UNIVERSIDAD TECNOLOGICA

NACIONAL



FACULTAD REGIONAL ROSARIO



E
EEL
LLE
EEC
CCT
TTR
RRO
OON
NNI
IIC
CCA
AA I
II


TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO







Ao 2002
UTN FRRO
LECTRONICA I

Ao 2002 TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO - PAG.
1

INTRODUCCION
Los diferentes tipos de transistores que existen pueden agruparse en dos grandes grupos o
familias: a) Transistores bipolares y b) Transistores unipolares.
Los transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor), reciben la denominacin bipolar
debido a que basan su funcionamiento en dos tipos de portadores de carga: electrones (-) y
huecos (o lagunas) cuya carga es (+), mientras que los transistores unipolares (Unipolar
Junction Transistor) se denominan as porque para su funcionamiento utilizan un slo tipo de
portadores de carga: electrones huecos (o lagunas).
Un tipo de transistor perteneciente al grupo de los unipolares, es el denominado transistor de
efecto de campo (Field Effect Transistor). Dicho transistor, es particularmente adecuado
para ser utilizado en circuitos integrados debido a su reducido tamao.
El trmino efecto de campo se debe, a que el control de la corriente a travs de dicho
transistor, se ejerce (como veremos al analizar su funcionamiento) mediante un campo elctrico
exterior, por lo que el control de los mismos es por tensin y no por corriente como ocurre en
los transistores bipolares.
Los F.E.T. pueden ser de dos tipos:

1. J.F.E.T. (Junction Field effect Transistor): Transistor uniunin de efecto de campo.
2. M.O.S.F.E.T. (Metal Oxide Semiconductor Transistor): Transistor metal xido
semiconductor de efecto de campo.

1.-TRANSISTOR UNIUNION DE EFECTO DE CAMPO (JFET)

1.1-Caractersticas
Vulgarmente se los llama simplemente FET , pudiendo ser de dos tipos:

1. JFET de canal N
2. JFET de canal P

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Ambos tipos presentan tres electrodos o terminales: Puerta (Gate), Surtidor o fuente(Source) y
Drenador (Drain).
Fuente o surtidor (S): terminal por donde entran los portadores provenientes de la fuente
externa de polarizacin.
Drenador (D): terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que
atraviesan el canal.
Puerta (G): terminal constituido por regiones altamente impurificadas (zona de dopado) a
ambos lados del canal y que controla la cantidad de portadores que atraviesan dicho canal.
Los JFET de canal N estn constituidos por una barra de material semiconductor tipo N,
denominada canal, con dos regiones de material semiconductor tipo P; mientras que en los
JFET de canal P , la barra o canal es de material semiconductor tipo P, rodeada por dos
regiones de material N como puede apreciarse en la figura 1.
En un JFET de canal N, la corriente se debe a electrones, mientras que en un JFET de canal P,
se debe a huecos o lagunas.

1.2- Diferencias con el transistor bipolar
Constructivamente, el JFET, slo tiene una unin P-N en vez de dos, como ocurre con el BJT. Al
comparar al JFET con el BJT se aprecia que el drenador o drenaje (D) es anlogo al colector,
en tanto que la fuente o surtidor (S) es anloga al emisor, por ltimo la puerta o compuerta (G),
es anloga a la base.
La fuente y el drenaje de un JFET se pueden intercambiar sin afectar el funcionamiento del
mismo.
La diferencia fundamental que existe entre el transistor bipolar y el JFET en cuanto al control,
radica en que en el primero, el control de la corriente entre colector y emisor se hace por medio
de la base, es decir se trata de un control por corriente, mientras que en el JFET el pasaje de la
corriente del drenador al surtidor es controlado por el gate y es un control por tensin.
Otra diferencia notable entre ambos esta dada en las impedancias de entrada, siendo mucho
mayor la del JFET (Zi = 10
8
a 10
12
) comparada con la de un transistor bipolar (Zi = 10
2
a 10
6
).
La elevada impedancia de entrada del JFET constituye su principal ventaja, y se debe a que la
unin P-N se encuentra polarizada en forma inversa. La corriente (I
G
) que circula por la
compuerta equivale a una corriente de fuga, siendo su magnitud del orden de los nanoamperes.
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1.3- Polarizacin
En los JFET la polaridad del potencial de puerta debe ser tal, que mantenga la unin P-N de
entrada polarizada en forma inversa como puede apreciarse en la figura 2.
La corriente de la compuerta (I
G
), es despreciable debido a que se trata de una corriente
inversa de fuga, por lo tanto tiene un valor sumamente bajo.

1.4- Funcionamiento
El anlisis del funcionamiento de este tipo de transistores, lo haremos a partir un JFET de canal
N, sin embargo el funcionamiento de un JFET de canal P puede hacerse siguiendo la misma
metodologa.
Su principio de funcionamiento se basa fundamentalmente en los efectos producidos por la
regin agotada que se crea en las proximidades de toda unin P-N cuando esta se polariza
inversamente.
Supongamos en primera instancia que aplicamos una diferencia de potencial V
GS
entre G y
S,haciendo V
DS
= 0; como se observa en la figura 3a. La unin P-N queda polarizada en forma
inversa, originndose una circulacin de una corriente de fuga (I
G
) despreciable.
Mientras la diferencia de potencial aplicada V
GS
sea pequea, las regiones agotadas sern de
pequeo espesor, luego y a medida que esta tensin aumenta, tambin aumenta el espesor de
dichas regiones. Este proceso contina as hasta que se produce la unin de ambas regiones;
se dice entonces que el canal se ha cortado o estrangulado.
Esto ocurre para un valor de V
GS
determinado que se denomina tensin de
estrangulamiento, en ingls tensin pinch off, y que la simbolizaremos V
(P)GS
.
A continuacin, hacemos V
GS
= 0 y aplicamos una V
DS
entre D y S com se ve en la figura 3b.
Se produce entonces la circulacin de una corriente I
D
a travs del canal, que depende de la
V
DS
aplicada, de la resistencia intrnseca del canal y de su geometra.
La unin P-N tambin se polariza en forma inversa, pero ahora las regiones agotadas
presentan la forma de cua debido a que en su parte superior la unin est ms inversamente
polarizada que en la parte inferior, debido a que all el gradiente del potencial es mayor, es
decir la tensin va cayendo a lo largo del canal en forma progresiva (debido a la resistencia
propia del canal). A medida que V
DS
aumenta, las regiones agotadas se hacen cada vez ms
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grandes, haciendo que las junturas tiendan a tocarse cerca del D. Esto hace que el canal se
vaya estrechando, restringiendo as el paso de portadores (en este caso electrones pues se
trata de un JFET de canal N).
Cuando V
DS
alcanza un determinado valor, se produce el estrangulamiento del canal,
cerrndolo casi por completo y provocando la disminucin de la corriente. Esto ocurre para una
V
DS
, V
DSsat
, sensiblemente igual a la de estrangulamiento. Dicha coincidencia no debe
sorprender ya que en ambos casos se ha aplicado una polarizacin inversa a la unin, aunque
en cada uno se haya producido una geometra distinta de las regiones agotadas.
Sin embargo en este caso y a pesar de la casi total obstruccin del canal, sigue circulando la
corriente I
D
, debido al efecto del campo elctrico generado por la tensin V
DS
aplicada, capaz
de inyectar electrones en las zonas de vaciamiento y recogerlos en el drenador.
Generalmente los dos procesos analizados anteriormente, se presentan de forma simultnea,
sin embargo, es usual mantener V
DS
= cte. y provocar el estrechamiento del canal variando V
GS

(control por compuerta).

Conclusiones:
Observamos que al variar la tensin V
DS
, aumenta o disminuye el ancho del canal, con lo que
tambin aumenta o disminuye la corriente de drenador I
D
debido al cambio de la resistencia
efectiva del canal. Entonces al contrario de lo que ocurre en los transistores bipolares, si
consideramos a la I
D
como corriente de salida, sta es controlada por cambios de tensin en
vez de por cambios de corriente.
Como se desprende del anlisis realizado, los JFET deben su nombre al efecto de control,
sobre la corriente de salida, que ejerce el campo elctrico creado en las proximidades de la
unin P-N inversamente polarizada.

1.4-Caracterstica de drenador o de salida de un JFET
Consideremos ahora el circuito de la figura 4, por medio del cual vamos a analizar como vara
la corriente de drenador I
D
, en funcin de la tensin V
DS
, tomando a la tensin V
GS
como
parmetro; es decir:
I
D
= f(V
DS
) para V
GS
= cte.

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Como resultado obtendremos una familia de curvas de la corriente I
D
(figura 5) que se conoce
como caracterstica de drenador o de salida del JFET; todo esto nos servir para obtener
importantes conclusiones acerca del funcionamiento de los mismos.
Con la tensin V
GS
polarizamos en forma inversa a la puerta del JFET (condicin de
funcionamiento) y variamos dicha tensin por medio del potencimetro P, realizando el ajuste
de V
GG
al valor deseado observando al voltmetro V1.
Variando V
DD
controlamos el valor de I
D
(midiendo V
DD
con el voltmetro V2 y la I
D
con el
ampermetro A1).

Procedimiento:
Ajustamos V
GG
y V
DD
de forma tal que V
GS
= V
DS
= 0, en este caso no circular corriente (I
D
) por
el canal entre S y D.
Aumentamos ligeramente V
DD
, esto origina la circulacin de una corriente I
D
proporcional a ella.
En estas condiciones, el canal se comporta como una resistencia comn, por lo que la corriente
crece linealmente con la tensin aplicada.
A medida que se sigue aumentando la tensin V
DS
, la seccin transversal promedio del canal
se va reduciendo a causa del incremento de polarizacin inversa de las junturas de la
compuerta, lo que provoca la modificacin de las pendientes de la caracterstica.
Cuando V
DS
alcanza el valor V
DS0
, las variaciones de I
D
a partir de I
D0
dejan de ser
proporcionales a las variaciones de V
DS
y la I
D
se hace prcticamente constante.
En ese momento se alcanza el estrangulamiento del canal y a ello se debe la estabilizacin de
la corriente I
D
.
En estas condiciones un incremento de la V
DS
no produce un aumento apreciable de la
corriente I
D
.
Pero si se sigue aumentando la tensin V
DS
hasta el valor V
DS(B)
, se alcanza la regin de
ruptura, donde la corriente I
D
crece en forma incontrolada provocando la destruccin del JFET
por efectos trmicos.
Ajustando el valor de V
GS
a un nuevo valor V
GS1
< V
GS0
y repitiendo el proceso anterior, se
encuentra un nuevo valor de I
D1
< I
D0
, a partir del cual la corriente del drenador se estabilizar
nuevamente.
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Este nuevo valor de corriente de drenador, I
D1
, ser menor que el anterior (I
D0
) ya que ahora
cooperan V
GS1
y V
DS1
al estrechamiento del canal.
Si seguimos dando nuevos valores a V
GS
, tales que V
GS4
< V
GS3
< V
GS2
< V
GS1
, obtendremos
los correspondientes valores de I
D
a partir de los que se produce nuevamente la estabilizacin
de la corriente del drenador.
Se alcanzar un valor de V
GS
, V
GS4
= V
(P)GS
para el que , aunque V
DS
aumente hasta valores
prximos a la tensin de ruptura, I
D
permanecer en valores mnimamente apreciables, debido
a que el canal se cierra casi por completo, al haberse alcanzado la tensin V
(P)GS
, llamada
tensin de estrangulamiento o de pinch off.
Nuevos valores de V
GS
, sin alcanzar la V
GS
mxima, darn resultados anlogos, ya que no se
hace ms que reforzar la condicin de estrangulamiento o corte del canal.

Conclusiones:
Haciendo V
GS
cada vez mayor en valores negativos, se reduce el valor de la I
D
en el punto de
estrangulamiento o de pinch off. Si V
GS
se hace suficientemente grande (en valores
negativos) el pinch off tiene lugar casi con I
D
= 0.
El JFET estar cortado cuando la polarizacin inversa VGS sea suficiente para que I
D
= 0.
Al igual que en los transistores bipolares se pueden distinguir tres regiones o zonas de
trabajo:
saturacin: o zona hmica, que est determinada por los valores de V
DS
comprendidos entre
el origen y el correspondiente al codo de la caracterstica de salida o de drenador.
activa o lineal: es la porcin horizontal de la caracterstica. En esta zona se comporta como un
dispositivo de corriente cte.
corte: determinada por valores de V
GS
menores o iguales a V
(P)GS
. En esta zona, el JFET se
comporta como un dispositivo de tensin cte., similar a un diodo Zener.

1.5-Curva de transconductancia o caracterstica de transferencia del JFET
Esta curva (figura 6) no es ms que otra forma distinta de representar la misma informacin
anterior. La caracterstica de transferencia se define como:

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I
D
= f(V
GS
) con V
DS
= cte. donde V
DS
> V
DSsat


Esta caracterstica puede aproximarse a la parbola:

I
D
= I
DSS
. [1 - (V
GS
/ V
(P)GS
)]
2


para valores de V
GS
comprendidos entre cero y V
(P)GS
.
Por lo tanto, conociendo la corriente I
DSS
(correspondiente al parmetro V
DS
) y la tensin V
(P)GS

se puede predecir con facilidad el valor de la I
D
correspondiente a una tensin V
GS

determinada.
Debido a la ligera pendiente que presentan las curvas de drenador a partir del codo, lo que
representa no es totalmente independiente de V
DS
en dicha regin, existir una caracterstica
de transferencia para cada valor particular de V
DS
.
Generalmente,en los catlogos de informacin tcnica de los FET se ofrece una sola curva
para un valor determinado de V
DS

1.6-Transconductancia o conductancia mutua
Un parmetro tambin importante del JFET es la llamada transconductancia o conductancia
mutua (g
m
), que nos muestra una medida de la amplificacin posible del JFET.
Este parmetro es similar a la ganancia de corriente (hfe) para un BJT; el valor de g
m
, es un
medida del cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la tensin compuerta-fuente,
Es usual encontrar el parmetro g
m
en las hojas de datos expresado como yfs .Dicho
parmetro representa la tangente a la curva en un punto determinado y, como tal curva, en cada
uno de sus puntos ofrecer una tangente distinta o pendiente diferente, lo que implica que g
m

no es constante (ver figura 6), siendo en este caso g
m1
> g
m2
.

g
m
= (di
d
/ dV
gs
)
VDS = cte
. (I
D
/V
GS
)
VDS = cte
.

recordando que I
D
= I
DSS
. [1 - (V
GS
/ V
(P)GS
)]
2
, entonces:

g
m
= dI
DS
/ dV
GS
= -2 . (I
DSS
/ V
(P)GS
) . [1 - (V
GS
/ V
(P)GS
)]
2


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Se define: g
m0
= -2 . (I
DSS
/ V
(P)GS
), transconductancia para V
GS
= 0 , luego:

g
m
= g
m0
. [1 - (V
GS
/ V
(P)GS
)]

Como I
DSS
y V
(P)GS
son de signo opuesto, g
m0
es siempre positivo.
Ntese que cualquiera de las dos expresiones anteriores son la inversa de una resistencia,
siendo sus unidades:

A(amperio) / V(voltio) = S (siemens) o Mho (mohmio)

y comunmente empleados sus submltiplos mS y S.

1.7-Dependencia del JFET con la temperatura
El JFET se ve afectado de la siguiente forma por la temperatura:

I
D
= f (1/T) si la Temperatura aumenta, la I
D
disminuye

La I
D
depende directamente de la movilidad de los portadores. Al aumentar T, la agitacin de
los iones de la red cristalina del canal hace que la movilidad disminuya; g
m
tiene la misma
variacin con la temperatura, esto es, si T aumenta implica que g
m
disminuya.
Notemos que esta corriente de portadores mayoritarios disminuye con la temperatura,
contrariamente a lo que ocurre en un BJT, cuya corriente de portadores minoritarios aumenta
con la temperatura.

1.8-Polarizacin de un JFET
Una forma sencilla de polarizar un JFET es mediante el empleo de dos fuentes de alimentacin
V
DD
y V
GG
como vimos anteriormente, pero evidentemente no es la ms prctica por el hecho
de tener que usar dos fuentes y porque adems las caractersticas de todo JFET ofrecen
variaciones entre sus valores mximos y mnimos.
Por estas razones, se procura emplear circuitos cuya polaridad sea vlida para JFETs del
mismo tipo, pero con diferencias en sus caractersticas.
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En general, cualquier forma de polarizacin, deber hacer (+) al Drenador frente al Surtidor, y (-
) a la fuente frente al mismo terminal, para un JFET de canal N; para uno de canal P deber
cumplirse lo inverso.
Autopolarizacin por resistencia de fuente
En la figura 7 podemos ver un JFET de canal N polarizado de esta manera. Como hemos
despreciado la corriente de puerta, la cada de tensin en R
G
vale cero, luego:

V
S
= I
D
. R
S

V
GS
= V
G
- V
S
= 0 - V
S
= - V
S
= -I
D
. R
s


por lo que la polarizacin efectiva puerta-fuente es igual a la cada de tensin en la resistencia
de fuente y dicho voltaje depende de la corriente de drenador, por lo tanto una variacin de I
D

implica una correccin de la polarizacin puerta-surtidor.
El principal inconveniente radica en que la variacin de la caracterstica de transferencia de un
JFET a otro provoca variaciones importantes del punto Q de polarizacin, como se muestra en
la figura 8 a) , donde la curva inferior corresponde a los valores mnimos y la superior a los
mximos de los garantizados por el fabricante, para un mismo tipo de JFET; luego, cualquiera
comprendida entre ellas ser vlida.
La recta de polarizacin viene determinada por el valor de R
S
, as en la figura 8 b), tenemos
que: R
S1
< R
S2
< R
S3
, cada valor de R
S
determina una recta de polarizacin y, por tanto, puntos
estticos de polarizacin Q distintos.
A la hora de calcular el circuito de polarizacin se habr de proceder eligiendo sobre la curva
de transferencia el valor de V
GS
correspondiente a la I D requerida por las condiciones de
diseo. Posteriormente se busca R
S
de la forma:

R
S
= - V
GS
/ I
D

Cuando se trata de situar el punto esttico en las proximidades del punto medio de la curva, es
vlida la ecuacin:
R
S


= - V
(P)GS
/ I
DSS


Polarizacin por divisor de tensin
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Este tipo de polarizacin reduce el efecto de variacin del punto de polarizacin esttica
cuando vara la caracterstica de transferencia, es decir, es ms estable que el anterior y puede
apreciarse en la figura 9.
La tensin de polarizacin puerta-surtidor ser:
V
GS
= V
G
- V
S
= V
R2
- V
RS


o tambin
V
GS
= [V
DD
/ (R
1
+ R
2
)] . R
2
- I
D
. R
S


lo que ofrece una recta de polarizacin como la de la figura 10, pudindose trazar mediante la
determinacin de los puntos:
A de coordenadas (V
GS
= V
R2
; ID = 0)
B de coordenadas (V
GS
= 0 ; I
D
= V
R2
/ R
S
).
Como se puede apreciar, la variacin de la condicin de reposo para ambas curvas es mucho
menor, ya que la pendiente de la recta es muy pequea.

1.9-El JFET como amplificador
Al igual que los BJT , cuando el JFET se emplea como amplificador, se puede disponer en
cualquiera de las tres configuraciones determinadas por la forma de conectarlo, esto es: fuente
o surtidor comn (S.C.), drenador comn (D.C.) y puerta comn (G.C.).
Sus caractersticas son similares, teniendo en cuenta las peculiaridades que los hacen distintos
a las ofrecidas en disposiciones anlogas por los transistores bipolares. Se puede relacionar
de la siguiente forma:
Fuente comn con Emisor comn.
Drenador comn con Colector comn.
Puerta comn con Base comn.
A modo de ejemplo, en la figura 11 a), se muestra la configuracin de fuente comn (S.C.),
siendo los circuitos equivalentes para el anlisis en continua, y en seal los de las figuras 11 b)
y c), respectivamente.
El circuito equivalente para c.c. es el ya estudiado de polarizacin por divisor de tensin, queda
para el lector el anlisis para el de c.a.
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Impedancia de entrada
Debido a que la entrada de seal al JFET es aplicada a una unin inversamente polarizada,su
impedancia de entrada (Z
IT
) es muy elevada, y la de entrada al circuito ser:

Z
I
= R
1
// R
2
// Z
IT

y como generalmente,
R
1
// R
2
<< Z
IT

se toma:
Z
I
= R
1
// R
2


Ello obliga a que tanto R
1
como R
2
tomen valores elevados, con la finalidad de que
consiguiendo el efecto del divisor de tensin no sacrifiquen la principal ventaja del JFET, esto
es, su elevada impedancia de entrada.
Las resistencias de valores superiores a 10 M crean problemas de estabilidad y por lo
general, se buscan otras soluciones para poder utilizar resistencias de valores ms bajos, sin
que la impedancia de entrada se vea afectada por ello; la figura 12 ofrece una de estas
soluciones.
Al ser la corriente de puerta nula, dicho terminal est al mismo potencial que el punto de unin
de R
1
y P, sin embargo, la impedancia de entrada queda modificada de la siguiente forma:
Z
I
= (R
1
// P) + R
2


donde R
2
puede tomar valores de algunos M, con lo que la impedancia queda elevada de
forma considerable y se puede hacer casi independiente de R
1
y P.
Impedancia de salida
Esta caracterstica viene dada por:
Z
o
= R
D
// Z
oT


como la impedancia de salida del propio JFET (Z
oT
), cuando ste trabaja en la regin activa, es
elevada, usualmente mayor de 100 K, se suele tomar:
Z
o
= R
D


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Ganancia de tensin
La tensin de salida vendr determinada por:
v
o
= - i
d
. R
D

ya que,
g
m
= i
d
/ v
gs
i
d
/ v
i

entonces,
i
d
= g
m
. v
i

luego:
v
o
= - g
m
. v
i
. R
D

la ganancia ser:
A
v
= v
o
/ v
i
= - g
m
. v
i
. R
D
/ v
i
= - g
m
. R
D


donde el signo menos representa la inversin de fase de la salida respecto a la entrada.
Ntese que la ganancia de tensin es realmente pobre frente a la configuracin anloga para
transistores bipolares; ello es debido a que v
i
es del orden de algn voltio, mientras que l
d
es de
mA y, por tanto, v
o
representa solamente algunos voltios. A la misma conclusin se llega
analizando las unidades de g
m
y R
D
.
Relacin de fase
Las grficas 13 a) y b), muetran los efectos de la seal de entrada sobre la corriente y la
tensin de salida.
En ambos casos se puede observar que la tensin de salida est desfasada 180
o
con
respecto a v
i
. Un aumento de v
i
provoca una mayor corriente de drenador y por lo tanto una
menor tensin drenador-surtidor, ocurriendo lo contrario para disminuciones de v
i
.

Distorsin
Los diferentes tipos de distorsin que se pueden presentar, son similares a las de los
transistores bipolares, por dos casos:
1- Seal de entrada excesiva, lo que puede provocar que la curva de transconductancia haga
presente su no linealidad y, adems, que lleve al JFET a las regiones de corte y saturacin.
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2- Desplazamiento del punto Q, ofreciendo v
o
recortes en las crestas positivas o negativas, en
funcin de que Q se desplace en sentido descendente o ascendente a lo largo de la recta de
carga.
Nota:
Omitiremos el anlisis de amplificadores en las configuraciones drenador comn (DC) y puerta
comn (GC), ya que este es anlogo a lo visto en transistores bipolares para la configuracin
emisor comn (EC).
La obtencin de la recta de carga, tambin se obtiene de manera similar a lo expuesto en
transistores bipolares.

1.10-El JFET en conmutacin
Los requisitos son los mismos que los expuestos para transistores bipolares, por lo tanto, basta
recordar que en este modo de trabajo se evita la regin activa si no es para lograr las
transiciones de corte a saturacin o viceversa, y dichas transiciones han de ser lo ms rpidas
posible.

1.11-Parmetros caractersticos del JFET
Los fabricantes, suelen ofrecer las siguientes especificaciones y caractersticas de un JFET en
su hoja de datos:

1. I
dmx
: Mxima corriente permitida de drenador.
2. I
Gmx
: Mxima corriente permitida de compuerta.
3. V
DSmx
: Mxima tensin permitida drenador-surtidor.
4. V
GSOmx
: Mxima tensin permitida compuerta-surtidor con drenador abierto.
5. V
DGOmx
: Mxima tensin permitida drenador-puerta con surtidor abierto.
6. I
DSS
: Corriente de drenador con la G en c.c. con el S y para una V
DS
determinada.
7. V
(P)GS
: Tensin de estrangulamiento G y S para una V
DS
y I
D
dadas con el canal cortado.
8. P
tot
:Potencia total mxima disipable a una temperatura dada.
9. g
m
o y
fs
: transconductancia o transadmitancia.
1.12-Aplicaciones
Se los utiliza en las siguientes aplicaciones:
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1. Amplificador de tensin
2. Conmutador analgico
3. Compuerta digital
4. Resistencia variable con la tensin
5. Amplificador de VHF con baja distorsin
6. En medidores de PH
7. En electroencefalgrafos
8. En electrocardigrafos
9. Etc.


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2.-TRANSISTOR METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOSFET)
2.1-Caractersticas
Una de las caractersticas ms importantes del MOSFET es su tamao; es tan pequeo
comparado con un transistor bipolar (BJT), que slo ocupa el 20 o 30 % del rea del chip que
ocupara un BJT tpico. Por lo tanto, los MOSFET pueden alcanzar densidades de
empaquetamiento muy elevadas en un circuito integrado, de all que se los utilice ampliamente
en ellos.
Adems tienen la capacidad de disipar altas potencias y conmutar grandes corrientes en
menos de un nanosegundo: mucha ms rapidez que la actualmente alcanzable utilizando un
BJT, es por esta razn que se lo utiliza como interruptor de alta potencia y alta frecuencia.
Su funcionamiento es similar al del JFET, sin embargo hay diferencias bsicas de las que
resulta que el MOSFET tiene una impedancia de entrada mucho ms alta que la del JFET, y
que es del orden de 10
14
.
Existen dos tipos constructivos de MOSFET:
1. MOSFET de empobrecimiento
2. MOSFET de enriquecimiento
a su vez estos pueden ser de canal N de canal P.

2.2-MOSFET de empobrecimiento
En las figuras 14 y 15 se muestran la estructura interna, el smbolo, la caracterstica de
transferencia y las caractersticas de drenador de los dos tipos de mosfet de empobrecimiento
El MOSFET de empobrecimiento de canal N consiste en un sustrato de material tipo P (silicio
contaminado o dopado con impurezas tipo P) en el que se han difundido dos regiones de
material tipo N. Estas dos regiones forman la fuente o surtidor (S) y el drenaje o drenador (D),
constituyendo conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal N y los contactos de
aluminio de la fuente y el drenador.
La puerta se forma cubriendo la regin comprendida entre el drenador y la fuente con una capa
de dixido de silicio (SiO2), encima de la cual se deposita una placa metlica.
La denominacin metal- xido -semiconductor proviene de esta formacin de la puerta con
metal, xido y un semiconductor.
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El funcionamiento del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del JFET, como puede verse
en las figuras 14 a), b) y c).
Al aplicar una tensin V
DS
entre el drenador y el surtidor, se originar la circulacin de una
corriente I
D
entre ambos terminales.
Si se aplica una tensin negativa V
GS
entre la puerta y el surtidor , se produce la salida de los
electrones de la regin del canal empobrecindolo. Cuando V
GS
alcanza el valor V
P
, el canal
se estrangula, provocando que cese la circulacin de la corriente ID.
Por el contrario si la V
GS
aplicada fuese positiva, los valores positivos de esta tensin
aumentaran el tamao del canal, dando por resultado un aumento de la corriente I
D
.
Todo esto puede apreciarse en la caracterstica de transferencia mostrada en la figura anterior.
Ntese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos como
negativos de la V
GS
., sin embargo la caracterstica de transferencia contina para valores
positivos de la tensin V
GS
.
Como la compuerta est aislada del canal por la capa de dixido de silicio, la corriente de
compuerta es sumamente baja (10
-12
A) y V
GS
puede ser de cualquier polaridad.
Como puede verse en las figuras anteriores, el smbolo para el MOSFET posee un cuarto
terminal, el sustrato . La flecha apunta hacia adentro para uno de canal N y hacia afuera para
uno de canal P. La fuente, el drenador y el sustrato forman un transistor bipolar; por lo general
siempre se lo conecta a la tensin ms negativa existente en el circuito.
La tensin del sustrato afecta a la tensin inicial V
P
y a la caracterstica corriente de drenador-
tensin de puerta del MOSFET. La figura 16, muestra dicha variacin.
La corriente drenador-fuente tambin vara al variar la tensin del sustrato, ya que cuando
cambia la tensin fuente-sustrato, cambia la tensin umbral V
T
.
El MOSFET de empobrecimiento de canal P , que se muestra en la figura 15 , se construye
igual al de canal N, salvo que ahora se invierten los materiales N y P al igual que las
polaridades de las tensiones y corrientes.; su funcionamiento es anlogo teniendo en cuenta las
salvedades mencionadas.

2.3-MOSFET de enriquecimiento
El MOSFET de enriquecimiento, que al igual que el anterior, puede ser de canal N de canal
P, se muestra en las figuras 17y 18.
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La construccin comienza con un material de sustrato (de tipo P para canal N y de tipo N para
canal P) sobre el cual se difunde material de tipo opuesto para formar la fuente y el drenador.
El smbolo para el MOSFET de enriquecimiento, muestra una lnea quebrada entre fuente y
drenador para indicar que no existe un canal inicial.
El MOSFET de enriquecimiento de canal N difiere constructivamente del de empobrecimiento
de canal n en que no tiene capa de material N, sino que requiere de una tensin positiva entre
la puerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin
positiva compuerta-fuente (V
GS
) ,que atrae electrones de la regin del sustrato ubicada entre el
drenador y la compuerta que estan formados por material semiconductor tipo P. Es decir que el
canal no tiene existencia fsica como ocurre con el mosfet de empobrecimiento, sino que se
forma a partir de una tensin aplicada V
GS
.
Una V
GS
positiva, provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de
xido, producindose el enriquecimiento de la regin del canal.
Cuando la tensin alcanza el valor umbral ,V
T
, han sido atrados a esta regin los electrones
suficientes para que se comporte como canal N conductor.
No habr una corriente apreciable I
D
hasta que V
GS
exceda el valor V
T
.
Para el MOSFET de enriquecimiento, no existe un valor de I
DSS
ya que la corriente de drenaje
es cero hasta que el canal se ha formado.
El MOSFET de enriquecimiento de canal P tiene caractersticas similares pero opuestas a las
del MOSFET de enriquecimiento de canal N.
Aunque se halla ms restringido en su intervalo de operacin que el MOSFET de
empobrecimiento, el MOSFET de enriquecimiento se emplea en circuitos integrados debido a
su reducido tamao y construccin simple.

2.4-VMOSFET (VMOS)
Este tipo de MOSFET fue desarrollado para aumentar la capacidad de manejo de potencia en
dispositivos de estado slido; en ellos el canal de conduccin se ha modificado para formar
una V, como puede verse en la figura 19 en lugar de la lnea recta convencional entre fuente y
drenador. Se aade una capa de semiconductor adicional.
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El trmino VMOS se deriva del hecho de que la corriente entre fuente y drenador sigue un
trayecto vertical debido a la construccin. El drenaje est ahora localizado en una pieza de
material semiconductor adicional.
Los FETS convencionales estan limitados a corrientes del orden de miliamperes, pero los FET
VMOS se encuentran disponibles para corrientes del orden de los 100 A. Esto proporciona un
gran incremento de potencia respecto a los FETS convencionales.
Otras ventajas adicionales de los VMOS son las siguientes:
coeficiente de temperatura negativo para prevenir fallas trmicas
baja corriente de fuga
alta velocidad e conmutacin
posibilidad de ser utilizados como BJT para amplificadores lineales de alta potencia

2.5-MOSFET de simetra complementaria (CMOS)
El MOSFET de simetra complementaria, denominado CMOS est fabricado como muestra la
figura 20 a).
Consiste en un mosfet de canal P (PMOSFET) y uno de canal N (NMOSFET), ambos del tipo
de enriquecimiento.
Se trata de un circuito inversor representado en la figura 20 b), donde T
2
es el PMOSFET y T
1

es el NMOSFET. Los dos drenajes estn conectados entre s por lo que la corriente fluye desde
la alimentacin V
SS
hasta masa; la figura 20 c) muestra las conexiones del sustrato.
La operacin del inversor es la siguiente: cuando V
i
< V
T1
, el transistor T
1
est en corte y, como
usualmente ocurre, V
SG2
= V
SS
- V
i
> VT2 , por lo que el transistor T
2
conduce.
Estando T
1
en corte, no fluye corriente en T
2
aunque est en el estado de conduccin; as la
salida del inversor es V
o
= V
SS
.
Cuando aumenta la tensin de entrada V
i
por encima de V
T1
, T
1
y T
2
conducen y la tensin de
salida disminuye.
Finalmente, cuando Vi aumenta lo suficiente para que T
2
pase al estado de corte, es decir:
VSS - Vi < VT2 , entonces, como T
1
est en conduccin, la tensin de salida V = 0 volt.
Entre el PMOSFET y el NMOFET se emplean otras conexiones cuando el CMOS ha de ser
utilizado en aplicaciones diferentes.
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Una de las aplicaciones ms importantes de los circuitos CMOS, tal vez la ms importante, es
su utilizacin como compuertas lgicas en circuitos integrados. Esto se debe a elevada
velocidad de conmutacin, consumo extremadamente pequeo de potencia de c.c. y tamao
extremadamente pequeo, lo que lo hace particularmente apto para la denominada integracin
en muy alta escala (VLSI).

NOTA:
Adems de los FET analizados existen otros transistores de efecto de campo tales como
DMOS, MESFET, etc., que no han sido tratados en el presente trabajo. Se invita a aquellos
lectores que estn interesados en profudinzar ms en el tema a recurrir a la bibliografa citada
al final del apunte.


- GRAFICOS -

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- INFORMACION TECNICA DE ALGUNOS JFETs Y MOSFETs -

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-BIBLIOGRAFIA-
1. SEMICONDUCTORES AVANZADOS Y OP-AMP - J. P. Garca, A. Robles y C. Otero - Edit.
Mc Graw - Hill - 1992.

2. DISEO ELECTRONICO, CIRCUITOS Y SISTEMAS - Savan, Rover y Carpenter.- Edit.
Addison Wesley Iberoamericana - 1995.

3. CIRCUITOS ELECTRONICOS DISCRETOS E INTEGRADOS - D. Schiling, C. Belove, T.
Apelewicz y R. Saccardi.- Edit. Mc Graw - Hill - 1993.

A.H.J.B.