Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Vp Is Vp VpIs
V p I p Vs I s I p Is
Vs Ip Vs Vs Ip
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 2
Aspectos Constructivos
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 3
Aspectos Constructivos
devanados y aislantes
Primario Aislante
Primario Secundario
Secundario
Estructura
devanados: Núcleo con 2 columnas Núcleo con 3 columnas
trafo
Aislante
monofásico
Primario Secundario
Primario
Secundario
Aislante
Concéntrico Alternado
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 4
Aspecto Físico de Trafos
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 5
Principio de Funcionamiento en Vacio
Transformador en vacío
LTK primario: U1(t ) e1(t ) 0
(t) Ley de Lenz:
I0(t) I2(t)=0 d(t )
U1(t ) e1(t ) N1
dt
U1(t) e1(t) e2(t) U2(t)
El flujo es (t ) m Sent
R devanados=0 senoidal
1 Tensión Tensión
U1ef E1ef 2f N1 m 4 , 44 f N1 m Um N1 2f m
2 eficaz máxima
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 6
Relación de Corrientes
(t)
Considerando que la
conversión se realiza I1(t) I2(t)
prácticamente sin pérdidas:
P1 P2
PotentradaPotenciasalida U1(t) P=0 U2(t)
Las relaciones
U I I1 1 de tensiones y
P1 P2: U1*I1=U2*I2 rt 1 2
U2 I1 I2 rt corrientes son
INVERSAS
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 7
Flujo Disperso
Flujo de dispersión: se cierra por el aire
Representación
(t) simplificada del flujo de
dispersión (primario)
I0(t) I2(t)=0
(t)
Flujo de Flujo de Resistencia
Resistencia dispersión dispersión interna
interna
R1 Xd1 Xd2 R2
I1(t)
I2(t)
U1(t) e1(t) e2(t) U2(t)
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 9
Transformador bajo carga
Resistencia Flujo de Flujo de Resistencia
interna dispersión dispersión interna
I0(t)+I2’(t) R1 Xd1 Xd2 R2
(t)
I2(t)
U1(t) e1(t) e2(t) U2(t)
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 10
Reducción del Secundario al primario
U2 ' U2 ' U2 rt
U r U ' 1 1
Z 2 2 t 2 2 Z 2 ' 2 2 UR 2 ' UR 2 rt
I2 I 2 'rt I 2 ' rt rt Z 2 ' Z 2 rt
U ' UX 2 ' U X 2 rt
S 2 U2 I 2 S 2 2 I 2 'rt U2 'I 2 ' S 2 '
rt
I2
I 2'
rt
Se mantiene la potencia aparente, la potencia activa y reactiva, los
ángulos, las pérdidas y el rendimiento
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 11
Ensayo de un Trafo
Ensayo de
Existen dos ensayos normalizados que
vacío
permiten obtener las caídas de
tensión, pérdidas y parámetros del Ensayo de
circuito equivalente del transformador
cortocircuito
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 12
Ensayo en Vacio
(t)
Condiciones ensayo:
U1(t) U2(t)
Tensión y
frecuencia
nominal
Resultados ensayo:
Pérdidas en el hierro
Corriente de vacío
Parámetros circuito
W
Rfe, X
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 13
Ensayo en Cortocircuito
Corriente
nominal I1n, I2n
Al ser la tensión del ensayo muy baja habrá muy poco flujo y, por tanto, las
pérdidas en el hierro serán despreciables (P fe=kBm2)
Resultados ensayo:
Pérdidas en el
cobre
Parámetros circuito
W
Rcc=R1+R2’
Xcc=X1+X2’
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 14
Cálculo y Proyecto
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 15
Cálculo y Proyecto
Gráficos para el núcleo
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 16
Cálculo y Proyecto
Gráficos para el núcleo
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 17
Cálculo de la perdida en el Núcleo
Según el tipo de chapa y la inducción es la perdida de
potencia en el núcleo
Chapa al 4%
De Silicio
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 18
Cálculo de la perdida en el Núcleo
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 19
Cálculo del Número de Espiras
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 20
Gráficos para el cálculo de las espiras
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 21
Gráficos para el cálculo de las espiras
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 22
Dismensionado de alambres
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 23
Laminado del Tansformador
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 24
Tabla de Carretes normalizados
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 25
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 26
Curvas de Magnetización
© 2007 Microchip Technology Incorporated. All Rights Reserved. 306 ASC Slide 27