Memorias en las plataformas PC

• Los PCs actuales están basados en microprocesadores (µP)

I ntel Pentium 4 y AMD Athlon XP.
• Éstos se comercializan en distintas velocidades de reloj, entre
1.4 y 2.2 GHz.
• El bus que conecta el procesador con la memoria se denomina
FSB (Front Side Bus). La velocidad del FSB es una característica
de cada procesador, p.e., en los Pentium 4, FSB= 400 MHz; en
los Athlon XP, FSB= 266MHz (indep. de la velocidad del µP).
• Las memorias RAM que se usan en los PCs actuales son
dinámicas (necesitan refresco) y síncronas (tienen señal de
reloj): SDRAM (Synchronous Dynamic RAM).
• Existen tres tipos de memorias:
– SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM)
– DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
– RDRAM (Rambus DRAM)
1

SDR ( Single Data Rate) SDRAM

• Para procesadores con FSB de 66, 100, 133 MHz o superior.

• Frec. de reloj: 66, 100, 133 MHz.
• Denominación: PC66, PC100, PC133 (según FSB).
• Ancho bus: 64 bits (8 bytes).
• Transferencia de datos: sólo en el flanco ascendente del reloj, es
decir, 1 por cada ciclo.
• Ancho de banda de pico1 en transferencia de datos (Mb/ s):
– PC66: V = fclk_MHz · ancho_bytes = 66 · 8 = 533 Mb/ s
– PC100: V = fclk_MHz · ancho_bytes = 100 · 8 = 800 Mb/ s
– PC133: V = fclk_MHz · ancho_bytes = 133 · 8 = 1066 Mb/ s

_________
1 Ancho de banda de pico: velocidad máxima de transferencia no sostenida

2
DDR ( Double Data Rate) SDRAM

• Para procesadores con FSB de 200, 266, 300, 333 MHz.

• Frec. de reloj: 100, 133, 150, 166 MHz.
• Denominación: indistintamente,
– según FSB: DDR200, DDR266, DDR300, DDR333;
– según ancho banda: PC1600, PC2100, PC2400, PC2700.
• Ancho bus: 64 bits (8 bytes).
• Transferencia de datos: en ambos flancos de reloj, es decir, 2 por
ciclo (por ello FSB es el doble de la frec. de reloj).
• Ancho de banda de pico en transferencia de datos (Mb/ s):
– DDR200, PC1600:
V= 2· fclk_MHz· ancho_bytes = 2· 100· 8 = 1600 Mb/ s
– DDR266, PC2100:
V= 2· fclk_MHz· ancho_bytes = 2· 133· 8 = 2133 Mb/ s ( ≈ 2100)
– DDR300, PC2400 (pensado para µPs con FSB 266MHz overclocked):
V= 2· fclk_MHz· ancho_bytes = 2· 150· 8 = 2400 Mb/ s
– DDR333, PC2700:
V= 2· fclk_MHz· ancho_bytes = 2· 166· 8 = 2666 Mb/ s ( ≈ 2700) 3

RDRAM ( Rambus DRAM)

• Para procesadores con FSB de 400 MHz.

• Frec. de reloj: 100 MHz “quad pumped” (x4) = 400 MHz
• Denominación: PC800 (según FSB efectivo, ver abajo).
• Ancho bus: 16 bits (2 bytes); pero se usa en configuración de
doble canal, con ancho de 32 bits (4 bytes).
• Transferencia de datos: en ambos flancos de reloj, es decir, 2
por ciclo (por lo que el FSB efectivo es 2· 400MHz = 800MHz)
• Ancho de banda de pico en transferencia de datos (Mb/ s):
– PC800:
V= 2· fclk_MHz· ancho_bytes = 2· 400· 4 = 3200Mb/ s

4
Latencias

• No sólo hay que atender al ancho de banda de pico para

determinar las prestaciones de un tipo de memoria.
• Éste sólo indica la velocidad máxima de la memoria en una
lectura tipo ráfaga (se leen posiciones consecutivas).
• La latencia es el tiempo que la memoria emplea desde que se
solicita una lectura hasta que ofrece el dato correspondiente;
por tanto, no todos los ciclos de reloj son productivos.
– RDRAM: alta latencia, depende del número de chips.
– DDR: se indica según el valor “latencia de CAS” (CL); los valores
posibles son 2 y 2.5 (CL2, CL2.5).
– SDR: igual que DDR, los valores posibles son 2 y 3 (CL2, CL3).

Latencias en DDR

• Los latencias de memoria vienen dadas por tres valores,

típicamente:
CAS - t RCD - t RP = 2.5 - 3 - 3
CAS = Latencia de CAS
t RCD = Retraso de RAS a CAS en ciclos de reloj
t RP = Tiempo de precarga

• Latencias en ns para varios tipos de DDRs

(tipo, f clk, Tclk, latencias):
– DDR266 CL2.5, 133MHz, 7.5ns, 2.5- 3-3: 18.75 - 22.50 - 22.50 (ns)
– DDR266 CL2, 133MHz, 7.5ns, 2-2-2: 15.00 - 15.00 - 15.00 (ns)
– DDR300 CL2.5, 150MHz, 6.67ns, 2.5-3-3: 16.67 - 20.00 - 20.00 (ns)
– DDR333 CL2.5, 166MHz, 6ns, 2.5- 3-3: 15.00 - 18.00 - 18.00 (ns)
• Por tanto, en este caso, es más importante disponer de baja latencia
que tener un ancho de banda de pico mayor.
6
Latencias en DDR ( 2)

• Comparativa con memorias DDR266, distintas latencias:

Mb/ s

ALU: operaciones en aritmética entera

FPU: operaciones en aritmética flotante
7

Conclusión

• En la actualidad el panorama es complejo:

– El rendimiento de las memorias depende de muchos parámetros
– El rendimiento global del PC depende también del diseño del
microprocesador, es decir, del grado de optimización en el acceso a
la memoria
– Hay que tener en cuenta consideraciones de costes (decidir si
merece la pena pagar más por un cierto aumento de velocidad) y
de disponibilidad en el mercado (por ejemplo, es difícil conseguir
memorias de baja latencia en nuestro entorno)
• Al adquirir equipos nuevos, el tipo de memoria es un factor muy
importante para el rendimiento. ¡Ojo con la propaganda!

8
¿Cómo son físicamente?
Los chips vienen en módulos, soldados en pequeñas placas impresas
rectangulares. Actualmente, los módulos tienen chips por ambas caras,
por lo que se les llama DI MMs (Dual In-line Memory Module).

SDR SDRAM
( 168 pines)

DDR SDRAM
( 184 pines)

¿Cómo son físicamente?

RI MM
RDRAM ( 184 pines)
• La memoria RDRAM
viene en módulos RI MM
(Rambus In-line Memory
Module), que también
tienen chips por ambas
caras. Los módulos RIMM
disponen de disipadores
de calor.
• En las ranuras libres de
la placa base deben
colocarse los módulos
CRI MM (Continuity
RIMM). No contienen
chips de memoria, tan
sólo sirven para CRI MM
completar el bus de
memoria.
10
Variantes

• Non- parity / Parity / ECC.

Non- parity: no tienen esta capacidad.
Parity: detectan errores en 1 bit. Se distinguen por tener un
número de chips múltiplo de 3, sin ser todos del mismo tipo.
ECC: detectan errores en varios bits; son capaces de corregir
errores en 1 bit. Se distinguen por tener un número de chips
múltiplo de 3, siendo todos del mismo tipo.
• Registered / Unbuffered.
Registered: el módulo de memoria incorpora chips adicionales
con el fin de provocar menor carga en el bus. Esto permite que
el sistema tenga más módulos de memoria.
Unbuffered: todos los chips del módulo suponen una carga al
bus. Limita el número de módulos en el sistema.

NOTA: las variantes parity, ECC y registered añaden latencia,

pero pueden ser fundamentales en sistemas de alta fiabilidad,
11
por ejemplo, servidores.

Variantes: ejemplos

8 chips de memoria:
non- parity
Sin chips adicionales:
unbuffered
SDR SDRAM

9 chips de memoria
iguales: ECC
Chips adicionales:
registered

DDR SDRAM
12