Dispositivos de Potencia

dispositivos electrónicos
de potencia
Dispositivos a estudiar
• El Diodo de potencia
• El MOSFET de potencia
• El Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)
• El Rectificador Controlado de Silicio (SCR) Nuevos

para
• El Tiristor Apagado por Puerta (GTO) vosotros
• El Triodo de Corriente Alterna (TRIAC)

Encapsulados de diodos
• Axiales
DIODOS DE POTENCIA
DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
• Para usar radiadores

DIODOS DE POTENCIA
• Para grandes potencias
DO 5
DIODOS DE POTENCIA
B 44
• Agrupaciones de 2 diodos
DIODOS DE POTENCIA
2 diodos en cátodo común 2 diodos en serie

• Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

DIODOS DE POTENCIA
• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

DIODOS DE POTENCIA
Nombre del dispositivo

• Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados

para el mismo dispositivo
Nombre del Encapsulados

dispositivo
DIODOS DE POTENCIA
• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA
Dual in line
• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA
+   -
• Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

DIODOS DE POTENCIA
Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos
• Dan origen a módulos de potencia
- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

- Minimizan las inductancias parásitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
- Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA
Electrónica militar
Control de Motores
Circuito equivalente estático
Curva característica
i real
Curva
característica ideal Curva característica
asintótica.
Pendiente = 1/rd
V
DIODOS DE POTENCIA
0
V
ideal
• Circuito equivalente asintótico
rd
Modelo asintótico V
Características fundamentales de cualquier diodo
1ª -Máxima tensión inversa soportada

2ª -Máxima corriente directa conducida
3ª -Caída de tensión en conducción
4ª -Corriente inversa en bloqueo
5ª -Velocidad de conmutación
1ª Máxima tensión inversa soportada

• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión inversamente polarizada
DIODOS DE POTENCIA
Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de
45 V 200 V 800 V
clasificación
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
1ª Máxima tensión inversa soportada
• El fabricante suministra (a veces) dos valores:

- Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRRM
- Tensión inversa máxima de pico no repetitivo VRSM
DIODOS DE POTENCIA
La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente
2ª Máxima corriente directa conducida
• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

- Corriente eficaz máxima IF(RMS)
- Corriente directa máxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa máxima de pico no repetitivo IFSM
DIODOS DE POTENCIA
Depende de la cápsula
3ª Caída de tensión en conducción
• La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la

corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente
ideal
rd
V
i
DIODOS DE POTENCIA
ID
5A
V
VD
• La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión

soportable por el diodo
DIODOS DE POTENCIA
• Se obtiene directamente de las curvas tensión corriente
IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V
1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA
IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V
• En escala lineal no son muy útiles

• Frecuentemente se representan en
escala logarítmica
2,2V @ 25A
• Curva característica en escala logarítmica
IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

VRRM = 200V VRRM = 600V
DIODOS DE POTENCIA
0,84V @ 20A
1,6V @ 20A
• Los Schottky tienen mejor

comportamiento en conducción
para VRRM < 200 (en silicio)
DIODOS DE POTENCIA
0,5V @ 10A
• Schottky de VRRM relativamente alta

DIODOS DE POTENCIA
0,69V @ 10A
La caída de tensión en conducción no sólo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN
Schottky
Schottky
DIODOS DE POTENCIA
Similares valores
de VRRM y similares
caídas de tensión
en conducción
PN
4ª Corriente de inversa en bloqueo
• Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión inversa (poco)

y de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
• Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
DIODOS DE POTENCIA

4ª Corriente de inversa en bloqueo • Crece con IF(AV)
• Crece con Tj
• Dos ejemplos de diodos Schottky
• Decrece con VRRM

DIODOS DE POTENCIA
5ª Velocidad de conmutación
• Comportamiento ideal de un diodo en conmutación
R
i Transición de “a” a “b”,
a b + es decir, de conducción
V2 V a bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA
V1/R
t
V t
-V2
• Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
- ts
DIODOS DE POTENCIA
-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2
• Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “b” a “a”, es decir, de bloqueo conducción (encendido)
R i
i 0,9·V1/R
a b + 0,1·V1/R
V2 V
V1 td
- tr
DIODOS DE POTENCIA
tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )
El tiempo de recuperación directa genera menos

problemas reales que el de recuperación inversa
• Información suministrada
por los fabricantes
• Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo
DIODOS DE POTENCIA

5ª Velocidad de conmutación • Más información suministrada por
los fabricantes
STTA506D
DIODOS DE POTENCIA
• La velocidad de conmutación (valorada con la trr) ayuda a

clasificar los diodos
VRRM IF trr
• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V (Si) 1 A – 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA
300 V – 1200 V (SiC) 1 A – 20 A < 2 ns
Las características de todos los semiconductores (por supuesto,

también de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)
www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
Pérdidas en diodos
• Son de dos tipos:
- Estáticas en conducción (en bloqueo son despreciables)
- Dinámicas
Pérdidas estáticas en un diodo

Forma de onda frecuente
iD
iD
ideal
DIODOS DE POTENCIA
rd Potencia instantánea perdida en conducción:
V pDcond (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rd · iD(t)) · iD(t)
Potencia media en un periodo:

T

1
PDcond  p Dcond (t )·dt  PDcond = V·IM + rd · Ief2
T
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
Pérdidas dinámicas (pérdidas de conmutación) en un diodo
• Las conmutaciones no son perfectas

• Hay instantes en los que conviven tensión y corriente
• La mayor parte de las pérdidas se producen en la salida de conducción
10 A iD
tf
t
DIODOS DE POTENCIA
3A
Potencia instantánea perdida
0,8 V VD en la salida de conducción:
t pDsc (t) = vD (t)·iD (t)
Potencia media en un periodo:

trr

1
PD  p Dsc (t )·dt
T
-200 V 0
Información de los fabricantes sobre pérdidas
• Estáticas
DIODOS DE POTENCIA
(de las hojas de características (Datasheet) del diodo STTA506)

• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA
(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA
(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
Características Térmicas
• Las pérdidas generan calor y éste debe ser evacuado
• El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150ºC
• Magnitudes térmicas:
- Resistencias térmicas, RTH en ºC/W
- Increm. de temperaturas, ΔT en ºC
- Potencia perdida, P en W
Si • Ley “de Ohm” térmica: ΔT=P·RTH
RTHjc RTHca
DIODOS DE POTENCIA
P • Magnitudes eléctricas:
(W) a - Resistencias eléctricas, R en Ω
j Ambiente
Unión - Difer. de tensiones, V en voltios
(oblea) - Corriente, I en A
c RTH  R
ΔT  V
Encapsulado Equivalente
eléctrico
PI
RTH  R
ΔT  V
Equivalente
eléctrico
PI
TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
P
(W) a
j
Ambiente
DIODOS DE POTENCIA
Unión
0K
c
Encapsulado
Por tanto: ΔT = P·ΣRTH Tj-Ta = P·(RTHjc + RTHca)

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·RTHca
• La resistencia térmica unión-cápsula es baja ( 0,5-5 ºC/W)

• La resistencia térmica cápsula-ambiente es alta ( 30-100 ºC/W)
Cápsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

DIODOS DE POTENCIA
RTHca [ºC/W] 30 105 45 60 40
• Para reducir la temperatura de la unión hay que disminuir la

resistencia térmica entre la cápsula y el ambiente.
• Para ello se coloca un radiador en la cápsula.
RTHrad
j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si R
THjc RTHca
P 0º K
(W) a
Ambiente
j
DIODOS DE POTENCIA
Unión
c
Encapsulado
Por tanto: Tj-Ta = P·[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]
Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación de señal
• Zonas de trabajo de un MOSFET de señal

ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5KW 4
EL MOSFET DE POTENCIA
VGS = 4V
D
+
VDS 2 VGS = 3,5V
G
S - 10V VGS = 3V
+
VGS VGS = 2,5V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente

(sin interés en electrónica de potencia)
Comportamiento como circuito abierto

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación de señal
• Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de los

dedos. A veces se integran diodos zener de protección
- Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
Estructura de los MOSFETs de Potencia
• Están formados por miles de celdas puestas en paralelo (son

posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
• Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fácilmente
• Algunas celdas posibles (dispositivos verticales):
Fuente Fuente Puerta

Puerta
n+ n+ n+ p
p n-
n-
n+ S
n+ G
Drenador
Drenador Estructura en
trinchera D
Estructura planar
(D MOS) (V MOS)
Encapsulados de MOSFETs de Potencia
• En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los

encapsulados axiales)
• Existe gran variedad de encapsulados
• Ejemplos: MOSFET de 60V
RDS(on)=9,4mW, ID=12A
RDS(on)=12mW, ID=57A
RDS(on)=5,5mW, ID=86A RDS(on)=9mW, ID=93A

RDS(on)=1.5mW, ID=240A
Encapsulados de MOSFETs de Potencia
• Otros ejemplos de MOSFET de 60V

RDS(on)=3.4mW, ID=90A
Características fundamentales de los MOSFETs de potencia
Fuente Puerta
1ª -Máxima tensión drenador-fuente
2ª -Máxima corriente de drenador N+ P
Diodo
Fuente–
3ª -Resistencia en conducción N- Drenador
4ª -Tensiones umbral y máximas de puerta N+

5ª -Proceso de conmutación
Drenador
MOSFET con puerta en trinchera
1ª Máxima tensión drenador-fuente
• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a
la fuente) y el drenador.
• Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
1ª Máxima tensión drenador-fuente
• La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS

o como V(BR)DSS
• Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia
Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificación 55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V (SiC)
80 V
2ª Máxima corriente de drenador
• El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua máxima ID
- Corriente máxima pulsada IDM
• La corriente continua máxima ID depende de la

temperatura de la cápsula (mounting base aquí)
A 100ºC, ID=23·0,7=16,1A
3ª Resistencia en conducción
• Es uno de los parámetro más importante en un MOSFET.

Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo
• Se representa por las letras RDS(on)
• Para un dispositivo particular, crece con la temperatura

• Para un dispositivo particular, decrece con la tensión de
puerta. Este decrecimiento tiene un límite.
Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

• Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,

RDS(on) crece con el valor de VDSS
• En los últimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores

de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V)
MOSFET de 1984
MOSFET de los años 2000

4ª Tensiones umbral y máximas de puerta
• La tensión puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que
comience a haber conducción entre drenador y fuente
• Los fabricantes definen la tensión umbral VGS(TO) como la tensión
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA

• Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V
• La tensión umbral cambia con la temperatura

• La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es

típicamente de ± 20V
5ª Proceso de conmutación
• Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros dispositivos

usados en electrónica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)
• Los MOSFET de potencia son dispositivos de conducción unipolar. En

ellos, los niveles de corriente conducida no están asociados al aumento
de la concentración de portadores minoritarios, que luego son difíciles de
eliminar para que el dispositivo deje de conducir
• La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las capacidades
parásitas del dispositivo
• Hay, esencialmente tres:
- Cgs, capacidad de lineal D
- Cds, capacidad de transición Cds  k/(VDS)1/2 Cdg
- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante
G Cds
S
Cgs
• Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran información de

tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:
- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada)

- Crss = Cdg (capacidad Miller)

- Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)
D
Cdg D
Cdg
Coss
G Cds
S G Cds
Ciss Cgs S
Cgs
• Ejemplo de información de los fabricantes
Ciss = Cgs + Cgd

Crss = Cdg
Coss = Cds + Cdg
• La carga y la descarga de estas capacidades parásitas generan

pérdidas que condicionan las máximas frecuencias de conmutación
de los MOSFET de potencia
Carga y descarga de un condensador desde una resistencia
• En la carga de C:
- Energía perdida en R = 0,5CV12
V1 R - Energía almacenada en C = 0,5CV12
C
• En la descarga de C:
- Energía perdida en R = 0,5CV12
• Energía total perdida: CV12 = V1QCV1
• Además, en general estas capacidades parásitas retrasan las variaciones

de tensión, ocasionando en muchos circuitos convivencia entre tensión y
corriente, lo que implica pérdidas en las fuentes de corriente
dependientes que caracterizan la operación estática del MOSFET
• Análisis de una conmutación típica en conversión de energía:

- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento
- Suponiendo diodo ideal
IL
Cdg
Cds V2
V1 R
Cgs
• Situación de partida:
- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conducción
- Por tanto:  vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0
 iDT = 0 y iD = IL
- En esa situación, el
interruptor pasa de “B” a “A”
IL
iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
- V2
A - vDS
V1 R + Cds -
B
vGS Cgs
-
• iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO)
vGS • vDS = V2 hasta que iDT = IL

BA
VGS(TO
Pendiente determinada
)
vDS por R, Cgs y por Cdg(V2)
IL
iDT IL iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
• La corriente que da V1 a través de R se
emplea fundamentalmente en descargar
vGS
Cdg  prácticamente no circula
BA
corriente por Cgs  vGS = Cte
VGS(TO
)
vDS
IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
• Cgs y Cdg se continúan cargando
vGS V1
BA
Constante de tiempo determinada
VGS(TO por R, Cgs y por Cdg (medida a V1)
)
vDS
IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg -
+
- +
A vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
5ª Proceso de conmutación Valoración de pérdidas de entrada en
conducción (caso de conmutaciones sin
recuperación de energía)
vGS V1
BA • Valoración de pérdidas entre t0 y t2:
VM
VGS(TO - Hay que cargar Cgs (grande) y
) descargar Cdg (pequeña) VM voltios

vDS
(energía perdida en el circuito de mando)
- Hay convivencia tensión corriente

entre t1 y t2 (energía perdida en la
fuente de corriente dependiente del
iDT IL MOSFET) i DT
iDT
t0 t1 t2 t3 Cdg + + +
PVI - - vDS V2
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
5ª Proceso de conmutación • Valoración de pérdidas entre t2 y t3:
- Hay que descargar Cds hasta 0
vGS V1 (energía perdida en el transistor) e
BA invertir la carga de Cdg desde V2-VM
VM
VGS(TO hasta -VM (energía perdida transistor y
) en el circuito de mando)
vDS
- Hay convivencia tensión corriente
entre t2 y t3 (energía suministrada
externamente al transistor y perdida)
iDT IL iCdg+
iCdg iDT = IL
iCds+
IL
iCds
t0 t1 t2 t3 Cdg + + +
PVI - IL
- vDS
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
• Valoración de pérdidas a partir de t3:
vGS V1 - Hay que acabar de cargar Cgs y Cdg
BA
VM hasta V1
VGS(TO
- No hay convivencia tensión

)
vDS corriente salvo la propia de las
pérdidas de conducción
iDT iCdg iDT = IL

IL
iL
Cdg -
+
t0 t1 t2 t3
+ IL
PVI vDS
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
• Valoración de la rapidez de un dispositivo por la “carga

de puerta”: vGS
- La corriente que da la fuente V1 es aproximadamente
constante entre t0 y t3 (comienzo de una exponencial,
con IV1 V1/R)

- De t0 a t2, la corriente IV1 se ha encargado
esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una iV1 Qdg
carga eléctrica Qgs Qgs
- De t2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la
carga de Cdg. Se ha suministrado una carga eléctrica Qdg
- Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Qg t0 t2 t3
es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg)
- Para un determinado sistema de gobierno (V1 y R),
Qg
cuanto menores sean Qgs, Qdg y Qg más rápido será el
transistor iV1 R
- Obviamente t2-t0  QgsR/V1, t3-t2  QdgR/V1 y PV1 =
V1QgfS, siendo fS la frecuencia de conmutación
V1
• Valoración de la rapidez de un dispositivo por la “carga de puerta”:

Información de los fabricantes
IRF 540
BUZ80 MOSFET de 1984
MOSFET de los años 2000

• Otro tipo de información suministrada por los fabricantes:

conmutación con carga resistiva (no es importante para nosotros)
VDS VGS
90%
10%
td on tr td off tf iDT
RD
td on: retraso de encendido
D
+
tr: tiempo de subida RG
G vDS
td off: retraso de apagado + S -
+
tf: tiempo de bajada
vGS
-
• Otro tipo de información suministrada por los fabricantes:

conmutación con carga resistiva (no es importante para nosotros)
IRF 540
iDT
RD
td on: retraso de encendido
D
+
tr: tiempo de subida RG
G vDS
td off: retraso de apagado + S -
+
tf: tiempo de bajada
vGS
-
Pérdidas en un MOSFET de potencia
• Pérdidas por convivencia tensión corriente entre drenador y fuente
vGS
vDS Pcond = RDS(on)iDT(rms)2
Pconm = fS(won + woff)
iDT
PVI Pérdidas en conmutación
Pérdidas en Won
conducción Woff
Pérdidas en un MOSFET de potencia
• Pérdidas en la fuente de gobierno

iV1
vGS V1
Circuito teórico
iV1 Qdg
Qgs
iV1
t0 t2 t3 V1
Qg
RB
PV1 = V1QgfS
Circuito real
El diodo parásito de los MOSFETs de potencia
El diodo parásito suele tener malas características, sobre

todo en MOSFETs de alta tensión
IRF 540
G
S
El diodo parásito de los MOSFETs de potencia
El diodo parásito en un MOSFET de alta tensión

Características térmicas de los MOSFETs de potencia
• Es válido todo lo comentado para los diodos de potencia

• Este fabricante denomina “mounting base” a la cápsula

y suministra información de la RTHja = RTHjc + RTHca
Principio de operación y estructura
• El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) se basa en una

estructura que permite:
 Modulación de la conductividad (lo que implica bajas pérdidas en
conducción)
 Antisaturación del transistor bipolar interno (no tan lento como si se
saturara completamente)
EL IGBT
 Control desde una puerta MOS (como un MOSFET).
R R
P P
N N
D
P P
V2
S1 V2
G
S
Colector
(Collector) Colector (C)
P E
N
D B Puerta (G)
P
C
EL IGBT
G Emisor (E)
S
Puerta
(Gate) Símbolo de un IGBT de canal N
Emisor
(Emitter)
Circuito equivalente
simplificado de un IGBT
Otro símbolo usado

Concepto de nivel de inyección en una unión PN

Bajo nivel de inyección :
3
nN(0+) >> pNV(0+)
Portadores/cm
1016
1014 pP nN
1012
EL IGBT
1010 P+ N-
108
nPV pNV
106
104
-0.3 -0.2 -0.1 0- 0+ 0.1 0.2 0.3
Longitud [mm]
• Bajo nivel de inyección es lo que siempre hemos considerado hasta
ahora en otros casos de uniones PN y P+N-
• En el caso de uniones P+N- esto es válido para polarizaciones directas
no muy intensas. En caso contrario, entramos en alta inyección.
Concepto de nivel de inyección en una unión PN
Alto nivel de inyección:

nN(0+)  pNV(0+)
Portadores/cm3
pP nN
EL IGBT
P+
N-
nPV
¡No es posible! pNV
-0.3 -0.2 -0.1 0- 0+ 0.1 0.2 0.3

Longitud [mm]
• Si la tensión de polarización directa es suficientemente

intensa, pNV(0+) se aproxima a nN(0+). En este caso, nN no
permanece constante, sino que se incrementa notablemente
Modulación de la Conductividad
P+ N- N+
NA = 1019 ND1 = 1014 ND2 = 1019
nN-  pN-
Huecos inyectados 1016
EL IGBT
Electrones inyectados
desde la zona P+
1014 desde la zona N+
nP+
pN+
106
10 10
• Hay inyección de portadores desde las regiones adyacentes muy
dopadas (doble inyección) , lo que disminuye la resistividad de la región
poco dopada cuando está en conducción. Este fenómeno se llama
Modulación de la Conductividad y sólo ocurre en dispositivos bipolares
Transistores bipolares (BJTs) de potencia
• Se utilizaban antes del desarrollo de los

MOSFET de potencia. Hoy se utilizan poco (como Corriente
interruptores principales) de Base
• Son mucho más lentos que los MOSFETs (como
unas 10 veces más lentos)
SiO2 B E
EL IGBT
• Además, hay que inyectar una corriente N+ P-

bastante apreciable por la base (sólo 5-20 veces N-
menor que la corriente de colector)
• Sin embargo, tienen modulación de la N+
conductividad, lo que implica que se pueden
hacer dispositivos que soporten mucha tensión C
(zona N- poco dopada) y que tengan baja
resistencia en conducción (por modulación de la Corriente de colector
conductividad)
• En resumen, superan a los MOSFET en
comportamiento estático
Comparación entre BJTs y MOSFETs de potencia
Conmutación Control Modulación Pérdidas en conducción en

de la dispositivos de alta
Conductividad tensión
BJTs Lenta Difícil Sí Bajas
EL IGBT
MOSFETs Rápida Fácil No Altas
• ¿Se puede conseguir un dispositivo con las ventajas

de ambos?
• La respuesta es el IGBT, que presenta muy buenas
características en aplicaciones de mayor potencia que
las de uso de los MOSFET (sacrificando frecuencia de
conmutación)
• Estructura interna de un IGBT

(modelo muy simple)
Emisor Emisor (E)
Puerta
Puerta (G)
EL IGBT
Emisor Puerta
Colector (C)
Colector
N+ N+
N- P
N+
P+
Colector
• Estructura interna de un IGBT

(modelo un poco más elaborado)
Puerta Emisor
Emisor Puerta
EL IGBT
N+ N+
P
Rdrift N- Rdrift
N+
P+
Colector
Colector
• El IGBT bloqueando (soportando) tensión
Zona de Emisor
transición
Puerta
Puerta
EL IGBT
Emisor V2
N+ N+ V2
Rdrift
P
N- R
N+
R
P+
Colector
Colector
• El IGBT conduciendo corriente

Modulación de la
Conductividad
Efecto Emisor
V1
transistor
Puerta
V1 Puerta
EL IGBT
Emisor V2
N+ N+ V2
Rdrift
P
Rdrift N- R
N+
R
P+
Colector
Colector
• Modelo completo de la estructura interna de un IGBT

Emisor Emisor
Puerta
Puerta
N+ Rbody
Rbody
P
EL IGBT
Rdrift
N-
Rdrift
N+
P+
Colector
Colector
• Hay un tiristor parásito que creaba problemas en los primeros

IGBTs. El problema está hoy solucionado, cortocircuitando Rbody
• Modelo completo de la estructura interna de un IGBT actual

(solucionado el problema del tiristor parásito interno)
Corriente que dispara Para evitar el disparo
el tiristor parásito de tiristor parásito
Emisor Emisor
Puerta Puerta
EL IGBT
N+ N+
Canal
Rbody P P+ P
Tiristor Canal
N- parásito N-
N+ N+
P+ P+
Colector Colector
Corriente por el BJT Corriente por el BJT

• El IGBT no puede conducir corriente inversa con tensión

cero en puerta, como sí ocurría en los MOSFETs
C
C
P
P
D N
N
Diodo P
EL IGBT
G P
parásito G
G
S Diodo
externo
E
E
Corriente inversa
Corriente inversa Corriente inversa
• El IGBT por tanto puede soportar tensión inversa
• Los IGBTs simétricos se diseñan para este fin. Sin embargo, la caída de
tensión directa es mayor en ellos.
• Para conducir corriente inversa hay que colocar un diodo en antiparalelo
• Estructuras asimétrica y simétrica
Emisor
Emisor
Puerta
Puerta
N+ N+
P+ P P
EL IGBT
P+
N-
N-
N+
P+ P+
Colector
Colector
• IGBT asimétrico • IGBT simétrico

(también llamado (también llamado
“punch-through IGBT”) “non-punch-through IGBT”)
Curvas características de salida de los IGBTs
C
vEB_BJT +
iD [A] - iC [A]
6 vGS = 10V 6 vGE = 10V
vGS = 8V G vGE = 8V
vGS = 6V E vGE = 6V
4 4
EL IGBT
vGS = 5V vGE = 5V
2 2
vGS = 4V vGE = 4V
vGS < VGS(TO) = 3V vGE < VGE(th) = 3V
0 vDS [V] 0
2 4 2 4 vCE [V]
vEB_BJT
• Caso de un MOSFET.
• También es así en la parte • Caso de un IGBT.
“MOSFET” del IGBT • Se obtienen sumando vEB_BJT a las
curvas características de un MOSFET
EL IGBT Características generales de un IGBT
Características generales de un IGBT
• Información general del IRG4PC50W.

EL IGBT
EL IGBT Características estáticas de un IGBT
Características estáticas de un IGBT
IC_max @ T = 50 oC: 55 A
IC_max @ T = 75 oC: 48 A
EL IGBT
Asymmetrical IGBT
EL IGBT
• Curva característica estática para una tensión vGE dada
iC [A]
6 vGE = 15V
4
EL IGBT
0 vCE [V]
2 4
vEB_BJT
vEB_BJT 1V
Comportamiento
térmico como un
EL IGBT
MOSFET
Comportamiento
térmico como un
BJT
Características dinámicas de los IGBTs
• Apagado con carga inductiva y diodo ideal

vGE
C
vGE(th)
G
iC
EL IGBT
E
Apagado de la
parte MOSFET
Apagado de
la parte BJT IL
“Cola” del IGBT
RG iC V
vCE A C
DC
VG G
+
B + vCE
v
V’G GE E
- -
• Comparación de IGBTs y MOSFETs en el apagado
vGE
C
vGE(th) D
G
G
S
vGS
iC E
EL IGBT
vDS(TO)
Parte MOSFET iD
Parte BJT
Cola
vCE Periodo con
vDS
pérdidas de
apagado
Pérdidas de
conmutación
• Encendido con carga inductiva y diodo ideal
vGE C
vGE(th)
G
EL IGBT
iC E
Periodo con pérdidas

de encendido
IL
vCE RG iC V
Encendido de la A C
DC
parte MOSFET VG G
+
B + vCE
Parte BJT v
V’G GE E
- -
Características dinámicas de un IGBT
• Conmutaciones reales del IGBT IRG4PC50W teniendo en cuenta el

comportamiento real del diodo y las inductancias parásitas
EL IGBT
EL IGBT Características dinámicas de un IGBT
Características dinámicas de un IGBT
• Capacidades parásitas y carga de puerta

EL IGBT
Pérdidas en un IGBT
• Las de conducción se calculan desde las

curvas características estáticas:
• Las de conmutación a partir de

curvas específicas de los fabricantes:
EL IGBT
Introducción a los Tiristores
• Los tiristores fueron, durante muchos años, los dispositivos que

dominaban la electrónica de potencia
• Son dispositivos bipolares de más de dos uniones
• Por ser bipolares, son lentos, pero capaces de manejar grandes
Los Tiristores
corrientes y tensiones (modulación de la conductividad)

• Los más importantes son:
- El Rectificador Controlado de Silicio (Silicon Controlled Rectifier,
SCR), al que se le aplica muchas veces el nombre de Tiristor
- El GTO (Gate Turn-Off thyristor) o Tiristor apagado por puerta
- El TRIAC (Triode AC ) o Triodo para Corriente Alterna
- El DIAC (Diode AC)
• Todos ellos los estudiaremos con menos profundidad que los diodos,
los MOSFETs y los IGBTs
La estructura de 3 uniones (4 capas)
• La base de los tiristores es la estructura PNPN
P P
E2
N N
Los Tiristores
N B2
P P P C1
C2
N N B1
E1
Se trata de una estructura realimentada que admite dos

estados estables (es como un “biestable”)
Ahora inyectamos corriente
en la unión B1-E1 desde una
Polarización fuente externa Vg
directa
+
E2 - R
C2 B2
+ +
Pol.
E2 - R
Los Tiristores
inversa -B 1
C1 C2 B2
+
+ E1 VCC
ig Rg
Polarización - -B 1
C1
directa + E1 VCC
Vg
iB1 -
La estructura de 4 capas
puede soportar tensión
sin conducir corriente, ya Ahora circula iB1 = ig
que una unión queda por la unión B1-E1
polarizada inversamente
• iB1 genera iC1 = b 1·iB1

iB2 • Pero iC1 = iB2; por tanto:
b2
R
• iC2 = b 2·iB2 = b 2·b1·iB1
iC1
ig iC2 - • La corriente iB1 será ahora:
Los Tiristores
+ b1 VCC
iB1’ = ig + iC2 = ig + b 2·b1·iB1
Rg iB1 • Es decir, iB1’  b 2·b1·iB1 >> iB1
Vg
iB1’
Conclusiones:
- La corriente de base crece hasta saturar a los dos transistores
- Como consecuencia, el dispositivo se comporta como un
cortocircuito
- La corriente ig puede eliminarse y la situación no cambia
• Por tanto, el mismo circuito puede estar en dos estados,

dependiendo de la “historia” anterior:
- Con la estructura de 4 - Con la estructura de 4

capas sin conducir capas conduciendo
iCC = 0 A iCC VCC/R

Los Tiristores
+
+ 0V + 0,7 V
+
- R - R
VCC VCC
+ 0,5 V -
- 0,9 V +
+ VCC
+ VCC
0V 0,7 V
- - -
-
¿Cómo se puede conseguir que la estructura de 4 capas

conduzca? (I)
- Aumentando mucho VCC: las
- Inyectando corriente en B1 corrientes inversas de las uniones
(ya explicado) base-colector alcanzan valores
suficientes para la saturación
mutua de los transistores
iCC VCC/R
Los Tiristores
iCC VCC/R
+ 0,9 V
+ 0,9 V
R
R
iC1
iC2
VCC
Rg B1 VCC
Esto sólo ocurre cuando
Vg - las b son suficientemente
grandes, lo que se alcanza -
cuando las corrientes
inversas también lo son
¿Cómo se puede conseguir que la estructura de 4 capas

conduzca? (II)
- Sometiendo a la estructura a una - Haciendo incidir radiación
fuerte derivada de tensión: la (luz) en la zona B1
corriente de carga de la capacidad
parásita colector base pone en
conducción la estructura
Los Tiristores
iCC VCC/R
iCC VCC/R
+ 0,9 V
+ 0,9 V iB2
iB2 R
R
iC2
iC2 iC1 + iB1
B1 VCC
VCC
iB1
Luz -
-
El SCR
• Es el tiristor “por antonomasia”
• Su símbolo es como el de un diodo con un
terminal más (la puerta)
• Se enciende (dispara) por puerta
• No se puede apagar por puerta
Estructura interna
Los Tiristores
Ánodo A
(A) iA
+ P
VAK N-
- P-
Cátodo N
(K)
Puerta K G
(G)
El SCR
• Curva característica sin corriente de puerta
Polarización directa cuando

iA [A] está ya disparado (como un
diodo en polarización directa)
Disparo por
sobretensión
Los Tiristores
ánodo-cátodo
-600 V VAK [V]

0 600 V
Polarización directa a
tensión menor de la
Polarización inversa disparo por sobretensión
(como un diodo) ánodo-cátodo (como un
diodo en polarización
inversa)
El SCR
• Curva característica con corriente de puerta

iA [A] está ya disparado (como un
Los Tiristores
Disparo por
Disparo sobretensión
por puerta ánodo-cátodo
ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VAK [V]
0 < ig1 < ig2 < ig3 < ig4

El SCR
• Disparo por puerta:
- Es el modo de disparo deseado
Límite de disipación
iA de potencia
+ A VGK Unión
fría
Los Tiristores
VAK Vg
K G ig
-
+ Unión caliente
Rg Vg/Rg ig
VGK 0
Vg Zona de disparo
- imposible
- Para que se mantenga disparado, la corriente ánodo-cátodo

tiene que ser mayor que el valor llamado “latching current”
En disparo se realiza con poca potencia

(bajos niveles de corriente y tensión)
El SCR
• Apagado del SCR :

- No se puede hacer por puerta
- Para apagarse, el valor de su corriente ánodo-cátodo
tiene que bajar por debajo de un valor llamado “corriente
Los Tiristores
de mantenimiento” (holding current)

- Aunque en el pasado los SCRs se usaban en todo tipo de
convertidores, su dificultad para apagarlos los ha relegado
a conversiones con entrada en alterna y a aplicaciones de
altísima potencia
- En aplicaciones de entrada en continua, se usaban
circuitos auxiliares para conseguir el apagado (con
bobinas, condensadores y SRCs auxiliares)
Características de un
ejemplo de SCR
Los Tiristores
ejemplo de SCR
Los Tiristores
ejemplo de SCR
Los Tiristores
ejemplo de SCR
Los Tiristores
El GTO
Ánodo • Es un SCR que se puede apagar por puerta

(A)
• La corriente de encendido es similar a la de
un SCR
• Se apaga por corriente saliente en puerta,
que llega a ser tan grande como un tercio de la
Los Tiristores
Puerta de ánodo-cátodo
(G)
• Su capacidad de soportar tensión directa
Cátodo cuando no está disparado es alta
(K)
• Su capacidad de soportar tensión inversa es
Símbolo muy limitada (unos 30 V)
• Es un dispositivo lento, pensado para
aplicaciones de muy alta potencia
• La estructura interna es muy compleja
Los Tiristores El GTO
Estructura interna de un GTO (obtenida del texto "Power Electronics:

Converters, Applications and Design“ de N. Mohan, T. M. Undeland y W.
P. Robbins. Editorial John Wiley and Sons.)
El TRIAC • Es el equivalente a dos SCRs
conectados en antiparalelo
• No se puede apagar por puerta
Terminal 2 T2
(T2) T2
N
P
Los Tiristores
N-
P-
N N
Puerta
Terminal 1 (G) G
(T1) G
T1 T1
Símbolo
Equivalente Estructura
interna
El TRIAC
• Curva característica sin corriente de puerta

iT2 [A] está ya disparado (como un
Disparo por
sobretensión
Los Tiristores
T2-T1
-600 V VT2T1 [V]

0 600 V
Polarización directa a
tensión menor de la
Polarización inversa: se disparo por sobretensión
comporta como en T2-T1
polarización directa
El TRIAC
• Curva característica con corriente de puerta
iT2 [A]
Disparo por
Disparo sobretensión
por puerta T2-T1
Los Tiristores
ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VT2T1 [V]
ig = 0 ig1 ig2 ig3 ig4
Disparo por Facilidad

• Hay 4 modos posibles:
sobretensión
T2-T1 - Modo I+: VT2T1 > 0 y iG > 0 1
• Las corrientes de - Modo I-: VT2T1 > 0 y iG < 0 3

puerta pueden ser
- Modo III+: VT2T1 < 0 y iG > 0 4
positivas o negativas
- Modo III-: VT2T1 < 0 y iG < 0 2
Desaconsejado
El DIAC
• No es un componente de potencia, sino que es un
componente auxiliar para el disparo de TRIACs
• Sólo tiene dos terminales y es simétrico
iA2 A2
iA2 [A] A2
+
P N
VA2A1
Los Tiristores
A1 - -30 V VA2A1 [V] N

0 30 V
Símbolo P
N
A1
Estructura
Curva característica interna
Cápsula
DO-35
Ejemplo de DIAC

Dispositivos de Potencia

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dispositivos electrónicos

• El Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)

• El Rectificador Controlado de Silicio (SCR) Nuevos

• El Triodo de Corriente Alterna (TRIAC)

• Para usar radiadores

• Para grandes potencias

2 diodos en cátodo común 2 diodos en serie

• Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

Nombre del dispositivo

• Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados

Nombre del Encapsulados

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

• Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

• Dan origen a módulos de potencia

- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

1ª -Máxima tensión inversa soportada

1ª Máxima tensión inversa soportada

Baja tensión Media tensión Alta tensión

• El fabricante suministra (a veces) dos valores:

La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser

• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

• La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la

• La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión

• Se obtiene directamente de las curvas tensión corriente

• En escala lineal no son muy útiles

• Curva característica en escala logarítmica

IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

• Los Schottky tienen mejor

• Schottky de VRRM relativamente alta

La caída de tensión en conducción no sólo va creciendo al

• Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión inversa (poco)

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

• Comportamiento ideal de un diodo en conmutación

• Comportamiento real de un diodo en conmutación

Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)

El tiempo de recuperación directa genera menos

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

• La velocidad de conmutación (valorada con la trr) ayuda a

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

300 V – 1200 V (SiC) 1 A – 20 A < 2 ns

Las características de todos los semiconductores (por supuesto,

Pérdidas estáticas en un diodo

rd Potencia instantánea perdida en conducción:

V pDcond (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rd · iD(t)) · iD(t)

Potencia media en un periodo:

• Las conmutaciones no son perfectas

Potencia media en un periodo:

(de las hojas de características (Datasheet) del diodo STTA506)

(de las hojas de características

(de las hojas de características

Por tanto: ΔT = P·ΣRTH Tj-Ta = P·(RTHjc + RTHca)

• La resistencia térmica unión-cápsula es baja ( 0,5-5 ºC/W)

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Cápsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

RTHca [ºC/W] 30 105 45 60 40

• Para reducir la temperatura de la unión hay que disminuir la

Por tanto: Tj-Ta = P·[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

• Zonas de trabajo de un MOSFET de señal