TEMAS DE FÍSICA Y QUÍMICA

(Oposiciones de Enseñanza Secundaria)

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TEMA 45
TEORÍA DE BANDAS. CARÁCTER CONDUCTOR, SEMICONDUCTOR Y
AISLANTE DE LAS DISTINTAS SUSTANCIAS. SUPERCONDUCTIVIDAD. IM-
PORTANCIA DE LOS SEMICONDUCTORES Y SUPERCONDUCTORES EN LAS
NUEVAS TECNOLOGÍAS.

Esquema

1. Introducción a la Conductividad eléctrica.

1.1. Conductividad y Resistividad eléctrica.
2. Teoría de Bandas.
2.1. Niveles de energía. Bandas de conducción y de valencia.
3. Conductores, Aislantes y Semiconductores.
3.1. Conductores metálicos. Electrones libres.
3.2. Aislantes.
3.3. Semiconductores.
3.3.1. Semiconductores intrínsecos.
3.3.2. Semiconductores extrínsecos.
4. Aplicaciones de los semiconductores.
4.1. Diodo de cristal.
4.2. Triodo de cristal o transistor.
5. Superconductividad.
5.1. Descubrimiento y desarrollo de la superconductividad.
5.2. Temperatura crítica.
5.3. Propiedades de los superconductores.
5.3.1. Resistencia nula.
5.3.2. Propiedades magnéticas.
5.3.3. Coherencia de fase.
6. Aplicaciones de los superconductores.
6.1. Construcción de imanes superconductores.
6.2. Fabricación de imanes fijos.
6.3. Fabricación de alternadores.
6.4. Fabricación de bobinas superconductoras.
6.5. Otras aplicaciones.

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 TEMA 45
TEORÍA DE BANDAS. CARÁCTER CONDUCTOR, SEMICONDUCTOR Y
AISLANTE DE LAS DISTINTAS SUSTANCIAS. SUPERCONDUCTIVIDAD. IM-
PORTANCIA DE LOS SEMICONDUCTORES Y SUPERCONDUCTORES EN LAS
NUEVAS TECNOLOGÍAS.

1. INTRODUCCIÓN A LA CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA

Según el comportamiento que presentan los materiales al ser introducidos en un

campo eléctrico, se dividen en conductores y aislantes. La diferencia entre ambos se
encuentra en que los primeros contienen un gran número de portadores de carga libre
que tienen libertad de movimiento en el interior del conductor, mientras que los aisla n-
tes son sustancias en las que las partículas cargadas están ligadas muy fuertemente a los
átomos y moléculas que las constituyen.

Existen otros tipos de materiales que poseen propiedades intermedias entre los
conductores y los aislantes y son los semiconductores, en los que los portadores de car-
ga son medianamente libres de moverse en el seno de la estructura cristalina y necesitan
de un aporte ene rgético superior al requerido en los conductores.

Los portadores de carga en los diversos conductores pueden ser iones, tanto posi-
tivos como negativos, así como electrones, según la naturaleza de los conductores (me-
tálicos, electrolíticos, gases a baja presión, etc.). En el caso de los conductores metálicos
(metales y aleaciones), los portadores de carga son exclusivamente electrones.

1.1. Conductividad y Resistividad eléctrica.

Si mantenemos un campo eléctrico en el interior de un conductor, sobre los porta-

dores de carga actuarán fuerzas (Fe=qE), que provocarán su movimiento en el interior
del conductor, denominándose corriente eléctrica a la circulación de la carga y conduc-
ción al proceso por el cual la carga se transporta.

La fuerza que actúa sobre los electrones es proporcional al campo eléctrico ac-
tuante y aunque el movimiento inicialmente es acelerado, más adelante se hace unifor-
me, debido a los choques de partículas, de forma que la velocidad de los electrones re-
sulta proporcional al campo eléctrico: v∝E. Por tanto, podemos decir que un cierto nú-
mero de electrones atravesará cada segundo una sección del conductor, transportando
ρ
una carga que es medida por la densidad de corriente, J . Esta densidad de corriente es
proporcional a la velocidad de los electrones, y ésta a su vez al campo eléctrico, luego la
densidad de corriente será proporcional al campo eléctrico:
ρ ρ ρ ρ ρ ρ
J ∝v y v∝E luego J ∝E
proporcionalidad, esta última que se transforma en una igualdad introduciendo una
constante de proporcionalidad, que haga homogénea a la expresión:
ρ ρ
J = σE (1)
siendo la constante de proporcionalidad σ, la llamada conductividad del conductor. Este
valor es característico de cada sustancia, y nos da idea de la facilidad que presenta el
conductor a permitir en su seno el movimiento de las cargas. Así, un buen conductor

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presenta una gran conductividad, mientras que un aislante presenta valores bajísimos de
conductividad.

A la magnitud inversa de la conductividad, se le llama resistividad, y se le designa

con ρ, y representa una medida de la oposición o dificultad que la sustancia presenta al
movimiento de las cargas en su seno:
ρ 1 ρ ρ
E = J = ρJ (2)
σ
ρ
Como el Campo eléctrico E viene dado por el gradiente de potencial, es decir:
ρ dV
E= ρ
dr
la diferencia de potencial entre dos punto 1 y 2 de un conductor metálico, de longitud L,
vendrá dado por:
ρ ρ
V1 − V2 = ∫ E • dr = ∫ E.dr = E ∫ dr = E.L
2 2 2
(3)
1 1 1

y sustituyendo la expresión (2) resultará:

V1 − V2 = ρ.J .L
FIG. 1
y multiplicando y dividie ndo el segundo miembro por la
Sección del conductor A, resultará:
A 1 V − V2 V1 − V2
V1 − V2 = ρ.J L = ρ.I L ⇒ I= 1 = (4)
A A L R
ρ.
A
denominándose resistencia eléctrica, R, a la expresión R=ρL/A.

La resistencia eléctrica es la medida de la oposición de los hilos conductores al

movimiento de los electrones en su seno. Si hacemos L=1 m y A=1 m2 , obtenemos que
la resistencia se convierte en la resistividad o resistencia específica: R=ρ que se puede
definir como la resistencia de un conductor por unidad de superficie y por unidad de
sección transversal.

Tal y como hemos definido la conductividad y la resistividad, cualitativamente

podemos deducir que la temperatura aumenta la agitación térmica de átomos o molécu-
las, luego aumentará los choques entre las cargas, que disminuirán su velocidad. Por
tanto la temperatura aumenta la "dificultad" de movimiento de las cargas y por cons i-
guiente aumenta tanto resistencia como resistividad. Como la conductividad es la inver-
sa de la resistividad, la temperatura disminuirá la conductividad de las sustancias con-
ductoras.

2. TEORÍA DE BANDAS

Los estudios iniciales sobre la corriente eléctrica fueron realizados experimental-

mente, principalmente por Ohm (1826) y por Joule (1841). En ellos se relacionaron las
magnitudes macroscópicas de diferencia de potencial e intensidad de corriente en un
conductor con la energía disipada por el paso de dicha corriente. Con el descubrimiento
del electrón (1897) se interpretó la conducción eléctrica a partir del comportamiento de
éste dentro del material sometido a un campo eléctrico, utilizando modelos teóricos ba-
sados en la estructura atómica de la materia.

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 Actualmente, la conducción eléctrica se fundamenta en modelos basados en la
Mecánica Cuántica, y en particular en el hecho de que los electrones del átomo poseen
unos valores discretos de energía ocupando unos niveles determinados separados por
zonas de energía prohibida. La estructura de los niveles ocupados por electrones es tanto
más compleja cuanto mayor es el número de éstos en el átomo, pero es idéntica en áto-
mos aislados de un mismo elemento en su estado fundamental.

Un cuerpo metálico tiene una estructura cristalina formada por una red de cationes
bañada por una nube de electrones libres. Esta nube de electrones procede de las aporta-
ciones de uno o varios electrones (llamados electrones de valencia) por cada átomo, por
lo que es del orden de 1023 electrones/mol. Esta nube de electrones libres es responsable
de la conducción eléctrica y térmica, y su movimiento aleatorio depende de la tempera-
tura.

En los cuerpos no metálicos, no existen electrones libres, por lo que los campos
eléctricos y magnéticos sólo producen movimientos imperceptibles en los electrones y
por tanto la conductividad eléctrica es prácticamente nula. Los semiconductores pre-
sentan conductividad elevada a alta temperatura y son aislantes a bajas temperaturas.

La Teoría de Bandas, basada en la Física Cuántica, permite explicar el comporta-

miento de estos materiales y los fenómenos a que dan lugar.

2.1. Niveles de Energía. Bandas de Conducción y de Valencia.

Para estudiar la disposición de electrones en los sólidos, seguiremos un procedi-

miento similar al seguido en los orbitales moleculares.

Si tenemos un sólo electrón y un ion, la representación gráfica de la energía po-

tencial eléctrica viene dada por (a) en la fig.2. Para dos iones la representación de la
energía potencial será la (b) y para varios iones en fila como en una red cristalina uni-
dimensional, la represent ación es la (c).

FIG. 2

Si consideramos una red cristalina lineal compuesta por N iones a una distancia a,
un electrón con energía E~, se podrá mover por unas zonas restringidas. Por eso los
electrones más internos (de mayor energía) están localizados. Un electrón de energía E2
tiene mayor libertad aunque sigue ligado a iones determinados. Finalmente, un electrón
de energía E3 no está ligado a ningún átomo particular y se puede mover por toda la red.
Estos electrones son los responsables de las propiedades del metal.

Si tenemos dos átomos iguales, infinitamente alejados, y consideramos el mismo

nivel energético en cada átomo, el sistema formado por ambos tiene en cada nivel, elec-
trones con la misma energía (niveles degenerados). Si se aproxima los átomos, su inte-
racción mutua hace que un nivel degenerado se separe en otros dos de distinta energía
de forma que la separación aumenta a medida que disminuye la distancia interatómica.

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 Si consideramos ahora N átomos de un mismo elemento, inicialmente muy sepa-
rados unos de otros, y que con ellos vamos a formar una red cristalina, consistente en
una disposición geométrica tridimensional con repetición periódica de una unidad bási-
ca o celdilla, el número de átomos que debemos juntar es del orden del número de Avo-
gadro. Si suponemos inicialmente los N átomos dispuestos como en la estructura del
cristal pero muy separados y sin interaccionar, los niveles de energía permitidos son
niveles atómicos, y considerados todos los átomos como un conjunto único, en cada
nivel habrá N electrones de la misma energía. Conforme disminuye la distancia entre los
átomos la interacción entre ellos hace que cada nivel se separe en N niveles distribuidos
en un intervalo muy estrecho de energía, y por ser N muy grande, podemos considerar
que los N niveles forman una distribución casi continua que llamaremos banda de ener-
gía. En la red cristalina de N iones, cada nivel de energía se desdobla en N niveles cer-
canos y sus espaciamientos y posiciones dependen de la separación interiónica, tal como
muestra la fig.3.

Para una distancia a, los niveles de energía caen

entre P y Q. Cuando N es muy grande, los diferentes
niveles de energía están espaciados tan finamente que
se puede decir que forman una banda energía. Cada
nivel puede acomodar dos electrones de spines contra-
rios, según el principio de exclusión de Pauli. Por tan-
to, una banda puede acomodar como máximo 2N elec-
trones por ion. Estas bandas se designan por s, p, d,...

En una red cristalina hay muchas bandas de ener-

gía, correspondientes cada una a uno de los niveles de FIG. 3
energía de los átomos, como se puede ver en la fig.4.

Podemos comprobar como a más

energía, mayor es la distancia interatómi-
ca a la que empiezan a formarse las ban-
das, ya que cuanto mayor es la energía,
mayor es la región en que se mueven los
electrones y más fácilmente son afecta-
dos los electrones por los iones vecinos.
Por otra parte, conforme diminuye la
distancia interatómica, las bandas se su-
perponen (a'). Las bandas correspondien-
tes a las capas completas internas tienen
FIG. 4
electrones bastante localizados, pero las
correspondiente a la capa externa de electrones de valencia es sin duda la más intere-
sante.

Para los niveles más internos de cada átomo (fig.4), la perturbación producida por
los demás átomos es muy pequeña, comparada con la interacción con el núcleo, y la
separación de estos niveles será muy pequeña. Para los electrones exteriores, llamados
de "valencia", por ser los responsables de los enlaces entre los átomos y los enlaces que
intervienen en las reacciones químicas, la separación de niveles será más grande y de
hecho, las bandas pueden solaparse. La anchura de las bandas es tanto mayor cuanto
mayor es la energía de los niveles de que provienen.

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 3. CONDUCTORES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES

Tal y como hemos visto al principio del tema, las sustancias presentaban distinto
comportamiento al introducirlas en un campo eléctrico. Una de las razones del triunfo
de la teoría de bandas es que permitió explicar de forma simple estas diferencias en el
comportamiento de los sólidos. El comportamiento de las bandas de energía permitida
como responsables de la conducción eléctrica depende de que estén total o parcialmente
ocupadas por electrones.

Un nivel atómico está ocupado por los dos electrones que permite el principio de
exclusión de Pauli. En el cristal completo de N átomos, hay por tanto 2N electrones que,
en el cristal ya formado, llenan completamente la banda correspondiente. Para contri-
buir a la conducción, un electrón debe desligarse de su átomo y acelerarse al recibir
energía de un campo eléctrico, o bien, en térmicos mecano-cuánticos, debe ser excitado
a un nivel de energía superior. Si nos limitamos a su propia banda y todos los niveles
están ocupados en ella, la excitación del electrón no puede ocurrir y por tanto una banda
completamente llena no contribuye a la conducción. Los electrones sólo pueden despla-
zarse si hay niveles próximos vacíos y según esto la banda de conducción es la banda
de energía más baja que no está completamente llena y a la banda inferior que se en-
cuentra llena se llama banda de valencia.

Esto se refiere a un cristal a 0 K de temperatura, ya que a una temperatura superior

pueden promocionar electrones de una banda a otra superior. Es evidente que por enc i-
ma de la banda de conducción podemos considerar otras bandas correspondientes a es-
tados excitados de los átomos, y que a 0 K estarán vacías.

3.1. Conductores metálicos. Electrones libres.

En el cristal perfecto de un metal, los electrones de conducción están sometidos

por parte de los átomos de la red a fuerzas que se compensan, pudiéndose considerar
como libres de los campos internos. Cada átomo contribuye con uno o más electrones
de conducción que constituye lo que se denomina nube de electrones libres. Un electrón
de conducción se mueve al azar en el interior del metal sin experimentar ninguna fuerza,
a no ser que se le aplique una diferencia de potencial externa entre dos puntos del metal.

Supongamos una sustancia como el Sodio

(Z=11), cuyos niveles de energía son los repre-
sentados en la fig.5. Las bandas correspondientes a
los niveles 1s, 2s y 2p están completamente llenas,
pero la 3s está parcialmente llena, pudiendo aco-
modar aún dos electrones.

Al elevar la temperatura, los electrones se

ven acelerados y excitados, pudiendo pasar a ocu-
par niveles permitidos vacíos de mayor energía. Se
trata por tanto de un buen conductor de la elec- FIG. 5
tricidad, y por tanto un buen conductor del calor.

Por tanto, los buenos conductores son aquellos sólidos en los cuales la última
banda ocupada sólo lo está parcialmente. Pero tal y como hemos visto, es posible que

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las bandas más altas se superpongan, con lo cual la situación se complica. Así, si cons i-
deramos el caso del Magnesio (Z=12), éste tendría todas las capas llenas, con lo cual no
debería ser conductor y sin embargo sí lo es.

Si miramos las bandas de energía del Mag-

nesio (fig.6), vemos que las bandas 3s y 3p están
superpuestas, por lo que los electrones 3s pueden
ocupar niveles 3p. Los niveles de energía serán,
por tanto:
3s ⇒ 2 N 
 total 8N
3 p ⇒ 6N 
Estos 8N niveles están ocupados por 2N
electrones. Por tanto el Magnesio es un buen con-
ductor tal y como demuestran los hechos experi- FIG. 6
mentales.

Los elementos que poseen una banda llena y una vacía superpuesta se denominan
semimetales.

3.2. Aislantes

Supongamos una sustancia en la que la banda de valencia está llena y no se super-

pone con la siguiente que está completamente vacía (fig.7). La energía que separa am-
bas bandas es superior a las energías térmicas que hacen saltar los electrones o a las
energías que pueden adquirir los electrones por las aceleraciones de campos eléctricos
normales.

En este caso, las bandas de conducción re-

sultan inaccesibles a los electrones de valencia, y
resulta imposible la conducción de cargas en su
seno por lo que estas sustancias se llaman aislan-
tes. Es el caso, por ejemplo, del diamante, el cuar-
zo o la mica.

En el aislante ideal, la intensidad de la co-

rriente es nula para cualquier tensión aplicada. Sin
embargo, si algunos electrones reciben energía su- FIG. 7
ficiente para pasar a la banda de conducción, deja
de comportarse como aislante ideal, aunque las intensidades de corriente que se pueden
producir suelen ser extremadamente pequeñas.

3.3. Semiconductores.

Si la distancia entre átomos de la red cristalina es pequeña, (distancia a, fig.4), la

disposición relativa de las bandas de conducción y valencia es la representada en la
fig.8, en la que la banda prohibida tiene una anchura pequeña. Se trata en este caso de
semiconductores como el Silicio y el Germanio.

En el cero absoluto todos los electrones ocupan niveles energéticos por debajo de
un nivel denominado nivel de Fermi, que en los semiconductores puros, sin impurezas y

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sin imperfecciones cristalinas en la red, se encuentra en el centro de la banda prohibida.
A 0 K, la banda de valencia está completa y la de conducción vacía, con lo que a esa
temperatura se comporta como un aislante perfecto. Pero, como la anchura energética de
la banda prohibida es tan pequeña basta una pequeña energía, consecuencia de un au-
mento de la temperatura, para que, cada vez más electrones adquieren la energía sufi-
ciente para superarla. Gracias a las vibraciones térmicas de la red, el material aumenta
su conductividad, al revés de lo que ocurre en los metales. Los electrones que alcanzan
la banda de conducción dejan huecos (+) en la banda de valencia que también contribu-
yen al proceso de conducción.

3.3.1. Semiconductores intrínsecos.

Con el aporte de energía que se produce al

elevar la temperatura del semiconductor se pueden
producir dos resultados simultáneos:

- Los electrones pueden pasar a la banda superior

de conducción.
- Los huecos que quedan en la banda de valencia
se comportan como cargas positivas suscepti- FIG. 8
bles de aceptar más electrones.

Los elementos semiconductores que se estudiaron primero y los más representati-

vos son el silicio y el germanio. Existen otros elementos semiconductores como el esta-
ño y compuestos semiconductores como el arseniuro de galio o el sulfuro de plomo (II)
entre otros muchos que se comportan como tales. Tanto el Ge como el Si poseen cuatro
electrones de valencia que forman parte de los enlaces covalentes de sus átomos. En la
estructura del silicio, cada átomo se encuentra rodeado de cuatro vecinos próximos con
los que comparte sus cuatro electrones de valencia.

A la temperatura del cero absoluto (0 K) electrones hacen exclusivamente su pa-

pel de enlace y tienen energías correspondientes a la banda de valencia. Si se aumenta la
temperatura aumenta la energía cinética de vibración de los átomos de la red, y algunos
electrones de valencia pueden absorber la energía suficiente para liberarse del enlace y
moverse a través del cristal como electrones libres. Su energía pertenece, en este caso a
la banda de conducción. El semiconductor se ha convertido en conductor.

El electrón de valencia al convertirse en electrón de conducción deja un hueco en

la banda de valencia, que puede ser ocupado por otro electrón el cual dejará a su vez
otro hueco y por consiguiente el hueco circula como si se tratara de una carga positiva.
Este tipo de conductividad se llama conductividad intrínseca y las sustancias que las
poseen semiconductores intrínsecos.

3.3.2. Semiconductores extrínsecos.

Pero existe otro tipo de semiconductores, los semiconductores extrínsecos, que

son aquéllos en que se ha mejorado la conductividad por la adición de ciertas impure-
zas, en un proceso que se denomina dopado. Los átomos que se añaden tienen un tama-
ño parecido a los átomos sustituidos de la red para que puedan ocupar sin grandes ten-
siones los espacios de la estructura cristalina.

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 Las impurezas proporcionan un nivel extra
en la zona prohibida, entre la banda de valencia y
la banda de conducción. Si los átomos sustitu-
yentes poseen más electrones que los átomos del
semiconductor, los electrones en exceso son debi-
dos a los átomos de la impureza y pueden ser ex-
citados a la banda de conducción contribuyendo a
la conductividad eléctrica del semiconductor.

FIG. 9

Los átomos de la impureza se llaman dadores y el semiconductor se llama semi-

conductor negativo o tipo n.

Pero la impureza puede consistir en átomos

que tengan menos electrones que los átomos del
semiconductor, como es el Galio comparado con el
Silicio. La impureza en este caso introduce niveles
de energía vacíos, muy cerca de la banda de valen-
cia, por lo que es fácil excitar algunos electrones
de esta banda que pasarán a los niveles de impure-
za. Así, se producen huecos en la banda de vale n- FIG. 10
cia que como vimos actúan como partículas positi-
vas atrayendo nuevos electrones. Los átomos de la impureza se denominan aceptores y
el semiconductor se llama semiconductor positivo o tipo p.

Entenderemos mejor la obtención de estos semiconductores con algunos ejem-

plos:
A) Añadimos a una muestra de Germanio,
impurezas de Arsénico (aproximadamente 1 ppm).
Ambos átomos tienen un volumen semejante, pero
el Arsénico tiene 5 electrones. Cuatro de ellos
forman enlaces covalentes con los átomos que le
rodean, pero el electrón en exceso puede pasar
fácilmente a la banda de conducción.

Este electrón no es totalmente libre, por lo FIG. 11

que necesita una cierta energía para pasar a la ban-
da de conducción y esto hace que la conductividad del Germanio aumente actuando el
Arsénico como dador de electrones. Se trata por tanto de un semiconductor de tipo n.
Sucede lo mismo al dopar Silicio con Arsénico.

B) Si ahora impurificamos el germanio con

Galio, como este átomo tiene tres electrones en su
nivel de valencia y un tamaño similar a germanio,
puede sustituir a éste en la red cristalina sin gran-
des tensiones en el cristal. Los tres electrones for-
man tres enlaces covalentes, por lo que le falta un
electrón, es decir, se crea un hueco, similar a las
cargas positivas que puede atraer otros electrones.
FIG. 12
El Galio es un aceptor de electrones y el semicon-
ductor será de tipo p. Otro ejemplo de este tipo es el Silicio dopado con Boro.

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 4. APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

Las aplicaciones fundamentales de los semiconductores consisten en una serie de

dispositivos que se construyen con estos materiales destinados al montaje de circuitos
electrónicos y microelectrónicos.

4.1. Diodo de cristal

Para comprender fácilmente el funcionamiento del diodo de cristal o diodo de se-

miconductor, conviene describir inicialmente el funcionamiento del diodo de vacío o
lámpara de dos electrodos, que está basado el efecto Edison-Richardson o termoiónico,
según el cual: "todo metal cuando está caliente tiene la propiedad de emitir electrones
desde su superficie".

El diodo de vacío consiste en una ampolla de vidrio

a la que se ha hecho el vacío dentro de la cual se aloja,
como se describe en la fig.13, un filamento F que, me-
diante una pila de calefacción P, se pondrá incandescente.
Frente a él se sitúa una placa metálica M, conectada al
polo positivo de una batería que alimenta el circuito exte-
rior. Si se conecta en este circuito un galvanómetro G de
forma que el filamento funcione como polo negativo, los
electrones liberados por el filamento son atraídos por la
placa produciéndose una corriente eléctrica a través del FIG. 13
espacio vacío comprendido entre el filamento y la placa.

A medida que va aumentando la diferencia de po-

tencial de la batería B, manteniendo constante la tempe-
ratura del filamento, aumentará la intensidad de la co-
rriente, pero a partir de una diferencia de potencial de-
terminada, la intensidad no sigue aumentando y se ma n-
tiene constante, como se puede apreciar en el gráfico de
la fig.14. El valor de esta intensidad se denomina intensi-
FIG. 14
dad de saturación.

Si representamos en un sistema coordenado las diferencias de potencial frente a la

intensidad de corriente obtenemos las llamadas curvas características del diodo.

El diodo sirve para la rectificación de la corriente eléctrica alterna, es decir, si lo

intercalamos en un circuito de corriente alterna, no deja pasar por él un sentido de co-
rriente. Así, cuando la placa funciona como polo positivo, los electrones son atraídos
por ella. Pero si funcionase como polo negativo, los electrones no pasarían, sino que
serían repelidos. Por lo tanto, al no pasar electrones no hay corriente eléctrica.

Podemos ver este efecto en la fig.18. Obser-

vando que la corriente alterna se rectifica pasando
por el circuito una corriente continua pulsante.
También es posible instalar un rectificador de onda
completa, que constará de dos diodos que produc i-
rán un efecto similar en los dos semiperíodos. FIG. 15

10/ 18
 Los diodos de vacío tienen una gran capacidad eléctrica por lo que presentan pro-
blemas para rectificar corrientes de altas frecuencias. Además estos dispositivos de va-
cío son voluminosos y consumen mucha energía, a veces con necesidad de refrigera-
ción. Por ello se usan en estos casos diodos sólidos de semiconductores.

Los diodos sólidos, de cristal, o de semiconductores, se fabricaron en principio, de

una punta metálica en contacto con un cristal de galena, pirita u otro mineral. Actua l-
mente estas sustancias se han sustituido por semiconductores como germanio o silicio.
Se construyen uniendo dos placas de semiconductor con distinto dopado.

En el diodo de germanio, el elemento activo es el metal, al

que se le añaden impurezas de estaño, por lo que se convierte en
un semiconductor de tipo n, es decir, el estaño es el donador de
electrones. Con el semiconductor se hacen pequeñas placas que
se ponen en contacto con la punta metálica que suele ser un fino
alambre de wolframio, tal como se ve en la fig.16a.
FIG. 16

Cuando calentamos los metales, se produce la liberación de electrones (efecto

termoiónico), de forma que para cada metal esta energía será distinta, y por tanto tam-
bién el trabajo de extracción. En el caso del wolframio y el germanio, el trabajo de ex-
tracción es menor para el germanio, por lo que los electrones son arrancados de éste y
pasan al wolframio. La superficie del germanio queda con carga positiva formando éstas
una capa de barrera, de espesor molecular. Fig.19b.

Si comunicamos al wolframio un potencial positivo, se elimina la capa de barrera

en el germanio y pasará corriente. Pero si el potencial del wolframio es negativo, la capa
de barrera aumenta y ofrece una gran resistencia al paso de corriente. También existen
dispositivos (rectificadores) de área grande en los que el contacto es una superficie, lla-
mada juntura, de forma que aquella sustancia a la que le corresponda menor trabajo de
extracción cederá electrones a la otra a través de la juntura.

4.2. Triodo de cristal o Transistor.

Como en el caso del diodo, para una mejor comprensión del funcionamiento del
transistor o triodo de cristal, analizaremos previamente el diseño y funcionamiento del
triodo de vacío.

Si al diodo o lámpara de dos electrodos le añadi-

mos un tercer electrodo consistente en una rejilla metáli-
ca colocada entre el filamento y la placa, se obtiene un
triodo de vacío. Al comunicar a la rejilla un potencial
negativo se crea un campo de sentido contrarío al creado
por la placa y mayor que éste, por lo que impide el paso
de la corriente.

Si aumentamos el potencial de la rejilla, hacié n- FIG. 17

dolo cada vez menos negativo, llegaremos a un valor del
potencial que será igual al de la placa (potencial de corte) de forma que al aumentar un
poco más el potencial de la rejilla, será posible el paso de corriente.

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 Al ir aumentando el potencial negativo de la rejilla, llegaremos a un valor cero de
este potencial, momento en que se consigue una intensidad característica. Al continuar
aumentando el potencial, la intensidad, por similitud con el diodo, debería llegar a una
intensidad de saturación, pero aquí no sucede, ya que en la rejilla se crea una intensidad
que se resta de la de la placa. Regulando el potencial podemos conseguir grandes varia-
ciones en la intensidad de la corriente. Otra posibilidad es mantener constante el poten-
cial de la rejilla e ir aumentando el de la placa; obtendremos así intensidades ascenden-
tes.

La finalidad de instalar estos dispositivos en un circuito es la amplificación, es de-

cir, el aumento de potencia de una corriente de baja potencia. Así, si IRVR es la potencia
de entrada, IPVP será la potencia de salida del triodo, que será mayor que la de entrada.

Los triodos de cristal, de estado sólido o transistores, son otras de las aplicaciones
de los semiconductores. Estos dispositivos electrónicos realizan el mismo papel que los
triodos de vacío y presentan las ventajas de ser mucho más pequeños, consumir una
cantidad de energía muy inferior y ser más selectivos y variados en sus aplicaciones.

Básicamente el transistor consiste en una lámina

de material semiconductor tipo n formando un empa-
redado entre otras dos láminas de semiconductor tipo p
y conectado todo a un circuito. Éste le comunica un
potencial positivo a la placa p de la izquierda (emisor)
y negativo a la de la derecha (colector). La lámina
central se llama electrodo de base. Este dispositivo es
un triodo sólido o transistor. FIG. 18

Si les aplicamos un potencial positivo al emisor, al ser un semiconductor de tipo

p, lo que se producen son huecos que actúan como cargas positivas, que pueden pasar al
electrodo base, produciéndose una corriente a través de la juntura izquierda, que se ve
incrementada por el paso de electrones de la base al emisor. Parte de los huecos positi-
vos son neutralizados en la base, pero otros pasan al colector produciéndose en éste un
movimiento de electrones para neutralizarlos, a pesar de estar instalado en el sentido
inverso (grandes resistencias). La intensidad de corriente en el colector es función de la
del emisor, es decir, éste controla la corriente en el colector.

La función de este triodo sólido es la misma que la del diodo de vacío, es decir, la
amplificación de la corriente, la producción de oscilaciones de alta frecuencia y la recti-
ficación de corriente. A pesar del gran paralelismo observado entre el funcionamiento
del transistor y el triodo de vacío existen importantes diferencias entre ambos, como el
hecho de que en la rejilla del diodo de vacío no hay corriente (resistencia ≈106 Ω),
mientras en la base sí hay una pequeña corriente (resistencia ≈2.103 Ω). Por otro lado, la
ganancia de corriente en la amplificación del triodo de vacío, que se mide por el factor
de amplificación, µ, es una relación entre intensidades, mientras que en el transistor,
este factor de amplificación es una relación de tensiones.

La principal aplicación de los transistores es su funcionamiento como dispositivo

impulsional, que puede presentar dos estados, bloqueado (no corriente) y conductor (si
corriente), asociados con los dígitos 0 y 1 constituye un lenguaje binario, transmisible
por impulsos eléctricos. Es la base de toda la Informática.

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 5. SUPERCONDUCTIVIDAD

5.1. Descubrimiento y desarrollo de la superconductividad.

De entre todos los gases comunes, el Helio es el que posee punto de licuefacción
más bajo (4'2 K). En 1908, el físico holandés Heike Kamerlingh Onnes consiguió li-
cuarlo, lo cual abrió una nueva era en la investigación de la física de bajas temperaturas.
Gracias a su uso como refrigerante, se pudieron estudiar las propiedades de las sustan-
cias a tan bajas temperaturas.
En 1911, Onnes observó que cuando trataba de medir la resistencia de una mues-
tra de mercurio a baja temperatura (alrededor de los 4 K), ésta era nula. Era de esperar
la disminución de la resistencia con el descenso de la temperatura, pero no su desapari-
ción total. Sería este hecho el que marcaría el descubrimiento de la superconductividad
y el nacimiento de su desarrollo.

Posteriormente se descubriría la superconductividad del cobre, plomo y estaño,

aunque se encontraría más tarde que la superconductividad desaparecía cuando las co-
rrientes eran muy grandes. Así, en la década de 1930 comenzó el estudio de aleaciones
superconductoras que presentaban mayores ventajas que los superconductores de metal
puro.

Hasta hoy se ha descubierto el fenómeno de superconductividad en la mitad apro-

ximada de los elementos metálicos, en gran número de compuestos metálicos y en algu-
nos semiconductores.

5.2. Temperatura crítica.

La temperatura a la cual desaparece la resistencia eléctrica del conductor, se de-

nomina temperatura crítica, Tc, y varía considerablemente de unas sustancia a otras,
como puede observarse en la siguiente tabla de valores:

Temperaturas críticas
Metal TC (K) Comp./Aleación TC (K)
Berilio 0’03 TiCo 3’44
Titanio 0’4 InLa3 10’4
Zirconio 0’75 AuNb3 11’5
Molibdeno 0’93 MoN 12’0
Indio 3’4 NbN 16’0
Estaño 3’7 AlNb3 17’5
Tantalio 4’5 SnNb3 18’05
Plomo 7’2 Al0’8Nb2 20’9
Tecnecio 7’7 GeNb3 23’4
Niobio 9’3

Desde el descubrimiento de la superconductividad, las investigaciones se han

orientado a buscar materiales con temperaturas críticas más elevadas. Esta búsqueda ha
sido lenta, sin duda provocado por el desconocimiento del mecanismo de este fenóme-
no. Así, hasta 1956, no existió una explicación microscópica de la conductividad.

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 Entre los avances más recientes en superconductividad podemos mencionar un
compuesto llamado YBCO, óxido de ytrio, bario y cobalto, que en 1987 se consiguió
con una temperatura crítica de 93 K. Posteriormente Andreas Schilling logró un óxido
de cobre, calcio, bario y mercurio, con una temperatura crítica de 134 K y comprimien-
do este compuesto se consiguió una temperatura critica de 164 K (-109ºC).

5.3. Propiedades de los superconductores.

5.3.1. Resistencia nula.Cuando la temperatura desciende por debajo de la

temperatura crítica, la resisten-cia del conductor es nula. Esto significa que si por un
anillo superconductor se hace circular una corriente, desconectándose el anillo de la
fuente, la corriente se conserva en el anillo. Así, en un anillo superconductor esta
corriente duró dos años.

El paso de conductor a superconductor se debe a una transición de fase. Esta tran-

sición es diferente de las transiciones de fase estructurales, como la condensación de
vapor en líquido. La estructura cristalina es la misma. Lo que resulta diferente es la es-
tructura electrónica. En el estado natural de un metal, la estructura electrónica se puede
describir mediante un esquema de bandas. En él, los electrones ocupan una banda (o
varias bandas solapadas) no llenas, de forma que un pequeño campo eléctrico aplicado
produce una corriente de electrones. El sólido puede tener imperfecciones, que pueden
dispersar los electrones. Esta dispersión es disipativa, y es responsable de la resistencia
del conductor.

En 1957, Bardeen, Cooper y Schrieffer desarrollaron la teoría microscópica de la

superconductividad, que se conoce como teoría BCS (iniciales de sus descubridores).
Esta teoría supone un estado colectivo de todo el conjunto de electrones.

Un concepto clave para entender esta teoría es el Par de Cooper, una atracción
débil entre un par de electrones que puede conducir a un estado ligado de ambos. Así, la
energía de este par es algo menor que si no existiese interacción. En el par de Cooper,
los spines de ambos electrones se suman, dando lugar a un momento angular de spin
total, igual a cero. Ocurre lo mismo con el momento lineal total. Por tanto, el par de
Cooper se puede describir como una partícula compuesta con spin cero y momento li-
neal nulo.

En la mayoría de superconductores la interacción de los electrones que conduce al

par de Cooper está relacionada con el movimiento de la red iónica. Esta interacción se
puede explicar del modo siguiente:

- Un electrón cargado negativamente desplaza hacia sí las zonas positivas, dis-

torsionando la red.
- El aumento en la concentración de carga positiva atrae otro electrón.

Por lo tanto, en los superconductores, quienes transportan la corriente eléctrica no

son electrones individuales, sino pares de electrones enlazados, formando pares de Coo-
per. En estos superconductores, el proceso de dispersión no puede transferir energía
suficiente para romper el par, por lo que no existe dispersión y no hay resistencia.

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 5.3.2. Propiedades magnéticas.

Al estudiar el comportamiento de los superconductores inmerso en un campo

magnético, Meissner y Oksenfeld establecieron que, enfriando un superconductor en un
campo magnético por debajo de la Tc, en el punto de transición a la superconductividad,
el campo magnético es expulsado de la muestra, ya que como todos los electrones se
mueven a la vez, un campo eléctrico infinitesimal genera corriente suficiente para ex-
pulsar cualquier campo magnético aplicado. Este efecto se denominó efecto Meissner-
Oksenfeld.

Por sus propiedades magnéticas, los superconductores pueden clasificarse en:

- Superconductores de tipo I: En estos superconductores, se observa el efecto

Meissner, por lo que la inducción magnética B, es cero, como se muestra en la
fig.19. El efecto Meissner se observa si el campo magnético aplicado no es exce-
sivamente grande, ya que para campos muy grandes, los superconductores pueden
volver a su estado de conductividad normal.
- Superconductores de tipo II: Estos superconductores rechazan los campos ma g-
néticos débiles, mientras que los moderados penetran en algunas regiones de la
muestra. Por tanto coexisten regiones superconductoras con otras que no lo son.
En campos aún mayores, las regiones superconductoras desaparecen y la muestra
vuelve a su estado de conductor normal.

FIG. 19

5.3.3. Coherencia de fase.

Otra de las propiedades de los superconductores es la denominada coherencia de

fase, es decir, la coherencia a largo alcance de todos los electrones del superconductor.
Esta es similar a la fase de una onda. Hosephson, en 1962 predijo los efectos de la su-
perconductividad débil, estableciendo los llamados efectos de Josephson: efecto esta-
cionario y no estacionario.

Supongamos dos superconductores unidos por una

delgada capa de material aislante (fig.20). El efecto esta-
cionario consiste en que la supercorriente puede atravesar
la capa aislante si ésta es lo suficientemente delgada (1-2
mm) en ausencia de campo eléctrico. Si se aumenta el
campo aparece una tensión eléctrica en el contacto y se
produce una corriente alterna de alta frecuencia, lo cual FIG. 20
constituye el efecto no estacionario.

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 Por tanto, los electrones de los superconductores por medio del enlace débil (capa
aislante) se unen en un colectivo cuántico único. Esta coherencia de fase produce la
cuantización del flujo magnético.

6. APLICACIONES DE LOS SUPERCONDUCTORES

Los objetivos tecnológicos que se plantean con estos nuevos materiales supercon-
ductores son construir imanes, motores y otros dispositivos útiles. Por el momento su
utilidad está limitada por los problemas que plantean, aunque las investigaciones conti-
núan para tratar de descubrir nuevos superconductores. Algunas de las aplicaciones de
esos materiales son:

6.1. Construcción de imanes superconductores.

Aún disponiendo de los materiales adecuados, la construcción de estos imanes su-

perconductores no es fácil. En una bobina de superconductor puro, si en una región se
supera la densidad de corriente crítica, ésta se comportaría como una conexión de alta
resistencia y se vería sometida a un fuerte calentamiento. El calor desarrollado extingui-
ría las zonas próximas del superconductor que pasarían a ser normales. Una de las for-
mas de solucionar este problema es sustituir el conductor único por un conjunto de pe-
queños cabos superconductores embebidos de un buen conductor normal, con el cobre.

Pero el diseño de imanes mayores destinados a la investigación como los que se

usan en los aceleradores de partículas y en los reactores de fusión nuclear es más com-
plicado, ya que estos imanes han de variar su campo rápidamente. En ellos las princi-
pales pérdidas son dinámicas. Para solucionarlo, el material usado tiene una estructura
compleja. Se trata de una haz de filamentos superconductores torsionados y transpue s-
tos, embebidos cada uno en cobre y aislado de los elementos restantes por una pared
delgada de cobre-níquel.

6.2. Fabricación de imanes fijos.

Están destinados a generar un campo constante o que cambie muy lentamente. Es

posible que con el paso del tiempo se empleen en la industria, pero actualmente sólo se
usan en investigación.

6.3. Fabricación de Alternadores.

Los alternadores de turbina son los generadores que se utilizan en la industria para
la producción de energía eléctrica (corriente alterna). El uso de superconductores pre-
sentaba en un principio complicaciones, pero la industria eléctrica está proyectando un
alternador superconductor que una vez utilizado en una central eléctrica constituirá la
principal aplicación industrial.

El uso de superconductores reducirá las pedidas en más del 50% con el consi-
guiente ahorro económico. Por otra parte, si bien es necesario un refrigerador, la energía
que éste necesita es mucho menor de esta cantidad.

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 6.4. Fabricación de bobinas superconductoras.

Estas bobinas permitirán almacenar temporalmente la energía eléctrica. Así, en los

periodos en que se disponga de energía sobrante, la bobina extraerá potencia del circuito
para crear un campo. Si se corta la corriente, la energía continuaría circulando por la
bobina.
6.5. Otras aplicaciones.

Creación de líneas de transmisión de corriente por superconducción. Esta aplica-

ción se encuentra aún en estudio, ya que su rentabilidad aplicada se produce sólo a ni-
veles de potencia muy elevados. Será una aplicación rentable cuando las centrales, nu-
cleares por ejemplo, se construyan alejadas de los centros urbanos. En ellas no se regis-
traría pérdidas, sólo la energía necesaria para refrigerar la línea.

Uso de circuitos electrónicos. Sin duda uno de los límites actuales de la velocidad
de los ordenadores es la distancia de sus componentes. Actualmente es difícil acortar
estas distancias ya que hay que permitir la disipación del calor generado en los materia-
les normales que constituyen el ordenador. Estos problemas se podrían evitar usando
láminas delgadas de superconductores.

Todas estas aplicaciones y otras muchas están siendo estudiadas e investigadas,

sin embargo, antes de que estas aplicaciones se hagan realidad, se requiere un mayor
desarrollo de los materiales que intervienen en su fabricación.

BIBLIOGRAFIA RECOMENDADA

Santiago BURBANO DE ERCILLA, Enrique BURBANO GARCÍA y Carlos

GRACIA MUÑOZ. Física General. XXXI Edición. Mira Editores. ZARAGOZA.

Raymond A.SERWAY. Física. Nueva Edit. Interamericana, S.A. 1985. MEJICO.

Robert W:CHRISTY y Agnar PYTTE. Estructura de la materia: una introducción

a la Física Moderna. Editirial Reverté. 1971. BARCELONA.

T.H.GEBALLE y J.K.HULM. Superconductores en circuitos de potencia. IN-

VESTIGACIÓN Y CIENCIA. Núm.52. Enero-1981.

PAUL C.W.CHU. Superconductores de alta temperatura. INVESTIGACION Y

CIENCIA. Núm.230. Noviembre.1995.

R.P.FEYMAN. Física. Vol.III. Editorial Interamericana.

PAULOV y JOLKOV. Física del Estado Sólido. Editorial Mir. MOSCÚ.

Marcelo ALONSO y Edward J.FINN. Física. Vol.III. Fundamentos Cuánticos y

Estadísticos. Fondo Educativo Interamericano. 1971. MADRID.

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 Tratamiento Didáctico
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
OBJETIVOS
Estudio a fondo del fenómeno de la conducción eléctrica en distintos materiales, se-
gún sean de carácter conductor, semiconductor o aislante, y también dependiendo de las
condiciones de temperatura.
Explicación y aplicación de la teoría de bandas, consecuencia de orbitales molecula-
res, a las distintas estructuras para demostrar su comportamiento conductor, semicon-
ductor o aislante.
Introducir el concepto de superconductividad como consecuencia final de una situa-
ción extrema y tratar de darle una explicación por la teoría cuántica.
De todo lo anterior, obtener aplicaciones técnicas que supongan adelantos en la tec-
nología al servicio de desarrollo humano.
UBICACION
El tema se ubicará en el currículo de Física de 2° de Bachillerato en el núcleo temáti-
co de "Aplicaciones de la Física moderna", como base fundamental de la electrónica de
estado sólido.
TEMPORALIZACION
El tema puede exponerse completamente en su aspecto teórico en un período de 4
horas, sin profundizar excesivamente en el punto de aplicaciones técnicas que pueden
resultar muy extenso.
METODOLOGIA
Se expondrá el tema con claridad, minimizando los aspectos matemáticos e insistien-
do en los modelos e interpretaciones físicas.
Debe desarrollarse la Teoría de Bandas para comprender que el carácter conductor,
semiconductor o aislante, obedece a un único mecanismo energéticos pero en condicio-
nes diferentes según los niveles de energía previstos por la teoría cuántica.
Debe cuidarse la comprensión de los conceptos básicos, mediante una explicación
activa y participativa por parte del alumnado.
CONTENIDOS MINIMOS
Conductividad eléctrica. Resistividad.
Teoría de bandas. Bandas de valencia. Bandas de conducción.
Bandas de conducción y valencia en conductores, semiconductores y aislantes.
Conductores metálicos. Mecanismo de la conducción eléctrica.
Emisión de electrones (efecto termoeléctrico).
Semiconductores intrínsecos y semiconductores extrínsecos.
Dopado. Donadores y aceptores.
Superconductividad. Temperatura crítica.
Principales aplicaciones tecnológicas.
MATERIALES Y RECURSOS DIDACTICOS
Transparencias para retroproyector de: diagramas de bandas, estructuras de semicon-
ductores y demás elementos gráficos del tema.
Libros de consulta sobre aplicaciones de semiconductores y superconductores.
EVALUACION
Se evaluará el tema mediante ejercicios escritos de carácter objetivo sobre los con-
ceptos básicos, sus interpretaciones y aplicaciones.
Pruebas escritas de respuesta múltiple, relativas a las cuestiones anteriores tendentes
a evaluar la capacidad de razonamiento teórico y conceptual.

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