UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA ELC-215 PROBLEMA 1 Calcular Ro excluyendo R.

Asumir que todos los transistores funcionan en saturacin con corrientes de drenaje de 100 uA. Use los parmetros de transistores con el proceso de 0.5 um. Ignore el efecto del cuerpo.

Asuma W = 10 um y L = Lmin. El VAn equivalente es de 6 V. PROBLEMA 2. Encontrar la transconductancia de corto circuito del super-seguidor de fuente. Asumir I1=200 uA, I2=100uA. Asumir que ambos transistores funcionan en la regin activa. Ignore el efecto del cuerpo. Se usan transistores con una tecnologa de 0.5 um. L=Lmin. W1=30 um y W2= 10um. |Vap| = 3V.

UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR, CICLO I 2013

PROBLEMA 3. Encontrar la ganancia en la banda media y la frecuencia de corte superior

hFE = 175, Rs = 50 ohm, RC = RL = 600 ohm, VCC = 15 V y VEE = -15 V, RE1 = RE2 = 2 k RB = 12 k, Q1 = Q2 = 2N2222 Problema 4. Encontrar la ganancia en la banda media y la frecuencia de corte superior

Q1 y Q2 son 2N2222 con hFE = 175, Seleccione los valores restantes para polarizar los transistores en ICQ = 5 mA y VCEQ = 10 V; y cambie RC y RL de manera que se obtenga ganancia mxima.

UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR, CICLO I 2013

Problema 5. En los circuitos mostrados a continuacin, Horowitz sostiene que la respuesta en frecuencia mejora debido a que o bien se elimina el efecto Miller, o la degradacin de respuesta en alta frecuencia por fT y Cu(1+gmRc) Explique cmo se logra dicha mejora de respuesta en frecuencia.

a) seguidor ms amplificador base comn (amplificador diferencial)

b) amplificador base comn, ms amplificador base comn (cascodo)

c) seguidor ms amplificador emisor comn

UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR, CICLO I 2013

Problema 6

En el circuito mostrado, la constante de tiempo dominante es la del nodo X. Determinar el valor aproximado de fH. Los parmetros de los dispositivos BJT son los siguientes; hFE = 100, VA = 25 V. Mientras que los parmetros de los dispositivos MOSFET son los siguientes:

Por otra parte

UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR, CICLO I 2013

Problema 7

Calcular valores aproximados de punto de operacin (VGS, VDS, ID, VBE, IC) para todos los transistores. hFE=100; kn= 200uA/V2; Vt=0.6V; Is=10E-16 Problema 8.

Para el circuito mostrado Q2 es un 2N2222. Para el MOS kn(W/L)= 1mA/V2 y Vt =0.6V a) encontrar valores aproximados de las corriente de polarziacin b) calcular Gv, Rent y Rsal (viendo desde la RL = 1k) UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR, CICLO I 2013