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P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA
N semiconductor
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
Concepto de diodo ideal
Cátodo
- V
ESTÁNDAR (0-400Hz)
RECTIFICADORES
ULTRA FAST RECOVERY (0-100KHz)
DIODOS DE POTENCIA
SCHOTTCKY (0-500KHz)
Encapsulados de diodos
• Axiales
DIODOS DE POTENCIA
DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
DIODOS DE POTENCIA Encapsulados de diodos tipo Alternador
www.chinathyristor.com
DIODOS DE POTENCIA Encapsulados de diodos tipo Alternador
www.chinathyristor.com
Encapsulados de diodos
DO 5
DIODOS DE POTENCIA
B 44
Encapsulados de diodos
• Agrupaciones de 2 diodos
DIODOS DE POTENCIA
Dual in line
Encapsulados de diodos
+ -
Encapsulados de diodos
www.chinathyristor.com
DIODOS DE POTENCIA Encapsulados de Puentes Rectificadores Trifásicos
Características fundamentales de cualquier diodo
Depende de la cápsula
3ª Caída de tensión en conducción
ideal
rd
V
i
DIODOS DE POTENCIA
ID
5A
V
VD
3ª Caída de tensión en conducción
IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V
1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA
IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V
0,84V @ 20A
1,6V @ 20A
3ª Caída de tensión en conducción
0,5V @ 10A
3ª Caída de tensión en conducción
0,69V @ 10A
Schottky
Schottky
DIODOS DE POTENCIA
Similares valores
de VRRM y similares
caídas de tensión
en conducción
PN
4ª Corriente de inversa en bloqueo
R
i
a b
Transición de “a” a “b”,
+ es decir, de conducción
V2 V a bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA
V1/R
t
V t
-V2
5ª Velocidad de conmutación
R i
i 0,9·V1/R
a b +
V2 V
0,1·V1/R
V1 td
- tr
DIODOS DE POTENCIA
tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )
• Información suministrada
por los fabricantes
• Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo
DIODOS DE POTENCIA
www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
Pérdidas en diodos
• Son de dos tipos:
- Estáticas en conducción (en bloqueo son despreciables)
- Dinámicas
Pérdidas estáticas en un diodo
Forma de onda frecuente
iD
iD
ideal
DIODOS DE POTENCIA
10 A iD
trr
t
DIODOS DE POTENCIA
3A
Potencia instantánea perdida
0,8 V VD en la salida de conducción:
t pDsc (t) = vD (t)·iD (t) =
-200 V
Información de los fabricantes sobre pérdidas
• Estáticas
DIODOS DE POTENCIA
• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA
• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA
• Magnitudes térmicas:
- Resistencias térmicas, RTH en ºC/W
- Increm. de temperaturas, ΔT en ºC
- Potencia perdida, P en W
Si • Ley “de Ohm” térmica: ΔT=P·RTH
RTHjc RTHca
DIODOS DE POTENCIA
P • Magnitudes eléctricas:
(W) a
j Ambiente - Resistencias eléctricas, R en Ω
Unión - Difer. de tensiones, V en voltios
(oblea)
- Corriente, I en A
c RTH R
Encapsulado Equivalente
ΔT V
eléctrico
PI
Características Térmicas
RTH R
Equivalente
ΔT V
eléctrico
PI
TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
(W) a P
j
Ambiente
DIODOS DE POTENCIA
Unión
0K
c
Encapsulado
j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si R
THjc RTHca
P 0º K
(W) a
j Ambiente
DIODOS DE POTENCIA
Unión
c
Encapsulado