UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO

Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniera y Agrimensura Escuela de formacin bsica

Departamento de fsica y qumica Ctedra de fsica IV

Tema: Comportamiento de los portadores minoritarios de los semiconductores dopados bajo diferentes condiciones

Prof.: Susana Marchisio Alumnos: Schulze Jonathan S-4848/8 Naldini Lucas N-1069/3

Abril de 2013

Introduccin
El siguiente trabajo prctico consiste en comprender el comportamiento de los portadores minoritarios en los semiconductores extrnsecos mediante la generacin de los mismos por un pulso de lser, es necesario comprender la difusin debido a la concentracin no uniforme, la velocidad de deriva por campo E, y la recombinacin para eliminar los portadores en exceso. Llamamos portadores minoritarios a aquellos que aparecen en menor cantidad en los semiconductores extrnsecos (dopados). En el caso de un semiconductor de tipo n, los cuales contienen impurezas donadoras (tomos con un electrn ms que los tomos del material), los portadores mayoritarios son los electrones y los minoritarios los huecos, y en los de tipo p, con impurezas aceptoras (tomos con un electrn menos que los tomos del material), los portadores mayoritarios son los huecos y los minoritarios, los electrones. En equilibrio trmico, cuando el semiconductor no es excitado por ningn estmulo externo, el material posee una gran diferencia en la cantidad entre portadores mayoritarios y minoritarios, cuya cantidad establece la concentracin de equilibrio. Al aplicarle una excitacin, sea un haz de lser con fotones de energa mayor a la energa de la banda prohibida o una diferencia de potencial, se crea un exceso de portadores de carga ms all de su valor de equilibrio trmico.

Explicacin de los efectos de difusin y recombinacin observados haciendo uso del simulador en diferentes condiciones

Figura 1 La barra de material semiconductor, en este caso de germanio, con impurezas donantes, es decir de tipo n, se encuentra en equilibrio trmico con sus respectivos portadores mayoritarios los electrones, y los minoritarios los huecos. Existe una gran diferencia en cantidad de portadores, siendo aproximadamente de 1017 electrones contra 103 de huecos. En este trabajo analizaremos el comportamiento de los huecos. Al aplicarle la excitacin externa, en este caso el haz de lser, se genera una gran cantidad de pares electrn-hueco. El nmero de huecos aumentar significativamente, por lo que la concentracin ser mucho mayor. Hablamos de portadores minoritarios en exceso. La cantidad de huecos considerados para el experimento con el simulador generados por el lser es aproximadamente de 104. En la siguiente grfica podemos apreciar la gran concentracin de huecos en un pequeo espacio.

Figura 2 La cantidad de portadores es aproximadamente de 7x103, y la concentracin es mxima ya que los huecos no estn distribuidos sobre el material, y hay una gran cantidad de pares electrn-hueco. A medida que pasa el tiempo, los huecos se van distribuyendo por el material, desde las zonas de mayor concentracin (situacin inicial, vista en la figura 2) hacia las zonas de menos concentracin, simulando el efecto de una gota de tinta sobre un vaso con agua. Es decir, se expanden a lo largo y ancho de toda la barra de germanio. Esto determina que a medida que transcurre el tiempo (del orden de los 10-5 segundos), el ancho de los huecos (figurativamente) en la barra representada, aumenta. Este proceso se conoce como difusin.

Se puede observar comparando la figura 2 con la siguiente el proceso de difusin.

Figura 3

Pero tambin se puede observar una disminucin en la cantidad de huecos. Ahora es de aproximadamente de 9x102. Esto se debe a que los electrones encontraron un espacio que ocupar, un lugar al cual la carga negativa es atrada. Ese lugar es el hueco, carga positiva. A medida que pasa el tiempo, los huecos desaparecen. Es decir, los huecos tienden a ser ocupados por los electrones. Los portadores de carga minoritarios en exceso comienzan a recombinarse con los portadores de carga mayoritarios en exceso. Ms especfico, disminuye la cantidad de pares electrn-hueco. Este proceso de eliminacin de portadores en exceso se conoce como recombinacin, en el que un portador recombina con un portador de tipo opuesto provocando la aniquilacin mutua. Pasado un tiempo, ya se observa la baja concentracin de los portadores minoritarios debido al proceso de difusin, y la poca cantidad de huecos que van desapareciendo por recombinacin con los electrones (figura 4). Esto sucede hasta encontrar nuevamente el equilibrio trmico del semiconductor tipo n, en el cual el mismo contiene muy pocos huecos en la banda de valencia y una gran cantidad de electrones en la banda de conduccin, sin portadores en exceso.

Figura 4 NOTA: lo visto y explicado anteriormente se atribuye tambin a los semiconductores de tipo p, considerando, en vez de a los huecos, a los electrones, los cuales son los portadores minoritarios de semiconductores tipo p.

Comportamiento de los portadores segn haya o no campo elctrico. Estudio sin tensin aplicada para semiconductores n y p, y al aplicar tensiones positivas y negativas sobre dichos materiales.
En el caso en el que no hay campo elctrico, el proceso de difusin se basa en la distribucin de los portadores minoritarios en exceso en todo el material, es decir, el desplazamiento de los mismos desde zonas de mayor concentracin a zonas de menor concentracin. Sucede lo explicado en el tem 1. Al aplicarle una diferencia de potencial, el campo elctrico producido mueve las cargas provocando otro tipo de desplazamiento que observaremos y explicaremos a continuacin. Al incidir el haz de lser sobre el semiconductor, se produce un exceso de portadores, tanto mayoritarios como minoritarios. En lo que sigue, vamos a estudiar el comportamiento de los portadores minoritarios en exceso al aplicar una tensin en los extremos del semiconductor. 5

Figura 5 Se le aplic una tensin +2V a la barra del semiconductor tipo n y se le hizo incidir un hay de lser que provoque el exceso de portadores. Podemos observar como el ancho de huecos se corri hacia la derecha. Esto se debe a la diferencia de potencial positiva aplicada, que genera un campo elctrico que va desde el borne con el + hacia el negativo. De esta manera, el campo provoca una fuerza sobre el hueco (carga positiva) que lo empuja hacia la derecha (hasta el borne negativo). Esto es lo que determina que la concentracin de huecos se haya corrido hacia la derecha (lo que vemos en la figura 4). Es decir, el proceso de difusin ahora tambin se basa en el movimiento de los huecos desde zonas de mayor potencial hacia zonas de menor potencial. Difusin con tensin aplicada: los portadores minoritarios en exceso se distribuyen desde zonas de mayor concentracin hacia zonas de menor concentracin, y a su vez, se mueven, se dirigen o se desplazan, debido al campo elctrico provocado por la ddp, desde zonas de mayor potencial a zonas de menor potencial. (secuencias de figuras 5, 6 y 7)

Figura 6

Figura 7

El proceso de recombinacin es el mismo, se ve claramente como el nmero de huecos desaparece a medida que pasa el tiempo (del orden de 10-4 segundos). Si le cambiamos la polarizacin, el campo elctrico producido ser en la direccin contraria, empujando a los huecos hacia la izquierda, es decir, el flujo de huecos se producir hacia la izquierda del material. Sucede lo mismo pero del lado izquierdo de la barra de germanio. En un semiconductor de tipo p sucede exactamente lo contrario, ya que los portadores minoritarios en exceso son los electrones (carga negativa), por lo que el campo elctrico que va desde el borne positivo al negativo en vez de empujarlos, los atrae. De esta manera, al aplicar una tensin de +2V, los electrones se movern hacia la izquierda de la barra de germanio. Los portadores no se distribuyen sobre todo el material, sino que se mueven hacia el borne positivo, disminuyendo a su vez su concentracin en la parte izquierda del material. Se distribuyen en la parte izquierda del mismo. Proceso de difusin. Tambin sucede el proceso de recombinacin. (figura 8) Adems del proceso de recombinacin, a la desaparicin de los electrones tambin se debe a que como el sistema es barra + cable (un material que tiene otra forma, pero que tambin conduce), mientras el circuito este cerrado y fuera del equilibro, los electrones tienen por donde seguir. Si el circuito no es cerrado, los portadores en exceso slo se recombinan.

Figura 8

Al aplicarle una tensin negativa queda claro que los electrones se desplazaran hacia la derecha, hacia el borne positivo. Y eso es lo que sucede en el simulador.

Explicacin de cmo vara el comportamiento de los portadores al modificar otras variables: movilidad, temperatura y tiempo de vida.
Al cambiar la temperatura cambia el nmero de portadores que inicialmente tiene el semiconductor antes de la excitacin. Si aumentamos la temperatura la concentracin de equilibrio trmico para los electrones y huecos aumenta. Si la disminuimos, el nmero de portadores disminuye. Tambin, la temperatura influye sobre la movilidad y difusividad de los portadores. La movilidad y la difusividad son una medida de la rapidez que se mueven los portadores en respuesta a la fuerza de accionamiento (campo elctrico o concentracin). Ellos estn relacionados por la relacin de Einstein D = (kT / q) * , donde es el coeficiente de movilidad y D es una constante de difusin. La densidad de corriente de deriva y la densidad de corriente de difusin estn dadas por, para los electrones, Jderiva q = .n.E y Jdifusin = q.D.n.dn (x) / dx. Entonces si se aumenta la temperatura, aumenta la velocidad de difusin. Como podemos observar en la comparacin entre las siguientes grficas del ancho de concentracin vs. el tiempo.

Figura 9. Se muestra la grfica del ancho de concentracin vs el tiempo a una temperatura de 200K

Figura 10. En esta grfica la temperatura aument a 400K y podemos observar la diferencia con la anterior: la concentracin disminuye con mayor velocidad a mayor temperatura, es decir el proceso de difusin es ms rpido a mayor temperatura. En conclusin, a mayor temperatura mayor cantidad de portadores en el semiconductor inicialmente antes de la excitacin externa, y a mayor temperatura

mayor rapidez de difusin de los portadores minoritarios en exceso. Para ambos tipos de semiconductores (n o p). Se puede determinar tambin a partir del simulador, que la rapidez de difusin de los portadores aumenta con el aumento de su movilidad. Esto se debe a que la movilidad es proporcional a la temperatura y la temperatura es proporcional a la densidad de corriente de difusin.

Figuras 11 y 12. Ancho de concentracin vs tiempo. (segn la movilidad) Los portadores en exceso llegan a sobrevivir un promedio de tiempo de vida, antes de que la recombinacin electrn-hueco se lleve a cabo. Es decir el tiempo de vida de los portadores determina el tiempo que tarda cada electrn generado en ocupar un hueco.

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