Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construcción y encapsulado.

CARACTERÍSTICAS GENERALES:
-Estructura de cuatro capas (PNPN) con dos
estados estables (conducción y bloqueo).

ESTRUCTURA:

A K
(Ánodo) (Cátodo)
G
(Puerta)

J1: Unión anódica.

J2: Unión de control.
J3: Unión catódica.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 19.1 Construcción y encapsulado.
TÉCNICAS DE CONSTRUCCIÓN: - Difusión.
- Crecimiento epitaxial.

DIFUSIÓN
P
Capa de Capa
Capa anódica Capa de bloqueo Catódica
control
(substrato tipo N)
P1 N1 P2 N2

DIFUSIÓN
N
0

P1 N1 P2
G
A K

unión de control
unión anódica

unión catódica
N2 N

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construcción y encapsulado.

ENCAPSULADOS - Aislamiento
- Conexión Eléctrica
- Disipación térmica
DO 208 AC

Ánodo Cobre
Tugsteno

Au - Sb

Cápsula Pastilla
metálica
Aluminio
Cierre
aislante Puerta Tugsteno

Cobre
Cátodo

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construcción y encapsulado.

ENCAPSULADOS

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construcción y encapsulado.

ENCAPSULADOS

TO 209 AD TO 200 AF TO 208 AC

B7 B 20 B2

500 V 1300 V 500 V

100A 1800A 24A

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Bloqueo directo: CARGA

A
CARGA
P1

iA
N1
A
G P2
V AK N2

K
G
i G =0A
K

CARGA

iA

A
• La unión de control está
V AK
polarizada inversamente.
G
i G =0A K
• Corriente de fugas directa.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Bloqueo inverso: CARGA

A
CARGA
P1
iA

A N1

P2
G
V AK N2

K
G
i G =0A K

CARGA

iA

A
• La unión anódica está
V
polarizada inversamente. AK

G
i G =0A
K
• Corriente de fugas inversa.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Características eléctricas en bloqueo.

iA

(en conducción)

V BR V RSM V RRM V RWM

V DWM V DRM V DSM V BO

V AK

(en bloqueo inverso) (en bloqueo directo)

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Características eléctricas en bloqueo inverso.
Parámetros:
Tensión de trabajo inversa(VRWM):
Máxima tensión inversa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.

Tensión de pico repetitivo inversa(VRRM):

Máxima tensión inversa que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensión de pico único inversa(VRSM):

Máxima tensión inversa que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Tensión de ruptura inversa (VBR):

Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.
Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.
19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Características eléctricas en bloqueo directo.
Parámetros:
Tensión de trabajo directa(VDWM):
Máxima tensión directa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.

Tensión de pico repetitivo directa(VDRM):

Máxima tensión directa que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensión de pico único directa(VDSM):

Máxima tensión directa que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Tensión de ruptura directa (VDO):

Si es alcanzada, el diodo entra en conducción sin dañarse.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Cálculo de pérdidas:

• Son muy pequeñas en comparación a las

producidas en conducción.
• El fabricante proporciona el valor máximo de la
corriente de fugas (Ifugasmax).
• Es suficiente con acotar las máximas pérdidas
producidas en bloqueo, tomando Ifugasmax.

1 T 1 T
Pdis 
T 0
v AK (t)  i A (t)  dt  I fugasmax 
T 0
v AK (t)  dt

Pdis  I fugasmax  VAKm

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 19.3 Funcionamiento en conducción.
CARGA
Circuito equivalente:
CARGA
A

iA
P1
A

V AK N1

G +- +- +-
G
iG K P2
N2

- K

• Parte del aporte de electrones

CARGA
realizado por la corriente de
iA
puerta llegan a la zona N1, se
A
aceleran y crean pares e-hueco.
rT
Estos nuevos huecos son
atraídos por el cátodo. G V AK
Manteniéndose el proceso. V T(TO)
K
(VT(TO)1,3V).

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conducción.
Características eléctricas:

Intensidad media nominal (ITAV):

Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
senoidales de 180º que el tiristor puede soportar con la
cápsula mantenida a determinada temperatura (85 ºC
normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (ITRM):

Intensidad máxima que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cápsula.

Intensidad de pico único (ITSM):

Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conducción.
Características eléctricas:

Corriente de mantenimiento(IH):
Es la corriente mínima de ánodo que se requiere para que el
tiristor siga manteniéndose en conducción.

Corriente de enclavamiento(IL):
Es la corriente de ánodo mínima que se requiere para que el
tiristor siga manteniéndose en conducción inmediatamente
después de que el dispositivo haya entrado en conducción y
la señal de puerta haya desaparecido (pulso en la puerta de 10
s).

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conducción.
Características eléctricas:

Corr. de enclavamiento

Corr. de mantenimiento

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 19.3 Funcionamiento en conducción.
Cálculo de pérdidas:

iT
1 T
Pdis   vT (t)  iT (t)  dt
T 0 vT

iT
Pdis = VT(TO)·ITm+rT·(ITef )2

V T(TO) rT
VT(TO): Tensión umbral.
ITm: Corriente media.
rT : Resistencia dinámica.
ITef: Corriente eficaz.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.

Disparos -Por exceso de tensión.

no-deseados -Por derivada de tensión.

Disparo
-Por impulso de puerta.
deseado

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.
Por exceso de tensión:

Unión
de control

Si la tensión soportada por la unión de control se acerca al valor

de ruptura en sentido directo, la corriente de minoritarios
aumenta considerablemente (proceso de avalancha). Si la
corriente de fugas se eleva por encima del valor de
mantenimiento el dispositivo es capaz de mantener el estado de
conducción.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.
Por derivada de tensión:
CARGA CARGA

A A

P1 P1

N1
N1

P2 G P2
G
N2 N2

K K

Si se produce un cambio brusco de polarización inversa a

directa, no hay tiempo para la organización de cargas. La
tensión soportada por la unión control será elevada, acelerando
los portadores minoritarios. Si la corriente de minoritarios se
eleva por encima del valor de mantenimiento, el dispositivo es
capaz de mantener el estado de conducción.
Dato del fabricante: (du/dt)max

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.
Por radiación electromagnética:
CARGA

A
I fugas
P1

N1

G P2
N2

K
(poco poder (poco poder
de penetración)
o energético) 

La acción combinada de tensión directa, temperatura y radiación

electromagnética de longitud de onda apropiada puede
incrementar la corriente de minoritarios. Si la corriente de fugas
se eleva por encima del valor de mantenimiento, el dispositivo
es capaz de mantener el estado de conducción.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.
Por impulso de puerta:
Los huecos inyectados por la puerta producen la inyección de una nube
de electrones desde el cátodo. Algunos electrones son captados y son
acelerados hacia la unión de bloqueo, generando pares e-hueco. Estos
huecos generados se dirigen hacia el cátodo introduciendo más
electrones. Si la corriente generada se eleva por encima del valor de
enclavamiento, el dispositivo es capaz de mantener el estado de
conducción aunque desaparezca la corriente de puerta.

Tiempo min. Corriente mín.

de disparo de puerta

MANTENIMIENTO DE LA
CORRIENTE TRAS EL DISPARO

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 19.4 Disparo del tiristor.
Tiempos de disparo. Circuito resistivo
R iG
iT

V AK V B V AK VB
G
iG K

iT 100%
90%

10%
tr: Tiempo de retardo a la excitación.
tr ts
ts: Tiempo de subida.
td
td: Tiempo de disparo (0,5...3s)

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 19.4 Disparo del tiristor.
Tiempos de disparo. Circuito inductivo
L

iT

A R

V AK V B

G
iG K

tmin: Tiempo mínimo de disparo.

VB  - 
t

(tiempo que IT tarda en alcanzar el IT  1  e  

R  
valor de enclavamiento, IL)  

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.
Características de puerta
V GK
caract. límite
V GKmáx

DISPARO caract. real

V GKmínCD SEGURO

DISPARO Q
V GKmáxSD INCIERTO
caract. límite
DISPARO
IMPOSIBLE

I GmáxSD I GmínCD I Gmáx iG

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.
Características de puerta

VGKmáxSD: Máxima tensión puerta-cátodo sin disparo de ningún

tiristor a determinada temperatura.

VGKmínCD: Mínima tensión puerta-cátodo con disparo de todos

los tiristores a determinada temperatura.

IGmáxSD: Máxima corriente de puerta sin disparo de ningún

tiristor a determinada temperatura.

IGmínCD: Mínima corriente de puerta con disparo de todos los

tiristores a determinada temperatura.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.
Circuitos de disparo
TIPOS DE ACOPLAMIENTO: - DIRECTO.
- MAGNÉTICO.
- ÓPTICO.

Acoplamiento directo:

Cátodo
referido
a masa

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 19.4 Disparo del tiristor.
Acoplamiento magnético:

+V CC
DIODO DE LIBRE
CIRCULACIÓN
Cátodo
NO referido
a masa
CIRCUITO
DE
CONTROL

La desmagnetización del i mag

D z2
núcleo es muy lenta
utilizando un diodo. L mag

D z1
Utilizando un diodo zener (ideal)
es mucho más rápida.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.
Acoplamiento óptico:
Optoacopladores

Fibra óptica

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.
Acoplamiento óptico

Cátodo
NO referido
a masa

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Bloqueo del tiristor.
Formas de bloqueo: - Bloqueo estático.
- Bloqueo dinámico.
Bloqueo estático

iT Evolución suave
CIRCUITO V AK
iT

iT
IH
(1)
t
V AK
(2)

(3)
IH

V t
AK

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Bloqueo del tiristor.

Bloqueo dinámico iT Evolución brusca

iT
CIRCUITO V AK

t
ta
V AK

iT
(1)
t

(2)
ta: tiempo de apagado.
V
AK
(Tiempo mínimo que debe transcurrir
desde que se anula la corriente para
que una nueva polarización directa no
lo meta en conducción.)

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 19.5 Bloqueo del tiristor.
Bloqueo forzado por fuente inversa de tensión (FIT)
V AK
iS
CIRCUITO tb
DE BLOQUEO
R TH
L
iC

V TH iT
+ t
V AK VC iT
-
I

VC V TH t
Un circuito externo (no
mostrado) mantiene cargado
un condensador con una Vi
t
tensión inversa Vi. iC
tb > ta
I  tb I
C  1,47 
Vi
t
Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.
 19.5 Bloqueo del tiristor.
Bloqueo forzado por fuente inversa de corriente (FII)
iT

R TH iT CIRCUITO
DE BLOQUEO
L

I TH t
V AK iC V AK
iD VC

VC t

ITH = iA – iD + iC
Vi t
tb > ta
iC Ip
iD
It
C  0,893  b I
Ui
tB t

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.
Tiristor bidireccional (TRIAC)
G
Conducción
T2 T1 bidireccional

Símbolo
T2

n4 n4
P1

n1

P2

n3 n2

G T1

Estructura Característica

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 19.5 Otros tiristores.
Tiristor bidireccional (TRIAC)
Entrada en conducción:
- Forma controlada:
- Inyección de corriente en puerta,
tanto positiva como negativa.
- Forma no controlada:
- Derivada de tensión dv/dt.
- Tensión excesiva entre A-K.

MODO I+: VT2T1 > 0, iG > 0 (FÁCIL). Aplicaciones:

MODO I- : VT2T1 > 0, iG < 0 (DIFÍCIL). Regulación de alterna media - baja potencia
Control de velocidad motores
MODO III+: VT2T1 < 0 , iG > 0 (MUY DIFÍCIL). Control de flujo luminoso
MODO III-: VT2T1 < 0, iG < 0 (FÁCIL). Electrodomésticos de baja potencia

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.
DIAC

Dispositivo de disparo de tiristores

Proporciona picos de corrientes de 2A
Tensión de cebado 33V
Diac comercial DB3
iT
CARACTERÍSTICA:

IL
-V BO IH

V BO V A1A2

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

 Control por Angulo de Fase

• La regulación por ángulo de fase se basa

en la posibilidad, con la tecnología
electrónica existente, de poder realizar la
conexión de la tensión de red en cualquier
punto de la semionda de forma
sincronizada.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

Control por angulo de Fase

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.
19.5 Otros tiristores.
Ejemplo de aplicación del TRIAC

V carga

V DIAC

V BO

iG


R1 = 0 , máxima potencia
R1 = Elevada, mínima potencia

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.
GTO

- Interruptor unidireccional controlado por puerta.

- Entrada en conducción:
- Inyección de corriente en puerta.
- Salida de conducción:
- Extracción de corriente de puerta.

- Soporta tensiones inversas bajas (20V).

- La corriente de apagado es del orden de 1/3 de la corriente

que maneja el dispositivo.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.
El fototiristor (LASCR)

- Son Tiristores activados por luz.

- Utilizados en alta tensión.
- Frecuencias de conmutación de hasta 2KHz.
- Tensiones elevadas 6000V y 1500A.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.
MCT (Tiristor Controlado por Mos)

A K

- Puesta en conducción por tensión negativa en puerta.

- Apagado por tensión positiva en puerta.
- Ganancia elevada de tensión de control.
- Disponibles hasta 1000V y 100A.
- Potencias medias bajas.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.6 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Clase 19. – El rectificador controlado de silicio.