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UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA


ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA
ELECTRNICA II
Laboratorio 1: MOSFET Biasing and Amplification of a CS Voltage Amplifier.
Catedrtico: Ing. Jos Ramos Lpez.
Instructores: Nstor Vsquez y Joselyn Regina.
Grupo de Lab: Lunes de 1:20 p.m. a 3:00 p.m.
Alumnos:
Br. Argueta Navas, Kevin Francisco
Br. Alemn Cruz, Edwin Jos

AN09007
AC09106

Resumen
En esta prctica de laboratorio en base a los conocimientos adquiridos en el saln de
clases, realizamos el diseo de un circuito amplificador con MOSFET de tal manera que
cumpliera con cierto requerimientos, este mismo circuito se ha puesto a simular en Pspice
con los parmetros que se nos proporcionan, de tal manera que se hizo la comparacin
entre el anlisis calculado tericamente y el anlisis arrojado en la simulacin, adems se
realizaron las prueba en el laboratorio para obtener un resultado similar al terico y su
respectiva simulacin. Tambin veremos los resultados del laboratorio al implementar un
amplificador fuente-comn (CS) con carga activa PMOS.
Lista de equipo y materiales.
Generador de seales.
Osciloscopio.
Protoboard.
Multmetro.
Resistencia.
1 CD4007.
1 Potencimetro, Resistencias y Capacitores.
Introduccin.
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste
en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms
utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los procesadores
comerciales estn basados en transistores MOSFET.
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el
que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por
una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales
dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:
Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) cuya principal caracterstica consiste
en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal
forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente debido a las
corrientes parsitas.

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Descripcin de los Circuitos.
1. Asignacin pre-Laboratorio.

Figura 1.
Amplificador de fuente comn de desviacin en la que se realiza a travs de un divisor de
tensin y una resistencia de fuente. El Vsig seal de entrada est acoplado a la puerta a
travs de un condensador de acoplamiento CC1. En este circuito hemos conectado el
terminal cuerpo para la terminal fuente.

1.1. Lea la seccin de "polarizacin por fijacin de VG y la conexin de una resistencia


en la Fuente" (seccin 4.5.2) y "El Amplificador Fuente comn".
1.2. Su tarea es disear el amplificador de fuente comn de la figura 1 con una corriente
de polarizacin ID = 0,6 mA. El voltaje de la fuente VS debe ser 3V y la tensin VD
de drenaje deben ser elegidos de tal manera que est en el medio de VS y VDD.
La resistencia de entrada debe ser mayor que 15 kOhm.
El transistor NMOS (CD4007CN array) tiene las siguientes caractersticas:
Vt=1.2V
kn'W/L=0.7mA/V2
=0.004V-1
=1.9 V0.5
a. Encuentra el valor de VD.
b. Encuentra los valores de la resistencia RS y RD. Seleccione los valores que
estn disponibles en el laboratorio (marque los valores de resistencia
disponibles en el laboratorio RCA).
c. Utilizando el valor de la resistencia real de RS encontrar VS y VG.
d. Encuentra los valores de la RG1 resistencias, y RG2.
e. Cul es la disipacin total de alimentacin de CC en el amplificador? (pista:
la disipacin de potencia es VDD x Itotal).

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1.3. Utilizando los valores de las resistencias y la corriente de polarizacin ID, encontrar
la amplificacin del amplificador:
a. Calcular el valor de la transconductancia gm y pequea salida de seal de
resistencia de ro.
b. Supongamos que hay resistencia de carga RL presente, encontrar el valor
de Avo.
c. Calcular la ganancia de voltaje Av para el caso de una resistencia de carga
RL = 10 kOhm se aade como se muestra en la Figura 1.
d. Supongamos que un RSIG resistencia de la fuente de 5 kOhm est
presente, cul es el efecto en la amplificacin general Gv? Cul es el
valor de la ganancia total de voltaje Gv con tanto RSIG y RL presente?
e. Cul es la tensin mnima en la fuente con el fin de mantener el transistor
en la saturacin? Cul es la oscilacin de voltaje correspondiente?
f. Resumir las caractersticas del amplificador en forma de tabla: corriente y
voltajes DC (ID, VD, VDmin), la disipacin de energa total,
transconductancia gm, resistencia de entrada Rin, resistencia de salida Ro
= RD||ro, amplificacin con y sin resistencia de carga RL. Supongamos que
la fuente de seal tiene una resistencia interna despreciable.
1.4. Verifique su diseo usando PSpice. Usted tendr que utilizar un modelo para el
transistor CD4007. Los modelos se pueden encontrar en la biblioteca ESE216LIB
que se puede descargar desde el sitio web. Guarde tanto el cd4007.lib y archivos
cd4007.olb en su directorio. Los transistores se llaman nnmos para los NMOS y
PMOS para la ppmos. Usted tendr que aadir esta biblioteca al dibujar el
esquema. Adems, al crear un nuevo Perfil de simulacin, mientras se hace la
simulacin, usted tendr que aadir la ruta de biblioteca y nombre de archivo (en la
pestaa Bibliotecas). Ver PSpice Primer, seccin 4 sobre "Uso y Adicin de
bibliotecas de proveedores."
a. Introduce el esquema de la figura 1 sin la resistencia de carga RL y
condensador de acoplamiento CC2. Para el transistor es necesario agregar
la Biblioteca CD4007.
b. Simulacin Bias. Simular el circuito de la figura 1 (sin la resistencia de carga
RL). Realice una simulacin BIAS y encontrar los voltajes de CC en cada
nodo y la corriente ID. Comparar los resultados con el calculado en el
apartado 3.2 anterior.
c. A continuacin, hacer una simulacin transitoria. Utilice como seal de
entrada una fuente sinusoidal (Versin) de frecuencia de 5 kHz y amplitud
de 0.2V. Haga esto por primera vez sin una resistencia de carga y junto con
una carga RL de 10 kOhm. Encuentra la tensin de salida. Cul es la
amplificacin de tensin Avo y Av? Comparar los resultados de la
simulacin con sus clculos manuales.

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d. Hacer un barrido de frecuencia (simulacin AC) mediante la sustitucin de
la fuente de entrada por una fuente de CA, Vac. Simular el circuito con la
resistencia de carga de 10kOhm conectado. Barrer la frecuencia de 10 Hz
hasta 100 kHz. Encuentra el punto de corte de la baja frecuencia. Trazar el
diagrama de Bode de la amplificacin. Determinar la baja frecuencia de
corte y la amplificacin de frecuencia media. De qu manera la
amplificacin comparar con el de la simulacin transitoria?
e. Resumir los resultados de la simulacin en forma de tabla en una hoja
aparte y entregarlo junto con los clculos y las simulaciones impresiones.
Etiqueta de cada grfica claramente.
2. Experimento de Laboratorio.
2.1. Polarizacin del transistor:
El objetivo de este experimento es para implementar el transistor de la figura 1 de
acuerdo con los clculos de la pre-laboratorio. Despus de construir el circuito que
va a verificar los voltajes y corrientes de polarizacin.
a. Construya el circuito de la Figura 4. Utilice el transistor entre los pines 3, 4
y 5. Tenga en cuenta que hemos conectado el mayor (pin 7) a la fuente (pin
5) del transistor NMOS. Esto se puede hacer ya que slo estamos usando
un solo transistor NMOS en la matriz. La razn de cortocircuito de drenajea granel es para eliminar el efecto de back-puerta (cuerpo) de la tensin de
umbral. Para el RG2 resistencia de polarizacin, utilizar a 100 kOhm
potencimetro.
b. Mida la tensin continua en el drenaje. Importante es posicionar el VD
tensin de drenaje alrededor de las 9 o 10 V. Ajuste el RG2 potencimetro
para que VD es de alrededor de 9V. Despus de ajustar la tensin de puerta,
medir las tensiones de puerta y de fuente. Cul es la fuga de corriente
correspondiente ID?

Figura 4: polarizacin del circuito amplificador fuente comn.

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2.2. Amplificador fuente comn con carga resistiva.
A continuacin, deber utilizar el transistor como amplificador y medir su respuesta
amplificacin y la frecuencia. Tambin se estudiar el efecto de las resistencias de
fuente y carga en la amplificacin.

Figura 5: amplificador fuente comn (Rsig es la resistencia interna del generador de


funciones y es alrededor de los 50 Ohm).
a. Modificar el circuito de la figura 4 mediante la adicin de la CC1 condensadores, y
CS como se muestra en la Figura5. Conecte una seal de entrada sinusoidal de 0,2
V de amplitud (0.4Vpp) y la frecuencia de 5 kHz.
b. Medir la oscilacin de tensin en el drenaje usando el osciloscopio. Visualizar el VD
en un canal y la vsig tensin de entrada en el otro canal. Medir el pico a pico valores
de la seal de entrada y de salida. Cul es la amplificacin de circuito abierto
(ganancia de voltaje) Avo? Note la relacin de fase. Tomar una instantnea para su
informe. Cmo se compara a la calculada? Cabe mencionar que las caractersticas
del transistor pueden variar considerablemente de viruta a viruta. No es raro que los
valores medidos difieren hasta en un 10-20% de los tipos especificados.
c. Aumentar la amplitud de la seal de entrada y observar la seal de salida. Cundo
comienza la seal de salida para distorsionar? Cul es la oscilacin de la tensin
mxima de salida antes de que ocurra una distorsin considerable?
d. Reduzca la seal de entrada para que la seal de salida se ve distorsionada. Medir
la FFT de la seal de salida y determinar la distorsin armnica total (por hacer en
su informe). Anote cuntos dB la amplitud de los armnicos estn por debajo de la
amplitud de la frecuencia fundamental. Tomar una instantnea de la FFT (incluir la
escala vertical en dB).
e. Permite eliminar el condensador de bypass CS sobre la resistencia de fuente. Mida
la seal de salida. Cul es la amplificacin? Observe el fuerte efecto de eliminar el
condensador en la amplificacin. Tomar una instantnea.
f. Reemplace el condensador CS sobre la resistencia de fuente. Aadir el CC2
condensador de acoplamiento y la resistencia RL laod. como se muestra en la Figura
1. El uso de CC2 un valor de 0,1 uF y para RL un valor de 10 kOhm. Mida la tensin
de salida Vo y la Av amplificacin correspondiente. Observe que la tensin de CC

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se ha eliminado de la tensin de salida. Qu pas con la amplificacin? Para su
informe, incluya una breve discusin sobre el efecto de RL.
g. Medir la respuesta de frecuencia del amplificador con la resistencia de carga
conectada. Cambiar la frecuencia de la seal de entrada. A partir de 5 kHz, reducir
la frecuencia hasta que la amplitud de la salida ha disminuido por un factor de 0.707
(o 3 dB). Anota esta frecuencia de 3dB. Cul es el hip relaciones de fase entre la
entrada y la seal de salida? A continuacin, aumentar el valor de la frecuencia de
entrada hasta el Av amplificacin se reduce a 0.707 de su valor a 5 kHz. Registre el
punto de 3 dB de alta frecuencia. Cul es el ancho de banda del amplificador?
Cul es el producto ganancia-ancho de banda? Para su informe, se puede explicar
el valor medido del punto 3dB de baja frecuencia? Qu hace que esta frecuencia
de corte?
Para su informe, incluya los resultados de la medicin y comparacin con los clculos a
mano. Discutir los resultados cuando sea apropiado. Incluya tambin el clculo de la
distorsin armnica total. Explicar la baja frecuencia roll-off.

Resultado de las mediciones.


1. Asignacin pre-Laboratorio.
1.2.

Diseo del amplificador de fuente comn de la figura 1.

Figura 1.
Este circuito se dise de tal manera que cumpliera con los requerimientos de
ID=0.60mA y adems de proporcionar un voltaje de fuente VS=3volt.
De tal manera se calcularon los valores de resistencias que permiten dicho
funcionamiento arrojando como resultados los siguientes parmetros:
1

a. = 2 ( 0) = 2 (15) = .
b. =

= 0.6 =

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7.5
=
= .
0.6
c. Con los valores reales de Resistencias que hay en el laboratorio, RS=5k y
RD = 12k, obtenemos:
VS = 3Volts. No cambia debido a que esta resistencia se encuentra en el
laboratorio y as podemos mantener los requisitos que se nos piden, no as
VD este si cambia dado que resistencia de 12.5kOhms no se poseen.
VG = 5.51V.
d. Del clculo de RG1 y RG2 obtenemos una relacin de 1.72 y es as como
podemos especificar directamente uno de ellos usando uno que se
encuentre en el laboratorio, por tanto decimos que:
RG1 = 100k.
Y adems dado que RG2 es 0.5814 veces RG1 obtenemos:
RG2 = 58.14kOhms.
e. La disipacin total de alimentacin de CC en el amplificador:
= (15)(0.6)
= .
=

1.3.

Amplificacin del Amplificador.


Para este anlisis podemos hacer uso del circuito a pequeas seales de la figura
2.

a. = 2 donde = de tal manera que obtenemos:


= . .
= / = .
b. = ( || || ) pero para el caso en el que RL es infinita es decir
que se comporte como la ganancia de circuito abierto = .
= . .
c. Av para el caso de una resistencia de carga RL = 10 k se tiene:
= ( || || )
= . .
d. El valor de la ganancia total de voltaje Gv con tanto RSIG y RL presente
ser: = .

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e. Cul es la tensin mnima en la fuente con el fin de mantener el transistor
en la saturacin? Cul es la oscilacin de voltaje correspondiente?
2
= =
= 1.309

f.

Resumir las caractersticas del amplificador en forma de tabla: corriente y


voltajes DC (ID, VD, VDmin), la disipacin de energa total,
transconductancia gm, resistencia de entrada Rin, resistencia de salida Ro
= RD||ro, amplificacin con y sin resistencia de carga RL. Supongamos que
la fuente de seal tiene una resistencia interna despreciable.

Caractersticas del Amplificador CS.

1.4.

ID

0.6 mA

VD
Disipacin de
Energa
Transconductancia
Resistencia de
Entrada Rin

7.5 V
9 mW
0.914 mA/V
36.75 kOhms

Resistencias
de Salida Ro
Avo
Av

9.76 kOhms

Gv

-4.47 V/V

-11.425 V/V
-5.01 V/V

Verificacin utilizando Pspice.


Para la verificacin del amplificador diseado anteriormente si realizo su
construccin tal como se muestra en la figura 1.

a. El anlisis de polarizacin se observa a continuacin en la Figura 1.1.

Figura1.1 anlisis de polarizacin con Pspice.


Como podemos observar en la figura 1.1 se cumplen por aproximacin los requisitos
planteados para el diseo del amplificador fuente-comn, donde debera de ser VS=3Volts
con una corriente ID=0.6mA=600mA.

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b. A continuacin, hacer una simulacin transitoria. Aplicando una seal de entrada
sinusoidal con una frecuencia de 5 kHz y una amplitud de 0.2V.
Primeramente se hizo esta simulacin sin la presencia de la resistencia de carga
Y en las imgenes a continuacin se observan las respectivas simulaciones:
Amplificador CS sin carga.

a) Esquema en Pspice sin


RL

b) Tensin de salida del Amp. Sin RL.

Figura 1.2 Amplificador CS sin carga RL, frecuencia de 5 kHz y amplitud de 0.2V.
Amplificador CS con resistencia de carga.

a) Esquema Pspice con


RL=10KOhm

b) Tensin de salida del Amp. con RL.

Figura 1.3 Amplificador CS con RL=10kOhm, frecuencia de 5 kHz y amplitud de 0.2V.


Cul es la amplificacin de tensin Avo y Av?

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a) Amplificacin sin carga.
b) Amplificacin con carga RL.
Figura 1.4 Amplificacin del Amp. CS.
En una comparacin con los resultados de la simulacin.
c. Barrido de frecuencia mediante la sustitucin de la fuente de entrada por una fuente
de CA, Vac. Simular el circuito con la resistencia de carga de 10kOhm conectado.
Barrer la frecuencia de 10 Hz hasta 100 kHz. Encuentra el punto de corte de la baja
frecuencia.

Figura 1.5 Diagrama de Bode de la amplificacin.


Baja frecuencia de corte se da al punto en que la ganancia del amplificador decae
a -3dB de la amplificacin de frecuencia media, as podemos observarlo en la
imagen 1.5 donde observamos la magnitud y fase del amplificador.
De qu manera la amplificacin se compara con el de la simulacin transitoria?
Cuando se hace una simulacin de barrido de frecuencia en el dominio del tiempo
podemos observar cmo cambiara la magnitud de la seal a una nica frecuencia
pero en dominio de la frecuencia al observar el diagrama de bode podemos observar
como cambiara la seal de salida del amplificador a todas las frecuencias a las que
se aplica el barrido.
d. Resumir de los resultados de la simulacin en forma de tabla junto con los clculos.
Etiqueta de cada grfica claramente.

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2. Experimento de Laboratorio.
2.1.
Polarizacin del transistor:
Se procedi a ensamblar el circuito de la figura 4 con los elementos de laboratorio.

Figura 2.1.
El uso del potencimetro en este circuito es debido que los valores de resistencias que se
calcularon anteriormente no se encuentran comercialmente y se hace un ajuste variando
RG2 para obtener los resultados esperados. Los valores de resistencias son
RG1=100kOhm, RG2=(Potencimetro de 100kOhms), RD=11.98kOhm, RS=5.01kOhms.
Al realizar esto logramos obtener los resultados esperados y medidos con dos multmetros
de:
VD = 7.71 Volts

ID = 606 uA

VS = 3.01 Volts

2.2.
Amplificador fuente comn (CS) con carga resistiva.
Se implement el circuito de la figura 5 con los elementos de laboratorio y podemos
observarlo en la figura 2.2.

Figura 2.2 Amplificador CS con capacitores de acoplamiento.


Como puede observarse Avo=212/20 esto es debido a la escala de la sonda de las puntas
del osciloscopio, de tal manera que Avo=10.6V/V un 7.22% de diferencia con el valor

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calculado anteriormente. Un valor moderadamente aceptable dado que no estamos entre
el rango de [10 a 20] % donde seria inusual los valores de las mediciones.
Se puso a prueba el amplificador para observar los valores en los cuales este empieza a
distorsionar. Los efectos de incrementar la amplitud y la frecuencia es que presentan
distorsin en la grfica de salida, quiere decir que al modificar estos parmetros en la seal
de entrada la salida responder hasta comenzar a deformarse
A continuacin variando el valor de la amplitud de la seal observamos que al posicionar
en el lmite en el que no observamos distorsin y usando un analizador de redes podemos
observar el FFT:

a) A baja tensin de entrada


(Distorsin no observada)

b) Al aumentar la tensin (Distorsin


bastante notoria)

Figura 2.3 Analizador de redes.


Cul es el ancho de banda del amplificador? Cul es la ganancia-ancho de banda
producto? Para su informe, se puede explicar el valor medido de la baja frecuencia punto
3dB? Qu hace que esta frecuencia de corte?

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Resultados:
La reduccin de frecuencia se realiz desde 5 kHz hasta 3khz, debido que a esa frecuencia
se observ la distorsin de la onda. Por tanto el ancho de banda ser de: 1.6196.
El aumento de frecuencia se realiz desde 5 kHz hasta 225khz, debido que a esa frecuencia
se observ la distorsin de la onda. Segn las mediciones el ancho de banda es de 220kHz
aproximadamente.
2.3. BONUS - Asignacin Amplificador de fuente comn con carga activa PMOS.

a)
Figura 2.4 Amplificador CS con carga activa.

b)

Mediciones:
V12
VD
VG
ID

12.79V
3.415V
3.268V
1.4mA

Aplicando una fuente de entrada sinusoidal Vsig con amplitud de 25 mV y la frecuencia 5


kHz. Lo que se observa de la salida del amplificador se muestra a continuacin.

Figura 2.5 Salida sin carga RL.

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Se ajust la seal de entrada a 25mV para disminuir la distorsin de salida.
=

512
= 18.29
28

La ganancia de tensin en circuito abierto en este caso es mayor, comparada con la del
circuito 1 que es -10.6, la carga activa aumenta la ganancia a 18.29 v/v.
Ahora conectando Cc2 y la resistencia de carga RL = 10 k. La tensin de salida Vout
sobre el RL resistor se observa en la siguiente figura.

Figura 2.6 Amplificador con Cc2 y carga RL.


=

368
= 7.07
52

La conexin de la resistencia de carga produce una cada en la ganancia de voltaje, que


comprado con la de circuito abierto, es un poco menor a la mitad del valor de ganancia de
tensin a circuito abierto.

Discusin del efecto de la carga activa en la amplificacin.

Vt = -1.0V kp'W / L = 0.7 mA/V2 y = 0.035V-1.


= ( || )
Sustituyendo RD por (rop //ron) el paralelo de las resistencias de salida del NMOS Y PMOS y
calculando rop y ron se tiene:
= =

1
1
=
= 34.42
1
0.035 0.83

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= 0.9167((34.42||34.42)||10) = 5.80
Con carga activa nuestro amplificador logra una mayor ganancia que con resistencias
pasivas, debido a que para igual V e I la resistencia de salida ro es mucho mayor que la
resistencia pasiva que se pueda poner.

Conclusiones
Hemos evidenciado la utilidad del MOSFET como amplificador tanto como el NMOS y el
NMOS con carga activa de espejo de corriente. Ambos permiten la amplificacin de
pequeas seales, en una comparacin podemos decir que la de carga activa de espejo de
corriente es mejor dado que posee una pendiente donde es evidente que tendremos una
variacin de voltaje mayor que el circuito con el Amplificador MOSFET CS. La utilidad de
los amplificadores con carga activa est en el ahorro de espacio de muchos circuitos
integrados, dado que el implementar incluso una resistencia dentro de un chip requiere de
mucho espacio, pero utilizando MOSFETs se logra disminuir el espacio dentro de los chips.
Las ventajas de trabajar con MOSFET con amplificadores es por su bajo consumo de
energa, al utilizar amplificadores en escalas mayores es de mucha utilidad y adems el uso
de amplificadores es muy importante tanto para seales cardiacas, radiofrecuencia, audio,
e incluso los microprocesadores llevan estas configuraciones de los MOSFET.
Bibliografa
Sedra. Circuitos Microelectrnicos, 5a edicin. McGraw-Hill Interamericana, 2006.
"The Art of Electronics", Horowitz and Hill, Cambridge University Press.

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