Diodo Varactor

El diodo varactor o diodo varicap, es un diodo de unión diseñado para proporcionar

capacitancia variable. La unión P-N está polarizada inversamente, y la capacitancia del diodo
puede variarse cambiando la polarización de CC aplicada

El diodo varactor proporciona capacitancia variable dependiendo de la polarización inversa

aplicada. Cuanto mayor sea el nivel de polarización, menor será la capacitancia.

La capacitancia del varactor varía inversamente con la polarización de CC aplicada. Cuanto

mayor sea la polarización inversa, más ancha será la región de agotamiento de diodos y, por
lo tanto, menor será la capacitancia. Esta variación se puede ver gráficamente en el gráfico
de capacitancia frente al voltaje inverso para el diodo varactor de unión hiperactiva
SMV1801-079LF de Skyworks Solutions.

La capacitancia de un varactor SMV1801-079LF en función del voltaje de polarización

inversa.
Estos diodos ofrecen un alto voltaje disruptivo, voltajes de polarización de hasta 28 voltios y
se pueden aplicar en un amplio rango de sintonización. El voltaje de control debe aplicarse
al varactor para no alterar la polarización de la siguiente etapa; generalmente está acoplado
capacitivamente como se muestra en la figura.

Un oscilador sintonizado de varactor CA acopla el varactor, D1, al oscilador a través del

condensador C1. La tensión de control se aplica a través de la resistencia R1.

El varactor está acoplado a CA al circuito del tanque oscilador a través de un condensador

grande, C1. Esto aísla el varactor, D1, de los voltajes de polarización del transistor, y
viceversa. La tensión de control se aplica a través de la resistencia de aislación, R1.

Los varactores pueden reemplazar condensadores variables en otras aplicaciones, como

sintonizar filtros de RF o microondas, en moduladores de frecuencia o fase, en
desplazadores de fase o en multiplicadores de frecuencia.

Diodo Schottky

El Schottky, o diodo portador caliente, se basa en una unión de metal a semiconductor. El

lado metálico de la unión forma el electrodo anódico y el lado semiconductor es el cátodo.
Cuando está polarizado en la dirección directa, la caída máxima de voltaje directo del diodo
Schottky está en el rango de 0,2 a 0,5 voltios, dependiendo de la corriente directa y el tipo
de diodo. Esta baja caída de voltaje directo es extremadamente útil cuando el diodo Schottky
se usa en serie con una fuente de energía, como en los circuitos de protección de voltaje
inverso, ya que reduce las pérdidas de energía.

La estructura física del diodo Schottky se basa en una unión semiconductora de metal a
tipo N, lo que produce una baja caída de voltaje directo y tiempos de conmutación muy
rápidos.

La otra característica importante de estos diodos es su tiempo de conmutación muy rápido.

A diferencia de los diodos estándar que tardan en eliminar la carga de la capa de agotamiento
cuando se cambia de una condición de encendido a apagado, el diodo Schottky no tiene una
capa de agotamiento asociada con la unión de metal-semiconductor.

Los diodos Schottky tienen voltaje nominal inverso de pico limitado en comparación con los
diodos de unión de silicio. Esto generalmente limita su uso a fuentes de alimentación
conmutadas de bajo voltaje. El diodo 1N5822RLG de onsemi tiene una clasificación
respetable de pico de voltaje inverso (PRV) de 40 voltios y una corriente directa máxima de
3 A. Se puede aplicar en varias áreas de una fuente de alimentación de modo conmutado.
 Los ejemplos de aplicaciones típicas de diodos Schottky en fuentes de alimentación de
modo conmutado incluyen su uso para protección de potencia inversa (D1) y supresión
transitoria (D2).

Los diodos Schottky se pueden usar para proteger los circuitos reguladores contra la
aplicación accidental de polaridad invertida en la entrada. El diodo D1 cumple ese propósito
en el ejemplo. La principal ventaja del diodo en esta aplicación es su baja caída de voltaje
directo. Una función más importante para un diodo Schottky, en este caso D2, es
proporcionar una ruta de retorno para la corriente a través del inductor, L1, cuando el
interruptor se apaga. D2 tiene que ser un diodo rápido conectado con un cableado corto de
baja inductancia para realizar esta función. Los diodos Schottky proporcionan el mejor
rendimiento en esta aplicación para suministros de bajo voltaje.

Los diodos Schottky también encuentran aplicaciones en diseños de RF donde su

conmutación rápida, bajas caídas de voltaje directo y baja capacitancia los hacen útiles para
detectores e interruptores de muestreo y retención.

Diodo PIN

El diodo PIN se usa como interruptor o atenuador en las frecuencias de RF y microondas.

Se forma intercalando una capa semiconductora intrínseca de alta resistividad entre las
capas tipo P y tipo N de un diodo convencional; de ahí el nombre PIN, que refleja la estructura
del diodo.El diodo sesgado imparcial o invertido no tiene carga almacenada en la capa
intrínseca. Esta es la condición de apagado de las aplicaciones de conmutación. La inserción
de la capa intrínseca aumenta el ancho efectivo de la capa de agotamiento del diodo, lo que
provoca una capacitancia muy baja y voltajes de disrupción más altos.
La estructura de un diodo PIN incluye una capa de material semiconductor intrínseco entre
el material P y N de los electrodos de ánodo y cátodo, respectivamente.

La condición de polarización directa produce agujeros y electrones que se inyectan en la

capa intrínseca. Estos portadores tardan un tiempo en recombinarse entre sí. Este tiempo
se conoce como t, la vida útil del transportador. Hay una carga almacenada promedio que
reduce la resistencia efectiva de la capa intrínseca a una resistencia mínima, RS. En la
condición de polarización directa, el diodo se utiliza como atenuador de RF.

Diodo Avalancha

Este es un elemento pasivo que funciona según el principio de avería de la avalancha.

Funciona en condiciones de sesgo inverso. Produce grandes corrientes debido a la
ionización producida por la unión p-n durante la condición de polarización inversa.

Estos diodos están especialmente diseñados para someterse a una interrupción a un voltaje
inverso específico para evitar el daño.
Generación de ruido de RF: actúa como fuente de RF para puentes de analizadores de
antena y también como generadores de ruido blanco. Utilizado en equipos de radio y también
en generadores de números aleatorios de hardware.

Generación de frecuencias de microondas: En este el diodo actúa como un dispositivo de

resistencia negativa.

Detector de avalancha de un solo fotón: Estos son detectores de fotones de alta ganancia
utilizados en aplicaciones de nivel de luz.

Diodo Gunn

El diodo Gunn está fabricado con material semiconductor de tipo n solamente. La región de
agotamiento de dos materiales de tipo N es muy delgada. Cuando la tensión aumenta en el
circuito, la corriente también aumenta. Después de cierto nivel de voltaje, la corriente
disminuirá exponencialmente, por lo que esto muestra la resistencia diferencial negativa.

Tiene dos electrodos con Arseniuro de galio y Fosfuro de indio debido a que tiene resistencia
diferencial negativa. También se denomina dispositivo electrónico transferido. Produce
señales de RF de micro ondas, por lo que se usa principalmente en dispositivos RF de
microondas. También se puede usar como un amplificador.

Diodo Tunel

Se usa como interruptor de alta velocidad, del orden de los nano-segundos. Debido al efecto
túnel tiene una operación muy rápida en la región de frecuencia de las microondas. Es un
dispositivo de dos terminales en el que la concentración de dopantes es demasiado alta.
Debido a la alta concentración de carga, el diodo túnel es muy rápido, estos pueden usarse
en temperaturas muy bajas, en campos magnéticos de gran magnitud y en entornos con
radiación alta.

Una característica muy importante de este diodo es su resistencia negativa en un

determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa,
la corriente disminuye al aumentar el voltaje.

Grafica del voltaje controlado por resistencia negativa

curva similar a una curva característica del diodo túnel. Tiene una resistencia diferencial
negativa en la región de tensión sombreado, entre v 1 y v 2

También se utilizan como convertidores de frecuencia y detectores. Su baja capacitancia les

permite funcionar al microondas frecuencias, por encima de la gama de diodos y ordinarios
transistores

Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que

involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación. Por
estas cualidades suelen usarse en proyectos espaciales.

Diodo LASER

Similar al LED en el que la región activa está formada por la unión p-n. El diodo láser
eléctricamente es un diodo p-i-n en el cual la región activa está en región intrínseca. Utilizado
en comunicaciones de fibra óptica, lectores de códigos de barras, punteros láser, lectura y
grabación de CD/DVD/Blu-ray, impresión láser.

Tipos de diodo laser

Laser de heteroestructura doble: Electrones y agujeros libres disponibles simultáneamente

en la región.

Láseres de pozo de Quantum: los láseres que tienen más de un pozo cuántico se llaman
láseres de pozo multi cuántico.

Láseres de cascada Quantum: Estos son láseres de heterounión que permiten la acción del
láser en longitudes de onda relativamente largas.

Láser de heteroestructuración de confinamiento separado: Para compensar el problema de

capa delgada en quantum los láseres vamos a los láseres de heteroestructura de
confinamiento separado.

Láseres de reflector Bragg distribuidos: pueden ser láseres emisores de borde o VCSELS.