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Funcionamiento Del FET
Funcionamiento Del FET
.
.
V
p
es la V
DS
que provoca estrangulamiento (estrechez mxima)
en un punto (para V
GS
=0) o la V
GS
que corta completamente el canal.
Si V
DD
=0 =>I
D
=0 =>V
o
+V(x) =|V
GS
|, independiente de x
( ) a b
q N
V a b
q N
V V
b
a
V
D
GS
D
GS GS p
= = =
2 2
1
2
2
. .
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 6
ANOTACIONES
Regin de saturacin
|V
DS
| >| |V
p
| |V
GS
| |
La anchura mnima del canal es . Al aumentar ms la tensin entre drenador y fuente V
DS
, permanece
constante y aumenta L y se entra en la zona de saturacin.
I I
V
V
DS DSS
GS
p
=
1
2
; siendo I
DSS
el valor de la corriente de saturacin cuando la puerta est
cortocircuitada con la fuente (V
GS
=0 )
Regin de corte
|V
GS
| |V
p
| =>I
DS
0
El canal desaparece
Regin de ruptura
Cuando la tensin drenador fuente V
DS
es muy grande y entonces la corriente de drenador se eleva mucho y
se llega a la destruccin del FET. |V
DS
| BV
DS
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 7
ANOTACIONES
EL TRANSISTOR MOS. ESTRUCTURA Y TIPOS
Los transistores de efecto campo de unin J FET estudiados hasta ahora presentan la caracterstica de que
con V
GS
=0, I
D
no es nula cuando V
DS
0.
Los transistores de efecto campo de puerta aislada (de acumulacin) tienen I
D
nula con V
GS
=0, lo cual es
interesante para trabajar en conmutacin. Estos transistores de efecto campo de puerta aislada se suelen
llamar MOS (Metal Oxide Sc) y tienen una impedancia de entrada elevada, del orden de 10
10
10
15
MOSFET de acumulacin de canal P
Tipos:
- Canal P ->sustrato N; impurificaciones P+
- Canal N ->sustrato P; impurificaciones N+
Construccin de la zona del canal
- Muy impurificada o enriquecida (enhacement) en los portadores de carga del sustrato ->MOS de
enriquecimiento o acumulacin
- Poco impurificada o empobrecida (depletion) en los portadores de carga del sustrato (enriquecida en los
portadores de las impurificaciones de D y S) ->MOS de empobrecimiento o de deplexin
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 8
ANOTACIONES
Curvas de salida: I
D
=f(V
DS
, V
GS
)
MOS de acumulacin
|V
DS
|
|I
D
|
Regin de no saturacin u hmica: |V
DS
| < |V
GS
- V
TH
|
Regin de contraccin: |V
DS
| |V
GS
- V
TH
|
Regin de saturacin: |V
DS
| > |V
GS
- V
TH
|
Regin de corte: |V
GS
| < |V
TH
|
|BV|
|V
GS
|
Tensin de ruptura
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 9
ANOTACIONES
CURVAS CARACTERSTICAS
Es la representacin de la corriente de drenador I
D
en funcin de la tensin entre la puerta y la fuente V
GS
I
D
=f(V
GS
)
Con V
DS
constante se vara V
GS
y se observa I
D
, obtenindose curvas diferentes para cada tipo de transistor:
Transistores enriquecidos (enhacement)
I
D
V
GS
V
TH
CANAL N
I
D
V
GS
V
TH
CANAL P
|I
D
| =K (|V
GS
| - |V
TH
|)
2
para |V
GS
| >|V
TH
|
K =03 mA/V
2
Transistores empobrecidos (depletion)
I
D
V
GS
-V
p
CANAL N
I
D
V
GS
V
p
CANAL P
I
D
= I
DSS
(1 - V
GS
/ V
p
)
2
I
DSS
I
DSS
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 10
ANOTACIONES
SMBOLOS GRFICOS
Canal N Canal P
G
D
S
EMPOBRECIDOS O
DE DEPLEXIN
(DEPLETION)
G
D
S
G
D
S
G
D
S
ENRIQUECIDOS O
DE ACUMULACIN
(ENHACEMENT)
Otro tipo de smbolo:
G
D
S
G
D
S
DEPLEXIN
ACUMULACIN
G
D
S
G
D
S
En electrnica digital:
G
D
S
ACUMULACIN
G
D
S
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 11
ANOTACIONES
EL MOS EN CONMUTACIN
Se usa el transistor de acumulacin. R
L
ocupa aproximadamente veinte veces ms rea en un circuito
integrado que el transistor.
Recta de carga: V
DD
=I
D
R
L
+V
DS
G
D
S Vent
+
+
_ _
Vsal
R
L
+V
DD
V
DS
I
D
V
GS
= V
TH
V
GS
> V
TH
V
GS
> V
GS
V
GS
> V
GS
V
GS
= V
DD
A
B
+V
DD
0
Vent Vsalida ->En lgica digital -> Vent Vsalida
0 +V
DD
punto A 0 1
+V
DD
0 punto B 1 0
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 12
ANOTACIONES
El circuito anterior es un inversor. Smbolos del inversor:
1
INVERSORES MOS Y CMOS
Vent = V
GS1
+
+
_ _
Vsal = V
DS1
-V
DD
Q1
Q2
+
_
V
L
= V
DS2
= V
GS2
INVERSOR CON TRANSISTOR DE CARGA
CON PUERTA UNIDA A DRENADOR
Q2 acta como la resistencia de carga y se llama FET de carga. Q2 est siempre en saturacin
independientemente de Q1 =>Q2 tiene siempre el canal formado.
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 13
ANOTACIONES
V
DS2
= V
GS2
I
D2
V
GS2
= -V
TH
V
GS2
= -V
DD
-V
DD
-V
TH
Lugar geomtrico
donde V
GS2
=V
DS2
V
DS1
= -V
DD
- V
DS2
I
D1
= I
D2
V
GS1
= -V
TH
V
GS1
= -V
DD
-V
DD
V
ON
B
A
-V
DD
+ V
TH
Curva de carga: I
D1
=f(V
DS1
) =f(-V
DD
V
DS2
)
Vent Vsalida ->En lgica digital -> Vent Vsalida
0 -V
DD
+V
TH
punto A 0 1
-V
DD
- V
ON
punto B 1 0
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 14
ANOTACIONES
Vent = V
GS1
+
+
_ _
Vsal = V
DS1
-V
DD
Q1
Q2
INVERSOR CON MOS DIFERENTES
(ACUMULACIN Y DEPLEXIN)
Vent
+
+
_ _
Vsal
V
DD
Q1 (NMOS)
INVERSOR CMOS
(MOS DE SIMETRA COMPLEMENTARIA)
Q2 (PMOS)
G2
G1
S1
D1
D2
S2
a) Vent =0 => Q1 est en corte y Q2 en estado de conduccin
V
GS1
<V
T
y |V
GS2
| >|V
T
| => Vsal V
DD
b) Vent =V
DD
=> Q1 en estado de conduccin y Q2 en corte
V
GS1
>V
T
y |V
GS2
| <|V
T
| => Vsal 0