TEMA 7

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

(Gua de Clases)











Asignatura: Dispositivos Electrnicos I
Dpto. Tecnologa Electrnica
CONTENIDO

INTRODUCCIN

JFET: CURVAS CARACTERSTICAS
Smbolos de los J FET
Esquema bsico de polarizacin
Curvas caractersticas

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Regin hmica
Regin de contraccin
Regin de saturacin
Regin de corte
Regin de ruptura

EL TRANSISTOR MOS: ESTRUCTURA Y TIPOS

CURVAS CARACTERSTICAS

SMBOLOS GRFICOS

EL MOS EN CONMUTACIN

INVERSORES MOS Y CMOS


Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 1

ANOTACIONES
INTRODUCCIN
Transistor de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde el control de la corriente se
realiza mediante un campo elctrico. Tienen las siguientes caractersticas:
- Dispositivo unipolar: un nico tipo de portadores de carga
- Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que supone una gran ventaja
para aplicaciones de microelectrnica
- Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de M)

Existen dos tipos de transistores de efecto campo:
- De unin: J FET o simplemente FET
- De puerta aislada: IGFET, MOS, MOST o MOSFET

Estructura de los J FET
- Barra semiconductora con contactos hmicos en los extremos
- Puerta o elemento de control muy impurificado con portadores distintos a los de la barra
- Elementos: Fuente o surtidor (S), Drenador (D), Puerta (G), y Canal (regin situada entre las dos
difusiones de puerta
- La tensin puerta surtidor (V
GS
) polariza inversamente las uniones














La corriente entre Drenador (D) y Fuente (S) se controla mediante el campo creado por la polarizacin
inversa aplicada a la puerta (G).
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 2

ANOTACIONES
JFET: CURVAS CARACTERSTICAS

Smbolos de los J FET:
G
D
S
Canal N
G
D
S
Canal P


Esquema bsico de polarizacin:
I
G
I
D
I
S
+
+
_ _
V
GG
V
GS
V
DS
V
DD

Para canal P el esquema es idntico con polaridades invertidas








Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 3

ANOTACIONES
Curvas caractersticas: I
D
=f (V
DS
, V
GS
)























Para V
GS
=0:
V
DS
pequea (<V
P
): Canal casi completamente abierto =>resistencia pequea y aproximadamente
constante =>comportamiento aproximadamente lineal =>REGIN HMICA
V
DS
cercana a V
P
: canal se va cerrando por un punto y la resistencia aumenta con la tensin =>
comportamiento no lineal =>REGIN DE CONTRACCIN
V
DS
>V
P
: La resistencia rds es grande y aproximadamente constante =>J FET fuente de corriente =>
REGIN DE SATURACIN
V
DS
muy elevada: Conduccin inversa en las uniones, I
D
se dispara y se produce fcilmente la
destruccin del J FET =>REGIN DE RUPTURA

Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 4

ANOTACIONES
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
V
DS
I
D
HMICA: |V
DS
| < ||V
p
| - |V
GS
||
CONTRACCIN: |V
DS
| ||V
p
| - |V
GS
||
SATURACIN: |V
DS
| > ||V
p
| - |V
GS
||
V
GS
= 0
|V
GS
|= |V
p
|
RUPTURA:
V
DS
elevada
CORTE: |V
GS
| > |V
p
|

Regin hmica
Valores pequeos de V
DS
|V
DS
| <| |V
p
| |V
GS
| |

Resistencia hmica: r
q N
L
ac
ds
D n
=
1
2 . .


Valores usuales de la resistencia: de 100 a 100 K -> r
ds
>R
cesat
(transistor bipolar)
I
D
=f(V
DS
) -> funcin lineal
Cada V
GS
define un valor de resistencia distinto



Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 5

ANOTACIONES
Regin de contraccin
|V
DS
| | |V
p
| |V
GS
| |
Al elevar V
DS
, I
D
deja de crecer linealmente ->se entra en la zona de contraccin.

Clculo de la tensin de contraccin V
p



















N
A
>>N
D
=> w
n
w >>w
p
V
j
=V
o
+V
I
=(q N
D
w
2
)/(2)
w(x) =a b(x) = ( )
( )
2
q N
V V x
D
o
.
+
Si b = 0 (estrangulamiento) y V
o
<<V(x) entonces:
( )
a
q N
V V
q N
a
D
p p
D
= =
2
2
2

.
.
V
p
es la V
DS
que provoca estrangulamiento (estrechez mxima)
en un punto (para V
GS
=0) o la V
GS
que corta completamente el canal.
Si V
DD
=0 =>I
D
=0 =>V
o
+V(x) =|V
GS
|, independiente de x
( ) a b
q N
V a b
q N
V V
b
a
V
D
GS
D
GS GS p
= = =

2 2
1
2
2

. .

Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 6

ANOTACIONES

Regin de saturacin
|V
DS
| >| |V
p
| |V
GS
| |
La anchura mnima del canal es . Al aumentar ms la tensin entre drenador y fuente V
DS
, permanece
constante y aumenta L y se entra en la zona de saturacin.
I I
V
V
DS DSS
GS
p
=

1
2
; siendo I
DSS
el valor de la corriente de saturacin cuando la puerta est
cortocircuitada con la fuente (V
GS
=0 )

















Regin de corte
|V
GS
| |V
p
| =>I
DS
0
El canal desaparece

Regin de ruptura
Cuando la tensin drenador fuente V
DS
es muy grande y entonces la corriente de drenador se eleva mucho y
se llega a la destruccin del FET. |V
DS
| BV
DS
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 7

ANOTACIONES
EL TRANSISTOR MOS. ESTRUCTURA Y TIPOS

Los transistores de efecto campo de unin J FET estudiados hasta ahora presentan la caracterstica de que
con V
GS
=0, I
D
no es nula cuando V
DS
0.

Los transistores de efecto campo de puerta aislada (de acumulacin) tienen I
D
nula con V
GS
=0, lo cual es
interesante para trabajar en conmutacin. Estos transistores de efecto campo de puerta aislada se suelen
llamar MOS (Metal Oxide Sc) y tienen una impedancia de entrada elevada, del orden de 10
10
10
15














MOSFET de acumulacin de canal P


Tipos:
- Canal P ->sustrato N; impurificaciones P+
- Canal N ->sustrato P; impurificaciones N+

Construccin de la zona del canal
- Muy impurificada o enriquecida (enhacement) en los portadores de carga del sustrato ->MOS de
enriquecimiento o acumulacin
- Poco impurificada o empobrecida (depletion) en los portadores de carga del sustrato (enriquecida en los
portadores de las impurificaciones de D y S) ->MOS de empobrecimiento o de deplexin

Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 8

ANOTACIONES
Curvas de salida: I
D
=f(V
DS
, V
GS
)


MOS de acumulacin

|V
DS
|
|I
D
|
Regin de no saturacin u hmica: |V
DS
| < |V
GS
- V
TH
|
Regin de contraccin: |V
DS
| |V
GS
- V
TH
|
Regin de saturacin: |V
DS
| > |V
GS
- V
TH
|
Regin de corte: |V
GS
| < |V
TH
|
|BV|
|V
GS
|
Tensin de ruptura










Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 9

ANOTACIONES
CURVAS CARACTERSTICAS

Es la representacin de la corriente de drenador I
D
en funcin de la tensin entre la puerta y la fuente V
GS

I
D
=f(V
GS
)

Con V
DS
constante se vara V
GS
y se observa I
D
, obtenindose curvas diferentes para cada tipo de transistor:


Transistores enriquecidos (enhacement)
I
D
V
GS
V
TH
CANAL N
I
D
V
GS
V
TH
CANAL P
|I
D
| =K (|V
GS
| - |V
TH
|)
2
para |V
GS
| >|V
TH
|
K =03 mA/V
2
Transistores empobrecidos (depletion)
I
D
V
GS
-V
p
CANAL N
I
D
V
GS
V
p
CANAL P
I
D
= I
DSS
(1 - V
GS
/ V
p
)
2

I
DSS
I
DSS








Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 10

ANOTACIONES
SMBOLOS GRFICOS

Canal N Canal P
G
D
S
EMPOBRECIDOS O
DE DEPLEXIN
(DEPLETION)
G
D
S
G
D
S
G
D
S
ENRIQUECIDOS O
DE ACUMULACIN
(ENHACEMENT)
Otro tipo de smbolo:
G
D
S
G
D
S
DEPLEXIN
ACUMULACIN
G
D
S
G
D
S
En electrnica digital:
G
D
S
ACUMULACIN
G
D
S










Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 11

ANOTACIONES
EL MOS EN CONMUTACIN

Se usa el transistor de acumulacin. R
L
ocupa aproximadamente veinte veces ms rea en un circuito
integrado que el transistor.
Recta de carga: V
DD
=I
D
R
L
+V
DS

G
D
S Vent
+
+
_ _
Vsal
R
L
+V
DD

V
DS
I
D
V
GS
= V
TH
V
GS
> V
TH
V
GS
> V
GS
V
GS
> V
GS
V
GS
= V
DD
A
B
+V
DD
0

Vent Vsalida ->En lgica digital -> Vent Vsalida
0 +V
DD
punto A 0 1
+V
DD
0 punto B 1 0
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 12

ANOTACIONES
El circuito anterior es un inversor. Smbolos del inversor:
1





INVERSORES MOS Y CMOS

Vent = V
GS1
+
+
_ _
Vsal = V
DS1
-V
DD
Q1
Q2
+
_
V
L
= V
DS2
= V
GS2
INVERSOR CON TRANSISTOR DE CARGA
CON PUERTA UNIDA A DRENADOR


Q2 acta como la resistencia de carga y se llama FET de carga. Q2 est siempre en saturacin
independientemente de Q1 =>Q2 tiene siempre el canal formado.
Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 13

ANOTACIONES
V
DS2
= V
GS2
I
D2
V
GS2
= -V
TH
V
GS2
= -V
DD
-V
DD
-V
TH
Lugar geomtrico
donde V
GS2
=V
DS2

V
DS1
= -V
DD
- V
DS2
I
D1
= I
D2
V
GS1
= -V
TH
V
GS1
= -V
DD
-V
DD
V
ON
B
A
-V
DD
+ V
TH

Curva de carga: I
D1
=f(V
DS1
) =f(-V
DD
V
DS2
)
Vent Vsalida ->En lgica digital -> Vent Vsalida
0 -V
DD
+V
TH
punto A 0 1
-V
DD
- V
ON
punto B 1 0

Transistores de efecto campo. Gua de clases pg. 14

ANOTACIONES
Vent = V
GS1
+
+
_ _
Vsal = V
DS1
-V
DD
Q1
Q2
INVERSOR CON MOS DIFERENTES
(ACUMULACIN Y DEPLEXIN)


Vent
+
+
_ _
Vsal
V
DD
Q1 (NMOS)
INVERSOR CMOS
(MOS DE SIMETRA COMPLEMENTARIA)
Q2 (PMOS)
G2
G1
S1
D1
D2
S2


a) Vent =0 => Q1 est en corte y Q2 en estado de conduccin
V
GS1
<V
T
y |V
GS2
| >|V
T
| => Vsal V
DD

b) Vent =V
DD
=> Q1 en estado de conduccin y Q2 en corte
V
GS1
>V
T
y |V
GS2
| <|V
T
| => Vsal 0