Taller de investigación FISICA II

Integrantes:

Hamilton Domínguez Funez

Sebastián Balvin Méndez
Fernando Támara Escudero
Luisa Betín Saldarriaga

Universidad de Sucre
Facultad de Ingeniería
Ingeniera Electrónica
Sincelejo -Sucre.
 Preguntas:

 Parte A.

Investiga:

1. A) Explica físicamente, ¿cómo se origina una corriente eléctrica?

B) En un circuito, ¿cuál es el sentido de la corriente?
2. ¿Qué es la resistividad en un material? explica ¿por qué en algunos materiales la resistividad
aumenta al aumentar la temperatura?
3. Propongan un experimento para medir el coeficiente de temperatura de resistividad de
algunos materiales. ¿Qué materiales necesitan? ¿Cómo sería el montaje experimental? ¿Qué
datos se deben tomar? Explica.
4. ¿Qué se entiende por fuerza electromotriz?
5. ¿Qué diferencia existe entre la corriente directa y la corriente alterna?

Resolución apartado A.

1.
A) La corriente eléctrica se origina por el movimiento ordenado de electrones a través de un
circuito eléctrico cerrado. Este movimiento se produce cuando se aplica una fuerza
electromotriz, también conocida como voltaje o diferencia de potencial. Cuando se aplica una
diferencia de potencial, los electrones libres se mueven del punto de menor potencial al de
mayor potencial. El movimiento de los electrones libres a través de un conductor se puede
representar como una corriente de agua que fluye a través de un tubo.

B) Realmente la corriente fluye desde el polo negativo al polo positivo. Este es el sentido en el
que realmente se mueven los electrones, sin embargo, se suele o solía mencionar que fluye
desde el positivo al negativo de una batería y la razón es que esta convención se estableció
antes de que se descubriera que son los electrones los que se mueven en un conductor.

C) La resistividad es una propiedad física de los materiales que mide la oposición que ofrecen
al paso de la corriente eléctrica. Se define como la resistencia que presenta un material de
longitud unitaria y sección transversal unitaria. La resistividad se representa por la letra griega
ρ (rho) y se mide en ohmios por metro (Ω⋅m). Los materiales con alta resistividad se
denominan aislantes, mientras que los materiales con baja resistividad se denominan
conductores. En cuanto a la relación entre la resistividad y la temperatura, la resistividad de
un material metálico aumenta al aumentar la temperatura. Esto se debe a que los iones del
conductor vibran con mayor amplitud, lo cual hace más probable que un electrón en
movimiento choque con un ión. Este fenómeno impide el arrastre de los electrones por el
conductor y, por tanto, también la corriente.
2.
Materiales necesarios:

Un multímetro.
Un termómetro.
Un caldero con agua.
Mechera y estufa.
Alambre de cobre o hierro.

Montaje experimental:

Antes de colocar el alambre tome la medida que tiene el agua antes de colocarlo al fuego y
anote el valor arrojado por el termómetro, igualmente tomar la medida de resistencia que
tiene el alambre en temperatura ambiente. Para que se pueda observar un incremento de
resistencia mida el valor de temperatura cada que aumente 10°C. posteriormente anote el
valor de la resistencia del material después de sumergirlo por lo menos 5 segundos, así como
la temperatura del agua en ese instante. Para minimizar los errores de mediciones haga por
lo menos 5 tomas de valores para hacerle un promedio y trabajar con dicho valor.

Teniendo esos valores dispóngase a realizar lo siguiente:

Cálculo del coeficiente de temperatura de resistividad:

El coeficiente de temperatura de resistividad (α) se define como la variación de la resistividad

con la temperatura, expresada como un porcentaje de la resistividad a la temperatura inicial
[1.1]. Se calcula con la siguiente fórmula [2.1]:

 RT = R0 + α * (Tp – T0)

Donde:
1. RT es la resistencia en temperatura T.
2. R0 es la resistencia a la temperatura de referencia T0.
3. α es el coeficiente de temperatura de resistencia en Ω/°C.
4. Tp es la temperatura promedio en grados Celsius.
5. T0 es la temperatura de referencia en grados Celsius

Despejamos α.

α = R0 – [RT / (Tp – T0)]

 SUPONIENDO VALORES.

Los datos obtenidos en el experimento son los siguientes.

 R0 = 0.2Ω
RT = 2.5Ω para este caso RT será el promedio de los valores medidos de la resistencia.
Tp = 30° C
T0 = 0°C.

Reemplazamos los valores

α = 0.2 Ω – [2.5Ω / 30°C]

α = 0.2Ω − 0.083Ω/°C
α = 0.116Ω/°C

Esto quiere decir que por cada grado centígrado la resistencia debería aumentar 0.12Ω.

3. La fuerza electromotriz (FEM) es una medida de la energía por unidad de carga suministrada
por una fuente de energía, como una batería o un generador, para impulsar el flujo de corriente
en un circuito eléctrico. A pesar de su nombre, la FEM no es una fuerza en el sentido físico
tradicional, sino más bien una medida de la energía suministrada por unidad de carga en un
circuito eléctrico. Se mide en voltios (V) y representa la diferencia de potencial eléctrico entre
los terminales de la fuente de energía cuando no hay corriente fluyendo a través del circuito.
La FEM es responsable de mantener el flujo de corriente en un circuito, ejerciendo una fuerza
que impulsa a los electrones a moverse desde el polo negativo hacia el polo positivo de la
fuente de energía a través del conductor.

4. La principal diferencia entre la corriente directa (DC) y la corriente alterna (AC) radica en la
dirección en la que fluyen las cargas eléctricas a través de un circuito y cómo varía esta
dirección en el tiempo.

 Corriente Directa (DC): En la corriente continua, las cargas eléctricas, como los electrones,
fluyen siempre en la misma dirección a lo largo del circuito. La polaridad se mantiene
constante, por ejemplo, desde el polo negativo de una batería al polo positivo. Las fuentes
típicas de corriente continua incluyen baterías y celdas solares.

 Corriente Alterna (AC): En contraste, en la corriente alterna, las cargas cambian de dirección
periódicamente. La corriente alterna varía su polaridad y dirección de flujo a intervalos
regulares, en Colombia y en gran parte del mundo la red domestica tiene a una frecuencia de
60 ciclos por segundo (60 Hz). Este tipo de corriente es producido por generadores y es el
que se suministra energía en la mayoría de los hogares y negocios.
  Parte B.

De los temas expuestos por tus compañeros, respondan:

1. ¿Cuál es la función principal de los semiconductores en el contexto de la ingeniería

electrónica, y cómo se diferencian de los conductores y aislantes en términos de propiedades
eléctricas?
2. Describe el concepto de banda de energía en un semiconductor y cómo afecta la
conductividad eléctrica. ¿Cómo influye el dopaje en la modificación de las propiedades de la
banda de energía?
3. ¿Qué diferencia existe entre un semiconductor intrínseco y extrínseco?
4. Explica físicamente como se forma la región de agotamiento en una unión PN.
5. Explica físicamente la polarización directa e inversa en una unión PN, ¿Por qué aumenta la
región de agotamiento? ¿Por qué disminuye?

Resolución apartado B.

1. Los semiconductores son materiales que pueden actuar como conductores o aislantes,
dependiendo de las condiciones externas a las cuales están sometidos, como temperatura,
presión, radiación y campos magnéticos o eléctricos [5]. Los semiconductores son sólidos
cristalinos con una conductividad eléctrica media, por lo que pueden emplearse de manera
dual como un conductor y un aislador [5]. Los semiconductores se usan en aplicaciones
electrónicas, en especial para la fabricación de componentes como transistores, diodos y
circuitos integrados. También son usados como accesorios o complementos de sensores
ópticos, como láseres de estado sólido, y algunos dispositivos de potencia para sistemas de
transmisión de energía eléctrica [5][6].
Los conductores son materiales que permiten el movimiento libre de electrones, por lo que
se utilizan para crear circuitos eléctricos [7]. Los aislantes, por otro lado, son materiales que
no permiten a los electrones circular libremente, por lo que hacen imposible el flujo de la
corriente eléctrica [7]. En resumen, los conductores permiten el paso de la corriente
eléctrica, los aislantes no permiten el paso de una corriente eléctrica y los semiconductores
permiten una cantidad limitada de corriente eléctrica [7][8].

2. La banda de energía es un concepto importante en la física de los semiconductores. Los

semiconductores tienen una banda de valencia y una banda de conducción, separadas por
una brecha de energía. La banda de valencia es la banda de energía más alta que está
completamente llena de electrones, mientras que la banda de conducción es la banda de
energía más baja que está vacía o parcialmente llena de electrones [9]. La brecha de energía
entre estas dos bandas determina la conductividad eléctrica del material. Si la brecha de
energía es pequeña, los electrones pueden saltar fácilmente de la banda de valencia a la
banda de conducción, lo que permite que el material conduzca la electricidad. Si la brecha
de energía es grande, los electrones no pueden saltar fácilmente de la banda de valencia a
la banda de conducción, lo que hace que el material sea un aislante [10].
 El dopaje es un proceso mediante el cual se agregan impurezas a un semiconductor para
modificar sus propiedades eléctricas. El dopaje puede aumentar o disminuir la
conductividad eléctrica de un semiconductor, dependiendo del tipo de impureza que se
agregue. El dopaje tipo n implica agregar impurezas que tienen electrones adicionales en su
capa externa, lo que aumenta la cantidad de electrones libres en el material y, por lo tanto,
su conductividad eléctrica. El dopaje tipo p implica agregar impurezas que tienen menos
electrones en su capa externa, lo que crea huecos en la banda de valencia que actúan como
cargas positivas móviles y, por lo tanto, aumenta la conductividad eléctrica del material [11].
El dopaje también puede modificar la brecha de energía entre la banda de valencia y la
banda de conducción, lo que afecta la conductividad eléctrica del material [12][13].

3. La principal diferencia entre un semiconductor intrínseco y extrínseco es la presencia de

impurezas en el material. Un semiconductor intrínseco es un material puro, sin impurezas,
mientras que un semiconductor extrínseco contiene impurezas que le confieren
propiedades especiales.

En un semiconductor intrínseco, la banda de valencia está completamente llena de

electrones y la banda de conducción está completamente vacía. Esto significa que los
electrones no pueden fluir libremente a través del material, por lo que la conductividad
eléctrica es muy baja.

En un semiconductor extrínseco, las impurezas introducen electrones adicionales en la

banda de conducción o huecos en la banda de valencia. Esto aumenta la conductividad
eléctrica del material.

En función del tipo de impureza que se introduzca, se pueden obtener dos tipos de
semiconductores extrínsecos:

Semiconductores tipo n, que contienen impurezas pentavalentes, como el fósforo o el

arsénico. Estas impurezas tienen un electrón de valencia adicional, que se puede mover
libremente a través del material.

Semiconductores tipo p, que contienen impurezas trivalentes, como el boro o el galio. Estas
impurezas tienen un hueco de valencia, que puede ser ocupado por un electrón de la banda
de conducción.

Los semiconductores intrínsecos y extrínsecos se utilizan en una amplia variedad de

aplicaciones electrónicas, como transistores, diodos, diodos emisores de luz (LED) y circuitos
integrados [14].

4. La región de agotamiento en una unión PN se forma por la difusión de portadores de carga

desde cada lado de la unión. Los electrones del material de tipo n se difunden hacia el
material de tipo p, donde hay huecos disponibles. Los huecos del material de tipo p se
difunden hacia el material de tipo n, donde hay electrones disponibles.
 Esta difusión de portadores de carga crea un desequilibrio de carga en la región de la unión.
En el material de tipo n, los electrones que se han difundido hacia el material de tipo p dejan
atrás iones positivos. En el material de tipo p, los huecos que se han difundido hacia el
material de tipo n dejan atrás iones negativos.

Este desequilibrio de carga crea un campo eléctrico en la región de la unión. Este campo
eléctrico se opone a la difusión de portadores de carga, de modo que la difusión se detiene
cuando el campo eléctrico alcanza un valor determinado.

La región de la unión en la que se ha detenido la difusión de portadores de carga se llama

región de agotamiento. Esta región es muy delgada, de unos pocos nanómetros de ancho.

En resumen, la formación de la región de agotamiento en una unión PN se puede explicar

por los siguientes pasos:

Los electrones del material de tipo n se difunden hacia el material de tipo p, donde hay
huecos disponibles.

Los huecos del material de tipo p se difunden hacia el material de tipo n, donde hay
electrones disponibles.

Este desequilibrio de carga crea un campo eléctrico en la región de la unión.

El campo eléctrico se opone a la difusión de portadores de carga, de modo que la difusión

se detiene cuando el campo eléctrico alcanza un valor determinado.

La región de la unión en la que se ha detenido la difusión de portadores de carga se llama

región de agotamiento.

La región de agotamiento es una característica fundamental de las uniones PN. Es

responsable de las propiedades eléctricas de las uniones PN, como la conducción y la
rectificación [15].

5. Polarización directa

En polarización directa, el terminal positivo de una fuente de alimentación se conecta al

material de tipo n y el terminal negativo se conecta al material de tipo p. Esto crea un campo
eléctrico que empuja a los electrones del material de tipo n hacia la unión y a los huecos del
material de tipo p hacia la unión.

Este campo eléctrico reduce la barrera de potencial en la región de agotamiento, facilitando

la difusión de portadores de carga desde cada lado de la unión. Por lo tanto, la corriente
eléctrica fluye fácilmente a través de la unión.

Polarización inversa
 En polarización inversa, el terminal negativo de una fuente de alimentación se conecta al
material de tipo n y el terminal positivo se conecta al material de tipo p. Esto crea un campo
eléctrico que empuja a los electrones del material de tipo n hacia el material de tipo p y a
los huecos del material de tipo p hacia el material de tipo n.

Este campo eléctrico aumenta la barrera de potencial en la región de agotamiento,

dificultando la difusión de portadores de carga desde cada lado de la unión. Por lo tanto, la
corriente eléctrica fluye muy poco a través de la unión.

Aumento de la región de agotamiento

La región de agotamiento aumenta en polarización inversa porque el campo eléctrico

empuja a los iones positivos y negativos de la región de la unión hacia los lados. Esto
aumenta la distancia entre los iones, lo que aumenta el ancho de la región de agotamiento.

Disminución de la región de agotamiento

La región de agotamiento disminuye en polarización directa porque el campo eléctrico

empuja a los electrones y los huecos de la región de la unión hacia el otro lado. Esto reduce
la distancia entre los portadores de carga, lo que disminuye el ancho de la región de
agotamiento.

En resumen, la polarización directa y la inversa de una unión PN se pueden explicar por el

campo eléctrico que se crea en la región de la unión. Este campo eléctrico afecta a la
difusión de portadores de carga, lo que da lugar a las diferentes propiedades eléctricas de
la unión en cada polarización [16].

Referencias.

[1] https://circuitoselectricos.net/corriente-electrica/

[1.1] https://es.wikipedia.org/wiki/Coeficiente_de_temperatura

[2] https://www.electricity-magnetism.org/es/cual-es-la-resistividad-de-un-material/

[2.1] https://www.electricity-magnetism.org/es/cual-es-el-coeficiente-de-temperatura-de-
resistencia/#:~:text=El%20CTR%20se%20define%20matem%C3%A1ticamente,*%20(T%20%E2%80
%93%20T0)

[3] https://www.lifeder.com/fuerza-electromotriz/

[4] https://www.diferenciador.com/corriente-alterna-y-corriente-directa/

[5] https://www.lifeder.com/semiconductores/

[6] https://concepto.de/semiconductores/
[7] https://www.diferenciador.com/conductores-aislantes-y-semiconductores/
[8] https://cualesladiferencia.com/diferencia-entre-conductores-aislantes-y-semiconductores/

[9] ¿Cómo afecta el dopaje la conductividad eléctrica de los semiconductores? (electricity-

magnetism.org)

[10] https://www.radiation-dosimetry.org/es/que-es-la-semiconductividad-teoria-de-bandas-
definicion/

[11] https://www.electricity-magnetism.org/es/como-afecta-el-dopaje-la-conductividad-electrica-
de-los-semiconductores/

[12] https://openstax.org/books/f%C3%ADsica-universitaria-volumen-3/pages/9-6-
semiconductores-y-dopaje

[13] https://1library.co/article/conductividad-en-pol%C3%ADmeros-marco-teorico.y4wodwnk

[14] https://diferenciario.com/semiconductor-intrinseco-y-semiconductor-extrinseco/

[15] https://www.pveducation.org/es/fotovoltaica/dispositivos-
semiconductores/formaci%C3%B3n-de-la-uni%C3%B3n-
pn#:~:text=Se%20forma%20un%20campo%20el%C3%A9ctrico,se%20agota%20de%20portadores%
20libres.

[16] https://www.pveducation.org/es/fotovoltaica/dispositivos-
semiconductores/polarizaci%C3%B3n-en-uniones-pn