Polarización De Los Transistores

MOSFET
Ing. Guillermo A. David

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

Revisó y actualizó: Guillermo A David, Mg.
 CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN
MOSFET DECREMENTAL
• Las similitudes entre las curvas de transferencia de los JFET y los MOSFET de tipo decremental permiten un
análisis similar de cada uno en DC.

• La diferencia mas relevante es que el MOSFET decremental permite puntos de operación con valores de VGS
positivos y niveles de ID mayores de IDSS.

• Relaciones importantes:

 𝐼 𝐺 ≅ 0  𝐼 𝐷 =𝐼 𝑆
Estas ecuaciones son válidas sin importar la configuración de la red de
2 polarización, siempre y cuando el FET este en la zona activa (zona de
  𝑉 𝐺𝑆
𝐼 𝐷 =𝐼 𝐷𝑆𝑆
( 1−
𝑉 𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 ) saturación).

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 Polarización fija de compuerta
• Ejemplo: hallar el punto de polarización para el siguiente Reemplazando en la ecuación de transferencia
circuito   𝑉 𝐺𝑆
2 2
2
𝐼 𝐷 =𝐼 𝐷𝑆𝑆
( 1−
𝑉 𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓)=5 𝑚𝐴 1 −
−8 ( )
𝐼  𝐷 =7.8 𝑚𝐴
Malla de salida
−20+1
  𝑘 ∙ 𝐼 𝐷 +𝑉 𝐷𝑆=0

𝑉
  𝐷𝑆=20 − 1𝑘 ∙ 7.8 𝑚𝐴
𝑉
  𝐷𝑆=12.2 𝑉
Malla de entrada
−2
  −1 𝑀 ∙ 𝐼 𝐺 +𝑉 𝐺𝑆 =0 Condición de saturación
𝑉  𝐺𝑆 =2 𝑉 | 12.2|+|2|≥|−8|

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 Configuración de autopolarización
• No requiere de dos fuentes de alimentación DC. • Como la corriente de compuerta IG es casi cero, el
• El voltaje de la compuerta lo determina el voltaje en la voltaje en la resistencia RG es despreciable, luego la
malla de entrada es:
resistencia conectada en el terminal de fuente Rs
−
  𝑅 𝐺 𝐼 𝐺 + 𝑉 𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼 𝑆 =0

De la ecuación anterior se observa que VGS será siempre

negativo lo que es equivalente a trabajar con un JFET tal
cual se vio en el documento de polarización del JFET

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

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 Polarización Universal
Ejemplo: hallar el punto de operación para el siguiente Obteniendo el circuito Thévenin
circuito 10 𝑀
  𝑡h =18
𝑉 =1.5 𝑉
• Si IDSS=6mA y VGSoff= -3V 10 𝑀 +110 𝑀

𝑅
  𝑡h =110 𝑀 / ∕ 10 𝑀 𝑅
  𝑡h =9.17 𝑀

Malla de entrada
−1.5
  −9.17 𝑀 𝐼 𝐺 +𝑉 𝐺𝑆 +750 𝐼 𝑆 =0
𝑉  𝐺𝑆 =1.5− 750 𝐼 𝐷

Ecuación de polarización

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

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 Polarización Universal
Solución Matemática: Calculando el valor de VGS
2
  1.5 −750 𝐼 𝐷 𝑉  𝐺𝑆 1=1.5 − 750∙ 3.1 𝑚𝐴=−0.825 𝑉
(
𝐼 𝐷 =6 𝑚𝐴 1 −
−3 )
2 𝑉  𝐺𝑆 2=1.5 − 750∙ 11.58𝑚𝐴=−7.2 𝑉
  3+1.5 −750 𝐼 𝐷
𝐼 𝐷 =6 𝑚𝐴 ( 3 ) Se observa que VGS2 es mayor en magnitud a VGSoff por lo
6 𝑚𝐴 tanto el valor correcto de VGS es VGS1
𝐼  𝐷 =
2
( 4 .5 −750 𝐼 𝐷 )
9
𝐼  𝐷 1 =3.1𝑚𝐴 𝑉  𝐺𝑆 1=− 0.825 𝑉
6 𝑚𝐴
𝐼  𝐷 =
2
( 20.25 − 6750 𝐼 𝐷 +562500 𝐼 𝐷 )
9
Malla de salida
𝐼  𝐷 =13.36 𝑥 10− 3 − 4.45 𝐼 𝐷 +371.25 𝐼 2𝐷
−18+1.8
  𝑘 𝐼 𝐷 +𝑉 𝐷𝑆 +750 𝐼 𝑆=0
2 −3
371.25
  𝐼 𝐷 −5 .45 𝐼 𝐷 +13.36 𝑥 10 =0 𝑉
  𝐷𝑆=1 8 −3.1 𝑚𝐴 ( 1.8 𝑘 +750 )

𝐼  𝐷 1 =3.1𝑚𝐴 𝐼  𝐷 2 =11.58𝑚𝐴 𝑉  𝐷𝑆=7.9 𝑉

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.
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 Polarización Universal
Solución grafica: Ecuacion
Ecuación de Polarización
de Polarización y Transferencia
Se realiza la grafica de la ecuación de polarización 18  𝐼 𝐼𝐷𝐷
16
𝑉  𝐺𝑆 =1.5− 750 𝐼 𝐷 14

12
Se realiza la grafica de la ecuación de transferencia 10

2 8
𝑉 𝐺𝑆
𝐼  𝐷 =6 𝑚𝐴 1 −
( )
−3 6

2
𝑉
  𝐺𝑆
𝐺𝑆
0
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3

-2

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

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 CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN
MOSFET INCREMENTAL
Relaciones importantes para analizar un circuito con POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN
MOSFET Incremental • Polarización mas común para MOSFET tipo
𝐼  𝐺 ≅ 0 incremental, RG proporciona un voltaje alto a la
compuerta para encender el MOSFET
  para

  para

  𝐼 𝐷 (𝑂𝑁)
𝐾= 2
[ 𝑉 𝐺𝑆(𝑂𝑁) −𝑉 𝐺𝑆𝑡h ]

Los fabricantes proporcionan VGS de encendido para una ID

de encendido y junto con VGSth se halla el valor de K

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

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 Polarización por retroalimentación
Ejemplo: Determine al punto de operación del siguiente De los datos dados por el fabricante se determina el valor
circuito de k
𝐼  𝐷 (𝑂𝑁 )=6 𝑚𝐴   = 6 𝑚𝐴 −3 2
𝑉 𝐾 =0.24 𝑥 10 𝐴 / 𝑉
  𝐺𝑆𝑡h =3 𝑉 [ 8 −3 ] 2
𝑉  𝐺𝑆 (𝑂𝑁 )=8 𝑉
Malla de entrada
−12+2
  𝑘 𝐼 𝐷 −10 𝑀 𝐼 𝐺 + 𝑉 𝐺𝑆=0

𝑉
  𝐺𝑆 =12− 2 𝑘 𝐼 𝐷 Ecuación de polarización

Solución matemática
−3
𝐼  𝐷 =0.24 𝑥 10 ( 12 − 2𝑘 𝐼 𝐷 − 3 )2
−3
𝐼  𝐷 =0.24 𝑥 10 ( 9 − 2 𝑘 𝐼 𝐷 )2

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

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 Polarización por retroalimentación
𝐼  𝐷 1 =2.78 𝑚𝐴 𝑉  𝐺𝑆 1=6.44 𝑉
−3
𝐼  𝐷 =0.24 𝑥 10 ( 9 − 2 𝑘 𝐼 𝐷 )2
−3
𝐼  𝐷 =0.24 𝑥 10 ( 81− 36 𝑘 𝐼 𝐷 + 4 𝑀 𝐼 2𝐷 )
2
Malla de salida
𝐼  𝐷 =0.0194 − 8.64 𝐼 𝐷 +960 𝐼
−12+2 𝑘 𝐼 𝐷 +𝑉 𝐷𝑆 =0
𝐷
 
  =0
𝑉  𝐷𝑆=12 −2.78 𝑚𝐴 ( 2 𝑘 )
Resolviendo la ecuación cuadrática 𝑉  𝐷𝑆=6.44 𝑉
𝐼  𝐷 1 =2.78 𝑚𝐴 𝐼  𝐷 2 =7.25 𝑚𝐴 Condicion de saturación

Calculando el valor de VGS | 6.44|+|6.44|≥|3|

𝑉  𝐺𝑆 1=12 − 2𝑘 ∙ 2.78 𝑚𝐴=6.44 𝑉

𝑉  𝐺𝑆 2=12 − 2𝑘 ∙ 7.25 𝑚𝐴=−2.5 𝑉
Se observa que VGS2 es menor en magnitud a VGSth por lo
tanto el valor correcto de VGS es VGS1
Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.
Revisó y actualizó: Guillermo A David, Mg.
 Polarización por retroalimentación
Solución grafica:
Ecuación
Ecuación de Polarización
de Polarización y Transferencia
Se realiza la grafica de la ecuación de polarización
7  𝐼 𝐼𝐷𝐷
𝑉  𝐺𝑆 =12− 2 𝑘 𝐼 𝐷
6

Se realiza la grafica de la ecuación de transferencia 5

−3
𝐼  𝐷 =0.24 𝑥 10 ( 𝑉 𝐺𝑆 − 3 )2 4

1 𝑉
  𝐺𝑆
𝑉
  𝐺𝑆
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

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 Polarización por divisor de voltaje
Ejemplo: Determine al punto de operación del siguiente Obteniendo el circuito equivalente Thévenin
circuito 18 𝑀
  𝑡h =40
𝑉 =18 𝑉
18 𝑀 +22 𝑀
𝑅
  𝑡h =22 𝑀 / ∕ 18 𝑀 𝑅
  𝑡h =9.9 𝑀

  = 3𝑚𝐴 −3 2
𝐾 =0.12 𝑥 10 𝐴 / 𝑉
[ 10 −5 ]2

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

Revisó y actualizó: Guillermo A David, Mg.
 Polarización por divisor de voltaje
Solución matemática
−3
𝐼  𝐷 =0. 12 𝑥 10 ( 18 − 820 𝐼 𝐷 − 5 )2
−3
𝐼  𝐷 =0. 12 𝑥 10 ( 13− 820 𝐼 𝐷 )2
−3
𝐼  𝐷 =0. 12 𝑥 10 ( 169 − 21320 𝐼 𝐷 +672400 𝐼 2𝐷 )
𝐼  𝐷 =0.02028 −2.56 𝐼 𝐷 +80.688 𝐼 2𝐷

  =0

𝐼  𝐷 1 =6.72 𝑚𝐴 𝐼  𝐷2 =37.4 𝑚𝐴
Calculando el valor de VGS
Malla de entrada
𝑉  𝐺𝑆 1=18 − 820∙ 6.72 𝑚𝐴=12.5 𝑉
−18
  −9.9 𝑀 𝐼 𝐺 +𝑉 𝐺𝑆 +820 𝐼 𝑆=0
𝑉  𝐺𝑆 2=18 − 820∙ 37.4 𝑚𝐴=− 12.7 𝑉
𝑉
  𝐺𝑆 =18 − 820 𝐼 𝐷 Ecuación de polarización
Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.
Revisó y actualizó: Guillermo A David, Mg.
 Polarización por divisor de voltaje
La solución grafica queda a cargo del estudiante

Se observa que VGS1 es mayor en magnitud a VGSoff por lo

tanto el valor correcto de VGS es VGS1
𝐼  𝐷 1 =6.72 𝑚𝐴 𝑉  𝐺𝑆 1=12.5 𝑉

Malla de salida
−
  40+3 𝑘 𝐼 𝐷 +𝑉 𝐷𝑆 +820 𝐼 𝑆=0
𝑉
  𝐷𝑆=40 −6.72 𝑚𝐴 ( 3 𝑘 +820 )
𝑉  𝐷𝑆=14.33 𝑉 Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.
Revisó y actualizó: Guillermo A David, Mg.
 Estabilidad en la polarización de un FET
• Al igual que en BJT es importante no solo resolver
circuitos con FET si no también estar en la
capacidad de diseñar circuitos de polarización que
nos permitan ubicar el FET en la zona de trabajo
que nos interesa de acuerdo a nuestra aplicación.
• Es importante que estos diseños tengan la
capacidad de mantener estable o por lo menos
dentro de un rango aceptable el punto de
operación ante variaciones de parámetros como la
temperatura, el VGSoff, IDss, entre otros.
• En el caso de los FET el parámetro de mayor
variación y al cual hay que prestarle mayor
cuidado es el VGSth (umbral), que tal y como se 1. Hallar Rs como:
vio en las especificaciones técnicas varia según   = ∆ 𝑉 𝐺𝑆
las características y el proceso de fabricación. 𝑅 𝑆 , ∆ 𝑉 𝐺𝑆 =1500 𝑚𝑉 𝑎1660 𝑚𝑉
∆𝐼𝐷
• Para definir los criterios y parámetros de diseño
se puede hacer una analogía con el diseño para 2. Hallar VGSQ de la ecuación de transferencia
transistores BJT de la siguiente manera
3. Hallar VR1 y VR2
Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.
Revisó y actualizó: Guillermo A David, Mg.
 Estabilidad en la polarización de un FET
2
4. Definir I1= I2 y con los voltajes VR1 y VR2 , se asume un valor   𝑉 𝐺𝑆
para R1 (entre 100k a 10M) y se despeja R2.
5. Se despeja RD de la malla de salida y ubicando el punto de
𝐼 𝐷 =𝐼 𝐷𝑆𝑆
( 1−
𝑉 𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 ) 2
operación en la mitad de la recta de carga   𝑉 𝐺𝑆

Ejemplo: Diseñar una etapa de polarización por divisor de

1 𝑚𝐴=10 𝑚𝐴 1−
−4 ( )
 1 𝑚𝐴 𝑉 𝐺𝑆 2
voltaje para un JFET con las siguientes especificaciones:
10 𝑚𝐴
= 1−(−4 )
I DSS  10mA
VGSoff  4   𝑉 𝐺𝑆
2

V DD  20V
IDQ  1mA
√ 0.1= 1−
𝑉
√( −4 )  
± 316.2

−3
  𝐺𝑆 =4 ( − 1± 316.2 𝑥 10 )
𝑥 10
−3
= ( 1−
𝑉 𝐺𝑆
−4 )
Estabilida d del 20%
−3
𝑉
  𝐺𝑆 1=4 ( −1+316.2 𝑥 10 )=− 2.73 𝑉
  = ∆ 𝑉 𝐺𝑆 1500 𝑚𝑉
𝑅 = =7.5 𝑘 Ω −3
𝑆
∆𝐼𝐷 20 % ∙1 𝑚𝐴 𝑉
  𝐺𝑆 2=4 ( −1 −316.2 𝑥 10 )=− 5.26 𝑉

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

Revisó y actualizó: Guillermo A David, Mg.
 Estabilidad en la polarización de un FET
𝑉 −3
  𝐺𝑆 1=4 ( −1+316.2 𝑥 10 )=− 2.73 𝑉 𝑉  𝑅 2=4.77 𝑉

𝑉 −3
  𝐺𝑆 2=4 ( −1 −316.2 𝑥 10 )=− 5.26 𝑉 𝑉  𝑅 1=20− 𝑉 𝑅 2=15.23 𝑉

Se observa que VGS1 tiene un valor apropiado para VGS Asumiendo

 
  15.23
𝐼1 = =15.23 𝜇 𝐴
1𝑀
A
  partir de esta corriente se calcula
  4.77
𝑅2 = =313 𝑘 Ω
15.23 𝜇 𝐴
De
  la malla de salida se calcula al ubicar el punto Q en la
mitad de la recta de carga

  20 − 7.5 𝑘 ∙ 1 𝑚𝐴 −10
𝑅 𝐷= =2.5 𝑘 Ω
1 𝑚𝐴
𝑉  𝑅 2=𝑉 𝐺𝑆 +𝑅𝑆 𝐼 𝑆 =−2.73+7.5 𝑘 ∙ 1 𝑚𝐴
Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.
Revisó y actualizó: Guillermo A David, Mg.
El MOSFET tiene un
VGS(umbral) de -5V. Determine
si está encendido o
apagado.