Manuales para Terricolas

CIENCIA E INGENIERIA DE
MATERIALES
Capítulo 3 – Arreglos atómicos y iónicos
1
Objectivos del Capítulo 3
 Estudiar la clasificación de los
materiales basado en los arreglos
atómicos y iónicos.
 Describir los arreglos en los sólidos

cristalinos de acuerdo con las
estructuras de la red, base y
cristalina.
2
Contenido
 3.1 Orden de corto alcance Vs. orden de
largo alcance.
 3.2 Materiales amorfos, principios y
tecnología de aplicación
 3.3 Redes, celdas unitarias, bases y
estructuras cristalinas
 3.4 Tranformaciones alotrópicas o polimorfas
 3.5 Puntos, direcciones y planos en la celda
unitaria.
 3.6 Sitios intersticiales.
 3.7 Estructuras cristalinas de los materiales
iónicos.
 3.8 Estructuras covalentes
3
Seccion 3.1
Orden de corto alcance Vs. Orden
de largo alcance
 SRO – Un material tiene orden de corto alcance si el
arreglo espacial de los átomos solo se extiende a su
vecindad .
 LRO – El arreglo átomico espacial abarca escalas de
longitud mayores a 100 nm, formando un patron regular
y repetitivo.
 Condensado de Bose-Einstein (BEC) – Predijeron la
existencia de este estado de la materia, donde un grupo
de átomos enfriados a temperaturas muy bajas (justo
arriba de 0 K, mediante láseres y trampas magnéticas,
tiene el mismo estado cuántico fundamental. Uno de sus
usos podría ser láseres atómicos
4
Figura 3.1 Niveles de
ordenamiento átomico
en los materiales:
(a)Los gases
monoátomicos inertes
no tienen
ordenamiento regular
de átomos. (b y c)
algunos materiales
que incluyen vapor de
agua, nitrogeno
gaseoso, silicio
amorfo y vidrios de
silicato, tienen orden
de corto alcance. (d)
Metales,aleaciones y
muchas cerámicas, así
como polímeros,
tienen ordenamiento
regular de átomos o
iones que se extiende
a través del material.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning™
5
Figura 3.2 Tetraedro
básico de Si-O en el
vidrio de silicio.
6
Figura 3.3 Arreglo
tetraédrico de los
enlaces C-H en el
polietileno.
7
Figura 3.4 (a) Fotografía de un
monocristal de silicio. (b)
Micrografía de un acero
inoxidable policristalino, donde
se ven los granos y los límites de
grano (Cortesia de los Dr. M. Hua,
Dr. I. Garcia, y Dr. A.J. Deardo.)
8
Figura 3.5 Pantalla de cristal líquido, estos materiales
son amorfos en un estado y sufren cristalización
localizada como respuesta a un campo eléctrico externo
se usan mucho en las pantallas de cristal líquido (LCD).
(Cortesia de Nick Koudis/PhotoDisc/Getty Images.)
9
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning™
Figura 3.7 Clasificación de los materiales con base en la clase

de orden atómico.
10
Sección 3.2
Materiales amorfos: Principios y
aplicaciones tecnológicas
 Materiales amorfos
 Vidrios
 Vitroceramicas
11
Figura 3.9 (b) Esquema del proceso de formado por soplado y
estirado para fabricar una botella de dos litros de PET
(tereftalato de polietileno) a partir de una pre forma. El
esfuerzo inducido en la cristalización causa la formación de
cristales pequeños que contribuyen a reforzar el resto de la
matriz amorfa.
12
Learning™
Figura 3.10 Arreglos atómicos en el silicio cristalino y en el

silicio amorfo. (a) silicio amorfo. (b) Silicio cristalino.
Obsérvese la variación en la distancia interatómica en el
silicio amorfo.
13
Sección: 3.3
Celdas unitarias,bases y estructuras cristalinas
 La red – Es una colección de puntos llamados puntos de

red ordenados en un patrón periódico de manera que los
alrededores de cada punto de la red son idénticos.
 Base – Son un grupo de átomos asociados con un punto
de la red. Estructura cristalina = red + base
 Celda unitaria – Es la sub división de una red que sigue
conservando las características generales de toda la red.
 Radio Atomico – El tamaño aparente del átomo en una
celda unitaria se calcula en base al radio de un átomo.
 Factor de empaquetamiento – Es la fracción de espacio
ocupada por átomos, suponiendo que son esferas que
tocan a su vecino cercano.
14
Figura 3.11 Los
catorce tipos de
redes de Bravais,
agrupados en
siete sistemas
cristalinos. En las
figuras 3.12 y 3.16
se muestra la
celda unitaria real
para un sistema
hexagonal.
15
Tabla 3.1 Características de los siete sistemas cristalinos
16
Figura 3.12
Definición de
los parámetros
de la red y su
aplicación en
los sistemas
cristalinos
cúbico,
ortorrómbico y
hexagonal.
17
Figura 3.13 (a)
Ilustración de la
distribución de los
átomos en caras y
vértices. (b) Los
modelos de celdas
unitarias cúbica
simple (SC), cúbica
centrada en el
cuerpo (BCC), y
cúbica centrada en
las caras (FCC)
asumiendo que hay
un solo átomo por
punto de red.
18
Ejemplo 3.1 Determinación de la cantidad de puntos
de red en sistemas cristalinos cúbicos
Calcule los puntos red por celda en los sistemas cristalinos
cúbicos. Si solo hay un átomo en cada punto de red, calcule la
cantidad de átomos por celda unitaria.
SOLUCION
En la celda unitaria SC : puntos de red / celda unitaria = (8
vértices)1/8 = 1
En BCC : puntos de red / celda unitaria
= (8 vértices)1/8 + (1 centro)(1) = 2
En FCC : Puntos de red / celda unitaria
= (8 vértices)1/8 + (6 caras)(1/2) = 4
Como se supone que solamente hay un átomo en cada punto
de red, la cantidad de átomos por celda unitaria sería 1, 2, y
4,para las celdas unitarias cúbica simple, cúbica centrada en el
cuerpo y cúbica centrada en las caras, respectivamente.
19
Ejemplo 3.2
Determinación de la relación entre el radio
atómico y los parámetros de red.
Determine la relación entre el radio atómico y el

parámetro de red en las estructuras SC, BCC, y FCC
cuando se tiene un átomo en cada punto de red.

Learning™
Figura 3.14 Relaciones entre el radio atómico y el parámetro
de red en sistemas cúbicos.
20
Ejemplo 3.2 SOLUCION
De la figura 3.14, vemos que los átomos se tocan a lo
largo de la arista del cubo en las estructuras SC.
a0  2r
En BCC , Los átomos se tocan a lo largo de la diagonal del
cuerpo, que tiene una longitud a03, hay 4 radios
4r
a0 
3
En FCC , Los átomos se tocan a lo largo de la diagonal
de la cara del cubo, su longitud es a02 y hay 4 radios
4r
a0 
2
21
Learning™
Figura 3.15 Números de coordinación en celdas unitarias (a)

SC y (b) BCC . En SC seis átomos tocan a cada átomo,
mientras que en la celda unitaria BCC son 8.
22
Ejemplo 3.3: Cálculo del factor de empaquetamiento
Calcular el factor de empaquetamiento de una celda FCC
SOLUCION
Hay 4 puntos de red por celda, si hay un átomo por punto de red,
también hay 4 átomos por celda. El volumen es 4πr3/3 y el
volumen de la celda unitaria es :
3
a 4 3
(4 atoms/cel. )( r )
0
Factor empaquet.  3
a0
3
Como para FCC a 0  4r/ 2

4 3
(4)( r )
3 
Factor de empaquet.  3
  0.74
( 4r / 2 ) 18
23
Ejemplo 3.4
Determine la densidad del hierro BCC
El hierro BCC , tiene un parámetro de red de 0.2866 nm.
SOLUCION
Atoms/cel = 2, a0 = 0.2866 nm = 2.866  10-8 cm
masa a. = 55.847 g/mol
Volumen = (2.866  10-8 cm)3 = 23.54  10-24 cm3/cell
3
Avogadro NA = 6.02 
a10
0 23 atoms/mol
(numer de atoms/cel) ( masa del hierro)

Densidad  
(volume cel. unit )(Núm. Avogadro)
(2)(55.847)
  7.882 g / cm 3
(23.54 10 24 )(6.02 10 23 )

24
Learning™
Figura 3.16 La estructura hexagonal compacta HCP

(izquierda) y su celda unitaria.
25
Tabla 3.2 Propiedades de la estructura Cristalina de algunos
metales
26
Sección 3.4
Transformaciones alotrópicas o
polimorfas
 Alotrópicas – Los elementos que tienen mas de una
estructura cristalina se llaman alotrópicos. Este término
suele reservarse para los elementos puros, donde el
efecto de la presión o la temperatura hace que cambie la
estructura.
 Poliformismo – Se emplea el mismo concepto pero para
materiales compuestos.
27
Figura 3.17 Los sensores de oxígeno
gaseoso que se usan en automóviles y
otras aplicaciones se basan en
composiciones de zirconia estabilizada.
(Cortesía de Bosch © Robert Bosch GmbH.)
28
Ejemplo 3.5
Cálculo de cambios de Volumen en
polimorfos de zirconia
Calcular el cambio de volumen porcentual cuando la
zirconia pasa de una estructura tetragonal a una
estructura monoclinica.[9] la constante de red para
estructuras unitarias monoclinicas son: a = 5.156, b =
5.191, y c = 5.304 Å, respectivamente. El ángulo β de la
celda monoclinica es 98.9º. Para la celda tetragonal las
constantes de red son: a = 5.094 y c = 5.304 Å,
respectivamente. [10] durante la transformación se
expande o se contrae la zirconia? Cuales son los efectos
de esta transformación sobre las propiedades mecánicas
de la cerámica de la zirconia?
29
El volumen de una celda unitaria tetragonal
V = a2c = (5.094)2 (5.304) = 134.33 Å3.
El volumen de una celda unitaria monoclínca es

V = abc sin β = (5.156) (5.191) (5.304) sin(98.9) = 140.25 Å3.
Entonces hay una expansión de la celda unitaria conforme el

ZrO2, se transforma de tetragonal a monoclínico. El cambio
porcentual de volumen es:
= (Volumen final-Volumen inicial)/(volumen inicial)* 100

= (140.25 - 134.33 Å3)/140.25 Å3 * 100 = 4.21%.
La mayoria de los cerámicos son muy frágiles y no pueden

resistir un cambio de volumen mayor al 0.1%.La conclusión es
que los cerámicos de ZrO2 no pueden usarse en su forma
monoclínica por que cuando la zirconia pase a su forma
tetragonal, casi con seguridad se rompe.Por lo tanto, el ZrO2 se
estabiliza con frecuencia en una forma cúbica, usando diversos
aditivos, como CaO, MgO, and Y2O3.
30
Ejemplo 3.6 Diseño de un sensor para
medir el cambio de volumen
Para estudiar el comportamiento del hierro a temperaturas
elevadas, nos gustaria diseñar un instrumento que pueda
detectar , con exactitud del 1%, el cambio de volumen de un
cubo de hierro de 1-cm3 cuando se calienta pasando por su
temperatura de transformación polimórfica. A 911oC, el
hierro es BCC, con un parámetro de red de 0.2863 nm. A
913oC, el hierro es FCC, con un parámetro de red de 0.3591
nm. Determine la exactitud que se requiere en el
instrumento medidor.
SOLUCION
El volumen de una celda unitaria del hierro BCC antes de
transformarlo es:
3
VBCC = a0 = (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3
31
Ejemplo 3.6 SOLUCION (Continuación)
El volumen de una celda unitaria de hierro FCC :
VFCC = 3 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3
a0
Pero este es el volumen que ocupa 4 átomos de hierro en
FCC, en consecuencia se deben comparar 2 celdas BCC,
con un volumen de 2(0.023467) = 0.046934 nm3, con
cada celda FCC, El cambio porcentual de volumen
durante la transformación es:
(0.046307 - 0.046934)
Cambio de volumen  100  1.34%
0.046934
El cubo de hierro de 1-cm3 se contrae a 1 - 0.0134
= 0.9866 cm3 despues de la transformación;en
consecuencia, para asegurar una exactitud de 1% el
instrumento debe detectar un cambio de:
ΔV = (0.01)(0.0134) = 0.000134 cm3
32
Sección 3.5:Puntos, direcciones y
planos en la celda unitaria.
 Indices de Miller - Es la notación abreviada para
describir las direcciones y planos metalográficos. Las
direcciones se denotan con corchetes [ ] y los planos con
paréntesis ( ). Los números negativos se representan con
una barra encima del número.
 Direcciones de una forma o familia – Grupo de
direcciones equivalentes forman familias, se usa los
paréntesis especiales.
 Distancia de repetición. – Es la distancia entre puntos de
la red a lo largo de la dirección.
 Densidad lineal – Es la cantidad de puntos de la red por
unidad de longitud, a lo largo de la dirección.
 Fracción de empaquetamiento – Es la fracción realmente
ocupada por átomos.
33
Figura 3.18 Coordenadas de puntos
seleccionados en la celda unitaria. El
número indica la distancia al origen,
en términos de parámetros de red.
34
Ejemplo 3.7 Determinación de Indices de
Miller de direcciones
Determine los índices de Miller en las direcciones A,
B, y C en la figura 3.19.
Figura 3.19 Direcciones y

coordenadas cristalográficas,
para el ejemplo 3.7.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

Thomson Learning™
35
Dirección A
1. Los puntos son 1, 0, 0, y 0, 0, 0
2. 1, 0, 0, -0, 0, 0 = 1, 0, 0
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que
reducir
4. [100]
Dirección B
1. Los puntos son 1, 1, 1 y 0, 0, 0
2. 1, 1, 1, -0, 0, 0 = 1, 1, 1
reducir
4. [111]
Dirección C
1. Los puntos son 0, 0, 1 y 1/2, 1, 0
2. 0, 0, 1 -1/2, 1, 0 = -1/2, -1, 1
3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2
4. [ 1 22]
36
Figura 3.20 Equivalencia de las direcciones cristalográficas

de una forma, en sistemas cúbicos.
37
Tabla 3.3 Direcciones de la familia 110 en sistemas cúbicos
38
Figura 3.21
Determinación
de la distancia
de repetición,
densidad lineal
y fracción de
empaquetamien
to para una
dirección [110]
en el cobre FCC.
39
Ejemplo 3.8, Determinación de los Indices
de Miller de planos
Determine Los índices de Miller de los planos A, B, y C en la

figura 3.22.
Figura 3.22 Planos

cristálograficos y sus
intersecciones (para el
ejemplo 3.8)

Thomson Learning™
40
Plano A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2.1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1
3. No hay fracciones que eliminar
4. (111)
Plano B
1. El plano nunca cruza el plano z por lo que x = 1, y = 2, y
z= 
2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0
3. Eliminar fracciones:
1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0
4. (210)
Plano C
1. Se debe cambiar origen, por que el plano pasa 0, 0, 0.
Mover en dirección y, entonces, x = , y = -1, and z = 
2.1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0
3. No hay fracciones que eliminar.
4. (0 1 0)
41
Tabla 3.4 Planos de la familia {110} en los sistemas cúbicos
42
Ejemplo 3.9 Cálculo de la densidad planar
y la fracción de empaquetamiento
Calcule la la densidad planar y la fracción de

empaquetamiento planar para los planos (010) y (020) en
el Polonio cúbico, cuyo parámetro de red es 0.334 nm.
Figura 3.23 Las

densidades
planares de los
planos (010) y
(020) en celdas
unitarias SC no
son idénticas
(para el Ejemplo
3.9).
Thomson Learning™
43
El total de átomos en cada cara es uno. La densidad

planar es:
atoms por cara 1 atom por cara
Densidad planar (010)  
área de cara (0.334) 2
 8.96 atoms/nm 2  8.96 1014 atoms/cm 2
área de atoms por cara (1 atom) (r 2 )

Fracción de Emp. (010)  
área de cara (a 0) 2
r 2
 2
 0.79
( 2r )
Sin embargo no hay átomos con centros en los planos
(020). Por consiguiente la densidad planar y la fracción
de empaquetamiento planar son cero. Los planos (010) y
(020) no son equivalentes!.
44
Ejemplo 3.10 trazado de dirección y plano
trazar (a) [1 2 1] dirección y (b) el plano [ 2 10] en una celda

unitaria cúbica.
Figura 3.24
Construcción
de a (a)una
dirección y (b)
un plano
dentro de una
celda unitaria
(para el
ejemplo 3.10)

Learning™
45
Example 3.10 SOLUCION
a. Como sabemos que hay que moverse en la dirección
negativa, ubiquemos el origen en 0, +1, 0. La “cola” de
la dirección estará en el nuevo origen. Se determina un
segundo punto de la dirección avanzando +1 en la
dirección x, -2 en la dirección y, y +1 en la dirección z
(Figura 3.24(a)].
b. Para dibujar el [plano,
2 10] se determinan primero los
recíprocos de los índices para obtener las intercepciones:
x = 1/-2 = -1/2 y = 1/1 = 1 z = 1/0 = 
Como el cruce en x esta en una dirección negativa y se
desea trazar el plano dentro de la celda unitaria, se
cambia el origen +1 en la dirección x hasta 1, 0, 0.
Entonces se puede ubicar la intercección con x en - 1/2 y
con y en +1. El plano será paralelo al eje Z [Figura
3.24(b)].
46
Figura 3.25 Indices de Miller-
Bravais en celdas unitarias
HCP usando un sistema
coordenado de 4 ejes. Los
planos identificados con A y
B y las direcciones
identificadas con C y D son
del ejemplo 3.11.

Learning™
47
Figura 3.26 Direcciones comunes en la celda unitaria HCP
usando sistemas con 3 y 4 ejes. Las líneas punteadas

muestran que la dirección [1210] es equivalente a una
dirección [010].
48
Ejemplo 3.11 Determinación de los Indices
de Miller-Bravais para planos y direcciones
Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A

y B y para las direcciones C y D en la Figura 3.25.
Figura 3.25 Los Indices

Miller-Bravais son
obtenidos usando un
sistema de coordenadas de
4 ejes. Los planos
identificados con A y B, y
las direcciones con C y D
son del ejemplo 3.11.

Thomson Learning™
49
Plano A
1. a1 = a2 = a3 = , c = 1
2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (0001)
Plano B
1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (1121)
Dirección C
1. Dos puntos son 0, 0, 1 y 1, 0, 0.
2. 0, 0, 1, -1, 0, 0 = -1, 0, 1
reducir.
4. [1 01] ó [2113]
50
Example 3.11 SOLUCION (Continuación)
Dirección D
1. Dos puntos son 0, 1, 0 y 1, 0, 0.
2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0
3. No fracciones que eliminar ni enteros quereducir
4. [ 1 10] ó [ 1 100]
51
Tabla 3.5 Planos y direcciones compactas
52
Figura 3.27 La
secuencia de
apilamientoABABAB
de planos
compactos produce
la estructura HCP.

Learning™
53
Figura 3.28 La secuencia de apilamiento ABCABCABC

de planos compactos produce la estructura FCC.
54
Sección 3.6 Sitios Intersticiales
 Sitios Intersticiales – En cualquiera de las estructuras

cristalinas hay pequeños huecos entre los átomos
normales, y en ellos se pueden ubicar átomos más
pequeños. Esos huecos reciben el nombre de sitios
intersticiales
 El sitio cúbico – Con un número de coordinación de 8 se
presenta en la estructura simple SC.
 Sitios octaédricos – Producen un número de coordinación
de 6. Los átomos tocan al átomo intersticial y forman un
octaedro y los átomos mayores ocupan los puntos
normales de la red.
 Sitios tetraédricos – Producen un número de
coordinación igual a 4. Un átomo o ion toca 4 átomos o
iones.
55
Figura 3.29 Ubicación de los sitios intersticiales en las celdas

unitarias cúbicas. Solo se muestran sitios reprentativos.
56
Ejemplo 3.12 Cálculo de sitios octaédricos
Calcule la cantidad de sitios octaédricos que pertenezcan

en forma exclusiva a una celda unitaria FCC.
SOLUCION: Los sitios octaédricos incluyen las 12 aristas
de la celda unitaria, con las coordenadas:
1 1 1 1
,0,0 ,1,0 ,0,1 ,1,1
2 2 2 2
1 1 1 1
0, ,0 1, ,0 1, ,1 0, ,1
2 2 2 2
1 1 1 1
0,0, 1,0, 1,1, 0,1,
2 2 2 2
mas la posición central, 1/2, 1/2, 1/2.
57
Ejemplo 3.12 Continuación
Cada uno de los sitios en la arista de la celda unitaria se

comparte entre 4 celdas unitarias por lo que solo un ¼ de
cada sitio pertenece exclusivamente a cada celda unitaria,
entonces la cantidad de sitios que pertenecen
exclusivamente a cada celda :
(12 aristas) (1/4 por celda) + 1 en centro

= 4 sitios octaédricos
58
59
Ejemplo 3.13 Diseño de una pared
absorbente de radiación
Se desea producir una pared absorvente de radiación
formada por 10000 esferas de Pb, cada una de 3 cm de
diámetro, en arreglo FCC. Se decide que habra mejor
absorción si se llenan con esferas mas pequeñas los sitios
intersticiales. Diseñe el tamaño de las esferas de Pb mas
pequeñas y determine cuántas se necesitan.
Figura 3.30 Cálculo de un

sitio intersticial octaédrico,
para el ejemplo 3.13.

Thomson Learning™
60
Para este diseño, podemos introducir esferas pequeñas de
Pb que quepan exactamente en todos los sitios
intersticiales octaédricos. Primero calculamos el diámetro
de los sitios octaédrico entre las esferas de 3 cm de
diámetro:
Longitud AB = 2R + 2r =4R/ 2
r = 2 2 R-R = (2 2 -1)R
r/R = 0.414
Esto es consistente con la tabla 3.6, como r/ R = 0.414, el

radio de la esfera pequeña de Pb es :
r = 0.414 * R = (0.414)(3 cm/2) = 0.621 cm.
En el ejemplo 3-12, se observa que hay 4 sitios

octaédricos en el arreglo FCC que tambien tiene 4 puntos
de red. Entonces se necesita la misma cantidad de esferas
pequeñas 10,000.
61
Sección 3.7
Estructuras cristalinas de los
materiales iónicos
 Se deben tener en cuenta los siguientes factores para
comprender las estructuras cristalinas de los sólidos con
enlaces iónicos:
 Radios iónicos
 Neutralidad eléctrica
 Conexión entre poliedros de anion
 Visualización de estructuras cristalinas en
computadoras.
62
Learning™
Figura 3.31 Conexión entre poliedros de aniones.

(a) tetraedros con vértices compartidos, (b) tetraedros con
aristas compartidas y (c) tetraedro con cara compartida
63
Figura 3.32 (a) Estructura del cloruro de cesio, una celda

unitaria SC con dos iones (Cs+ y CI-) por punto de red. (b)
La estructura del cloruro de sodio,una celda unitaria FCC
con dos iones (Na+ + CI-) por punto de red. Nota: los
tamaños de los iones no estan a escala.
64
Ejemplo 3.14 Relación de radios del KCl
Para el cloruro de potasio (KCl), (a) verificar que el

compuesto tiene la estructura del cloruro de cesio y (b)
calcular el factor de empaquetamiento de este compuesto.
SOLUCION
a. De tablas, rK+ = 0.133 nm y rCl- = 0.181 nm, entonces:
rK+/ rCl- = 0.133/0.181 = 0.735
Como 0.732 < 0.735 < 1.000, El número de coordinación
de cada clase de ion es 8 y la estructura del CsCl es la mas
probable.
65
Ejemplo 3.14 continuación de la SOLUCION
b. Los iones se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo

de la celula unitarial,entonces:
a03 = 2rK+ + 2rCl- = 2(0.133) + 2(0.181) = 0628 nm

a0 = 0.363 nm
4 3 4 3
rK  (1 K ion)  rCl  (1 Cl ion)
Factor de empaquetam iento  3 3
a03
4 4
 (0.133)   (0.181)3
3
 3 3
3
 0.725
(0.363)
66
Ejemplo 3.15 Ilustración de una estructura
cristalina y cálculo de su densidad
Demuestre que el MgO tiene la estructura cristalina del

cloruro de sodio y calcule la densidad del MgO.
SOLUCION
De tablas, rMg+2 = 0.066 nm y rO-2 = 0.132 nm, entonces:
rMg+2 /rO-2 = 0.066/0.132 = 0.50
Como 0.414 < 0.50 < 0.732, el número de
coordinación de cada ion es 6, y es posible la estructura del
cloruro de sodio.
67
Las masas atómicas son 24.312 y 16 g/mol para el
magnesio y oxígeno respectivamente. Los iones se tocan
a lo largo de la arista del cubo, entonces:
a0 = 2 rMg+2 + 2rO-2 = 2(0.066) + 2(0.132)
= 0.396 nm = 3.96  10-8 cm
(4Mg 2 )( 24.312)  (4O-2 )(16)

   4.31g / cm
3
(3.96  108 cm) 3 (6.02  1023 )
68
Figura 3.33 (a) La estructura de la blenda de zinc (b) vista de planta.
69
Ejemplo 3.16 Cálculo de la densidad
teórica del GaAs
La constante de red del Arseniuro de galio (GaAs) es

5.65 Å. Demuestre que la densidad teórica del GaAs
es 5.33 g/cm3.
SOLUCION
En la celda unitaria de la “blenda de zinc” GaAs hay
cuatro átomos de Ga y cuatro de As. De acuerdo a la
Tabla Periódica:
Cada mol (6.023  1023 atoms) de Ga tiene una
masa de 69.7 g. entonces la masa de 4 átomos sera:
(4 * 69.7/6.023  1023) g.
70
3.16 SOLUCION (Continuación)
Cada mol de As (6.023  1023 atoms) tiene una masa de
74.9 g.
Entonces en 4 atomos de As se tiene:
(4 * 74.9/6.023  1023) g. Estos átomos ocupan un
volumen de (5.65  10-8)3 cm3.
masa 4(69.7  74.9) / 6.023 1023

densidad  
volumen (5.65 108 cm) 3
Entonces la densidad teórica del GaAs es 5.33 g/cm3.
71
Learning™
Figura 3.34 (a) Celda Fluorita, (b) vista de planta.
72
Learning
Figura 3.35 Celda unitaria de la perovskita mostrando los

cationes en sitio A y B y los iones de oxígeno que ocupan las
posiciones de centro de cara de la celda unitaria. Nota: Los
Iones no se muestran a escala.
73
Figura 3.36 Estructura cristalina de un nuevo super conductor
cerámico de alta Tc basado en un oxido de cobre, bario e itrio.
Estos materiales son excepcionales por ser cerámicos cuya
resistencia eléctrica, desaparece a bajas temperaturas. (Fuente:
ill.fr/dif/3D-crystals/superconductor.html; © M. Hewat 1998.)
74
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figura 3.37 Estructura del corindon de alúmina alfa (α-AI203).
75
Sección 3.8 Estructuras covalentes
 Materiales con enlaces covalentes Con frecuencia tienen

estructuras complicadas para satisfacer las restricciones
direccionales que imponen los enlaces.
 Estructura cúbica del diamante – Los elementos como el
Si, el Ge, el alfa Sn y el carbono (en su forma de
diamante) estan unidos por cuatro enlaces covalentes
que producen un tetraedro.
76
Figura 3.38 (a) Tetraedro y (b) Celda unitaria cúbica del
diamante (DC) . Se produce esta estructura abierta por
los requerimientos del enlace covalente.
77
Ejemplo 3.17 Determinación del factor de
empaquetamiento para el silicio cúbico
tipo diamante.
Determine su factor de empaquetamiento.
Thomson Learning
Figura 3.39
Determinación de la
relación entre el
parámetro de red y el
radio atómico en una
celda cúbica de
diamante. (para el
ejemplo 3.17).
78
Los átomos se tocan a lo largo de la diagonal del

cuerpo de la celda. Aunque no hay átomos en todos los
lugares de la diagonal hay huecos que tienen el mismo
diámetro que los átomos, en consecuencia:
3a 0  8r
4
(8 atoms/cel. )( r 3 )
Factor Enpaquetam iento  3
a03
4
(8)( r 3 )
 3
(8r / 3 ) 3
 0.34
Comparado con el valor de tablas es el mismo valor.
79
Ejemplo 3.18 Cálculo del radio y la
densidad del silicio
La constante de red del silicio es 5.43 Å . Cual será el radio y
la densidad del silicio?. La masa atómica del silicio es 28.1
gm/mol.
SOLUCION
Tenemos que a = 5.43 Å, remplazando en la ecuación
tenemos que el radio del silicio es R = 1.176 Å .
3a0  8r
Si hay 8 átomos por cada celda unitaria entonces la densidad:
masa 8(28.1) / 6.023 1023

densidad    2.33 g / cm 3
volumen (5.43 108 cm) 3

80
Learning
Figura 3.40 Tetraedro Silicio-Oxígeno y la forma
cristobalita β de silice resultante.
81
Figura 3.41 Celda unitaria del polietileno cristalino
82
Ejemplo 3.19 Cálculo de la cantidad de átomos de
carbono e hidrógeno en el polietileno cristalino.
¿Cuántos átomos de carbono e hidrógeno hay en cada celda

unitaria de polietileno cristalino? Hay el doble de átomos de
hidrógeno que de carbono en la cadena. La densidad
aproximada del del polietileno es 0.9972 g/cm3.
SOLUCION
Si x es la cantidad de átomos de carbono, entonces, 2x es la
cantidad de hidrógeno. De acuerdo con los parámetros de
red en la figura 3.41:
( x)(12 g / mol)  (2 x)(1g / mol)

 
(7.41  10  8 cm)( 4.94  10  8 cm)( 2.55  10  8 cm)(6.02  10 23 )
x = 4 átomos de carbon por celda
2x = 8 átomos de hidrógeno por celda.
83
Sección 3.9 Técnicas de difracción
para el análisis de la estructura
cristalina
 Difracción – La estructura de un material se puede
analizar refractando Rx o difracción de electrones.
 Ley de Bragg – Cuando los Rx se difractan, o el haz se
refuerza esta cumpliendo el enunciado de la Ley de
Bragg, esto es:Sen = / 2dhkl
 En un difractómetro un detector móvil registra los
ángulos 2  con los cuales se difracta el haz y se
obtiene una figura característica de difracción, figura
3.45b.
84
Figura 3.43 Interacciones
(a) Destructiva y
(b)Constructiva entre Rx y
el material cristalino. El
refuerzo, o interacción
constructiva, sucede en
ángulos que satisface la

Ley de Bragg.
85
Figura 3.44 Fotografía de un
difractómetro de Rx. (Cortesia
de H&M Analytical Services.)
86
Figura 3.45 (a) Diagrama
de un difractómetro donde
se observan la muestra en
polvo y los haces incidente
y difractado. (b) Figura de
difracción obtenida con una
muestra de polvo en oro.
87
Ejemplo 3.20 Análisis de la difracción de Rx.
Los resultados de una difracción de Rx utilizando

λ = 0.7107 Å (radiación obtenida con un blanco de
molibdeno, Mo) indican que los picos de difracción
estan en los ángulos 2θ siguientes:
Determine la estructura cristalina, los índices

del plano que produce cada pico y el parámetro de
red del material.
88
Primero se determina sin2θ para cada pico y despues se

divide entre el valor mínimo, 0.0308.
89
Ejemplo 3.20 SOLUCION (Continuación)
Para calcular la distancia entre planos se puede usar
cualquiera de los valores de 2θ de los picos y luego el
parámetro de la red.Si escogemos el pico 8:
2θ = 59.42 o θ = 29.71
 0.7107
d 400    0.71699 Å
2 sin  2 sin( 29.71)
a 0  d 400 h  k  l
2 2 2
 (0.71699)( 4)  2.868 Å
Este es el parámetro de red del hierro BCC
90
Figura 3.46 Fotografía de un
microscopio electrónico de
transmisión (TEM) usado para el
análisis de la microestructura de
materiales. (Cortesia de JEOL
USA, Inc.)
91
Figura 3.47 Micrografía electrónica de transmisión de
una muestra de aleación de Al. La figura de difracción
de la derecha muestra manchas luminosas grandes que
representan la difracción de los principales granos de la
matriz de aluminio, las manchas más pequeñas se
originan en cristales de nanoescala de otro compuesto
que esta presente en esa aleación. (Cortesía del Dr.
JÖrg M.K. Wiezorek, University of Pittsburgh.)
92
Figura 3.48 Determine los índices de Miller, para las
direcciones mostradas
93
Figura 3.49
Determine los
índices para las
direcciones en la
celda unitaria.
94
Figura 3.50 Determine los índices para los planos en la
celda unitaria cúbica.
95
Figura 3.51 Determine los índices para los planos de la celda
unitaria cúbica.
96
Figura 3.52
Determine los
índices para las
direcciones en la red
hexagonal, usando
el sistema de 3 y 4
dígitos.
97
Figura 3.53 Determina

los índices para las
direcciones en la red
hexagonal, usando 3 y
4 dígitos.
98

los indices para los
planos mostrados.
99

los índices para los
planos mostrados.
100
Figura 3.56 Si se usaron Rx longitud de onda de  = 0.15418nm
Determine:La estructura cristalina,parámetro, los índices de los
planos que produce cada pico.
101
Figura 3.57 Si se usaron Rx de  = 0.07107 nm, determine:
Estructura cristalina, los indices de los planos y el parámetro del metal.
102

Manuales para Terricolas

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Manuales para Terricolas

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

CIENCIA E INGENIERIA DE

Capítulo 3 – Arreglos atómicos y iónicos

 Describir los arreglos en los sólidos

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning™

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning™

Figura 3.7 Clasificación de los materiales con base en la clase

Figura 3.10 Arreglos atómicos en el silicio cristalino y en el

 La red – Es una colección de puntos llamados puntos de

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning™

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning™

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning™

Determine la relación entre el radio atómico y el

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

Figura 3.15 Números de coordinación en celdas unitarias (a)

Como para FCC a 0  4r/ 2

(numer de atoms/cel) ( masa del hierro)

(23.54 10 24 )(6.02 10 23 )

Figura 3.16 La estructura hexagonal compacta HCP

El volumen de una celda unitaria monoclínca es

Entonces hay una expansión de la celda unitaria conforme el

= (Volumen final-Volumen inicial)/(volumen inicial)* 100

La mayoria de los cerámicos son muy frágiles y no pueden

Figura 3.19 Direcciones y

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

Figura 3.20 Equivalencia de las direcciones cristalográficas

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning™

Determine Los índices de Miller de los planos A, B, y C en la

Figura 3.22 Planos

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

Calcule la la densidad planar y la fracción de

Figura 3.23 Las

El total de átomos en cada cara es uno. La densidad

área de atoms por cara (1 atom) (r 2 )

trazar (a) [1 2 1] dirección y (b) el plano [ 2 10] en una celda

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

usando sistemas con 3 y 4 ejes. Las líneas punteadas

Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A

Figura 3.25 Los Indices

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

Figura 3.28 La secuencia de apilamiento ABCABCABC

 Sitios Intersticiales – En cualquiera de las estructuras

Figura 3.29 Ubicación de los sitios intersticiales en las celdas

Calcule la cantidad de sitios octaédricos que pertenezcan

mas la posición central, 1/2, 1/2, 1/2.

Cada uno de los sitios en la arista de la celda unitaria se

(12 aristas) (1/4 por celda) + 1 en centro

Figura 3.30 Cálculo de un

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

Esto es consistente con la tabla 3.6, como r/ R = 0.414, el

r = 0.414 * R = (0.414)(3 cm/2) = 0.621 cm.

En el ejemplo 3-12, se observa que hay 4 sitios

Figura 3.31 Conexión entre poliedros de aniones.

Figura 3.32 (a) Estructura del cloruro de cesio, una celda

Para el cloruro de potasio (KCl), (a) verificar que el

b. Los iones se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo

a03 = 2rK+ + 2rCl- = 2(0.133) + 2(0.181) = 0628 nm

Demuestre que el MgO tiene la estructura cristalina del

(4Mg 2 )( 24.312)  (4O-2 )(16)

(3.96  108 cm) 3 (6.02  1023 )

Figura 3.33 (a) La estructura de la blenda de zinc (b) vista de planta.

La constante de red del Arseniuro de galio (GaAs) es