Memoria MDRAM

Multibank Dynamic Random access memory)

ET6000, y su más nuevo primo ET6100, utiliza una clase especial de ESPOLÓN video, llamada MDRAM
(memoria de acceso al azar dinámica del multibank). Las tarjetas video basadas en el ET6x00 viruta-fijan
están disponibles en varias diversas configuraciones de memoria, sobre todo MB 2 y 4, pero existen 1.4 3
del MB versiones del MB y también, muchos de los tableros 2MB son actualizables a MB 4, pero
desafortunadamente aumentan MDRAM son manufacturados no más largo, y es duro encontrar

Memoria MVRAM
Una memoria de acceso aleatorio no volátil (NVRAM) es cualquier tecnología de memo

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de datosSistemas de desarrolloDiodos, transistores y tiristoresPantallasConmutadores e
interfacesInterruptores electromecánicosConmutadores electrónicosControladores & Sistemas
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herramientasLEDs e iluminación LEDSoluciones de iluminaciónMagnéticosTratamiento,
almacenamiento & embalaje de materialMateriales, químicos y adhesivosTransmisión de
potencia mecánicaMemoriaMicrocontroladores y ProcesadoresControl de Movimiento y
energía mediante fluidosMotoresMultimediaOptoelectrónicaOsciladores y
cristalesOtrosConductos, tuberías, mangueras y accesoriosAdministración de
potenciaSuministros de energíaControl de procesosDispositivos
programablesRelésResistoresRF y microondasSensoresSolarLógica de especialidades y
estándarPruebas & medicionesAdministración térmicaHerramientasTransceptoresConductores
y Cables          

Otros tipos de memoria           


DDR-SDRAM (DRAM síncrona de velocidad de datos doble)
Un tipo avanzado de SDRAM que permite transferir el doble de memoria por ciclo de reloj.
DDR-SDRAM también se puede denominar SDRAM II o DDRAM.
 

 SDRAM (RAM dinámica síncrona)

Este tipo está disponible en paquetes SIMM y DIMM y está disponible en dos configuraciones:

 RAM que no es de paridad (también conocida como RAM no ECC). Por lo general, esto
es menos costoso que la RAM de
paridad.
 RAM de paridad (también conocida como RAM de ECC) Generalmente se utiliza en
aplicaciones que requieren un procesamiento intensivo de datos, como hojas de
cálculo grandes y bases de datos, la RAM de
paridad contiene circuitos adicionales que pueden ayudar a minimizar los errores
específicos de la RAM.
 Por lo general, la RAM de paridad y la RAM que no es de paridad no son compatibles
entre sí.
 
 de LA SDRAM DDR2 es una interfaz de memoria dinámica de acceso aleatorio
síncrona de velocidad de datos doble. Reemplaza la especificación de SDRAM
DDR original y se ha reemplazado por la SDRAM DDR3. DDR2 no es compatible
con versiones anteriores ni hacia delante ni con DDR3. (Los módulos tienen
una clave diferente para evitar que se instalen módulos incorrectos)
 El reloj interno ddr2 se ejecuta a la mitad de la velocidad de reloj externa de
DDR, la memoria DDR2 funciona a la misma velocidad de reloj del bus de datos
externo que ddr, lo que hace que DDR2 pueda proporcionar el mismo ancho de
banda, pero con una mayor latencia. Como alternativa, la memoria DDR2
funciona al doble de velocidad de reloj del bus de datos externo, ya que ddr
puede proporcionar el doble de ancho de banda con la misma latencia. Los
módulos de memoria DDR2 mejor clasificados son al menos el doble de
rápidos que los módulos de memoria DDR mejor clasificados.
almacenamiento electromecánicos como unidades del disco duro.

Por el momento, la forma más prevalente de NVRAM es la

memoria Flash.

Históricamente, los dispositivos NVRAM han quedado detrás de

la memoria volátil en términos de velocidad y rendimiento.

Aunque esa brecha se ha cerrado significativamente gracias a la

memoria Flash, aún queda mucho margen para las mejoras. De

mayor preocupación es el rendimiento de escritura relativamente

lento de la memoria Flash (decenas de microsegundos) en

comparación con la DRAM (decenas de nanosegundos) y la

SRAM (nanosegundos). Además, una compuerta flotante también

tiene un número aproximado de escrituras que puede tolerar antes

de volverse poco confiable. Este fenómeno se conoce como

resistencia de escritura y puede variar entre unos pocos miles de

ciclos y más de un millón de ciclos, dependiendo de la tecnología

flash.

Existen otras tecnologías NVRAM además de Flash, pero

actualmente están rezagados en términos de capacidad y costo. La

RAM ferroeléctrica (FeRAM) utiliza campos eléctricos para

orientar el momento dipolo de una fina película. La RAM

magnética (MRAM) almacena información mediante el control

del espín del electrón que afecta a la resistencia cuando realiza

lecturas. La RAM de cambio de fase (PRAM) utiliza la misma

tecnología que los CD y DVD grabables, pero su lectura también

siente el cambio en la resistencia.

de estado sólido que conserva la información cuando se apaga. Generalmente, NVRAM no se refiere a
dispositivos de almacenamiento electromecánicos como unidades del disco duro. Por el momento, la
forma más prevalente de NVRAM es la memoria Flash.
Históricamente, los dispositivos NVRAM han quedado detrás de la memoria volátil en términos de
velocidad y rendimiento. Aunque esa brecha se ha cerrado significativamente gracias a la memoria Flash,
aún queda mucho margen para las mejoras. De mayor preocupación es el rendimiento de escritura
relativamente lento de la memoria Flash (decenas de microsegundos) en comparación con la DRAM
(decenas de nanosegundos) y la SRAM (nanosegundos). Además, una compuerta flotante también tiene
un número aproximado de escrituras que puede tolerar antes de volverse poco confiable. Este fenómeno
se conoce como resistencia de escritura y puede variar entre unos pocos miles de ciclos y más de un
millón de ciclos, dependiendo de la tecnología flash.
Existen otras tecnologías NVRAM además de Flash, pero actualmente están rezagados en términos de
capacidad y costo. La RAM ferroeléctrica (FeRAM) utiliza campos eléctricos para orientar el momento
dipolo de una fina película. La RAM magnética (MRAM) almacena información mediante el control del
espín del electrón que afecta a la resistencia cuando realiza lecturas. La RAM de cambio de fase (PRAM)
utiliza la misma tecnología que los CD y DVD grabables, pero su lectura también siente el cambio en la
resistencia