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Tipos de Memoria
Tipos de Memoria
Tipos de Memoria
Carlos Canto Q.
Microprocesadores
TIPOS
TIPOSDE
DEMEMORIAS
MEMORIAS
MEMORIA
MEMORIAPRINCIPAL
PRINCIPAL
MEMORIA DE ALMACENAJE
ALAMCEN
ALAMACEN DE
SECUNDARIO RESPALDO
MEMORIA
MEMORIADE
DE
LECTURA/ESCRITURA
LECTURA/ESCRITURA
RAM
RAM ( (VOLTIL)
VOLTIL)
ESTTICAS
ESTTICAS
DINMICAS
DINMICAS
MEMORIA
MEMORIADE
DE
SOLO
SOLOLECTURA
LECTURA
ROM
ROM(NO
(NOVOLTIL)
VOLTIL)
MEMORIAS
MEMORIAS
BORRABLE
BORRABLE
MEMORIAS
MEMORIAS
PERMANENTES
PERMANENTES
EPROM
EPROM
EEPROM
EEPROM
FLASH
FLASH
M-ROM
M-ROM
PROM
PROM
ACCESO
ACCESO
SEMI
SEMIALEATORIO
ALEATORIO
ACCESO
ACCESO
SERIAL
SERIAL
DISCOS
DISCOS
Floppy
Floppy
Duro
Duro
CD-ROM
CD-ROM
Cinta
Cinta
magntica
magntica
Burbujas
Burbujas
magnticas
magnticas
CCD
CCD
Carlos Canto Q.
Microprocesadores
Carlos Canto Q.
Microprocesadores
Microprocesadores
Carlos Canto Q.
Microprocesadores
Carlos Canto Q.
Microprocesadores
Memoria
SRAM
DRAM
Ventajas
Desventajas
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Microprocesadores
En
Memoria
Tiempo de
Acceso
Ncleo de Ferrita
0.3 - 1.0 us
Cinta Magntica
5 ms - 1s
Disco Magntico
10ms - 50 ms
CD ROM
200 ms 400 ms
2ns 300 ns
Memorias Integradas
Bipolares
0.5ns 30 ns
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Microprocesadores
Decodificadorinterno
interno
Decodificador
LNEAS DE
DIRECCIONES
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
1024X8
1024X8
LNEAS DE DATOS
DE E/S
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Microprocesadores
Microprocesadores
Configuracin de terminales y smbolo lgico de la memoria esttica R/W
CMOS 6116
PINS DEL CHIP
CE WE OE
A10
Bus de
direcciones
A7 1
A6 2
24 Vcc
23 A8
A5 3
A4 4
22 A9
21 WE
20 OE
A3 5
A2 6
CMOS
6116
A1 7
19 A10
18 CE
17 DQ7
16 DQ6
A0 8
DQ0 9
A0
Datos
E/S
CS
WE
OE
BUS DE DATOS
TRI-STATE
TRI-STATE
ENTRADA
SALIDA
15 DQ5
14 DQ4
DQ1 10
DQ2 11
Vss 12
13 DQ3
Entradas de
Direcciones
VCC
Potencia(+5)
CE
Chip Enable
WE
Write Enable
VSS
Ground
OE
Output Enable
DQ0-DQ7
Microprocesadores
SRAM MCM6264C
Caractersticas Tcnicas
Referencia
MCM6264C
Tipo
SRAM
Capacidad (bits)
8192 X 8
Tipo de salida
5V
Tiempos de Acceso
12/15/20/25/35 ns
Encapsulado
DIL-28
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Microprocesadores
Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM (del
ingls Read Only Memory). Se caracterizan por ser memorias de lectura y
contienen celdas de memoria no voltiles, es decir que la informacin
almacenada se conserva sin necesidad de energa. Este tipo de memoria
se emplea para almacenar informacin de forma permanente o informacin
que no cambie con mucha frecuencia.
MEMORIA
MEMORIADE
DE
SOLO
SOLOLECTURA
LECTURA
ROM
ROM(NO
(NOVOLTIL)
VOLTIL)
MEMORIAS
MEMORIAS
BORRABLE
BORRABLE
MEMORIAS
MEMORIAS
PERMANENTES
PERMANENTES
EPROM
EPROM
EEPROM
EEPROM
FLASH
FLASH
M-ROM
M-ROM
PROM
PROM
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Microprocesadores
Microprocesadores
Memoria PROM
ROM programable del ingls Programmable Read Only Memory.
Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de
fabricacin, sino que la efecta el usuario y se puede realizar una sola vez, despus de la
cual no se puede borrar o volver a almacenar otra informacin.
Para almacenar la informacin se emplean dos tcnicas: por destruccin de fusible o por
destruccin de unin. Comnmente la informacin se programa o quema en las diferentes
celdas de memoria aplicando la direccin en el bus de direcciones, los datos en los buffers
de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V, en una terminal dedicada para fundir los
fusibles correspondientes. Cuando se aplica este pulso a un fusible de la celda, se
almacena un 0 lgico, de lo contrario se almacena un 1 lgico (estado por defecto),
quedando de esta forma la informacin almacenada de forma permanente.
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Microprocesadores
Memoria EPROM
Del ingls Erasable Read Only Memory.
Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la
informacin se puede borrar y volver a grabar varias veces. La
programacin se efecta aplicando a un pin especial de la memoria una
tensin entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, segn el
dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posicin de memoria y se pone
la informacin a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios
minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
La memoria EPROM se compone de un arreglo de transistores MOSFET de
Canal N de compuerta aislada.
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Microprocesadores
Borrado
Borrado de
de las
las memorias
memorias EPROM
EPROM
La memoria puede ser borrada exponiendo el chip a una luz ultravioleta a travs de su ventana de
cuarzo transparente por aproximadamente de 10 a 20 minutos, esta ventana le permite a los rayos
ultravioleta llegar hasta el material fotoconductivo presente en las compuertas aisladas y de esta
forma lograr que la carga se disipe a travs de este material apagando el transistor, y hacer que
todas las celdas de memoria quedan en 1 lgico.
Una vez programada, la ventana de cuarzo se debe cubrir con un adhesivo para evitar la entrada de
luz ambiente que pueda borrar la informacin, debido a su componente de luz ultravioleta y el chip
puede ser reprogramado de nuevo. Las desventajas de la EPROM son:
Se debe de sacara del circuito para poderlas borrar
Se debe borrar todo el chip
El proceso de borrado se toma entre 15 y 30 minutos (este tiempo depende del tipo de
fabricante)
Lmpara
Lmparade
deLuz
Luz
Ultravioleta
del
Ultravioleta deltipo
tipo
germicida
germicida
=2537 m (Ultravioleta)
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Microprocesadores
EPROM 27C16B
Caractersticas Tcnicas
Referencia
27C16B
Tipo
EPROM CMOS
Capacidad (bits)
2048 X 8
Tipo de salida
(5V) (Vp=12.75V)
Tiempos de Acceso
150/250 ns
Encapsulado
DIL-24
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Microprocesadores
Configuracin de terminales y smbolo lgico de la memoria EPROM 2764
A12
OE
CE
Lneas de
direcciones
A0
Lneas
de datos
Seleccin de Modo
CE
(20)
OE
(22)
PGM
(27)
A9
(24)
Vpp
(1)
Vcc
(28)
SALIDAS
(11-13,
15-19)
Read
VIL
VIL
VIH
VCC
VCC
DOUT
Output disable
VIL
VIH
VIH
VCC
VCC
High Z
standby
VIH
VCC
VCC
High Z
Program
VIL
VIH
VIL
VPP
VCC
DIN
Verify
VIL
VIL
VIH
VPP
VCC
Program inhibit
VIH
VPP
VCC
PINS
MODE
VPP
28
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
27
26
25
24
23
7
8
22
2764
21
20
10
19
11
16 DQ
186
12
13
17
16
15
14
Vcc
PGM
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
DIRECCIONES
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
Q0-Q7
Salidas
DOUT
PGM
Programar
High Z
N.C.
No Conectada
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Memoria EEPROM
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Microprocesadores
Caractersticas Tcnicas
Referencia
28C64A
Tipo
EEPROM CMOS
Capacidad (bits)
8192 X 8
Tipo de salida
5V
Tiempos de Acceso
120/150/200 ns
Encapsulado
DIL-28 y PLCC-32
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Microprocesadores
Memoria FLASH
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Microprocesadores
Las operaciones bsicas de una memoria Flash son la programacin, la lectura y borrado.
La programacin se efecta con la aplicacin de una tensin (generalmente de 12V o 12.75 V) a cada una de las compuertas
de control, correspondiente a las celdas en las que se desean almacenar 0s. Para almacenar 1s no es necesario aplicar
tensin a las compuertas debido a que el estado por defecto de las celdas de memoria es 1.
La lectura se efecta aplicando una tensin positiva a la compuerta de control de la celda de memoria, en cuyo caso el estado
lgico almacenado se deduce con base en el cambio de estado del transistor:
Si hay un 1 almacenado, la tensin aplicada ser lo suficiente para encender el transistor y hacer circular corriente del drenador
hacia la fuente.
Si hay un 0 almacenado, la tensin aplicada no encender el transistor debido a que la carga elctrica almacenada en la
compuerta aislada.
Para determinar si el dato almacenado en la celda es un 1 un 0, se detecta la corriente circulando por el transistor en el
momento que se aplica la tensin en la compuerta de control.
El borrado consiste en la liberacin de las cargas elctricas almacenadas en las compuertas aisladas de los transistores. Este
proceso consiste en la aplicacin de una tensin lo suficientemente negativa que desplaza las cargas.
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