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Electrónica General

Sesión #6
Electricidad vrs Electrónica
• La Electricidad aprovecha los fenómenos eléctricos para obtener potencia o energía.

• Técnicamente la circulación de corriente, la resistencia, capacidad, inductancia y


todas sus leyes entran dentro del área de la electricidad, de tal forma que un
calefactor eléctrico, un motor de CA o CC, un transformador, un relay o solenoide
son aparatos eléctricos.

• La Electrónica se separa de la electricidad cuando se comienza a controlar las


variables eléctricas fuera de las leyes básicas de la electricidad.

• La Electrónica se inicia cuando controlamos las variables eléctricas fuera de estas


leyes, un sentido si y el otro no (diodo), modular una continua de una potencia
copiando una forma de onda (transistor, tubo de vacío, amplificador), permitir solo
dos niveles (digitales).

• La electrónica es la que más maneja la información desde la aparición de la


electrónica digital.
Diferencias Básicas
ELECTRICIDAD ELECTRÓNICA

1) Es el uso de corriente eléctrica en 1) Es el uso de la corriente eléctrica en


circuitos grandes y medianos, estos circuitos portátiles y pequeños
circuitos normalmente pueden ser 2) Tiende a usarse voltajes desde -12
instaladas y no móviles pero puede voltios hasta 24 voltios
haber excepciones
3) Circuitos complejos, elementos
2) Tienden a usar voltajes desde 12
activos
hasta 220 voltios

3) Circuitos simples, elementos


pasivos

Adaptadores de Circuitos Electrónicos a Eléctricos

Adaptadores de Circuitos Eléctricos a Electrónicos


Semiconductores
Diodos
El diodo es un dispositivo
semiconductor de dos terminales que
permite la circulación de la corriente
eléctrica a través de él en un solo
sentido.
Los Semiconductores y
sus Aplicaciones
Revolucion científico-tecnológica
de mayor impacto
Teoría de Bandas de Energía
 La conductividad σ varia enormemente entre aislantes y conductores.

 Una adecuada explicación para este fenómeno solo puede ser proporcionada por la mecánica
cuántica.

 La teoría cuántica nos enseña que los átomos tienen niveles de energía discretos cuando están
aislados unos de otros.

 Cada nivel se divide en un número de niveles energéticos llamados una banda. Los niveles están
espaciados casi continuamente dentro de una banda.

 De acuerdo al principio de exclusión de Pauli, si consideramos un cristal compuesto por N


átomos, cada banda podrá acomodar un máximo de 2𝑙 2 electrones, correspondientes a las dos
orientaciones del espín y a las 2l +1 orientaciones del momentum angular orbital.

 Las bandas internas en los átomos tienen las cuotas exactas de electrones que les permite el
principio de exclusión de Pauli. En estas bandas los orbitales no sufren alteraciones
significativas y retienen su carácter atómico al formarse el sólido.

 Sin embargo, la banda correspondiente a la capa atómica más externa, ocupada por los
electrones de valencia, es la más interesante en lo que se refiere a las propiedades de los
sólidos. Si la banda más externa no está completamente llena, se denomina banda de
conducción. Pero, si está llena, se llama banda de valencia y la banda vacía que queda
inmediatamente encima de esta última recibe el nombre de banda de conducción.
Buscar el Número Atómico
Materiales de acuerdo a sus propiedades de trasporte
de corriente eléctrica (I)
Los materiales conductores ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente eléctrica. Los
semiconductores se encuentran a medio camino entre los conductores y los aislantes, pues en
unos casos permiten la circulación de la corriente eléctrica y en otros no. Finalmente los cuerpos
aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente eléctrica.

MATERIALES CONDUCTORES

En la categoría “conductores” se encuentran agrupados todos los metales que en mayor o menor
medida conducen o permiten el paso de la corriente eléctrica por sus cuerpos. Entre los mejores
conductores por orden de importancia para uso en la distribución de la energía eléctrica de alta,
media y baja tensión, así como para la fabricación de componentes de todo tipo como
dispositivos y equipos eléctricos y electrónicos, se encuentran el cobre (Cu), aluminio (Al), plata
(Ag), mercurio (Hg) y oro (Au).
Los conductores de cobre son los materiales más utilizados en los circuitos eléctricos por la baja
resistencia que presentan al paso de la corriente.
Materiales de acuerdo a sus propiedades de trasporte
de corriente eléctrica (II)
MATERIALES AISLANTES O DIELÉCTRICOS
A diferencia de los cuerpos metálicos buenos conductores de la corriente eléctrica, existen otros
como el aire, la porcelana, el cristal, la mica, la ebonita, las resinas sintéticas, los plásticos, etc.,
que ofrecen una alta resistencia a su paso. Esos materiales se conocen como aislantes o
dieléctricos.

Los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente eléctrica.

Al contrario de lo que ocurre con los átomos de los metales, que ceden sus electrones con
facilidad y conducen bien la corriente eléctrica, los de los elementos aislantes poseen entre cinco y
siete electrones fuertemente ligados a su última órbita, lo que les impide cederlos. Esa
característica los convierte en malos conductores de la electricidad, o no la conducen en absoluto.
En los materiales aislantes, la banda de conducción se encuentra prácticamente vacía de
portadores de cargas eléctricas o electrones, mientras que la banda de valencia está
completamente llena de estos.

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Materiales de acuerdo a sus propiedades de trasporte
de corriente eléctrica (III)
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo,
constituyen elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos conductores y los
aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas
condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente eléctrica en un sentido,
pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar
señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica, funcionar como interruptores o
compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.
Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Periódica constituyen la
materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores
de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores.

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Semiconductores según su Pureza (I)
INTRÍNSECOS
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de
conducción.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco,
algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente
eléctrica.

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Semiconductores según su Pureza (II)
EXTRÍNSECOS
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta
alteración, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su
cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se
dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de
otros elementos o "impurezas".
Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores
que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio
(In)], o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el
arsénico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores
“extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica.
En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria
electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La
materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales más abundantes en la naturaleza.
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Semiconductores Tipo N y Tipo P
Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir en
dispositivos semiconductores, capaces de conducir la corriente eléctrica si para ello alteramos su
estructura molecular cristalina introduciendo ciertas cantidades de "impurezas".
Para realizar ese cambio será necesario introducir átomos de otros elementos semiconductores
apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o última órbita (átomos trivalentes)
o también cinco electrones en esa propia órbita (átomos pentavalentes). A tales efectos se
consideran impurezas los siguientes elementos con átomos trivalentes: aluminio (Al), galio (Ga) e
indio (In). También se consideran impurezas los átomos pentavalentes de arsénico (As), fósforo
(P) o de antimonio (Sb).
Cuando añadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequeña cantidad de
átomos de un elemento pentavalente en función de “impurezas”, estos átomos adicionales reciben
el nombre de "donantes", porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la
estructura cristalina del semiconductor. Si, por el contrario, los átomos que se añaden como
impurezas son trivalentes, se denominan entonces "aceptantes”, porque cada uno tendrá que
captar o aceptar un electrón procedente de la propia estructura cristalina del silicio o del germanio.
Diodos: Resultado de la unión P-N
Para construir un diodo es necesario unir la pieza de conducción positiva “tipo-p” o “P” con la pieza de
conducción negativa “tipo-n” o “N”. De esa forma se obtiene un diodo semiconductor de silicio de
unión o juntura p-n, en el que la parte positiva “P” constituye el “ánodo” (A) y la parte negativa “N” el
“cátodo” (K). Para facilitar la conexión al circuito electrónico donde funcionará posteriormente el diodo
así formado, se le añade a cada uno de sus extremos un terminal de alambre conductor para permitir
que la corriente eléctrica pueda atravesarlo.
Los elementos que contiene un diodo de silicio se protegen de factores externos que lo puedan
deteriorar o afectar en su funcionamiento posterior, introduciéndolos en unos casos dentro de una
cápsula de plástico y en otros casos dentro de un tubito de cristal. Además, los elementos de los
diodos concebidos para soportar mayores cargas de corriente se protegen dentro de cápsulas
metálicas.
Diodos: Relacion I-V
Polarización directa
El bloque PN, en principio no permite el establecimiento de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto
que la zona de deplección no es conductora. Por lo tanto, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensión
positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas
móviles la zona de deplección.
La tensión aplicada se emplea en:
• Vencer la barrera de potencial.
• Mover los portadores de carga.

Polarización Inversa
Al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos
a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de
deplección. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula. Al aumentar la tensión
inversa, llega un mo mento en que se produce la ruptura de la zona de deplección, al igual que sucede en un
material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces
covalentes entre los átomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha.
Diodos: Tipos
Diodo detector
Los diodos detectores también denominados diodos de señal o de contacto puntual, están hechos de germanio y se
caracterizan por poseer una unión PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con señales
pequeñas. Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia (portadora) de
la componente de baja frecuencia (información audible). Esta operación se denomina detección.

Diodo Rectificador
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en polarización directa (arriba de
0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas características son las que permite a este tipo de diodo rectificar una
señal.

Diodo Zener
Es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se
encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad
de ½ watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se
comporta como un diodo normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V. Los diodos zener se identifican por una
referencia, como por ejemplo: 1N3828 ó BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la
potencia máxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ).
Diodos: Aplicaciones
1) Rectificador de media onda: El suministro de corriente
alterna (C.A.) que el diodo recibe en forma de onda
sinusoidal por su. parte izquierda, pierde sus semiciclos
negativos una vez que la corriente lo atraviesa.

2) Rectificador de onda completa: Rectificador o “puente


rectificador” de onda completa formado por cuatro diodos
conectados. de forma apropiada.

3) Detector o demodulador de ondas de radiofrecuencia: A


continuación, esta señal se. amplifica para que se pueda
escuchar a mayor volumen en el altoparlante del
radioreceptor.

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