Proceso por el cual aadimos tomos (pentavalente o
trivalentes) de parecido radio atmico a un semiconductor puro.
Aceptor. tomo de impureza, que introducido en una red cristalina de semiconductor, aporta un electrn menos que los tomos
de la red, ionizndose con carga negativa y produciendo un hue-

10-30

co.

Donador. tomo de impureza, que introducido en una red cristalina de semiconductor, aporta un electrn ms que los tomos
de la red, ionizndose con carga positiva y produciendo un electrn.
Semiconductor tipo p. Semiconductor con huecos como portadores mayoritarios. Se ha formado aportando impurezas aceptoras.
Semiconductor tipo n. Semiconductor con electrones como
portadores mayoritarios. Se ha formado aportando impurezas
donadoras.
Corriente de desplazamiento. Corriente debida a la existencia
de un campo elctrico en el interior de un semiconductor.
Corriente de difusin. Corriente debida a la existencia de un
gradiente de concentracin de huecos y/o electrones.
Ley de Fick. La densidad de corriente de difusin de portadores
(huecos o electrones) es directamente proporcional al gradiente
de concentracin de portadores. A la constante de proporcionalidad se le denomina coeficiente de difusin.
Jdif = qeDp
(D, coeficiente de difusin; qe, carga del electrn)
Coeficiente de difusin. Constante de proporcionalidad entre la
densidad de corriente por difusin y el gradiente de concentracin de portadores, dividido por la carga del portador. Hay una
para huecos y otra para electrones. Aparece en la ley de Fick.

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