UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO

Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniera y Agrimensura Escuela de formacin bsica

Departamento de fsica y qumica Ctedra de fsica IV

Tema: Transistor Jfet y Mosfet

Prof.: Susana Marchisio

Alumnos: Schulze Jonathan S-4848/8 Naldini Lucas N-1069/3

Julio de 2013

TRANSISTORES FET Los transistores de efecto de campo o FET se llaman as porque durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo elctrico que controla el flujo de corriente a travs del dispositivo. Presentan una impedancia de entrada muy grande y adems consumen poca potencia. Transistor JFET Est formado por un semiconductor, tipo n por ejemplo, el cual tiene en sus extremos dos contactos hmicos, la fuente (Source en ingls) y el drenador (Drain). A ambos lados, el semiconductor est constituido por dos regiones semiconductoras de tipo p con un tercer electrodo llamado compuerta (Gate). De esta manera, se forman dos junturas p-n, las cuales estn conectadas en inverso para que la corriente que circula por las mimas sea casi nula. Por lo tanto, se forma un canal tipo n el cual tiene a ambos lados una juntura p-n.

El funcionamiento consiste en lo siguiente: primero supongamos que la fuente (S) est conectada a tierra VS=0, y que la tensin de compuerta es cero VGS=0. Al drenador se le asigna un potencial positivo (VD), por lo que VDS>0. Los electrones comienzan a circular por el canal n de baja resistencia, el cual est limitado por las dos regiones de carga espacial que generan las junturas p-n. Dichas regiones carecen de portadores libres por lo que presentan una alta resistencia al paso de corriente. A medida que aumentamos VDS, la regin de carga espacial se va ensanchando, provocando la reduccin del ancho del canal n, hasta llegar a la tensin de saturacin (VDsat), tambin conocida como pinch-off, a partir de la cual la corriente ID (flujo de electrones por el canal n) comienza a ser prcticamente constante (resistencia muy elevada). Esto se debe a que el estrangulamiento del canal llega a un punto en el que el canal no se puede reducir ms (ancho fijo) 1

debido a que debe circular una corriente que provoque la cada de potencial. Cabe destacar que el ensanchamiento de la zona de carga espacial no es uniforme a lo largo del dispositivo debido a que el potencial es mayor cerca del drenador y disminuye a medida que se acerca a la fuente donde el potencial es menor o cero. Por lo tanto, a mayor potencial, ms cerca del drenador, mayor ser la tensin que polariza en inversa a la juntura p-n, mayor el ancho de la regin de carga espacial, y viceversa. Ahora, si mantengo VDS constante, al aplicar una tensin VGS negativa, la regin de carga espacial tambin comenzar a ensancharse debido a que dicha tensin favorece el campo elctrico creado por la juntura p-n (conectada en inversa) de manera que la regin de carga espacial aumenta. Esto lleva consigo la reduccin del ancho del canal, ms se reduce la seccin por donde circulan los electrones. Esto genera que la tensin de pinch-off se alcance en una diferencia de potencial VDS menor y la corriente comience a ser prcticamente constante en una VDS menor. Por lo tanto, una vez determinada una tensin VDS positiva, se puede controlar la corriente ID regulando la tensin VGS (negativa).

Circuito equivalente de un JFET El circuito mostrado a continuacin nos da un prototipo del comportamiento del transistor, funcionando en la regin de saturacin, para pequeas seales.

En el circuito equivalente de pequea seal del JFET, la corriente en el circuito de salida id, se obtiene mediante la suma de la corriente suministrada por el generador de corriente de valor gm.vg y la corriente a travs de la resistencia r =1/gD debida a la seal vd en el circuito de salida. El circuito de entrada se ha dejado abierto para tener en cuenta el hecho de que la resistencia de entrada en el terminal de puerta (G) es muy elevada (corriente casi nula). El parmetro gD corresponde a la conductancia que tiene el semiconductor tipo n (el canal). Este valor en el modelo descripto suele ser muy pequeo debido a que en la zona de saturacin las curvas son aproximadamente horizontales lo que representa una conductancia gD muy pequea (casi nula). Por ello, la resistencia r =1/gD no suele ser tenida en cuenta para sintetizar el modelo. Para altas frecuencias, existen corrientes de desplazamiento que reducen la corriente de salida, y se producen efectos capacitivos, lo cual alteran el tiempo de respuesta del transistor. Por lo tanto, para mejorar el comportamiento del transistor a frecuencias altas es muy conveniente que la longitud del canal se la ms pequea posible, de tal forma que la longitud de onda de la seal sea mucho mayor que dicha longitud. Transistor MOSFET El MOSFET es un transistor de efecto de campo cuyos componentes consisten en una placa metlica, semiconductores de tipos n y p, y un aislador (un xido). De all el nombre metal xido semiconductor (MOS). Su estructura es bsicamente

la siguiente: El MOSFET controla el paso de corriente elctrica entre el terminal llamado fuente (S) y el drenador (D) mediante la aplicacin de una tensin en el tercer terminal llamado compuerta (G). Consideremos un MOSFET de canal n. Al aplicar una tensin positiva entre la fuente y el sumidero VDS, la juntura p-n correspondiente al drenador estar polarizada en inversa, por lo que el flujo de portadores ser muy pequeo casi nulo y la regin de carga espacial se ensanchar, por lo tanto no habr corriente elctrica entre la fuente y el drenador. Si se aplica una tensin positiva en el terminal G, VGS, la parte metal-oxido-semiconductor actuar como un capacitor, lo que atraer los portadores minoritarios del semiconductor p (los electrones) transformando la zona del semiconductor p que est en la cercana del aislador en un material semiconductor con exceso de electrones, o sea en un semiconductor n. Por lo que se forma un canal que permite el paso de los electrones desde la fuente hasta el sumidero. Cuanto mayor sea la tensin VGS, ms ancho ser el canal tipo n. La corriente que circula por el canal tendr una relacin lineal con la tensin VDS, hasta llegar a la tensin de pinch-off. Como la juntura del contacto D est a un potencial mayor que la juntura de la fuente, la regin de carga espacial se va ensanchando a medida que aumenta el potencial. Es decir, el ancho del canal se ir achicando a medida que se avanza hacia el drenador. Si se aumenta la tensin VDS, el ancho del canal ir disminuyendo hasta llegar a la tensin de pinch-off, donde el canal no se puede reducir ms ya que la corriente que circule por all debe provocar la cada de potencial. Es decir, la corriente se mantiene constante una vez que se llega a la tensin de pinch-off. Ahora, si aumentamos la tensin VGS, el canal se ensanchar y la tensin de pinch-off se alcanzar para una tensin VDS mayor.

VDsat = tensin de pinch-off VT = tensin de umbral entre el semiconductor p y el dixido de silicio (aislador) Circuito equivalente del MOSFET 5

Circuito equivalente del MOSFET en baja frecuencia funcionando en la zona de saturacin. Igual que en el JFET, el circuito de entrada se ha dejado abierto para tener en cuenta el hecho de que la resistencia de entrada en el terminal de puerta (G) es infinita ya que se trata de un aislador (no circula corriente), por lo que no hay cada de tensin. La seal en el circuito de salida est determinada por el generador de corriente (fuente de corriente controlada por tensin) de valor gm.vg. Cabe sealar que lo que se refiere al circuito de salida, el MOSFET en baja frecuencia, al igual que el JFET, se comporta como una fuente de corriente constante. Por ltimo, se tiene en cuenta la conductancia del canal gD.

Cuando se trabaja en altas frecuencias es necesario tener en cuenta las capacidades parsitos que se generan entre el electrodo de puerta y los de la fuente y el drenador (CGS y CGD). Estas capacidades alteran profundamente el tiempo de respuesta del transistor.