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1. INTRODUCCION
Esta práctica de laboratorio consiste en comprender el comportamiento de un amplificador con transistor BJT en
configuración emisor común. Se trabajará en diseño y la resolución de un problema.
2. OBJETIVOS
Objetivo principal:
Objetivos específicos:
- Identificar las características de operación del amplificador en configuración de emisor común: ganancia de
corriente, ganancia de voltaje, impedancia de entrada e impedancia de salida.
- Comparar los resultados arrojados analíticamente y mediante simulación por computadora con los obtenidos al
realizar mediciones reales en los circuitos bajo prueba.
3. MARCO TEORICO
Transistor BJT: El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o
silicio. En ambos casos el dispositivo tiene tres patillas y son: el emisor, la base y el colector.
Figura 1.55. Símbolo y terminales del transistor NPN y PNP
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que
se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de tres terminales con los siguientes
nombres: base (B), colector (C) y emisor (E).
El transistor bipolar posee tres configuraciones, base común, emisor común y colector común, pero la más usada es la
configuración emisor común.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente
por la entrada (base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
Ic (corriente que pasa por el colector) es igual a ß (factor de amplificación) por Ib (corriente que circula por la base):
𝐼𝑐 = 𝛽 ∗ 𝐼𝑏
Ie (corriente que pasa por el emisor) es igual a (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝑏, pero se redondea al mismo valor que Ic.
Al aplicar la señal al transistor se espera obtener una señal amplificada y de alta fidelidad es decir sin distorsión. Ambas
características se obtienen cuando el transistor se polariza en la zona activa y en la región lineal de las características de
salida. En estas condiciones el transistor opera con valores bajos de corriente, voltajes y potencia, en otras palabras
amplificación de señales pequeñas.
4. MATERIALES Y EQUIPOS
- Protoboard
- Resistencias
- Transistor BJT PNP o NPN
- Fuente DC variable
5. SIMULACIÓN
Diseñar un amplificador como el de la fig. 3.2, si el punto Q se ubica en VCEQ= 5V, ICQ= 10mA, VBEQ= 0.65 V, IBQ= 51.5
MA. En ese punto de funcionamiento se midieron los siguientes parámetros híbridos: hie: 1.5K, hfe= 150, hre=2.5 x 10 -4,
hoq=30MA/V. Se deben cumplir las siguientes condiciones: AiT=60, Zi= 1.5K
Figura 1.56. Amplificador en configuración de emisor común.
Solución
El proceso para obtener los datos del problema se detalla posteriormente en el respectivo laboratorio.
DC:
Malla de salida:
Resistencias de polarización:
𝑅𝐵𝑉𝐶𝐶
𝑅2 = 𝑉𝐵𝐵
𝑅1 = 𝑉 𝑅𝐵−
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐵𝐵
𝐶𝐶
CRITERIOS DE DISEÑO
Punto QDC en el centro de la recta de carga DC, esto implica que:
𝑉𝐶𝐶 = 2 𝑉𝐶𝐸Q
Se debe aclarar que cuando el amplificador tiene una resistencia de carga RL o tenga otra etapa, este criterio no es
recomendable usarlo puesto que, resultará una nueva recta de carga denominada recta de carga AC. Cuando el circuito
no tiene RL, sino que la carga es la resistencia de colector RC, como en este ejemplo, las dos rectas de carga coinciden.
El objetivo de ubicar el punto Q en el centro de la recta de carga es obtener la máxima señal en la salida o, en otras
palabras, aprovechar al máximo las características del transistor.
Otros criterios:
𝑉𝑅𝐶 ≈ 4𝑉𝑅𝐸
𝑅𝐵 ≤ 0.1𝑅𝐸𝛽
Con el último criterio se asegura que la corriente por el divisor R1 * R2 sea mayor que la corriente de base; esto aumenta
la estabilidad de este tipo de polarización. Con las ecuaciones, los criterios y los datos del problema se inician el diseño.
Por criterio:
Por criterio:
𝑉𝑅𝐶 ≈ 4𝑉𝑅𝐸
Y=
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸Q + 𝐼𝐶𝐸Q(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸)
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐶𝐸Q 5
Luego: 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = =
𝐾Ω
𝐼𝐶Q 10
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = 0.5𝐾Ω
𝑅𝐶 = 4𝑅𝐸
Entonces:
4𝑅𝐸 + 𝑅𝐸 = 0.5𝐾
Así que:
𝑅𝐸 = 0.1𝐾
Y= 𝑅𝑐 = 0.4𝐾
𝑍𝐿 = 𝑅𝐶 = 0.4𝐾
𝑍𝐼 = ℎie = 1.5 𝐾Ω
Dejando 𝑅𝐵: 𝑅𝐵 = 1𝑘
De los datos 𝛽 = 𝐼 𝐶Q = 10
𝐼𝐵Q 51.5
𝛽 = 194.2
De la malla de entrada:
𝑅𝐵 1
𝑉
𝐵𝐵 =( + 𝑅𝐸) 𝐼𝐶Q + 𝑉𝐵𝐸Q = ( 194.2 + 0.1) 10 + 0.62 𝑣
𝛽
𝑉𝐵𝐵 = 1.7𝑉
Las resistencias de polarización
𝑅𝐵𝑉𝐶𝐶 1 ∗ 10
𝑅2 = 𝑉 = 𝐾Ω
𝐵𝐵 1.7
𝑅2 = 5.9𝐾Ω
Y:
𝑅𝐵𝑉𝐶𝐶 1 ∗ 10
𝑅 = = 𝐾Ω
1 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐵 10 − 1.7
𝑅1 = 1.2𝐾Ω
𝑅𝐵ℎie 1.5
𝑍1′ = 𝑅𝐵 + ℎie = 2.5
𝑍1′ = 0.6𝐾Ω
𝑍i = 𝑍1′ +
Reemplazando: 𝑅𝑆
1.5 = 0.6 + 𝑅𝑆
𝑅𝑆 = 0.9𝐾Ω
En esta forma se obtiene el diseño, cumpliendo con las condiciones preestablecidas (se recomienda verificar
condiciones). En resumen:
𝑅𝐶 = 0.4𝐾Ω
𝑅𝐸 = 0.1𝐾Ω
𝑅1 = 1.2𝐾Ω
𝑅2 = 5.9𝐾Ω
𝑅3 = 0.9𝐾Ω
𝑅𝐶 = 0.4𝐾Ω 𝑎 𝑅𝐶 = 0.39𝐾Ω
𝑅𝐸 = 0.1𝐾Ω 𝑎 𝑅𝐸 = 0.1𝐾Ω
𝑅1 = 1.2𝐾Ω 𝑎 𝑅1 = 1.2𝐾Ω
𝑅2 = 5.9𝐾Ω 𝑎 𝑅2 = 5.6𝐾Ω ó 𝑅2 = 6.2𝐾Ω
Para Rs, se debe conocer la resistencia que presenta el generador de señal. Normalmente la resistencia del generador es
de 600 Ohm, luego se colocará una resistencia en serie e 300 Ohm para completar los 900 Ohm obtenida en el diseño.
𝑅1𝑉𝐶𝐶 1.2 ∗ 10
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅1+𝑅2 = 1.2 + 6.2 𝑌
𝑉𝐵𝐵 = 1.62𝑉
𝑅𝐵 = 1𝐾
Malla de entrada:
𝑅𝐵
𝑉 𝐵𝐵 = ( + 𝑅𝐸) 𝐼𝐶Q + 𝑉𝐵𝐸Q
𝛽
De donde:
𝐼CQ= 9.22 𝑚𝐴
Malla de salida:
𝑉CEQ = 5.48 𝑉
Así que:
5.48
QDC= 𝑉CEQ =
𝑉CC 10
QDC = 0.55
El punto Q se desplazó del centro hacia corte, debido al ajuste de las resistencias a valores comerciales.
1 × 1.5
𝑍í = 2.5
𝑍í = 0.6 𝐾
𝑍i = 1.5 𝐾fi
𝑅B
𝐴iT = 𝐴i 150 × 1
𝑅B + 𝑍i = 2.5
𝐴iT = 60
Las dos condiciones impuestas se satisfacen un 100%. Desafortunadamente el punto QDC no quedó en el centro de la
recta de carga en DC, por lo que no se obtendrá la máxima señal de salida. Recordar que la resistencia que más se alteró
fue R2, por lo tanto, si se quiere más exactitud, se puede colocar un reóstato y de esta forma, acercar el punto QDC al
centro como se deseaba inicialmente.
Adicionalmente se puede determinar AVT y Zo.
Zí −ℎfe𝑍𝐿 𝑍í
AVT = AV 𝑍i = hie 𝑍i
-150 ×0.4×0.6
AVT = 1.5×1.5
AVT = -16
𝑍o ≈ 𝑍L = 0.4 𝐾
Es necesario, para completar el diseño, el cálculo de los condensadores. Su valor será tal que, a la frecuencia de
operación, la reactancia es aproximadamente cero. Para el cálculo de Ci, la reactancia Xc se hace igual a la suma de las
resistencias, así que:
𝑍i = 𝑅𝑠 + 𝑍i
1
𝑍i =
f𝐿
2𝜋 𝐶i
10
FL es la frecuencia más baja de operación del amplificador. Para audio, la frecuencia varía, teóricamente, entre 20Hz a
20KHz. Luego FL= 20Hz. El condensador Co tiene sentido cuando el circuito tiene en la salida una resistencia de carga RL
o alguna carga neta resultante de una segunda etapa.
𝑅𝑔 = 𝑅𝑠 // 𝑅B
𝑍𝐵𝑆 = 𝑅𝑔 + ℎie
Se denomina ZBS la impedancia vista en la base. Ahora, la impedancia ZBS se refleja al emisor, es decir:
𝑍BS
𝑍E = ℎfe
𝑍ET = 𝑍E // 𝑅E
La impedancia total viste en el emisor ZET se hace igual a la reactancia del condensador CE, luego:
1
𝑍ET =
2 𝜋 f𝐿 𝐶E
1
𝐶i ≥
f𝐿
2𝜋 𝑍i 1
10
= 𝐹
2 𝜋 × 2.0 × 1500
𝐶i ≥ 53 𝜇𝐹
𝑅𝑔 = 𝑅𝑠 // 𝑅B = 0.9 //1.9
𝑅𝑔 = 0.474 𝐾fi
𝑍BS 1.974
𝑍E = ℎfe = 150 𝐾fi
𝑍E = 13.2 fi
13.2 × 100
𝑍ET = 113.2 fi
𝑍ET = 11.7 fi
1 1
𝐶E ≥ = 𝐹
2 𝜋 f𝐿 𝑍ET 2 𝜋 × 20 × 11.7
𝐶E ≥ 680 𝜇𝐹
Para comprobar que las reactancias son muy pequeñas a frecuencias medias. Supóngase que la frecuencia de operación
es: 𝐹 = 1𝐾𝐻𝑧, entonces:
1
X𝑐i =
2 𝜋 𝐹𝐶i
1
= fi
2 𝜋 1000 × 53 × 10−6
X𝑐i = 3 fi
1
XCE = fi
2 𝜋 1000 × 680 × 10−6
XCE = 0.23 fi
Que corresponde a un valor muy pequeño. Las desigualdades en el cálculo de los condensadores dan libertad para la
escogencia del capacitor prefiriendo valores superiores al calculado.
Figura 1.60.1 Grafica de respuesta de entrada-salida de corriente del circuito de la figura 1.58.
Ejercicio de simulación:
Utilizando el mismo transistor del diseño anterior con punto de funcionamiento y características iguales, diseñar el
amplificador E.C de la Figura 1.56, pero suprimiendo el condensador CE y cumpliendo con las siguientes condiciones:
Parte a)
Analizar un amplificador como el que se muestra en la siguiente figura. Si Rs = 1KΩ, R2 = 10KΩ, R1 = 2.2KΩ, RC =
3.6KΩ, RE = 1KΩ, hFE = 100, VBE = 0.7 v, β = hFE. Efectuar análisis DC, AC y grafico; determinar Vopp,Vcc = 10v.
Figura 1.61. Esquemático parte a
Con fL = 20Hz:
R1
V bb=V cc =1.8V
R 1 + R2
a
R1 R 2
Rb = ≈1.8 kΩ
R1 + R2
R
R g= S ≈ 0.555Ω
RB
Se sabe que:
hie =0.5 kΩ
Entonces:
Z BS=R g + hie=1.056 kΩ
Además:
Z BS 1.056 kΩ
ZE= = =10.56 Ω
h fe 100
Y:
Z E RE 10.56∗1000
Z ET = = Ω=10.39 Ω
Z E + R E 10.56+1000
Y para el cálculo de C e, se sabe que la reactancia es igual a Z ET :
1
Z ET =
2 π∗fL∗Ce
Y despejando eC :
1
Ce ≥
2 π∗fL∗Z ET
C e ≥ 765.84 μF
Y para C i:
Zi =hie =0.5 kΩ
Y
1
Ci≥
π∗fL
2 ∗Z ET
10
C i ≥ 159.155 μF
Y para C i:
h oe=70 μmohs
1
Z o= =14.3 kΩ
hoe
1
Co≥
π∗fL
2 ∗Z o
10
C o ≥ 5.57 μF
Para Vopp:
Vopp = 1.42V
Parte b)
Analice el circuito que se muestra en la siguiente figura para determinar𝑅𝐵, 𝑉𝐵𝐵, 𝐼𝐶, 𝑉𝐶𝐸 y 𝑉𝐶, para el transistor PNP
utilizado en la práctica anterior, mida su B (ℎ𝐹𝐸) con el multímetro, compárelo con el valor teórico especificado en su
data sheet y téngalo en cuenta en su análisis. Asuma 𝑉𝐵𝐸 = −0.7 𝑉
Figura 1.62. Esquemático parte b.
Usando equivalente de Thevenin:
V BB=V 60 k
V BB=60∗I
10
I= =0.145 mA
9 k +60 k
V BB=60∗I =8.7 V
Para hallar Icorto:
10
I corto = =1.1mA
9000
Rbb = Rthevenin
V BB
Rbb= =8 kΩ
I corto
Realizando malla para hallar Ib se tiene que:
8.7−8 k I B +0.7=0
9.4
I B= =1.175 mA
8k
Traiga para el laboratorio los circuitos montados en el protoboard. Compare los resultados teóricos obtenidos del
análisis con los resultados de las mediciones hechas en el laboratorio.
Parte c)
Siguiendo el libro de Boylestad, pág. 240, 10ª edición, resuelva los tres diseños siguientes:
Operaciones de diseño
- Determine 𝑅𝐶 y 𝑅𝐵 para la configuración de polarización fija si 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉, 𝛽 = 80, y 𝐼𝐶Q = 2.5𝑚𝐴 con 𝑉𝐶𝐸Q =
6𝑉. Use valores estándar.
1 1
- Diseñe una red estabilizada por emisor con 𝐼𝐶Q = 𝐼𝐶𝑠𝑎t y 𝑉𝐶𝐸Q = 𝑉𝐶𝐶. Use 𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉, 𝐼𝐶𝑠𝑎t = 10𝑚𝐴, 𝛽 =
2 2
120, y 𝑅𝐶 = 4𝑅𝐸. Use valores estándar.
- Diseñe una red de polarización por medio del divisor de voltaje con una fuente de 24V, un transistor beta de 110
1
y un punto de operación de 𝐼𝐶Q = 4𝑚𝐴 y 𝑉𝐶𝐸Q = 8𝑉. Seleccione 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐶. Use valores estándar.
2
Resolver el siguiente circuito determinar ganancias e impedancias si hie=3.5KΩ, hre= 0.00013, hfe=120, hoe=8.5 µA/v.
Primera parte:
Tabla con resultados del diseño. Dejar en blanco columnas de corrientes y voltajes a medir en la práctica de
laboratorio
Compare y analice los resultados teóricos vs prácticos
Conclusiones de la práctica para los tres diseños desarrollados en esta guía.
Segunda parte: Resuelva las siguientes preguntas: